JPS5913072A - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
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- JPS5913072A JPS5913072A JP11955182A JP11955182A JPS5913072A JP S5913072 A JPS5913072 A JP S5913072A JP 11955182 A JP11955182 A JP 11955182A JP 11955182 A JP11955182 A JP 11955182A JP S5913072 A JPS5913072 A JP S5913072A
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- film
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- work roll
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、フィルム状基体の両面に機能薄膜としてのス
パッタ薄膜を連続的に形成するスパッタリング装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a sputtering apparatus that continuously forms sputtered thin films as functional thin films on both sides of a film-like substrate.
近年、記録媒体層がスパッタ薄膜によって形成された磁
気記録媒体が出現している。スパッタ薄膜は、通常、低
圧の不活性ガス中でグロー放電を行なわせ、この放電に
よって生じた陽イオンをターゲットに衝突させ、この衝
突によってターゲットからたfCき出された金属微粒子
を所定の支持基体の表面に付着させることによって形成
される。したがって、ターゲットとして磁気記録性に富
んだ材料を遺択すれば、良好な ゛記録媒体層を形成す
ることができる。In recent years, magnetic recording media in which the recording medium layer is formed of a sputtered thin film have appeared. Sputtered thin films are usually produced by performing glow discharge in a low-pressure inert gas, causing the cations generated by this discharge to collide with the target, and by this collision, the metal particles ejected from the target by fC are transferred to a predetermined support substrate. It is formed by attaching it to the surface of. Therefore, if a material with high magnetic recording properties is selected as the target, a good recording medium layer can be formed.
ところで、最近では、フィルム状基体の両面にスパッタ
薄膜で形成された記録媒体層を有する磁気記録媒体の出
現が望まれ、との磁気記録媒体を製造し得るスパッタリ
ング装置の提案も幾つかなされ1いる。Incidentally, recently, there has been a desire for the emergence of a magnetic recording medium having a recording medium layer formed of a sputtered thin film on both sides of a film-like substrate, and several proposals have been made for sputtering apparatuses capable of producing magnetic recording media. .
スパッタリングによって形成された磁気記録媒体層の磁
気的特性の均一性は、スパッタリング時における不活性
ガス圧力、基体とターゲットとの間の距離、スパッタ速
度、基体温度等によって左右され、このうち、基体とタ
ーゲットの間の距離および基体温度を一定に保つことは
重要である。このような点を考慮に入れると、フィルム
状基体の両面にスパッタ薄膜を連続的に形成するにはワ
ークロールによってフィルム状基体を保持させる方式が
例かと有利である。The uniformity of the magnetic properties of the magnetic recording medium layer formed by sputtering depends on the inert gas pressure during sputtering, the distance between the substrate and the target, the sputtering speed, the substrate temperature, etc. It is important to keep the distance between the targets and the substrate temperature constant. Taking these points into consideration, it is advantageous to use a method in which the film-like substrate is held by work rolls in order to continuously form sputtered thin films on both sides of the film-like substrate.
すなわち、内部を通流する冷媒によって冷却され、かつ
回転駆動されるワークロールの外周面に沿わせてフィル
ム状基体を移送させるとともに上記フィルム状基体の上
記ワークロールの外周面に接触している部分の表面にス
パッタ薄膜を連続的に形成するようにする。このように
すると、フィルム状基体がワークロールに接触している
時間を長くでき、これによって基体を良好に冷却できる
とともにワークロールによって基体とターゲットとの間
の距離を常に一定に保つことができる。このように、フ
ィルム状基体をワークロールの外周面に沿わせ彦がらス
パッタリングを行ない、かつフィルム状基体の両面にス
パッタ薄膜を形成する場合には、両面に同時にスパッタ
薄膜を形成する゛ことができず、どちらか一方の表面に
、まず、スパッタ薄膜を形成し、次に時間的にずらして
他方の表面にスパッタ薄[を形成する順序を採用せざる
を得ない。That is, the film-like substrate is cooled by a refrigerant flowing through the inside and is transferred along the outer circumferential surface of the work roll that is rotationally driven, and the portion of the film-like substrate that is in contact with the outer circumferential surface of the work roll. A sputtered thin film is continuously formed on the surface of the sputtered film. In this way, the time during which the film-like substrate is in contact with the work roll can be extended, which allows the substrate to be cooled well, and the distance between the substrate and the target can always be kept constant by the work roll. In this way, when sputtering is performed while the film-like substrate is placed along the outer peripheral surface of the work roll and sputtered thin films are formed on both sides of the film-like substrate, it is possible to form the sputtered thin films on both sides at the same time. First, it is necessary to adopt an order in which a sputtered thin film is first formed on one of the surfaces, and then a sputtered thin film is formed on the other surface with a temporal shift.
この場合、他方の表面にスパッタ薄膜を形成するときに
は、すでに一方の表面にスパッタ薄膜が形成されている
ので、他方の表面にスパッタ薄膜を形成する工程に移行
させる間にすでに形成されているスパッタ薄膜に傷など
がつき易い虞れがある。また、一般にスパッタ源を付勢
すると、スパッタ源から不純物が放出され、この不純、
物が基体の表面に付着する虞れがある。さらには、基体
に付着した蒸着物がスパッタ源上に落下してスパッタリ
ング条件を乱す虞れもある。また、両面にスパッタ薄膜
を形成する場合、一方の面だけに形成する場合に較べて
装置全体が大型化するが、排気系蝉の面からできるだけ
小型化することが望まれる。!、た、スパッタ速度の向
上化も当然要求される。In this case, when forming a sputtered thin film on the other surface, since the sputtered thin film has already been formed on one surface, the sputtered thin film that has already been formed is transferred to the step of forming the sputtered thin film on the other surface. There is a risk that it may be easily scratched. Generally, when a sputter source is energized, impurities are emitted from the sputter source, and these impurities,
There is a risk that objects may adhere to the surface of the substrate. Furthermore, there is a risk that the deposits attached to the substrate may fall onto the sputtering source and disturb the sputtering conditions. Furthermore, when sputtering thin films are formed on both sides, the entire apparatus becomes larger than when forming only on one side, but it is desirable to make the apparatus as small as possible from the viewpoint of the exhaust system. ! Naturally, an improvement in sputtering speed is also required.
本発明は、上述した要望を満たすことができ、もって、
フィルム状基体の両面に良質のスパッタ薄膜を連続的に
かつ高速度に形成することができ、しかも装置全体の小
型化も図れるスパッタリングitを提供することを目的
としている。The present invention can satisfy the above-mentioned needs, and thus,
It is an object of the present invention to provide a sputtering IT capable of continuously forming high-quality sputtered thin films on both sides of a film-like substrate at a high speed, and also capable of reducing the size of the entire apparatus.
〔発明の概要]
本発明に係るスパッタリング装置は、フィル5−
ム状基体の一方の表面へのスパッタ薄膜形成工程に関与
するワークロールを下段に、他方の表面へのスパッタ薄
膜形成工程に関与するワークロールを上段にそれぞれの
軸心線を平行させて2段構成に配置するとともに上記各
ワークの外周面に対向する各スパッタ源を対応すゐワー
クロールの軸心線ヲ通って描かれる水平線よp下側でか
つ上記軸心線を通って描かれる垂直線に対して傾斜させ
てそれぞれ配置し、さらに、スパッタリング実行時に上
記フィルム状基体を下段に位置するワークロールの外周
面を経由させた後に上段に位置するワークロールの外周
面を経由させて進行させる下側から上側へ折り返す睦
経鍮で案内する機構を設けたことを特徴としている。[Summary of the Invention] The sputtering apparatus according to the present invention includes a work roll that is involved in the step of forming a sputtered thin film on one surface of a film-like substrate, and a work roll that is involved in the step of forming the sputtered thin film on the other surface of the film-like substrate. The work rolls are arranged in a two-tier configuration with their axes parallel to each other on the upper stage, and each sputter source facing the outer peripheral surface of each work is aligned with a horizontal line drawn through the axes of the corresponding work rolls. P below and at an angle with respect to the vertical line drawn through the axis line, and furthermore, after passing the film-like substrate through the outer circumferential surface of the work roll located at the lower stage during sputtering execution. It is characterized by the provision of a mechanism that guides the work roll through the outer circumferential surface of the work roll located in the upper stage and guides it from the lower side to the upper side using a folded brass rod.
上記構成であると、各ワークロール、供給および巻取リ
ールを円に近い配置に設置できるので装置全体を小型化
でき、排気系を小型化できる。With the above configuration, each work roll, supply reel, and take-up reel can be arranged in a nearly circular arrangement, so the entire apparatus can be downsized, and the exhaust system can be downsized.
6一
また、上記構成であると、フィルム状基体杖、まず下段
側において、その下面にスパッタ薄膜が形成され、次に
上記スパッタ薄膜が上面となるように折シ返されて上段
のワークロールに沿って進行し、この上段においてその
下面にスパッタ薄膜が形成され、結局、両面にスパッタ
薄膜が形成される。そして、下段から上段に移行させる
ときにフリーロール等の中継ロールを経由させる必要が
あるが、この中継ロールの位置は、必然的にスパッタ薄
膜が形成されていない面側と々る。したがって、中継ロ
ールによってすでに形成されているスパッタ薄膜が傷つ
けられ墨のを最少限に抑えることができ、それだけ品質
の高いものを製造できる。また、上記構成であると、基
体のスパッタ源と対向する部分がスパッタ源より常に斜
上方、換言すると、スパッタ源が基体の対向面よシ斜下
方に位置していることになるので、上記スパッタ源よシ
放出された不純物が基体側に付着するの゛を防止ヤきる
とともにスパッタ源に各種異物が付着するのを防止でき
、この点からも良質のスパッタ薄膜を形成させることが
できる。tた、ワークロールの軸心線を通って描かれる
垂直線に対してスパッタ源を傾斜させて設けているので
、上述した利点を損わずに1つのワークロールに対して
2個以上のスパッタ源を対向設置することができる。し
たがって、スパッタ速度の高速化を実現することができ
る。6. Also, with the above configuration, a sputtered thin film is first formed on the lower surface of the film-like substrate rod on the lower side, and then it is folded back so that the sputtered thin film becomes the upper surface and transferred to the upper work roll. A sputtered thin film is formed on the lower surface of the upper stage, and eventually sputtered thin films are formed on both sides. When transferring from the lower stage to the upper stage, it is necessary to pass through a relay roll such as a free roll, but the position of this relay roll is inevitably on the side where the sputtered thin film is not formed. Therefore, it is possible to minimize damage to the sputtered thin film already formed by the relay roll and to minimize ink stains, and products of higher quality can be manufactured. In addition, with the above configuration, the part of the base that faces the sputter source is always located diagonally above the sputter source, in other words, the sputter source is located diagonally below the facing surface of the base, so that the sputter It is possible to prevent impurities emitted from the source from adhering to the substrate side, and also to prevent various foreign substances from adhering to the sputtering source, and from this point of view as well, it is possible to form a sputtered thin film of good quality. In addition, since the sputtering source is provided at an angle with respect to the vertical line drawn through the axis of the work roll, two or more sputters can be produced on one work roll without sacrificing the above-mentioned advantages. The sources can be installed facing each other. Therefore, it is possible to increase the sputtering speed.
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。なお、この実施例は、高分子フィルムの両面に磁気記
録媒体層を形成する装置に本発明を適用した例である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. This example is an example in which the present invention is applied to an apparatus for forming magnetic recording medium layers on both sides of a polymer film.
第1図において、図中1は、たとえば金輌材製の真空容
器であシ、この真空容器lは、軸心線が重力方向に対し
て旧交するように配置された円筒部2と、この円筒部2
の両端開口部を気密に蓋する蓋体3a 、Jb(但し3
bは図示せず。)とで構成されている。そしそ、円筒部
2には図示しない排気系に通じる排気口4と同じく図示
しない不活性ガス供給系に通じるガス導入口5とが形成
されている。なお、前記蓋体3bは選択的に開閉できる
構造に形成されている。In FIG. 1, reference numeral 1 in the figure is a vacuum container made of metal material, for example, and this vacuum container l consists of a cylindrical part 2 arranged so that its axis line crosses the direction of gravity, and this cylindrical part 2
Lid bodies 3a and Jb (however, 3
b is not shown. ). Furthermore, an exhaust port 4 communicating with an exhaust system (not shown) and a gas inlet 5 communicating with an inert gas supply system (not shown) are formed in the cylindrical portion 2. Note that the lid body 3b is formed in a structure that can be selectively opened and closed.
しかして、真空容器1内には、この真空容器1内におい
て、フィルム状基体Pを前記円筒部2の軸心線に対して
直交する進路で、かつ下から上へとコ字状の経路で案内
走行させる案内機構11が設けられている。この案内機
構11は、真空容器1内の上下2分割仮想線よp下方に
図中左方か−ら右方に亘って配置された供給リール12
およびワークロール13.14と、上下2分割仮想線よ
シ上方に図中右方から左方に亘って配置されたワークロ
ール15.16および巻取り−ル17と、これらの間に
それぞれ配置されたフリーロール18とで構成されてい
る。これらフリーロール18、ワークロール13゜14
.15.16、供給リール12および巻取リール17は
、それぞれ、その軸心線が前記円筒部20軸心廁と平行
するように6C置されている。そして、供給リール12
から巻戻され良79−
ィルム状基体p線、ワーク四−ル13.14゜15 、
J’ 6の順に各ワークロールの外周面に沿い、かつ
各ワークロール毎にその最下面゛位置において折り返す
関係に案内され、最終的に巻取リール17に巻取られる
ように案内される。In the vacuum vessel 1, the film-like substrate P is guided in a U-shaped path from bottom to top, perpendicular to the axis of the cylindrical portion 2. A guide mechanism 11 for guiding the vehicle is provided. This guide mechanism 11 includes a supply reel 12 disposed below an imaginary line that divides the vacuum container 1 into upper and lower halves from the left to the right in the figure.
and work rolls 13, 14, work rolls 15, 16 and take-up rolls 17 which are arranged above the imaginary line dividing the upper and lower halves from right to left in the figure, and which are arranged between these, respectively. It consists of a free roll 18. These free rolls 18, work rolls 13°14
.. 15.16, the supply reel 12 and the take-up reel 17 are placed 6C so that their axes are parallel to the axis of the cylindrical portion 20. And supply reel 12
Unwound from 79-film-like substrate p-ray, workpiece four-wheel 13.14°15,
J' 6 is guided along the outer circumferential surface of each work roll in the order of 6 and folded back at the position of the lowest surface of each work roll, and is finally guided to be wound onto the take-up reel 17.
上記□供給リール12および巻取リール17には、それ
ぞれ駆動軸(図示せず)が連結されておシ、これら駆動
軸は、蓋体3aを上記蓋体3mとの間が絶縁された状態
で気密にかつ回転自在に貫通して、第2゛図にそれぞれ
にを付して示す直流分巻形のモータ12a、17mの回
転軸に連結されている。また、前記ワークロール13゜
14.15.16は、それぞれ二重筒状に形成されてお
シ、これらワークロール13.14・15.16には、
それぞれ二重筒状に形成された駆動軸が対応する9間ど
うしを連通させた状態に連結されている。そして、二重
筒状に形成された各駆動軸は、着体3mを上記蓋体31
との間が絶縁された状態で気密にかつ回転自在に貫通し
て第2図にそれぞれ虐を付して示す直流10−
分巻形のモータl J a m 14 a e 15
a * 16mの回転軸に連結されている。なお、二重
筒状に形成され九上記各駆動軸の真空容器1外に位置す
る部分には、それぞれ、上記駆動軸の中央部に存在する
空間を通してワークロールの中央部に存在する空間に熱
媒体を送り込み、この熱媒体をワークロール内の外側空
間および駆動軸内の外側空間を介して外部へ排出させる
ロータリジヨイント機構が設けてあシ、これら−一タリ
ジョイント機構はそれぞれ高温液体源および低温液体源
に選択的に接続されるようになっている。Drive shafts (not shown) are connected to the supply reel 12 and the take-up reel 17, respectively, and these drive shafts are connected to the lid 3a with the lid 3m insulated from each other. It passes airtightly and rotatably through the shaft and is connected to the rotating shafts of DC shunt type motors 12a and 17m, respectively indicated by numerals in FIG. 2. Further, the work rolls 13, 14, 15, and 16 are each formed into a double cylindrical shape, and these work rolls 13, 14, 15, and 16 have the following features:
Each of the drive shafts formed in a double cylindrical shape is connected in a state where the corresponding nine shafts are in communication with each other. Each drive shaft formed in a double cylindrical shape connects the attached body 3m to the lid body 31.
A direct current 10-shunt type motor 10, shown with a numeral in FIG.
It is connected to a rotating shaft of a*16m. Note that the portions of each of the drive shafts that are formed into a double cylindrical shape and located outside the vacuum vessel 1 are heated through the space that exists in the center of the drive shaft to the space that exists in the center of the work roll. A rotary joint mechanism is provided for feeding a medium and discharging the heat medium to the outside through an outer space within the work roll and an outer space within the drive shaft, and these rotary joint mechanisms are connected to a hot liquid source and a hot liquid source, respectively. It is adapted to be selectively connected to a source of cryogenic liquid.
しかして前記真空容器1内には、各ワークロール1B、
14.15.16の外周面に2個づつ対向する関係に合
計8個のスパッタ源21゜22、・・・28が配置され
ている。これらスパッタ源21.22.・・・28はそ
れぞれ円板状に形成されたターゲットの外側にこれと同
心円状にリング状の陽極を上記ターゲットとは絶縁させ
て配置するとともにターゲットの背面に一方の′a極面
が接触するように永久磁石を配置したマグネトロン形の
平板状構造に形成されている。In the vacuum container 1, each work roll 1B,
A total of eight sputtering sources 21, 22, . . . , 28 are arranged on the outer peripheral surfaces of the sputtering devices 14, 15, and 16, two each facing each other. These sputtering sources 21.22. ...28, a ring-shaped anode is arranged concentrically on the outside of each disc-shaped target, insulated from the target, and one pole surface 'a' is in contact with the back surface of the target. It is formed into a magnetron-shaped flat structure with permanent magnets arranged as shown in the figure.
そして、各スパッタ源21.j12・・・28は、各ワ
ークルール13.14.15.16の外周面に対し、各
ワークロールの軸心線を通る水平憩よシ下方で、かつ上
記軸心線を通る垂直線を基準にし、この垂直線とターゲ
ットの軸心線との間の開き角θが30〜60度の範囲で
斜下方から対面する関係にそれぞれ設けられている。な
お、この実施例の場合、スパッタ源21.22゜25.
26のターゲットはパーマロイで形成されておシ、スパ
ッタ源23.24.27.28のターゲットはCo−C
r合金で形成されている。そして、各スパッタ源21,
22.・・・28のターゲットと陽極とは蓋体3aを気
密に貫通して設けられた図示しないリード線を介してそ
れぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に接続され
ている。Each sputtering source 21. j12...28 is based on the outer peripheral surface of each work rule 13, 14, 15, 16, below the horizontal break that passes through the axial center line of each work roll, and with a vertical line that passes through the above axial center line. The opening angle θ between this perpendicular line and the axis of the target is in the range of 30 to 60 degrees, and the targets are arranged so as to face each other from obliquely below. In this embodiment, the sputtering source is 21.22°25.
The target of sputter source 26 is made of permalloy, and the targets of sputter source 23, 24, 27, and 28 are made of Co-C.
It is made of r alloy. And each sputter source 21,
22. . . . 28 targets and anodes are each independently connected to an output end of a DC power source (not shown) via lead wires (not shown) provided to hermetically penetrate the lid 3a.
一方、前記供給リール12とワークロール13との間、
ワークロール13.14間、ワークルール14.15間
、ワークロール15.16問およびワークロール16と
巻取リール17との間には、これらの間を進行するフィ
ルム状基体Pの張力を検出する張力検出器31,32.
・・・力
35が設置されている。これら張外検出器31゜32、
・・・は、たとえば張力を機械的な変位に変換し、この
変位量を電気信号として出力するように構成されている
。また、ワークロール13および16の図中左方には、
正転、逆転操作に連動して各ワーク四−ルに選択的に抑
圧接触するピンチローラ37.38が設けられている。On the other hand, between the supply reel 12 and the work roll 13,
Between work rolls 13 and 14, between work rules 14 and 15, between work rolls 15 and 16, and between work rolls 16 and take-up reel 17, the tension of the film-like substrate P traveling between these is detected. Tension detectors 31, 32.
...Force 35 is installed. These external detectors 31°32,
... is configured to convert tension into mechanical displacement, for example, and output the amount of displacement as an electrical signal. Also, on the left side of the figure of work rolls 13 and 16,
Pinch rollers 37 and 38 are provided that selectively press and contact each workpiece wheel in conjunction with forward and reverse rotation operations.
しかして、前記各モーター28.13m。Therefore, each motor has a length of 28.13 m.
14a、・・・17mは、第2図に示すようにサーボ制
御回路41.42.・・・46によって独立的に駆動さ
れる。この回路41.42.・・・46は、入力信号と
して導入された設定速度信号とモータに1結された直流
発電機48で得られた現実の速度信号との偏差が常に零
となるようにモータの速度を制御するように構成されて
いる。そして、上記各サーボ制御回路41.42.・・
・4613−
の入力端に紘、速度設定器51、正転逆転切換器52お
よび速度補正器53 、54 、55.56゜57を介
して設定速度信号が導入される。14a, . . . 17m are servo control circuits 41, 42, . . . , as shown in FIG. ... 46 independently. This circuit 41.42. ...46 controls the speed of the motor so that the deviation between the set speed signal introduced as an input signal and the actual speed signal obtained by the DC generator 48 connected to the motor is always zero. It is configured as follows. Each of the servo control circuits 41, 42.・・・
A set speed signal is introduced into the input terminal of 4613- via the speed setter 51, forward/reverse switch 52, and speed correctors 53, 54, and 55.56°57.
上記速度補正器53 、54 、55 、56.57は
、それぞれ張力設定器61で与えられた張力信号zoと
各張力検出器で得られた張力信号z1との偏差を求める
回路611と、この回路62で求められた偏差信号で前
記速度設定器51から与えられた設定速度信号を補正す
る回路63とで構成されている。すなわち、zoに対し
てzlが小さいときには、両者の差に対応した分だけ設
定速度信号を増加させ、また、逆の場合には設定速度信
号を減少させるようにしている。The speed correctors 53, 54, 55, and 56.57 each include a circuit 611 that calculates the deviation between the tension signal zo given by the tension setting device 61 and the tension signal z1 obtained by each tension detector, and this circuit. and a circuit 63 for correcting the set speed signal given from the speed setter 51 using the deviation signal obtained in step 62. That is, when zl is smaller than zo, the set speed signal is increased by an amount corresponding to the difference between the two, and in the opposite case, the set speed signal is decreased.
また、回路63は正転逆転切換器52に応動して、増減
信号弁の極性を切換えるようにしている。しかして、こ
の実施例の場合には、供給リー、A/12、各ワークロ
ール13 、14 、15゜16および巻取リール17
を第1図中実線矢印で示すように回転駆動させてフィル
ム状基体Pを走行させている状態を正転とし、との正転
状14−
態においては、モータ12mを制御するサーボ制御回路
41に信号源64から低速度設定信号に対応する信号を
直接導入し、また、モータ131t−制御するサーボ制
御回路42に正転逆転切換器52を通った設定速度信号
を直接導入し、さらにモータ148@151a@168
017mを制御するサーボ制御回路43 、44 。Further, the circuit 63 switches the polarity of the increase/decrease signal valve in response to the forward/reverse rotation switch 52. Thus, in the case of this embodiment, the supply reel, A/12, each work roll 13, 14, 15° 16 and the take-up reel 17
The state in which the film-like substrate P is driven to rotate as shown by the solid line arrow in FIG. A signal corresponding to the low speed setting signal is directly introduced from the signal source 64 to @151a@168
Servo control circuits 43 and 44 that control 017m.
45.46に、上記モータによって駆動されるワークロ
ールおよび巻取リールの位置の直前に位置する張力検出
器の出力が導入される速度補正器を通った信号を設定速
度信号として導入するようにしている。そして、逆転状
態においては、これらの関係を切換えるようにしている
。45. In 46, a signal passed through a speed compensator into which the output of a tension detector located immediately before the position of the work roll and take-up reel driven by the motor is introduced is introduced as a set speed signal. There is. In a reversed state, these relationships are switched.
したがって、第2図に示すように、正転逆転切換器52
の切換操作に連動して切換わるスイッチ66が設けてあ
如、この第2図は正転状態を示している。そして、図中
68は逆転状態時にサーボ制御回路46に低速度信号を
与える信号源を示している。また、第1図中70.71
はスパッタ源を保持するホルダを示し、また、72は仕
切板を示し、73はスパッタリングによって薄膜が形成
される領域を規制するマスクを示している。また、ピン
チローラ37は正転逆転切換器52の切換操作に応動し
て正転のときだけワークロール13に抑圧接触するよう
に制御され、また、ピンチローラ38は逆転のときだけ
ワークロール16に抑圧接触するように制御される。Therefore, as shown in FIG.
A switch 66 is provided which is switched in conjunction with the switching operation, and FIG. 2 shows the normal rotation state. Reference numeral 68 in the figure indicates a signal source that provides a low speed signal to the servo control circuit 46 during the reverse rotation state. Also, 70.71 in Figure 1
72 indicates a holder for holding a sputtering source, 72 indicates a partition plate, and 73 indicates a mask for regulating the area where a thin film is formed by sputtering. Further, the pinch roller 37 is controlled to come into pressure contact with the work roll 13 only during forward rotation in response to the switching operation of the forward/reverse rotation switch 52, and the pinch roller 38 is controlled to contact the work roll 16 only during reverse rotation. Controlled to suppress contact.
次に上記のように構成された装置を使ってフィルム状基
体Pの両面にパーマロイ層およびCo−Cr層からなる
二層構造のスパッタ薄膜を形成する場合の使用例t−説
明する。Next, an example of use will be described in which a two-layer sputtered thin film consisting of a permalloy layer and a Co--Cr layer is formed on both sides of a film-like substrate P using the apparatus configured as described above.
まず、真壁容器1の蓋体3bを開け、フィルム状基体P
の巻回された巻取リールを第1図に示すようにセットし
、次に、上記巻取リール17に巻回されているフィルム
状基体Pを所定の長さ巻戻し、これを第1因に示すよう
に各フリーロール18、張力検出器35 、34 、3
!I 。First, open the lid 3b of the Makabe container 1 and remove the film-like substrate P.
The winding reel 17 is set as shown in FIG. As shown in each free roll 18, tension detectors 35, 34, 3
! I.
32.31および各ワークロール16.15゜14.1
3に沿わせた後、その遊端を供給リー゛ル12に巻き付
け、所定の張力が加わるように調整し、蓋体3bt−閉
じる。次に排気系を作動させて真空容器1内を十分低圧
に排気する。次に、各ワークルール1B、14,15.
16の二重筒状に形成された駆動軸を介して高温液体を
各ワークロール1B、14.15.16内に通流し、こ
れによって、各ワークロール13゜14.1g、16の
表面温度を定められた一定の高温度に保持する。次に、
正転逆転切換器52を逆転側に切換える。この切換えに
よって、各スイッチ66は第2図に示す状態とは逆の関
係に切換わる。また、ピンチルーラ38がフィルム状基
体Pを介してワークロール16に圧接すJD′。次に、
張力設定器61から所定の張力信号Zot−出力させる
とともに速度設定器51から所定の設定速度信号を出力
させる。この状態で、各サーボ制御回路41.42.・
・・46に始動指令8t−与える。32.31 and each work roll 16.15°14.1
3, the free end is wound around the supply reel 12, adjusted so that a predetermined tension is applied, and the lid body 3b- is closed. Next, the exhaust system is activated to exhaust the inside of the vacuum container 1 to a sufficiently low pressure. Next, each work rule 1B, 14, 15.
The high-temperature liquid is passed through each work roll 1B, 14.15.16 through the double cylindrical drive shaft of 16, thereby increasing the surface temperature of each work roll 13°14.1g, 16. Maintain at a fixed high temperature. next,
The forward rotation/reverse rotation switch 52 is switched to the reverse rotation side. As a result of this switching, each switch 66 is switched to a state opposite to that shown in FIG. Further, the pinch ruler 38 presses against the work roll 16 via the film-like substrate P. next,
The tension setting device 61 outputs a predetermined tension signal Zot-, and the speed setting device 51 outputs a predetermined set speed signal. In this state, each servo control circuit 41, 42.・
...Give starting command 8t to 46.
このように始動指令8が与えられると、各サーボ制御回
路41.42.43・・・46が作動し、17−
モータ12m、13a*14m・・・17mが一斉に回
転を開始する。すなわち、モータ17mは、信号源68
の出力信号によって訣まる値に低速回転し、また、モー
タ16mは速度設定器52の設定速度信号に対応した速
度で回転し、さらにモータ15m*14a*13m、1
2mは速度設定器52の設定速度信号を速度補正器56
゜55.54.53で補正した信号に対応した速度で回
転する。このため、巻取リール17、ワークロール16
,15.14.13および供給リール12が第1図に実
線矢印で示す方向とは反対方向に回転し、これによって
、フィルム状基体Pは、巻取リール17から供給リール
12に徐々に巻取られる。この場合、各ワークロール1
B、14.15.16は、前述の如く、高温液体によっ
て高温に保持されているので、これに接触するフィルム
状゛基体Pも加熱され、この結果、゛フィルム状基体P
に付着している不純ガスが放□出される。すなわち、上
述した動作によってフィルム状基体Pの前処理が実行さ
れる。When the starting command 8 is given in this way, each servo control circuit 41, 42, 43...46 is activated, and the 17-motors 12m, 13a*14m...17m start rotating all at once. That is, the motor 17m is connected to the signal source 68
The motor 16m rotates at a low speed determined by the output signal of the speed setting device 52, and the motor 16m rotates at a speed corresponding to the set speed signal of the speed setting device 52.
2m, the set speed signal of the speed setter 52 is converted to the speed corrector 56.
It rotates at a speed corresponding to the signal corrected by 55.54.53. For this reason, the take-up reel 17, the work roll 16
, 15.14.13 and the supply reel 12 rotate in the opposite direction to the direction indicated by the solid arrow in FIG. It will be done. In this case, each work roll 1
B, 14, 15, 16 is kept at a high temperature by the high-temperature liquid as described above, so the film-like base P that comes into contact with it is also heated, and as a result, the film-like base P
The impure gas adhering to the gas is released. That is, the film-like substrate P is pretreated by the above-described operation.
18−
なお、巻取リール17t−低速で回転させるのは、慣性
によって巻取リール17が回ル過ぎるのを防止するため
であ夛、シたがって、信号源68(64)としては巻厚
の減少に伴なって出力信号が徐々に増加するものが望ま
しい。しかして、上記のように前処理を行ない、巻厚表
示器の指示値からフィルム状基体Pの終端が巻取リール
17を離れる直前に至った時点で各サーボ制御器M41
.42.・・・46への始動指令8の供給を停止し、こ
れによって巻取リール17、各ワークロール16.15
.14.13および供給リール120回転を停止させて
前処理工程を終了する。この前処理工程によってフィル
ム状基体Pに付加しているガスのほとんどは排気系に移
行して除去される。18- Note that the reason why the take-up reel 17t is rotated at a low speed is to prevent the take-up reel 17 from spinning too much due to inertia. It is desirable that the output signal gradually increases as the output signal decreases. After performing the pre-processing as described above, each servo controller M4
.. 42. . . . 46 is stopped, and thereby the take-up reel 17 and each work roll 16.15 are stopped.
.. 14.13 and the supply reel 120 rotations are stopped to complete the pretreatment process. By this pretreatment step, most of the gas added to the film-like substrate P is transferred to the exhaust system and removed.
、次に、各95−クロール13.14.15゜16内で
の高温液体の通流を停止させ、続いて各ワークロール1
3.14.15..16内へ、たとえば−15℃の低温
液体を通流さする。この低温液体の通流によって、各ワ
ークレール13゜14.15.16の表面は十分低温に
冷却される。, then the flow of hot liquid in each 95-roll 13, 14, 15° 16 is stopped, followed by each work roll 1
3.14.15. .. For example, a low temperature liquid of -15° C. is passed through the inside of the device 16. By flowing this low temperature liquid, the surfaces of each work rail 13, 14, 15, 16 are cooled to a sufficiently low temperature.
次に、正転逆転切換器52t−操作して正転側に切換え
る。この切換えによって各スイッチ66は第2図の状態
に切換わる。また、速度設定器51および張力設定器6
1の出力をそれぞれ所望の値に設定する。Next, the forward/reverse rotation switch 52t is operated to switch to the forward rotation side. This switching causes each switch 66 to switch to the state shown in FIG. 2. In addition, a speed setting device 51 and a tension setting device 6
Set each output of 1 to a desired value.
この状態で各サーボ制御器41.42.・・・46に始
動指令8を与える。この結果、供給リール12、ワーク
ロール13.14.15.16および巻取リール17が
第1図中実線矢印で示す方向に回転を開始し、フィルム
状基体Pは、供給リール体から巻取リール171111
へと移行を開始する。次に1.ガス導入口5からたとえ
ばAtガスを連続的に導入するとともに、この状態で真
墾容器内が゛、′たとえば3〜7X10°’、Torr
の圧力となるように排気系およびArがス供給系會調整
し、続いてもスパッタ源21.22・・・28の陽極と
ターゲットとの間に数百ボルトの直流電圧を印加す不。In this state, each servo controller 41, 42. ...Gives start command 8 to 46. As a result, the supply reel 12, the work rolls 13, 14, 15, 16, and the take-up reel 17 start rotating in the direction shown by the solid arrow in FIG. 171111
Start transitioning to . Next 1. For example, At gas is continuously introduced from the gas inlet 5, and in this state, the inside of the deep container is heated to ``, for example, 3 to 7 x 10 degrees'', Torr.
The exhaust system and the Ar gas supply system were adjusted so that the pressure was as high as 100 volts, and then a DC voltage of several hundred volts was applied between the anodes of the sputtering sources 21, 22, . . . , and the target.
この印加によって陽極とターゲットとの間にグー−放電
が生じ、これによって、よく知られている原!に基づき
、ターゲットを構成している金属微粒子がたたき出され
る。This application generates a goo discharge between the anode and the target, which causes the well-known ! Based on this, the metal particles that make up the target are knocked out.
このたたき出された金属微粒子の一81!は、ターゲッ
トの前面をワークロールの外周面に沿って進行するフィ
ルム状基体Pの表面に付着する。Part 81 of these metal particles that were knocked out! The front surface of the target is attached to the surface of the film-like substrate P that advances along the outer peripheral surface of the work roll.
前述の如く、スパッタ源21. 、22のターゲラ、ト
はパーマロイで形成されており、オた、スパッタ源23
.24のターゲットはCo−Cr合金で形成されている
。したがって、フィルム状基体Pが下段に位置するワー
クロール213゜1.4の外周面に沿って通過する間に
、このフィル、ム状基体Pの一方の表面にパーマロイ層
およ。As mentioned above, the sputter source 21. , 22 are made of permalloy, and the sputter source 23 is made of permalloy.
.. Target No. 24 is made of a Co-Cr alloy. Therefore, while the film-like substrate P passes along the outer peripheral surface of the work roll 213.1.4 located at the lower stage, a permalloy layer is formed on one surface of the film-like substrate P.
びCo−Cy層からなる二層構造のスパッタ、薄膜層が
形成されることになる。そして、フィルム状基体Pが上
段に位置する。ワークロール15゜16の外周面に、沿
って進行するときには、すでにろバッタ薄膜層が形成さ
些ている面がロー1りp−ル1.5.16の外周面に接
触する関係に案内される。4したがって1、この7区間
内を通過する21−
ときにはフィルム状基体Pの他方の表面にパーマロイ層
およびCo7Cr層からなる二層構造のスパッタ薄膜層
が形成されることになシ、結局巻取リール17にはフィ
ルム状基体Pの両面に二層構造、のスパッタ薄膜の形成
されたものが巻取られることになる。そして、上記のよ
うにスパッタリングが行なわれると、このスパッタリン
グによってフィルム状基体Pが加熱されようとするが、
この熱は各ワークロールl J、、 14゜15.16
を介して各ワークロー化内管通流している低温液体に伝
達される。し九がって、フィルム状基体Pが熱的表損傷
を受けるようなことはない。また、上記熱によって万一
、フィルム状基体Pに伸びが生じた場合には、次のよう
に動作する。すなわち、上記のようにフィルム状基体P
が伸びると、この伸びは、各ワークロール間を進行する
基体に加わ仝磁力の低下となって表われる。たとえば今
、ワークロール14と15との間を進行する基体の張力
が低下すると1、この低下は張力検出器33によって検
、出さ22−
れる。このように、張力検出器33の出力が低下すゐと
、第2図に示す速度補正器550回路62の出力が増加
し、この結果、回路63の出力も増加する。したがって
、サーボ制御器440入力が増加するのでモータ15a
の回転速度が増加し、これに伴なってワークロール15
の回転速度が増加する。したがって、張力が低下した分
だけワークロール15の巻込みが早められるので、再び
張力が増加することになり、結局、ワークロール15の
回転速度と、このワークロール15の外周面に沿って進
行するフィルム状基体Pの進行速度との相対速度差がほ
ぼ零となるようにワークロール15の回転速度が制御さ
れる。このような制御は、他のワークロール14.16
および巻取り−ル17についても同様に行なわれる。し
たがって、フィルム状基体Pは、各ワークロール14.
15.16との間のスリップが常に非常に小さい状態で
進行することになる。このため、特に、ワークロール1
5.16の外周面に沿って進行するとき、すつく虞れが
ない。また、スリップ増加したときに起こり易い冷却性
能の低下も発生しない。A two-layer sputtered thin film layer consisting of a Co-Cy layer and a Co-Cy layer is formed. Then, the film-like substrate P is located at the upper stage. When traveling along the outer circumferential surface of the work roll 15, 16, the surface on which the thin film layer of filter batter has already been formed is guided into a relationship in which it contacts the outer circumferential surface of the roll 1,5,16. Ru. 4 Therefore, 1. When passing through these 7 sections 21-, a two-layered sputtered thin film layer consisting of a permalloy layer and a Co7Cr layer is formed on the other surface of the film-like substrate P, and eventually the take-up reel At 17, a film-like substrate P on which sputtered thin films of a two-layer structure are formed is wound up on both sides. Then, when sputtering is performed as described above, the film-like substrate P tends to be heated by this sputtering, but
This heat is applied to each work roll l J,, 14°15.16
The cryogenic liquid flowing through the inner pipes of each work row is transmitted through the pipes. Therefore, the film-like substrate P will not suffer any thermal surface damage. Furthermore, in the event that the film-like substrate P is elongated due to the above-mentioned heat, the following operation is performed. That is, as described above, the film-like substrate P
When the material elongates, this elongation manifests itself as a decrease in the magnetic force applied to the substrate as it progresses between the work rolls. For example, if the tension of the substrate traveling between the work rolls 14 and 15 decreases 1, this decrease is detected and detected by the tension detector 33. In this way, as the output of the tension detector 33 decreases, the output of the speed corrector 550 circuit 62 shown in FIG. 2 increases, and as a result, the output of the circuit 63 also increases. Therefore, since the servo controller 440 input increases, the motor 15a
The rotational speed of the work roll 15 increases, and accordingly, the rotation speed of the work roll 15 increases.
The rotation speed of increases. Therefore, the winding of the work roll 15 is accelerated by the amount that the tension is reduced, so the tension increases again, and as a result, the rotational speed of the work roll 15 and the progress along the outer circumferential surface of the work roll 15 are increased. The rotational speed of the work roll 15 is controlled so that the relative speed difference with the advancing speed of the film-like substrate P is approximately zero. Such control also applies to other work roles 14.16
The same procedure is applied to the winding wheel 17 as well. Therefore, the film-like substrate P is attached to each work roll 14.
The slip between 15 and 16 will always be very small. For this reason, in particular, work roll 1
5. When moving along the outer circumferential surface of 16, there is no risk of getting wet. Further, the cooling performance does not deteriorate, which tends to occur when slip increases.
そして、この場合には、特に、スパッタリング時に、フ
ィルム状基体Pを下段側から上段側へと下から上へ折シ
返す経路で案内させているので、各要素を円に近い配置
で設置できる。したがって全体の小型化を図れるばかシ
か排気系の小型化も図れる。また、上下段間に位置する
中継用のフリーロール18は、スバッpwiに接触する
ことがない。したがって、中継用のフリーロールによっ
て、すでに形成されているスパッタ薄膜が傷つけられる
ことはない。また、スパッタ源21.22.23.・・
・28を、これらが対面する基体面より斜下方に位置さ
せているのでスパッタ源からでた不純物が基体側へ落下
するようなことがないしスパッタ源に異物が付着するよ
うなこともない。したがって、品質の高いスパッタ薄膜
を両面に亘って形成することができる。また、スパッタ
源を上記関係に配置しているので上述した利点t?払わ
ずに実施例に示されるように1つのワークロールに対し
て2個あるいはそれ以上のスパック源を対向させること
ができ、これによってスパッタ速度の大幅な向上化管図
れ、結局、前述した効果が得られることになる。In this case, especially during sputtering, the film-like substrate P is guided along a path that folds back from the bottom to the top from the lower stage side to the upper stage side, so that each element can be arranged in a nearly circular arrangement. Therefore, not only can the entire system be made smaller, but also the exhaust system can be made smaller. Further, the relay free roll 18 located between the upper and lower stages does not come into contact with the Subap Wi. Therefore, the sputtered thin film that has already been formed will not be damaged by the relay free roll. Also, sputter sources 21, 22, 23.・・・
28 is located obliquely below the surface of the substrate that they face, so impurities from the sputtering source will not fall onto the substrate side, and no foreign matter will adhere to the sputtering source. Therefore, a high quality sputtered thin film can be formed on both sides. In addition, since the sputtering sources are arranged in the above relationship, the above-mentioned advantage t? As shown in the embodiments, two or more spatter sources can be opposed to one work roll without the need for sputtering. You will get it.
なお、上述した実施例では、いわゆる帳力制御装置を複
数の張力検出器と、これら検出器の出力に基いて各ワー
クロ゛−ル駆動モータの設定速度を補正する複数の速度
補正齢とで構成しているが、これに限られるものでは力
い。すなわち、各ワークロールを駆動するモータの電流
を検出器で検出し、これら検出、器の出力に応じて各モ
ータの速度補正を行なうようにしてもよい。In the above-described embodiment, the so-called book force control device is composed of a plurality of tension detectors and a plurality of speed correction stages that correct the set speed of each work rotation drive motor based on the outputs of these detectors. However, it is not limited to this. That is, the current of the motor that drives each work roll may be detected by a detector, and the speed of each motor may be corrected according to these detections and the output of the detector.
また、フィルム状基体の伸び量が予め判明しているとき
には、各モータの設定速度に予め差を設けるようにして
もよい。また、各ワークロール間に、これらの間を進行
すゐフィルム状基体に一定荷重を加える重#)べ゛荷重
器を設けるようにしてもよい。さらに、前処理時に、各
ワーク−25〜
、ロールとたとえば真空容器との間に電圧を印加して各
ワークロール付近にプラズマを発生させ、このプラズマ
によってフィルム状基体の表面を活性化させ、−これに
よって脱ガスと付着性の向上化とを図るようにしてもよ
い。この場合、スパッタ源とフィルム状基体との間にシ
ャッタを設け、スパッタ源に不純物が付着するのを防止
するようにしてもよい。また、上述した実施例は二層構
造のスパッタ薄膜形成用のものに本発−を適用した例で
あるが、一層構造形成用のものにも適用できることは勿
論である。また、各マス゛りを冷却する手段を設けても
よい。Further, when the amount of elongation of the film-like substrate is known in advance, a difference may be set in advance in the set speeds of the respective motors. Further, a heavy weight loader may be provided between each work roll to apply a constant load to the film-like substrate moving between the work rolls. Furthermore, during pretreatment, a voltage is applied between each workpiece-25~, the roll and, for example, a vacuum vessel to generate plasma near each workpiece roll, and the surface of the film-like substrate is activated by this plasma,- This may be used to improve degassing and adhesion. In this case, a shutter may be provided between the sputtering source and the film-like substrate to prevent impurities from adhering to the sputtering source. Furthermore, although the above-mentioned embodiment is an example in which the present invention is applied to a sputtered thin film forming device having a two-layer structure, it is of course applicable to a device forming a single-layer structure. Additionally, means for cooling each mass may be provided.
第1図は本発明の一実施例に係るスパッタリング装#に
おける要部の模式的縦断面図、第2図は同装置の制御回
路図である
1・・・真空容器、12・・・供給リール、17・・・
巻取リール、13.14.15.16・・・ワークロー
ル、18・・・フリーロール、21.22.23゜j1
4.25,26.27.28・・・スパッタ源、26一
31.32.33.34.35・・・張力検出器、53
.54.55.56.57・・・速度補正器、P・・・
フィルム状基体。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書
、8ゎ57,9、.108
特許庁長官 若 杉 相 夫 殿
1、事件の表示
特願昭57−119551号
2、発明の名称
スノ量ツタリング装置
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
株式会社 徳用製作所
〒105 電話03 (502) 3181 (大
代表)6、補正の対象
委任状、明細書全文
7、補正の内容
(11委任状1通を別紙の通り補正する。
(2)明細書の浄書(内容C二変更なし)。
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿1.事件の表示
特願昭57−119551号
2、発明の名称
スノヤツタリング装置
3、補正をする者
事件との関係 持重出願人
6、補正の対象
明 細 書
7、補正の内容
(11明細書(昭和57年9月10日付提出の手続補正
書に添附された浄書明細書、以下同じ。)の第11頁1
7行目に「それぞれ円板状に」とあるのを「それぞれ、
たとえば円板状に」と訂正する。
(21明細書の第20頁16行目に
r 3〜7 X 10 Torr Jとあるのを3
「3〜7x10 Torr」と訂正する。
2−FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of the main parts of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a control circuit diagram of the apparatus. 1... Vacuum vessel, 12... Supply reel , 17...
Take-up reel, 13.14.15.16... Work roll, 18... Free roll, 21.22.23゜j1
4.25, 26.27.28...Sputter source, 26-31.32.33.34.35...Tension detector, 53
.. 54.55.56.57...Speed compensator, P...
Film-like substrate. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Procedural Amendment, 8ゎ57.9. 108 Commissioner of the Japan Patent Office Aio Wakasugi 1, Indication of the case, Patent Application No. 1987-119551 2, Name of the invention, Sno volume tsuttering device 3, Person making the amendment Relationship with the case Patent applicant Tokuyo Seisakusho Co., Ltd. 105 Tel. 03 (502) 3181 (Major representative) 6. Power of attorney to be amended, full text of the specification 7. Contents of the amendment (11 One power of attorney is amended as shown in the attached sheet. (2) Engraving of the specification (Contents C 2 Changes) (None). Commissioner of the Japan Patent Office Kazuo Wakasugi 1. Indication of the case Japanese Patent Application No. 1987-119551 2, Name of the invention Snow Yattering Device 3, Person making the amendment Relationship with the case Holding applicant 6, Subject of the amendment Specification 7, Contents of the amendment (page 11 of the 11th specification (written specification attached to the written amendment submitted on September 10, 1982; the same shall apply hereinafter))
In line 7, the phrase “each in a disc shape” is changed to “each in a disk shape,”
For example, in the shape of a disk.'' (In the 21 specification, page 20, line 16, r 3 ~ 7 x 10 Torr J is corrected to 3 "3 ~ 7 x 10 Torr". 2-
Claims (1)
クロールの外周面に順次沿わせて移送させた後に巻取リ
ールで巻取るととも釦上記フィルム状基体が上記供給リ
ールから上記巻取リールに至るまでの間に上記各ワーク
ロールの外周面にそれぞれ対向させて設けられたスパッ
タ源で上記フィルム状基体の両面にスパッタ薄膜を形成
するようにしたδバッタリング装置において、上記フィ
ルム状基体の一方の表面へのスパッタ薄膜形成工程に関
与するワークロールを下段に、他方の表面へのスパッタ
薄膜形成工程に関与するワークロールを上段にそれぞれ
軸心線を平行させて2段構成に配置するとともに上記各
ワークロールの外周面に対向する各スパッタ源を対応す
るワークロールの軸心線を通って描かれる水平層より下
側で、かつ上記軸心線全通って描かれる垂直線に対して
傾斜させてそれぞれ配置し、さらに、スパッタリング実
行時に上記フィルム状基体管下段に位置するワークロー
ルの外周面を経由させた後に上段に位置するワークロー
ルの外周面を経由させて進行式せる下側から上側へ折シ
返す経路で案内する機構を設けてなることを特徴とする
スパッタリング装置。The film-like substrate unwound from the supply reel is transferred sequentially along the outer circumferential surface of a plurality of work rolls, and then wound up on the take-up reel. In the delta battering apparatus, sputtering thin films are formed on both sides of the film-like substrate using sputtering sources provided opposite to the outer peripheral surfaces of the respective work rolls, in which one of the film-like substrates is The work rolls involved in the process of forming a sputtered thin film on one surface are arranged in a lower stage, and the work rolls involved in the process of forming a sputtered thin film on the other surface are arranged in a two-stage configuration with their axes parallel to each other, and the work rolls involved in the process of forming a sputtered thin film on the other surface are arranged in two stages. Each sputtering source facing the outer peripheral surface of each work roll is positioned below a horizontal layer drawn through the axis of the corresponding work roll and inclined with respect to a vertical line drawn entirely through the axis. Furthermore, when performing sputtering, the film-like substrate tube is advanced from the lower side to the upper side by passing through the outer peripheral surface of the work roll located at the lower stage and then through the outer peripheral surface of the work roll located at the upper stage. A sputtering device characterized by being provided with a mechanism for guiding along a folding path.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11955182A JPS5913072A (en) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11955182A JPS5913072A (en) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | Sputtering device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5913072A true JPS5913072A (en) | 1984-01-23 |
JPS6157908B2 JPS6157908B2 (en) | 1986-12-09 |
Family
ID=14764106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11955182A Granted JPS5913072A (en) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | Sputtering device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913072A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6462932B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Multilayer Capacitor |
JP2008007790A (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Winding type compound vacuum surface treatment apparatus, and film surface treatment method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57119548A (en) * | 1980-12-01 | 1982-07-26 | Philips Nv | Conference telephone system |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11955182A patent/JPS5913072A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57119548A (en) * | 1980-12-01 | 1982-07-26 | Philips Nv | Conference telephone system |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6462932B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Multilayer Capacitor |
JP2008007790A (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Winding type compound vacuum surface treatment apparatus, and film surface treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6157908B2 (en) | 1986-12-09 |
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