JP2008007790A - Winding type compound vacuum surface treatment apparatus, and film surface treatment method - Google Patents

Winding type compound vacuum surface treatment apparatus, and film surface treatment method Download PDF

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芳朗 石井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a winding type compound vacuum surface treatment apparatus capable of simultaneously performing a plurality of surface treatments by the same apparatus, wherein small size and cost reduction are attained by making multi-function. <P>SOLUTION: The apparatus is one for applying surface treatment to a film 19 moving along a can roll 2 rotating in a substantially cylindrical vacuum vessel 21. Each treatment chamber demarcated by a cylindrical treatment chamber wall is separated from the inside of the vacuum vessel. Each treatment chamber can be subjected to the differential evacuation by a vacuum pump for the treatment chamber. The treatment conditions of different pressures and gas kinds are selected for each treatment chamber. By rotating at least two surface treatment means, the surface treatment means facing the film treatment positions of the treatment chambers 7, 12, 17 are changed. While continuously conveying the film in one direction in the vacuum vessel, different treatments for the plurality of treatment chambers can be simultaneously performed in the treatment chambers, or the same treatment can be simultaneously performed in the plurality of treatment chambers. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、フィルムに乾燥、前処理、薄膜形成などの各種の表面処理を施すことができる巻取式複合表面処理装置、並びにこの装置を用いてフィルムの表面処理を行う方法に関する。   The present invention relates to a roll-up type composite surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as drying, pretreatment, and thin film formation on a film, and a method for performing film surface treatment using this apparatus.

近年、プラスチック等のフィルムを基材とし、その表面に薄膜を形成した機能性フィルムの開発が盛んに行われている。例えば、パッケージ分野では、フィルム表面にSiOx、MgO、AlOx等から選ばれた少なくとも1種の金属酸化物からなる薄膜を形成することによって、透明で且つ酸素や水蒸気等の気体遮断性を有する食品保存性に優れたガスバリヤーフィルムが提供されている。   In recent years, a functional film having a thin film formed on the surface of a plastic film or the like as a base material has been actively developed. For example, in the packaging field, by forming a thin film made of at least one kind of metal oxide selected from SiOx, MgO, AlOx, etc. on the film surface, it is transparent and preserves food having gas barrier properties such as oxygen and water vapor. A gas barrier film having excellent properties is provided.

また、エレクトロニクス分野においては、ディスプレイ用途として、ディスプレイ表面の反射を防止し、視認性を向上した反射防止フィルム等が広く使用されている。このフィルムは、TiO、ZrO、Nb等の高屈折率層、Al等の中屈折率層、SiO等の低屈折率層を積層した、異なる屈折率からなる多層薄膜をフィルム上に形成したものである。 In the electronics field, antireflection films and the like that prevent reflection on the display surface and improve visibility are widely used as display applications. This film is a multilayer thin film having different refractive indexes in which a high refractive index layer such as TiO 2 , ZrO, and Nb 2 O 5 , a middle refractive index layer such as Al 2 O 3 , and a low refractive index layer such as SiO 2 are laminated. Is formed on a film.

また、液晶ディスプレイでは、画素の小型化が進むに伴って、それに接続されるフレキシブル回路基板は高精度のパターンが必須となり、同時に狭ピッチに伴う電気的な信頼性の確保が一層要望されている。そのため最近では、ポリイミドフィルム上にスパッタリングや蒸着等により下地としてニッケル、クロム等の異種の金属層を設け、その上に電解銅めっきを施すことによって、接着剤を用いずに高い接着力を有する銅ポリイミドフレキシブル基板が重要になってきている。   In addition, in liquid crystal displays, with the progress of pixel miniaturization, a flexible circuit board connected to the liquid crystal display requires a highly accurate pattern, and at the same time, there is a further demand for ensuring electrical reliability associated with a narrow pitch. . Therefore, recently, copper with high adhesive strength without using an adhesive can be obtained by providing a different metal layer such as nickel or chromium as a base on a polyimide film by sputtering or vapor deposition, and applying electrolytic copper plating on it. Polyimide flexible substrates are becoming important.

これらの機能性フィルムを製造する場合、基材となるフィルムに機能性を付与するため薄膜を形成する必要があるが、枚葉式では生産性や製造コストに劣るため、プラスチックフィルムを連続的に移動させながら薄膜を形成することが望ましい。そのための装置として、一般に、真空環境下でフィルムをロール間で移動させながら、連続的に薄膜形成を行う巻取式真空成膜装置が用いられている。   When manufacturing these functional films, it is necessary to form a thin film in order to impart functionality to the film that is the base material. It is desirable to form a thin film while moving it. As an apparatus for that purpose, a winding-type vacuum film forming apparatus for continuously forming a thin film while moving a film between rolls in a vacuum environment is generally used.

従来から使用されている最も基本的な巻取式真空成膜装置としては、特開2002−60931号公報に記載された構造を有するものがある。即ち、図1に示すように、真空チャンバ1の内部にフィルム2の搬送手段と共に、薄膜形成手段(図示せず)を具備した薄膜形成部3が設置され、真空チャンバ1の内部は真空ポンプ等から構成される排気系4により高真空まで排気される。巻出ロール5から連続的に送り出されたフィルム2は、巻取ロール6で巻き取られる間に、1つの成膜ドラム7上において薄膜形成部3により成膜されるようになっている。   As the most basic winding-type vacuum film forming apparatus used conventionally, there is one having a structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-60931. That is, as shown in FIG. 1, a thin film forming section 3 having a thin film forming means (not shown) is installed in the vacuum chamber 1 together with a film 2 conveying means, and the inside of the vacuum chamber 1 is a vacuum pump or the like. It is exhausted to a high vacuum by an exhaust system 4 comprising The film 2 continuously fed from the unwinding roll 5 is formed into a film by the thin film forming unit 3 on one film forming drum 7 while being wound by the winding roll 6.

上記の薄膜形成手段については、物理的成膜法として真空蒸着法、スパッタリング法等があり、化学的成膜法として化学的気相成長法(CVD)等が用いられている。真空蒸着法は、抵抗加熱や電子銃照射により成膜材料を加熱蒸発させ、基材上に薄膜を形成する方法である。蒸着の際に、薄膜の密着性、緻密化を目的として、蒸発源と基材の間にプラズマを形成させるプラズマアシスト蒸着法も知られている。尚、プラズマの形成は、真空成膜装置内に設置した放電用の電極に直流又は交流の電圧を印加したり、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射したりすることによって形成することができる。   As for the above thin film forming means, there are a vacuum deposition method and a sputtering method as a physical film formation method, and a chemical vapor deposition method (CVD) or the like is used as a chemical film formation method. The vacuum deposition method is a method of forming a thin film on a substrate by heating and evaporating a film forming material by resistance heating or electron gun irradiation. A plasma-assisted vapor deposition method is also known in which plasma is formed between an evaporation source and a substrate for the purpose of adhesion and densification of a thin film during vapor deposition. The plasma is formed by applying a DC or AC voltage to a discharge electrode installed in a vacuum film forming apparatus or irradiating a microwave with a microwave using a waveguide. can do.

また、スパッタリング法は、成膜材料をプレート状に成形したターゲットを用い、このターゲットを放電用電極として上記プラズマ発生方法を用いて基材とターゲットの間にプラズマを発生させ、電位勾配を用いてターゲット表面にイオンを照射衝突させることによって、ターゲット物質を叩き出して基材上にターゲット物質の薄膜を形成する方法である。更に、化学的気相成長法(CVD)は、基材近傍に無機又は有機若しくはこれらの混合物を原料ガスとして気化導入し、加熱やプラズマを用いて化学反応させることによって、基材上に薄膜を形成する方法である。プラズマを用いた場合、スパッタリングと同様の装置構成を用いることも可能である。   In addition, the sputtering method uses a target obtained by forming a film forming material into a plate shape, generates plasma between the substrate and the target using the plasma generation method using the target as a discharge electrode, and uses a potential gradient. In this method, a target material is knocked out by irradiating and colliding ions with a target surface to form a thin film of the target material on a substrate. Furthermore, chemical vapor deposition (CVD) is a method in which an inorganic or organic material or a mixture thereof is vaporized and introduced as a raw material gas in the vicinity of a substrate, and a thin film is formed on the substrate by a chemical reaction using heating or plasma. It is a method of forming. When plasma is used, an apparatus configuration similar to sputtering can be used.

上記の薄膜形成手段のいずれにおいても、成膜の際にプラズマを用いることによって薄膜の密着性や緻密化に効果があることが確認されている。従って、プラズマを用いる薄膜形成手段は、ガスバリヤーフィルムでは気体遮断性の向上等に、反射防止フィルムでは光学特性の改善等に、また銅ポリイミドフレキシブル基板では銅層との密着性の向上等に対し、有効な方法として実用化されている。   In any of the above-described thin film forming means, it has been confirmed that the use of plasma during film formation has an effect on the adhesion and densification of the thin film. Therefore, the means for forming a thin film using plasma is to improve gas barrier properties for gas barrier films, improve optical properties for antireflection films, and improve adhesion to copper layers for copper polyimide flexible substrates. It has been put to practical use as an effective method.

しかし、図1に示すような巻取式真空成膜装置では、単層の薄膜の形成は簡単であるが、複数の薄膜を積層する場合には、フィルムの走行方向に沿って複数の薄膜形成手段を配置するか、若しくはフィルムを往復して走行可能にし、積層に必要な回数に応じて複数の薄膜形成手段を通過させることが必要となる。   However, in the winding type vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 1, it is easy to form a single layer thin film. However, when laminating a plurality of thin films, a plurality of thin film formations are performed along the running direction of the film. It is necessary to arrange the means or to make the film reciprocate so that a plurality of thin film forming means can be passed depending on the number of times required for lamination.

このような薄膜の積層形成に用いる巻取式真空成膜装置として、特開2003−178436公報には、図2に示すように、真空チャンバ1の内部に複数の温度制御可能な成膜ドラム7a、7bを配置した成膜装置が記載されている。この成膜装置によれば、巻出ロール5から送り出されて巻取ロール6で巻き取られるフィルム2は、複数の成膜ドラム7a、7bを通過する間に、各成膜ドラム7a、7bの円周面に対向して設けた複数のカソード組立体8により、フィルム2上に異なる材質の薄膜を順次低温で成膜することができる。   As a wind-up type vacuum film forming apparatus used for forming such a thin film, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-178436 discloses a plurality of film forming drums 7a capable of temperature control inside a vacuum chamber 1, as shown in FIG. , 7b is described. According to this film forming apparatus, the film 2 fed from the unwinding roll 5 and taken up by the take-up roll 6 passes through the plurality of film forming drums 7a and 7b. Thin films of different materials can be sequentially formed on the film 2 at a low temperature by the plurality of cathode assemblies 8 provided to face the circumferential surface.

本発明者は、中大型のプラズマ装置やスパッタリング装置に用いるカソード取付構造体において、内部に空間を有し、その一方の面または両側面にプラズマ処理用電極、スパッタリングカソード、ヒータ、イオン源の少なくとも1つが取り付けられるように構成されている少なくとも1つの構造体と、この構造体の長尺方向の両側面のそれぞれに設けられた真空状態を維持しつつ構造体を回転可能とする真空回転機構と、プラズマ装置やスパッタリング装置に一端部が取り付けられ、他端が、カソード取付構造体使用時に、この構造体を支持するように構成された支持部材とを有し、少なくとも一方の真空回転機構には構造体の内部に放電用電源ケーブルまたは冷媒を装入排出できる開口部を有しているカソード取付構造体を提案している(特許文献3参照)。
特開2002−60931号公報 特開2003−178436号公報 特開2005−320599号公報
The present inventor has a cathode mounting structure for use in medium-sized and large-sized plasma devices and sputtering devices, and has a space inside, and at least one of a plasma processing electrode, a sputtering cathode, a heater, and an ion source on one side or both sides thereof. At least one structure configured to be attached to one, and a vacuum rotation mechanism provided on each of both side surfaces in the longitudinal direction of the structure and capable of rotating the structure while maintaining a vacuum state; One end portion is attached to the plasma device or the sputtering device, and the other end has a support member configured to support the structure when the cathode attachment structure is used, and at least one of the vacuum rotation mechanisms includes We have proposed a cathode mounting structure that has an opening through which a discharge power cable or refrigerant can be charged and discharged inside the structure ( Patent reference 3).
JP 2002-60931 A JP 2003-178436 A JP 2005-320599 A

上記した従来の巻取式真空表面処理装置の場合、1つの装置で同時に複数の表面処理を行うことは難しかった。例えば、各種の表面処理手段を装置内の成膜ドラムの周辺各所に連続して接するように配置し、複数の処理を異なったフィルム処理位置において実施しようとすると、装置が大型化するだけでなく、フィルムにしわが発生したり、品質が低下したりする問題があった。そのため、フィルムに複数の表面処理を実施するためには、異なる処理装置を用いる必要があった。しかし、異なる処理装置を用いる方法では、処理工数やコストの増加を招くと同時に、装置間を移送する間にフィルムが大気に触れるため、形成した薄膜にピンホールが発生したり薄膜の密着性が低下したりしやすいという問題があった。また、特許文献3のカソード取付構造体を複数の真空容器に配置した場合は、プラズマ処理用電極、スパッタリングカソード、ヒータ、イオン源等のいずれかを使用する場合組合せによってはガス圧等使用最適条件の違いから同時に使用することができない場合があった。   In the case of the conventional winding type vacuum surface treatment apparatus described above, it has been difficult to perform a plurality of surface treatments simultaneously with one apparatus. For example, if various surface treatment means are arranged so as to be continuously in contact with the peripheral portions of the film formation drum in the apparatus and a plurality of processes are to be carried out at different film processing positions, the apparatus is not only enlarged. There are problems that the film is wrinkled and the quality is deteriorated. Therefore, in order to perform a plurality of surface treatments on the film, it is necessary to use different processing apparatuses. However, in the method using different processing apparatuses, the processing man-hours and costs are increased, and at the same time, the film is exposed to the air while being transferred between the apparatuses. There was a problem that it was easily lowered. Further, when the cathode mounting structure of Patent Document 3 is arranged in a plurality of vacuum vessels, when using any of plasma processing electrodes, sputtering cathodes, heaters, ion sources, etc., optimum conditions for using gas pressure, etc. depending on the combination In some cases, it could not be used at the same time.

本発明は、このような従来の事情に鑑み、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができるうえ、形成された薄膜にピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥が発生したり、フィルムにしわが発生したりすることがなく、しかも多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供することを目的とする。   In view of such a conventional situation, the present invention can perform a plurality of surface treatments simultaneously with the same apparatus, and defects such as pinholes and reduced adhesion occur in the formed thin film. It is an object of the present invention to provide a roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus that is free from wrinkles or film and that is small in size and low in cost due to its multi-functionality.

上記目的を達成するため、本発明が提供する巻取式複合真空表面処理装置は、真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なフィルム搬送用のキャンロールとを備え、キャンロールの回転に合わせフィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理を施す表面処理装置であって、真空容器周壁に周囲を固定されて、キャンロール近くまで延長し、処理室内を、少なくとも2つの表面処理手段を含む複数の処理室に区画する筒状の処理室壁と、各処理室ごとにキャンロール前の処理室壁端部に固定され、各処理室内側に設置されたマスク板とを備え、各処理室内には、キャンロールに対向して処理室壁に固定された、少なくとも2つの表面処理手段から回転することで1つを選択できる回転表面処理手段と、各処理室は処理室壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種の表面処理を行うことができ、各処理室で、少なくとも2つの表面処理手段から回転することによって1つの表面処理手段を選択し、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができる。   In order to achieve the above-mentioned object, the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus provided by the present invention includes a pair of film take-up and unwinding units in a substantially cylindrical vacuum vessel provided with a vacuum pump for evacuating the entire vacuum vessel. A roll, and a rotatable can transporting film roll whose axial center is substantially aligned with the vacuum container, and is unwound or wound between the film winding and unwinding rolls in accordance with the rotation of the can roll. A surface treatment apparatus for performing a surface treatment on a film that moves along the periphery of the vacuum vessel, the periphery of which is fixed to the peripheral wall of the vacuum vessel, extends to the vicinity of the can roll, and a plurality of treatment chambers including at least two surface treatment means in the treatment chamber Each processing chamber and a mask plate fixed to the end of the processing chamber wall before the can roll and installed on each processing chamber side. Rotating surface treatment means that can be selected by rotating from at least two surface treatment means fixed to the treatment chamber wall opposite to the process chamber, and each treatment chamber for a treatment chamber installed on the treatment chamber wall. It has a vacuum pump and can perform surface treatments of different pressures and gas types in each processing chamber. In each processing chamber, one surface processing means is selected by rotating from at least two surface processing means. The surface processing means facing the film processing position in each processing chamber can be changed.

上記本発明の巻取式複合真空表面処理装置においては、前記回転表面処理手段は、処理室壁に固定される支持構造体と、内部に空間を有し、キャンロールに対向する面に表面処理手段を回転させることができるように弧状の内側面を有しており、また、該側面端に配置され、構造体側面に設けられた表面処理手段の両側面部を略覆う先端部を有する構造体と、この構造体の長尺方向の両端側面のそれぞれに設けられた、真空状態を維持しつつ構造体を回転可能とする真空回転機構と、該真空回転機構及び構造体を処理室壁に支持する支持部材と、支持構造体に固定され、構造体の該側面に接触せずに該側面を略被覆するカバー材とを有し、少なくとも一方の真空回転機構部には構造体に通電可能な機構を有し、また冷媒を装入排出できる開口部を有している。   In the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, the rotating surface treatment means has a support structure fixed to the treatment chamber wall and a surface treatment on the surface facing the can roll, having a space inside. A structure having an arcuate inner surface so that the device can be rotated, and a tip portion disposed on the side surface end and substantially covering both side surfaces of the surface treatment device provided on the side surface of the structure And a vacuum rotating mechanism provided on each of both side surfaces of the structure in the longitudinal direction to rotate the structure while maintaining a vacuum state, and supporting the vacuum rotating mechanism and the structure on the processing chamber wall A support member that is fixed to the support structure and substantially covers the side surface without contacting the side surface of the structure, and at least one of the vacuum rotation mechanism units can be energized to the structure. Opening that has a mechanism and can charge and discharge refrigerant The has.

また、前記表面処理手段は、フィルム乾燥用のヒータ手段、フィルム前処理用のプラズマ発生手段やイオン発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段の真空中で動作可能な表面処理手段のいずれかである。   The surface treatment means is any one of a surface treatment means operable in a vacuum of a film drying heater means, a film pretreatment plasma generation means or ion generation means, and a thin film formation sputtering means.

更に、前記キャンロールは、内部には、そのロール表面の温度を制御することが可能な加熱冷却手段を備えていることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the can roll is provided with a heating / cooling means capable of controlling the temperature of the roll surface.

また、本発明は、上記の本発明の巻取式複合真空表面処理装置を用いて、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内でフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、各処理室で、少なくとも2つの表面処理手段から回転することによって1つの表面処理手段を選択し、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることによって、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変え、再びフィルムをキャンロールに沿って移動させながら、各処理室内のフィルム処理位置でフィルムに対向している表面処理手段により同時に複数のフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法を提供する。   In addition, the present invention provides a single surface facing the film processing position in each processing chamber while moving the film in one direction along the can roll using the above-described winding-type composite vacuum surface processing apparatus of the present invention. The surface treatment of the film is performed by the treatment means, and after completion of the surface treatment, one surface treatment means is selected by rotating from at least two surface treatment means in each treatment chamber, and the film treatment position in each treatment chamber By changing the surface processing means facing the surface, the surface processing means facing the film processing position in each processing chamber is changed, and the film is moved again along the can roll while facing the film at the film processing position in each processing chamber. Provided is a surface treatment method for a film, characterized in that a plurality of films are simultaneously surface-treated by the surface treatment means.

本発明の巻取式複合真空表面処理装置によれば、筒状の処理室壁で区画された各処理室を真空容器内と隔離し、それぞれの処理室に処理室用真空ポンプを設置しており、各処理室を差動排気することが可能となり、各々の処理室において異なる圧力やガス種の処理条件を選択して、多様な表面処理を行うことが可能である。これにより、同一の装置で同時に複数のフィルム表面処理を実施することができ、比較的小型で低コストの巻取式複合真空表面処理装置を提供することができる。また、同一装置内で複数の表面処理を完結でき、処理途中のフィルムを他の装置に付け替える必要がなくなるため、処理工程が短縮され且つ処理コストを低く抑えることが可能となるだけでなく、大気中に曝されることがなくなり、薄膜にピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥が発生する等の品質の低下を招くことがない。   According to the roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, each processing chamber partitioned by a cylindrical processing chamber wall is isolated from the inside of the vacuum vessel, and a processing chamber vacuum pump is installed in each processing chamber. Thus, each processing chamber can be differentially evacuated, and various surface treatments can be performed by selecting processing conditions of different pressures and gas types in each processing chamber. Thereby, a plurality of film surface treatments can be carried out simultaneously with the same apparatus, and a relatively compact and low-cost roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus can be provided. In addition, since a plurality of surface treatments can be completed in the same apparatus, it is not necessary to replace a film in the middle of processing with another apparatus, so that not only the processing steps can be shortened and the processing cost can be kept low, but also the atmosphere. It is not exposed to the inside, and there is no deterioration in quality such as the occurrence of pinholes and defects such as a decrease in adhesion in the thin film.

本発明の巻取式複合真空表面処理装置及びそれを用いたフィルムの処理法を、図面を用いて詳しく説明する。本発明の表面処理装置は、例えば、図3に示すように、装置全体用の真空ポンプ(図示せず)を備えた略円筒状の真空容器21の内部に、一対のフィルム巻取巻出ロール1、20と、真空容器21と軸中心をほぼ一致させて回転可能に設けたフィルム搬送用のキャンロール2とを備えている。フィルム19は、例えば、キャンロール2の回転に合わせて片方のフィルム巻取巻出ロール1から巻き出されて他方のフィルム巻取巻出ロール20に巻き取られる間に、回転するキャンロール2に沿って移動しながら表面処理が施されるようになっている。また、キャンロール2は、その表面温度を制御できるように、内部にヒータや温水又は冷媒などによる加熱冷却手段(図示せず)を備えていることが好ましい。   The winding type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention and a film processing method using the same will be described in detail with reference to the drawings. For example, as shown in FIG. 3, the surface treatment apparatus of the present invention has a pair of film winding / unwinding rolls in a substantially cylindrical vacuum vessel 21 provided with a vacuum pump (not shown) for the entire apparatus. 1 and 20, and a vacuum roll 21 and a can roll 2 for film conveyance provided so as to be rotatable with their axial centers substantially coincident with each other. For example, the film 19 is wound on the rotating can roll 2 while being unwound from one film winding / unwinding roll 1 and wound on the other film winding / unwinding roll 20 in accordance with the rotation of the can roll 2. Surface treatment is performed while moving along. Moreover, it is preferable that the can roll 2 is provided with a heating / cooling means (not shown) using a heater, hot water, a refrigerant, or the like so that its surface temperature can be controlled.

真空容器21は略円筒状であって、真空容器底板21aと、真空容器周壁21bと、真空容器天板(図示せず)とからなる。この真空容器周壁21bは、真空容器周壁に周囲を固定されて、キャンロール近くまで延長し、処理室内を少なくとも2つの表面処理手段を有する回転表面処理手段を配置できる複数の処理室に区画する筒状の処理室壁22と、各処理室ごとにキャンロール前の処理室壁端部に固定され、各処理室内側に向けて設置されたマスク板18とを備える。各処理室は、キャンロールに対向して処理室壁22に固定された、少なくとも2つの表面処理手段の内から回転することで1つを選択できる回転表面処理手段4、9、14と、処理室壁22にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプ6、11、16を有する。このため、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種の表面処理を行うことができ、各処理室で、少なくとも2つの表面処理手段から回転して1つの表面処理手段を選択し、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができる。   The vacuum vessel 21 is substantially cylindrical and includes a vacuum vessel bottom plate 21a, a vacuum vessel peripheral wall 21b, and a vacuum vessel top plate (not shown). The vacuum vessel peripheral wall 21b is a cylinder that is fixed to the vacuum vessel peripheral wall and extends to the vicinity of the can roll, and divides the processing chamber into a plurality of processing chambers in which rotating surface processing means having at least two surface processing means can be arranged. The process chamber wall 22 and a mask plate 18 that is fixed to the end of the process chamber wall before the can roll and installed toward the process chamber side are provided for each process chamber. Each treatment chamber is fixed to the treatment chamber wall 22 so as to face the can roll, and can be selected from rotating surface treatment means 4, 9, and 14 by rotating from at least two surface treatment means. Processing chamber vacuum pumps 6, 11, and 16 are provided on the chamber wall 22. For this reason, it is possible to perform surface treatments of different pressures and gas types in the respective processing chambers, and in each processing chamber, one surface processing means is selected by rotating from at least two surface processing means. The surface treatment means facing the film processing position can be changed.

キャンロール2に対向する複数の回転表面処理手段4、9、14には、例えば、図3では、フィルム乾燥用のヒータ手段3、フィルム前処理用のプラズマ発生手段8、13、薄膜形成用のスパッタリング手段5、10、15が取り付けてある。   For example, in FIG. 3, a heater means 3 for drying a film, plasma generating means 8 and 13 for film pretreatment, and a thin film forming means are provided in the plurality of rotating surface treatment means 4, 9 and 14 facing the can roll 2. Sputtering means 5, 10, 15 are attached.

上記回転表面処理手段4、9、14の例として、図5(a)に、スパッタリング用ターゲットとプラズマ電極とを設けた回転表面処理手段の短尺方向の断面を示す。また、図5(b)には、上記回転表面処理手段の短尺方向、図6X−X‘面での断面を示した図を示す。また、図6には、スパッタリング用ターゲットとプラズマ電極とを設けた本発明の回転表面処理手段の長尺方向の断面を示した図である。   As an example of the rotating surface treatment means 4, 9, 14, FIG. 5A shows a cross section in the short direction of the rotating surface treatment means provided with a sputtering target and a plasma electrode. FIG. 5B shows a cross-sectional view of the rotating surface treatment means in the short direction, taken along the plane of FIG. 6X-X ′. FIG. 6 is a view showing a cross section in the longitudinal direction of the rotating surface treatment means of the present invention provided with a sputtering target and a plasma electrode.

該回転表面処理手段には、処理室壁22内に固定される支持構造体38と、内部に空間を有し、キャンロールに対向する面に表面処理手段を回転させることができる2つの支持体50とが配置されている。図5(a)の場合は、1つの支持体50の表側に、スパッタリング用ターゲット31が設置され、支持体50裏面側には、マグネトロンスパッタリング用マグネット34が配置されている。もう一方の側の支持体50上にはプラズマ電極32が設けられている。支持体50は、回転可能なように弧状の側面35を有しており、また、該側面端に配置され、支持体50側面に設けられた表面処理手段の両側面部を略覆う先端部36を有する構造体33と、この構造体33の長尺方向の両端側面のそれぞれに設けられた、真空状態を維持しつつ構造体を回転可能とする真空回転機構39(図6参照)と、該真空回転機構39及び構造体33を処理室壁22に支持する支持部材と、支持構造体に固定され、構造体33の該側面35に接触せずに該側面35を略被覆するカバー材37とを有し、少なくとも一方の真空回転機構部39には構造体33に通電可能な機構を有し、また冷媒を装入排出できる開口部40を有している。   The rotating surface treatment means includes a support structure 38 fixed in the processing chamber wall 22 and two supports having a space inside and capable of rotating the surface treatment means on a surface facing the can roll. 50 are arranged. In the case of FIG. 5A, the sputtering target 31 is installed on the front side of one support 50, and the magnetron sputtering magnet 34 is arranged on the back side of the support 50. A plasma electrode 32 is provided on the support 50 on the other side. The support body 50 has an arc-shaped side surface 35 so as to be rotatable, and a distal end portion 36 that is disposed at the end of the side surface and substantially covers both side surface portions of the surface treatment means provided on the side surface of the support body 50. A structure 33 having the structure 33, a vacuum rotating mechanism 39 (see FIG. 6) provided on each of both side surfaces in the longitudinal direction of the structure 33, which can rotate the structure while maintaining a vacuum state, and the vacuum A support member that supports the rotation mechanism 39 and the structure 33 on the processing chamber wall 22, and a cover member 37 that is fixed to the support structure and substantially covers the side surface 35 without contacting the side surface 35 of the structure 33. The at least one vacuum rotation mechanism 39 has a mechanism capable of energizing the structure 33, and has an opening 40 through which the refrigerant can be charged and discharged.

図6に示すように、上記真空回転機構39は、回転中心軸を回転軸として、真空を保持した状態で回転可能とするために、処理室壁22では、回転しても真空が破れないよう、シール構造を有している。該シール構造は、一般的に用いられている真空軸受構造が用いられる。   As shown in FIG. 6, the vacuum rotation mechanism 39 can be rotated with the rotation center axis as a rotation axis while maintaining a vacuum, so that the vacuum does not break even if the processing chamber wall 22 rotates. , Has a seal structure. As the seal structure, a generally used vacuum bearing structure is used.

上記した本発明の表面処理装置を用いることによって、同一ガス種及び同一圧力下だけでなく、筒状の処理室壁で区画された各処理室を真空容器内と隔離し、それぞれの処理室に処理室用真空ポンプで、各処理室を差動排気することが可能であり、各々の処理室において異なる圧力やガス種の処理条件を選択して、真空容器内を1方向にフィルムを連続的に搬送させながら、処理室内の複数の処理室において異なる処理を同時に実施したり、複数の処理室で同じ処理を同時に実施したりすることができる。   By using the above-described surface treatment apparatus of the present invention, not only the same gas type and the same pressure but also each treatment chamber partitioned by a cylindrical treatment chamber wall is isolated from the inside of the vacuum vessel, Each processing chamber can be differentially evacuated with a vacuum pump for the processing chamber, and processing conditions of different pressures and gas types are selected in each processing chamber, and the film is continuously applied in one direction in the vacuum vessel. It is possible to simultaneously perform different processes in a plurality of process chambers in the process chamber or simultaneously perform the same process in a plurality of process chambers.

上記の3つの処理室7,12,17内には、回転表面処理手段4、9、14が各々配置されている。各々の回転表面処理手段4、9、14は、内部に空間を有し、その一方の側面または両側面に表面処理手段が取り付けられるように構成されている。例えば、図3の状態の処理室7では、キャンロール2に対向するようにヒータ手段3が位置しており、そのフィルム処理位置においてヒータ手段3によるフィルム19の乾燥処理のみが行われる。   Rotating surface treatment means 4, 9, and 14 are disposed in the three treatment chambers 7, 12, and 17, respectively. Each of the rotating surface treatment means 4, 9, 14 has a space inside, and is configured such that the surface treatment means is attached to one side surface or both side surfaces thereof. For example, in the processing chamber 7 in the state of FIG. 3, the heater unit 3 is positioned so as to face the can roll 2, and only the drying process of the film 19 by the heater unit 3 is performed at the film processing position.

同様に、処理室12ではプラズマ発生手段8が、及び処理室17ではプラズマ発生手段13が、それぞれフィルムに対向している。従って、真空容器内又はその処理室内を同一ガス種及び同一圧力とし、片方のフィルム巻取巻出ロール1から巻き出されたフィルム19を他方のフィルム巻取巻出ロール20に巻き取る間に、キャンロール2に沿って移動するフィルム19に対して、処理室7ではヒータ手段3による乾燥処理を行い、処理室12と17ではプラズマ発生手段8、13によりプラズマでフィルム表面を前処理することができる。その際、真空容器21内は、真空容器底板21aに接続された全体用真空ポンプ(図示せず)によって排気し、更にプラズマ処理用のガスを供給して所定の圧力に保持する。   Similarly, the plasma generating means 8 faces the film in the processing chamber 12, and the plasma generating means 13 faces the film in the processing chamber 17, respectively. Therefore, the inside of the vacuum vessel or the processing chamber is set to the same gas type and the same pressure, and while the film 19 unwound from one film winding / unwinding roll 1 is wound on the other film winding / unwinding roll 20, The film 19 moving along the can roll 2 is subjected to a drying process by the heater means 3 in the processing chamber 7, and in the processing chambers 12 and 17, the film surface is pretreated with plasma by the plasma generating means 8 and 13. it can. At that time, the inside of the vacuum vessel 21 is evacuated by an overall vacuum pump (not shown) connected to the vacuum vessel bottom plate 21a, and further, a plasma processing gas is supplied and held at a predetermined pressure.

次に、1巻のフィルムロールに対して上記の表面処理が終了した後、回転表面処理手段4、9、14において、2つの表面処理手段から回転することで図4の状態にすることにより、各処理室での表面処理手段が変化し、処理室7、12、17のフィルム処理位置はそれぞれスパッタリング手段5、10、15に対向するようになる。従って、フィルム19を逆方向に、即ちフィルム巻取巻出ロール20からフィルム巻取巻出ロール1に向かって移動させながら、スパッタリング手段5、10、15により、フィルム19に薄膜を形成することができる。その際、真空容器21内は、真空容器底板21aに接続された全体用真空ポンプによって排気し、更にスパッタリング用のアルゴンガスなどを供給して所定の圧力に保持することができる。   Next, after the above surface treatment is completed for one roll of film roll, the rotating surface treatment means 4, 9, and 14 are rotated from the two surface treatment means to obtain the state shown in FIG. The surface treatment means in each treatment chamber changes, and the film treatment positions of the treatment chambers 7, 12, and 17 are opposed to the sputtering means 5, 10, and 15, respectively. Therefore, a thin film can be formed on the film 19 by the sputtering means 5, 10, 15 while moving the film 19 in the reverse direction, that is, while moving from the film winding / unwinding roll 20 toward the film winding / unwinding roll 1. it can. At that time, the inside of the vacuum vessel 21 can be evacuated by a vacuum pump for the whole connected to the vacuum vessel bottom plate 21a, and further, argon gas for sputtering can be supplied and kept at a predetermined pressure.

このようにして、図3〜4に示す複数の異なる表面処理手段を備えた本発明の表面処理装置においては、同一の装置でフィルムに同時に複数の箇所で同一の又は異なる表面処理を施すことができる。従って、複雑なプロセスの複合処理が可能であり、また同一種の薄膜形成を行う場合であっても、1つのカソードのターゲットが消耗しても別のターゲットを用いて成膜することができるなど、長時間処理あるいは厚膜化処理を実施することができる。   In this way, in the surface treatment apparatus of the present invention provided with a plurality of different surface treatment means shown in FIGS. 3 to 4, the same apparatus can be subjected to the same or different surface treatment at a plurality of locations at the same time. it can. Therefore, complex processing of complex processes is possible, and even when the same kind of thin film is formed, even if one cathode target is consumed, a film can be formed using another target. , A long-time treatment or a thickening treatment can be performed.

本発明の他の表面処理装置においては、筒状の処理室壁22で区画された各処理室を真空容器内と隔離し、それぞれの処理室に処理室用真空ポンプ6、11、16を設置しており、各処理室を差動排気することが可能となり、また、真空容器21内部の各処理室7、12、17以外の部分を真空排気するための全体用真空ポンプ(図示せず)が、真空容器底板21aに設置してある。したがって、これらの処理室用真空ポンプ6、11、16により差動排気を行い、各々の処理室7、12、17において異なる圧力やガス種を選択して更に複雑な表面処理を行うことが可能である。また、真空容器底板21aに設置してある全体用真空ポンプを用いて、真空容器21内部の各処理室7、12、17以外の部分を真空排気すると共に、各処理室7、12、17内の異なるガス種が混合しないようにすることができる。   In another surface processing apparatus of the present invention, each processing chamber partitioned by a cylindrical processing chamber wall 22 is isolated from the inside of the vacuum vessel, and processing chamber vacuum pumps 6, 11, 16 are installed in the respective processing chambers. Thus, each process chamber can be differentially evacuated, and an overall vacuum pump (not shown) for evacuating parts other than the process chambers 7, 12, and 17 inside the vacuum vessel 21. Is installed on the vacuum vessel bottom plate 21a. Therefore, it is possible to perform more complicated surface treatment by performing differential evacuation by these process chamber vacuum pumps 6, 11, 16 and selecting different pressures and gas types in the respective process chambers 7, 12, 17. It is. Further, by using a vacuum pump for the whole installed in the vacuum vessel bottom plate 21a, the portions other than the processing chambers 7, 12, 17 inside the vacuum vessel 21 are evacuated and the processing chambers 7, 12, 17 It is possible to prevent mixing different gas species.

例えば、図3の状態において、片方のフィルム巻取巻出ロール1から他方のフィルム巻取巻出ロール20に向かうフィルム19がキャンロール2に沿って移動する間に、処理室7では真空雰囲気中でヒータ手段3による乾燥処理を行い、処理室12と17ではプラズマ処理用のガス雰囲気中でプラズマ発生手段8、13により、プラズマでのフィルム表面の前処理を行うことができる。また、その後に回転表面処理手段4、9、14において、表面処理手段を回転することによって、反対側の表面処理手段をフィルムに対向させることによって図4の状態を得て、フィルム19を図3の場合と逆方向に移動させながら、処理室7、12、17でスパッタリング手段5、10、15により薄膜形成を行う。例えば、各処理室7、12、17ごとにアルゴンなどの雰囲気をそれぞれ一定圧力に保持してスパッタリング成膜を行うことができる。   For example, in the state of FIG. 3, while the film 19 heading from one film winding / unwinding roll 1 to the other film winding / unwinding roll 20 moves along the can roll 2, the processing chamber 7 is in a vacuum atmosphere. In the processing chambers 12 and 17, pretreatment of the film surface with plasma can be performed by the plasma generation means 8 and 13 in a plasma processing gas atmosphere. Then, in the rotating surface treatment means 4, 9, 14, the surface treatment means is rotated so that the surface treatment means on the opposite side faces the film to obtain the state of FIG. A thin film is formed by sputtering means 5, 10, and 15 in the processing chambers 7, 12, and 17 while moving in the opposite direction to the case of FIG. For example, sputtering film formation can be performed while holding an atmosphere such as argon at each processing chamber 7, 12, and 17 at a constant pressure.

このようにして、複数の異なる表面処理手段と複数の処理室用真空ポンプを備えた本発明の表面処理装置においては、同一の装置でフィルムに同時に複数の箇所で同一又は異なる表面処理を施すことができるだけでなく、各処理室ごとに別々のガス種あるいは別々の圧力下で表面処理を行うことができるため、更に各種の表面処理を重ね合わせて処理することが可能となる。
(実施例)
図3〜4の巻取式複合真空表面処理装置に示すように、内部に加熱冷却手段を備えたキャンロール2に対向されている各処理室7、12、17ごとに、処理室7にはスパッタリング手段5とヒータ手段3を、処理室12にはスパッタリング手段10とプラズマ発生手段8を、処理室17にはスパッタリング手段15とプラズマ発生手段13を、それぞれ取り付けた表面回転処理手段を配置した。
In this way, in the surface treatment apparatus of the present invention provided with a plurality of different surface treatment means and a plurality of treatment chamber vacuum pumps, the same apparatus performs the same or different surface treatments at a plurality of locations at the same time. In addition, since the surface treatment can be performed under different gas types or under different pressures for each processing chamber, it is possible to further superimpose various surface treatments.
(Example)
As shown in the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus of FIGS. 3 to 4, for each of the treatment chambers 7, 12, and 17 facing the can roll 2 having heating and cooling means inside, the treatment chamber 7 includes The sputtering means 5 and the heater means 3 were disposed, the processing chamber 12 was provided with the sputtering means 10 and the plasma generating means 8, and the processing chamber 17 was provided with the surface rotation processing means attached with the sputtering means 15 and the plasma generating means 13.

スパッタリング手段5と10には共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段15にはCrのスパッタリングターゲットを装着した。   The sputtering means 5 and 10 were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 15 was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図3の状態において、真空容器21の片方の巻取巻出ロール1に、長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器21の内部を真空容器底板21aに設置した全体用真空ポンプ(図示せず)により真空排気した後、Oガスを導入して真空容器21の内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。キャンロール2の回転に合わせて片方の巻取巻出ロール1から毎分10mの速さで巻き出したフィルム19を他方の巻取巻出ロール20に巻き取りながら、キャンロール2に沿って移動するフィルム19に各処理室7、12、17で表面処理を施した。尚、キャンロール2の表面温度は50°Cに制御した。 First, in the state of FIG. 3, a polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 1 of the vacuum container 21 and the inside of the vacuum container 21 is installed on the vacuum container bottom plate 21a. After evacuating with a vacuum pump (not shown), O 2 gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 21 at 6.7 Pa (50 mm Torr). Along with the rotation of the can roll 2, the film 19 unwound from one winding / unwinding roll 1 at a speed of 10 m / min is moved along the can roll 2 while being wound around the other winding / unwinding roll 20. The film 19 was subjected to surface treatment in the treatment chambers 7, 12, and 17. The surface temperature of the can roll 2 was controlled at 50 ° C.

即ち、処理室7では、ヒータ手段3に電力を供給して150°Cの温度に保持することにより、フィルム19を加熱して乾燥処理した。また、処理室12と17では、プラズマ発生手段8、13の各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給し、プラズマ放電を発生させることにより、フィルム19の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムの処理を終えた。   That is, in the processing chamber 7, the film 19 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 3 and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chambers 12 and 17, the surface of the film 19 is activated or roughened by supplying 3 kW of power from the high frequency power source to each plasma electrode of the plasma generating means 8 and 13 to generate plasma discharge. Pretreatment was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to finish the treatment of one roll of polyimide film.

次に、真空容器21の真空状態を破ることなく、各処理室の真空を保持したまま回転型表面処理手段の真空回転機構39を用いて回転し、表面処理手段を交換し、カソード5、10、15を各処理室内で使用可能とした(図4参照)。真空容器21の内部を全体用真空ポンプで真空排気した後、アルゴンガスを導入して真空容器21の内部を2.7Pa(20mmTorr)の圧力に保持した。尚、キャンロール2の表面温度は−10°Cに制御した。この状態で、巻取巻出ロール20に巻き取られているポリイミドフィルムをキャンロール2の回転に合わせて巻取巻出ロール1に毎分5mの速さで搬送しながら、キャンロール2に沿って移動するフィルム19に各処理室7、12、17で薄膜を形成した。   Next, without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 21, the vacuum chamber 21 is rotated using the vacuum rotation mechanism 39 of the rotary surface treatment means while maintaining the vacuum in each treatment chamber, the surface treatment means is replaced, and the cathodes 5, 10 are replaced. 15 can be used in each processing chamber (see FIG. 4). After the inside of the vacuum vessel 21 was evacuated with a vacuum pump for the whole, argon gas was introduced to keep the inside of the vacuum vessel 21 at a pressure of 2.7 Pa (20 mm Torr). The surface temperature of the can roll 2 was controlled to -10 ° C. In this state, the polyimide film wound around the winding / unwinding roll 20 is conveyed along the can roll 2 while being conveyed to the winding / unwinding roll 1 at a speed of 5 m per minute in accordance with the rotation of the can roll 2. A thin film was formed in each processing chamber 7, 12, 17 on the moving film 19.

即ち、各スパッタリング手段5、10、15に電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム19上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の成膜処理により、処理室17ではスパッタリング手段15により厚さ約20nmのCrの薄膜を、処理室12と7ではスパッタリング手段10と5により合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   That is, power was supplied to the sputtering means 5, 10, and 15, and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 19. Specifically, by a film forming process for about 200 minutes, a Cr thin film having a thickness of about 20 nm is formed by the sputtering means 15 in the processing chamber 17, and a total thickness of about 200 nm is formed by the sputtering means 10 and 5 in the processing chambers 12 and 7. Cu thin films were sequentially stacked.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、真空容器21から取り出し、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することにより、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生が少なく、金属層のポリイミドフィルムへの密着力も良好であった。
(実施例2)
図3、4の巻取式複合真空表面処理装置において、内部に加熱冷却手段を備えたキャンロール2に対向されている各処理室7、12、17ごとに、処理室用真空ポンプ6を備えた処理室7にはスパッタリング手段5とヒータ手段3を、処理室用真空ポンプ11を備えた処理室12にはスパッタリング手段10とプラズマ発生手段8を、処理室用真空ポンプ16を備えた処理室17にはスパッタリング手段15とプラズマ発生手段13を、それぞれ取り付けた。また、スパッタリング手段5と10には共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段15にはCrのスパッタリングターゲットを装着した。
The polyimide film that has been subjected to the above surface treatment is taken out from the vacuum vessel 21 and further formed on a laminated thin film of Cr and Cu by forming a Cu layer to a thickness of 8 μm by wet plating, did. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film was not exposed to the air during the surface treatment, the occurrence of pinholes was small, and the adhesion of the metal layer to the polyimide film was also good.
(Example 2)
3 and 4 is provided with a processing chamber vacuum pump 6 for each of the processing chambers 7, 12, and 17 facing the can roll 2 having heating and cooling means inside. The processing chamber 7 is provided with the sputtering means 5 and the heater means 3, the processing chamber 12 provided with the processing chamber vacuum pump 11 is provided with the sputtering means 10 and the plasma generating means 8, and the processing chamber provided with the processing chamber vacuum pump 16. The sputtering means 15 and the plasma generation means 13 were attached to 17 respectively. The sputtering means 5 and 10 were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 15 was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図3の状態において、真空容器21の片方の巻取巻出ロール1に、長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器底板21aに設置した全体用真空ポンプ(図示せず)を用いて、真空容器21内部の各処理室7、12、17以外の部分を真空排気し、更に各処理室用真空ポンプ6、11、16を用いて、真空容器21の内部の各処理室7、12、17を真空排気した。その後、ヒータ手段3を用いる処理室7は真空排気したままの状態とし、他の処理室12と17にはOガスを導入して内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。キャンロール2の回転に合わせて巻取巻出ロール1から毎分10mの速さで巻き出したフィルム19を他方の巻取巻出ロール20に巻き取りながら、回転するキャンロール2に沿って移動するフィルム19に各処理室7、12、17で表面処理を施した。尚、キャンロール2の表面温度は30°Cに制御した。 First, in the state shown in FIG. 3, a vacuum pump for the whole (not shown) mounted on a vacuum vessel bottom plate 21a with a polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm attached to one winding / unwinding roll 1 of the vacuum vessel 21. ), The portions other than the processing chambers 7, 12, and 17 inside the vacuum chamber 21 are evacuated, and further, the processing inside the vacuum chamber 21 is performed using the processing chamber vacuum pumps 6, 11, and 16. Chambers 7, 12, and 17 were evacuated. Thereafter, the processing chamber 7 using the heater means 3 was kept evacuated, and O 2 gas was introduced into the other processing chambers 12 and 17 to keep the inside at 6.7 Pa (50 mm Torr). Along with the rotation of the can roll 2, the film 19 unwound from the winding / unwinding roll 1 at a speed of 10 m / min is moved along the rotating can roll 2 while being wound around the other winding / unwinding roll 20. The film 19 was subjected to surface treatment in the treatment chambers 7, 12, and 17. The surface temperature of the can roll 2 was controlled at 30 ° C.

即ち、処理室7では、ヒータ手段3に電力を供給して150°Cの温度に保持することにより、フィルム19を加熱して乾燥処理した。処理室12ではプラズマ発生手段8のプラズマ電極に高周波電源から2kWの電力を供給し、及び処理室12ではプラズマ発生手段13のプラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給して、それぞれプラズマ放電を発生させることにより、フィルム19の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムを表面処理した。   That is, in the processing chamber 7, the film 19 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 3 and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chamber 12, 2 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 8, and in the processing chamber 12, 3 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 13. By generating, a pretreatment for activating or roughening the surface of the film 19 was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to surface-treat one roll of polyimide film.

次に、真空容器21の真空状態を破ることなく、各処理室の真空を保持したまま回転型表面処理手段の真空回転機構39を用いて回転し、表面処理手段を交換し、カソード5、10、15を各処理室内で使用可能とした(図4参照)。この状態で、上記と同様に真空容器21の内部を再度真空排気した後、真空容器21内部の各処理室7、12、17にアルゴンガスを導入して、処理室7と12は圧力を2.7Pa(20mmTorr)に保持し、処理室17は圧力を2.0Pa(15mmTorr)に保持した。尚、キャンロール2の表面温度は−10°Cに制御した。キャンロール2の回転に合わせて巻取巻出ロール20に巻き取られているフィルム19を巻取巻出ロール1に毎分5mの速さで搬送しながら、キャンロール2に沿って移動するフィルム19に各処理室7、12、17で成膜処理を施した。   Next, without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 21, the vacuum chamber 21 is rotated using the vacuum rotation mechanism 39 of the rotary surface treatment means while maintaining the vacuum in each treatment chamber, the surface treatment means is replaced, and the cathodes 5, 10 15 can be used in each processing chamber (see FIG. 4). In this state, the inside of the vacuum vessel 21 is evacuated again in the same manner as described above, and then argon gas is introduced into the processing chambers 7, 12, and 17 inside the vacuum vessel 21. 0.7 Pa (20 mm Torr), and the processing chamber 17 maintained the pressure at 2.0 Pa (15 mm Torr). The surface temperature of the can roll 2 was controlled to -10 ° C. A film that moves along the can roll 2 while transporting the film 19 wound on the winding / unwinding roll 20 to the winding / unwinding roll 1 at a speed of 5 m per minute in accordance with the rotation of the can roll 2. 19 was subjected to film formation in each of the processing chambers 7, 12, and 17.

即ち、各スパッタリング手段5、10、15に電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム19上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、処理室17ではスパッタリング手段15により厚さ約20nmのCrの薄膜を、処理室12と7ではスパッタリング手段10と5により合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   That is, power was supplied to the sputtering means 5, 10, and 15, and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 19. More specifically, in the treatment chamber 17, a thin Cr film having a thickness of about 20 nm is formed by the sputtering means 15 in the treatment chamber 17, and in the treatment chambers 12 and 7, the total thickness of Cu is about 200 nm by the sputtering means 10 and 5. Thin films were sequentially stacked.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、真空容器21から取り出した後、実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することにより、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生数が少なかった。
(比較例)
途中で真空状態を破らなければ複数の表面処理を行うことができない従来一般の巻取式真空表面処理装置での処理例として、上記実施例1と同じ構造を有する図3〜4の表面処理装置を用いて、下記のごとく表面処理を実施した。
The polyimide film having been subjected to the above surface treatment was taken out from the vacuum vessel 21, and then a Cu layer was further formed on the laminated thin film of Cr and Cu by a wet plating method to a thickness of 8 μm as in Example 1. By doing so, a copper polyimide flexible substrate was obtained. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film was not exposed to the air during the surface treatment, the number of pinholes generated was small.
(Comparative example)
3 to 4 having the same structure as the first embodiment as a processing example in a conventional general winding type vacuum surface processing apparatus that cannot perform a plurality of surface treatments unless the vacuum state is broken in the middle. The surface treatment was carried out as follows.

即ち、まず、図3の状態において、真空容器21内の表面処理手段として、処理室7にはヒータ手段3を、処理室12にはプラズマ発生手段8を、処理室17にはプラズマ発生手段13を、それぞれ取り付けた。片方の巻取巻出ロール1に、長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器21の内部を真空排気した後、Oガスを導入して真空容器21の内部を6.7Pa(50mmTorr)に保持した。尚、キャンロール2の表面温度は30°Cに制御した。 That is, first, in the state of FIG. 3, as surface treatment means in the vacuum vessel 21, the heater 3 in the treatment chamber 7, the plasma generation means 8 in the treatment chamber 12, and the plasma generation means 13 in the treatment chamber 17. Were attached respectively. A polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 1, and the inside of the vacuum vessel 21 is evacuated, and then O 2 gas is introduced to 6.7 Pa inside the vacuum vessel 21. (50 mm Torr). The surface temperature of the can roll 2 was controlled at 30 ° C.

キャンロール2の回転に合わせて巻取巻出ロール1からで巻き出したポリイミドフィルムを、キャンロール2に沿わせて毎分10mの速さで移動させながら、処理室7ではヒータ手段3を150°Cの温度に保持してフィルム19を乾燥処理し、処理室12と17ではプラズマ発生手段8、13の各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給し、プラズマ放電を発生させることにより、フィルム19の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムの処理を終了した。   While the polyimide film unwound from the winding / unwinding roll 1 in accordance with the rotation of the can roll 2 is moved along the can roll 2 at a speed of 10 m / min, 150 heater means 3 is provided in the processing chamber 7. The film 19 is dried while being kept at a temperature of ° C. In the processing chambers 12 and 17, 3 kW of electric power is supplied to each plasma electrode of the plasma generating means 8 and 13 from a high frequency power source to generate a plasma discharge. A pretreatment for activating or roughening the surface of the film 19 was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to complete the treatment of one roll of polyimide film.

その後、真空容器21を真空リークして大気圧に戻し、乾燥及びプラズマ処理されたポリイミドフィルムを取り出した。取り出したポリイミドフィルムを図4の状態の装置に移して、巻取巻出ロール20に挿着した。また、真空容器11内の表面処理手段として、処理室7と12にはCuのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段5、10を、処理室17にはCrのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段15を、それぞれ取り付けた。   After that, the vacuum vessel 21 was vacuum leaked to return to atmospheric pressure, and the dried and plasma treated polyimide film was taken out. The taken-out polyimide film was moved to the apparatus in the state shown in FIG. 4 and inserted into the winding / unwinding roll 20. Further, as the surface treatment means in the vacuum vessel 11, the treatment chambers 7 and 12 are provided with sputtering means 5 and 10 provided with a Cu sputtering target, and the treatment chamber 17 is provided with a sputtering means 15 provided with a Cr sputtering target. Each was attached.

この状態で真空容器21の内部を真空排気した後、Arガスを導入して真空容器11の内部を2.7Pa(20mmTorr)の圧力に保持した。尚、キャンロール2の表面温度は−10°Cに制御した。キャンロール2の回転に合わせて巻取巻出ロール20からフィルム19を巻取巻出ロール1に毎分5mの速さで搬送しながら、各処理室7、12、17でキャンロール2に沿って移動するフィルム19に薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、処理室17で厚さ約20nmのCrの薄膜を、処理室12と7では合計厚さ約200nmのCuの薄膜を順に積層して形成した。   In this state, the inside of the vacuum vessel 21 was evacuated and then Ar gas was introduced to maintain the inside of the vacuum vessel 11 at a pressure of 2.7 Pa (20 mm Torr). The surface temperature of the can roll 2 was controlled to -10 ° C. Along with the rotation of the can roll 2, the film 19 is conveyed from the winding / unwinding roll 20 to the winding / unwinding roll 1 at a speed of 5 m / min. A thin film was formed on the moving film 19. Specifically, a Cr thin film having a thickness of about 20 nm was formed in the processing chamber 17 and a Cu thin film having a total thickness of about 200 nm were sequentially stacked in the processing chambers 12 and 7 by processing for about 200 minutes.

上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成して、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、一旦処理されたフィルムを途中で大気中に曝していることから、上記実施例1の場合に比べて、ピンホールの発生が多く、且つ金属層のポリイミドフィルムへの密着力も若干劣っていた。   In the same manner as in Example 1, the polyimide film having been subjected to the above surface treatment was further formed by forming a Cu layer with a thickness of 8 μm on the Cr and Cu laminated thin film by a wet plating method to obtain a copper polyimide flexible substrate. Since the obtained copper polyimide flexible substrate exposes the film once processed to the air in the middle, the occurrence of pinholes is larger than in the case of Example 1, and the polyimide film has a metal layer. The adhesion was slightly inferior.

従来の巻取式真空成膜装置の最も基本的な構成を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the most basic structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 従来の巻取式真空成膜装置の他の構成を示す概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing which shows the other structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 本発明の巻取式複合真空表面処理装置の一実施例を示す概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing which shows one Example of the winding type | mold composite vacuum surface treatment apparatus of this invention. 図3の装置の表面処理手段を回転移動した状態を示す概略の断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the surface treatment means of the apparatus of FIG. (a)スパッタリング用ターゲットとプラズマ電極とを設けた回転表面処理手段の短尺方向の断面を示すものである。(b)上記回転表面処理手段の短尺方向、図6X−X‘面での断面を示した図である。(A) The cross section of the short direction of the rotating surface treatment means which provided the sputtering target and the plasma electrode is shown. (B) It is the figure which showed the cross section in the elongate direction of FIG. 6X-X 'surface of the said rotation surface treatment means. スパッタリング用ターゲットとプラズマ電極とを設けた回転表面処理手段の長尺方向の断面を示した図である。It is the figure which showed the cross section of the elongate direction of the rotating surface treatment means which provided the sputtering target and the plasma electrode.

符号の説明Explanation of symbols

1、20 巻取巻出ロール
2 キャンロール
3 ヒータ
4、9、14 回転表面処理手段
5、10、15 カソード
6、11、16 真空ポンプ
7、12、17 処理室
8、13 プラズマ電極
18 マスク板
19 ポリイミドフィルム
21 真空容器
21a 真空容器底板
21b 真空容器周壁
22 処理室壁
31 スパッタリング用ターゲット
32 プラズマ電極
33 構造体
34 マグネトロンスパッタリング用マグネット
35 側面
36 先端部
37 カバー材
38 支持構造体
39 真空回転機構
40 開口部
50 支持体
1, 20 Winding and unwinding roll 2 Can roll 3 Heater 4, 9, 14 Rotating surface treatment means 5, 10, 15 Cathode 6, 11, 16 Vacuum pump 7, 12, 17 Processing chamber 8, 13 Plasma electrode 18 Mask plate 19 Polyimide film 21 Vacuum vessel 21a Vacuum vessel bottom plate 21b Vacuum vessel peripheral wall 22 Processing chamber wall 31 Sputtering target 32 Plasma electrode 33 Structure 34 Magnetron sputtering magnet 35 Side surface 36 Tip portion 37 Cover material 38 Support structure 39 Vacuum rotation mechanism 40 Opening 50 support

Claims (5)

真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なフィルム搬送用のキャンロールとを備え、キャンロールの回転に合わせフィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理を施す表面処理装置であって、
真空容器周壁に周囲を固定されて、キャンロール近くまで延長し、処理室内を、少なくとも2つの表面処理手段を含む複数の処理室に区画する筒状の処理室壁と、各処理室ごとにキャンロール前の処理室壁端部に固定され、各処理室内側に設置されたマスク板とを備え、
各処理室内は、キャンロールに対向して処理室壁に固定された、少なくとも2つの表面処理手段から回転することで1つを選択できる回転表面処理手段と、各処理室は処理室壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、
各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種の表面処理を行うことができ、各処理室で、少なくとも2つの表面処理手段から回転することによって1つの表面処理手段を選択し、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができることを特徴とする巻取式複合真空表面処理装置。
A pair of film winding and unwinding rolls in a substantially cylindrical vacuum container equipped with a vacuum pump that evacuates the entire vacuum container, and a rotatable film transporting can roll with the axial center substantially coincided with the vacuum container A surface treatment device for performing a surface treatment on a film that is unwound or wound between film winding and unwinding rolls and moves along the can rolls in accordance with the rotation of the can rolls,
A cylindrical processing chamber wall that is fixed to the periphery of the vacuum vessel and extends to near the can roll and divides the processing chamber into a plurality of processing chambers including at least two surface processing means, and each processing chamber A mask plate fixed to the end of the processing chamber wall before the roll and installed on each processing chamber side,
Each processing chamber is fixed to the processing chamber wall facing the can roll, and can be selected by rotating from at least two surface processing units, and each processing chamber is attached to the processing chamber wall. It has a vacuum pump for the processing chamber installed,
Surface treatments of different pressures and gas types can be performed in the respective treatment chambers. In each treatment chamber, one surface treatment means is selected by rotating from at least two surface treatment means, and a film in each treatment chamber is selected. A roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus characterized in that the surface treatment means facing the treatment position can be changed.
前記回転表面処理手段は、処理室壁に固定される支持構造体と、内部に空間を有し、キャンロールに対向する面に表面処理手段を回転させることができるように弧状の内側面を有しており、また、該側面端に配置され、構造体側面に設けられた表面処理手段の側面部を略覆う先端部を有する構造体と、この構造体の長尺方向の両端側面のそれぞれに設けられた、真空状態を維持しつつ構造体を回転可能とする真空回転機構と、該真空回転機構及び構造体を処理室壁に支持する支持部材と、支持構造体に固定され、構造体の該側面に接触せずに該側面を略被覆するカバー材とを有し、少なくとも一方の真空回転機構部には構造体に通電可能な機構を有し、また冷媒を装入排出できる開口部を有していることを特徴とする請求項1に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The rotating surface treatment means has a support structure fixed to the wall of the treatment chamber, and has an arcuate inner surface so that the surface treatment means can be rotated on the surface facing the can roll, with a space inside. And a structure having a tip portion that is disposed on the side surface end and substantially covers the side surface portion of the surface treatment means provided on the side surface of the structure, and each of both side surfaces in the longitudinal direction of the structure. A provided vacuum rotation mechanism that can rotate the structure while maintaining a vacuum state, a support member that supports the vacuum rotation mechanism and the structure on the processing chamber wall, and is fixed to the support structure. A cover material that substantially covers the side surface without contacting the side surface, and at least one of the vacuum rotation mechanism units has a mechanism capable of energizing the structure, and has an opening for charging and discharging the refrigerant. The winding type according to claim 1, wherein If the vacuum surface treatment apparatus. 前記表面処理手段が、フィルム乾燥用のヒータ手段、フィルム前処理用のプラズマ発生手段やイオン発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段の真空中で動作可能な表面処理手段のいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The surface treatment means is any one of a surface treatment means operable in a vacuum of a heater means for film drying, a plasma generation means or ion generation means for film pretreatment, and a sputtering means for thin film formation. The winding type composite vacuum surface treatment apparatus according to claim 1 or 2. 前記キャンロールは内部には、そのロール表面の温度を制御することが可能な加熱冷却手段を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに1つに記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The take-up type composite according to any one of claims 1 to 3, wherein the can roll includes a heating / cooling means capable of controlling a temperature of a roll surface in the can roll. Vacuum surface treatment equipment. 請求項1〜4に記載のいずれかの巻取式複合真空表面処理装置を用いて、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内でフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、各処理室で、回転表面処理手段の少なくとも2つ以上の表面処理手段から回転することによって1つの表面処理手段を選択し、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることによって、各処理室内のフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変え、再びフィルムをキャンロールに沿って移動させながら、各処理室内のフィルム処理位置でフィルムに対向している表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法。   One surface facing the film processing position in each processing chamber while moving the film in one direction along the can roll using the roll-up type composite vacuum surface processing apparatus according to claim 1. The surface treatment of the film is performed by the treatment means, and after completion of the surface treatment, one surface treatment means is selected by rotating from at least two or more surface treatment means of the rotation surface treatment means in each treatment chamber, By changing the surface processing means facing the film processing position in each processing chamber, the surface processing means facing the film processing position in each processing chamber is changed, and while moving the film along the can roll again, A surface treatment method for a film, wherein the film is subjected to a surface treatment by a surface treatment means facing the film at a film treatment position.
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