JPS59127847U - タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン - Google Patents
タ−ボチヤ−ジヤ付エンジンInfo
- Publication number
- JPS59127847U JPS59127847U JP2001583U JP2001583U JPS59127847U JP S59127847 U JPS59127847 U JP S59127847U JP 2001583 U JP2001583 U JP 2001583U JP 2001583 U JP2001583 U JP 2001583U JP S59127847 U JPS59127847 U JP S59127847U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- throttle valve
- engine
- predetermined value
- turbocharged engine
- turbo gear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Supercharger (AREA)
- Control Of Throttle Valves Provided In The Intake System Or In The Exhaust System (AREA)
- Output Control And Ontrol Of Special Type Engine (AREA)
- Control Of Vehicle Engines Or Engines For Specific Uses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案に係るターボチャージャ付エンジンの全
体構成を図解的に示す図、第2図は第1図に示す出力制
御バルブの作動フロ」チャートの一例を示す図。 3・・・インテークマニホルド、5・・・スロットルバ
ルブ、6・・・出力制御バルブ、7・・・アクチュエー
タ、8・・・過給圧センサ、9・・・スロットル開度セ
ンサ、2Q・・・ターボチャージャ。
体構成を図解的に示す図、第2図は第1図に示す出力制
御バルブの作動フロ」チャートの一例を示す図。 3・・・インテークマニホルド、5・・・スロットルバ
ルブ、6・・・出力制御バルブ、7・・・アクチュエー
タ、8・・・過給圧センサ、9・・・スロットル開度セ
ンサ、2Q・・・ターボチャージャ。
Claims (1)
- ターボチャージャの下流の吸気系にスロットルバルブを
有するターボチャージャ付エンジンにおいて、上記スロ
ットルバルブの下流に該スロットルバルブの開度が所定
値以下でかつ吸気過給圧が、 所定値以上のときに作
動するアクチュエータにより閉動せしめられる出力制御
バルブを設けたことを特徴とするターボチャージャ付エ
ンジン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001583U JPS59127847U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001583U JPS59127847U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59127847U true JPS59127847U (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=30151150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001583U Pending JPS59127847U (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59127847U (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2001583U patent/JPS59127847U/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
US12131885B2 (en) | 2021-12-17 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
US12129545B2 (en) | 2021-12-17 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Precursor capsule, a vessel and a method |
US12130084B2 (en) | 2022-11-14 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
US12129548B2 (en) | 2023-04-05 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59127847U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン | |
JPS6026235U (ja) | 内燃機関の過給制御装置 | |
JPS6158650U (ja) | ||
JPS58100234U (ja) | 過給機付デイ−ゼルエンジンの吸気圧制御装置 | |
JPS6028226U (ja) | 内燃機関の過給制御装置 | |
JPS59110331U (ja) | 過給機付エンジン | |
JPS6014243U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付内燃機関の吸気装置 | |
JPS5999127U (ja) | 過給式内燃機関における過給圧制御装置 | |
JPS59100928U (ja) | 排気タ−ボ過給式内燃機関の過給圧制御装置 | |
JPS606832U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン | |
JPS5892416U (ja) | 過給機付エンジンの吸気装置 | |
JPS6117138U (ja) | 内燃機関の過給圧制御装置 | |
JPS59144155U (ja) | 過給式内燃機関用二連式気化器における二次側スロツトル弁の制御装置 | |
JPS5873930U (ja) | インタ−ク−ラ付タ−ボエンジン | |
JPS59181226U (ja) | タ−ボ過給機付エンジン | |
JPS59137376U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン | |
JPS6158652U (ja) | ||
JPS59186454U (ja) | 排気ガス再循環及び吸気絞り弁を備えたタ−ボチヤ−ジヤ付デイ−ゼル機関 | |
JPS60120230U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付内燃機関の過給圧制御装置 | |
JPS6055736U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付内燃機関の排気構造 | |
JPS59119943U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付内燃機関の吸気装置 | |
JPS5881344U (ja) | デイ−ゼルエンジンの吸気負圧制御装置 | |
JPS5881325U (ja) | デイ−ゼル機関の過給装置 | |
JPS6052348U (ja) | タ−ボチヤ−ジヤ付エンジン | |
JPS5952136U (ja) | 排気タ−ボチヤ−ジヤ付内燃機関 |