JPS59125104U - 外部結合構造 - Google Patents

外部結合構造

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JPS59125104U
JPS59125104U JP1983018909U JP1890983U JPS59125104U JP S59125104 U JPS59125104 U JP S59125104U JP 1983018909 U JP1983018909 U JP 1983018909U JP 1890983 U JP1890983 U JP 1890983U JP S59125104 U JPS59125104 U JP S59125104U
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JP
Japan
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conductive film
hole
dielectric block
unit
providing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1983018909U
Other languages
English (en)
Inventor
敏夫 西川
寄田　忠弘
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は先行例の等価回路図、第２図は第１の先行具体
例の正面図、第３図は同左側面図、第４図は、同右側面
図、第５図は、同平面図、第６図は、同裏面図、第７図
は、同断面図、第８図は、第２の先行具体例の断面図、
第９図は誘電体ユニットの正面歯、第１０図は、先行例
における電磁界分布状態を示す説明図、第１１図は本考
案−実施例の平面図、第１２図は第１１図のＡ−Ａ線断
面図、第１３図は、本考案−実施例における電磁界分布
状態を一部示す説明図、第１４図は、第１２図のＢ−Ｂ
線断面図、第１５図は、第１の先行具体例のスプリアス
特性図、第１６図は本考案−実施例のスプリアス特性図
。 ５１．６１は貫通孔、５２．６２は導電膜、５３．６３
は金属ピン。 ／γ　　　　　　　　　　？４ ｓ／７　　　　　　　　　　Ｃ２？ ／ＩＪ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｉ−′
　、　　、＝　　　、、、−，，ｉ　　　イｒ１５　　
１６　　１６　１４ Ａ　　　　　／　　　　　　　ｊ／１ 薯 ｍ： ４１：： ｔ　　・・」

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 誘電体ブロックの貫通孔内面に導電膜を形成するととも
    に貫通孔を取り囲む誘電体ブロックの少なくとも四側面
    に導電膜を設け、貫通孔内面に設けた上記導電膜と誘電
    体ブロックの側面に設けた上記導電膜とこれら導電膜の
    間の誘電体ブロックとで共振ユニットを構成し、この共
    振ユニットと外部回路とを結合してなる結合構造であっ
    て、フィルタの縦断面上であって結合すべき共振ユニッ
    トより誘電体ブロックの外側面寄りに共振ユニットの貫
    通孔と沿った孔を設けてその内面に導電膜を設けること
    により共振ユニットと外部回路との結合を電界と磁界の
    両方で得たことを特徴とする外部結合構造。
JP1983018909U 1983-02-10 1983-02-10 外部結合構造 Pending JPS59125104U (ja)

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