JPS5912179B2 - liquid crystal display device - Google Patents
liquid crystal display deviceInfo
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- JPS5912179B2 JPS5912179B2 JP53073468A JP7346878A JPS5912179B2 JP S5912179 B2 JPS5912179 B2 JP S5912179B2 JP 53073468 A JP53073468 A JP 53073468A JP 7346878 A JP7346878 A JP 7346878A JP S5912179 B2 JPS5912179 B2 JP S5912179B2
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示装置、特にモノリシックマトリックスデ
ィスプレイに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to display devices, particularly monolithic matrix displays.
本発明の目的は、マトリックスディスプレイをアドレス
するトランジスターに故障対策を施し、ディスプレイの
製造歩留りを大幅に向上させ、安価なマトリックス表示
装置を提供する事にある。An object of the present invention is to provide an inexpensive matrix display device that takes measures against failures of transistors that address a matrix display, greatly improves the manufacturing yield of the display.
従来、キャラクタディスプレイ、グラフィックディスプ
レイ等、マトリックスディスプレ−はすべてC、R、J
、を用いたものであり、大型の装置で高電圧・高電流を
必要とし、重量も有り、携帯用としては不向きである。
そこで近年、薄型・小型でしかも低パワーの表示装置と
して、プラズマディスプレ−、EL)LED、、LCD
が研究されており、実用化もされて来ているが、ほとん
どの場合、セグメント方式の表示が主であり、上記C。
R、J、に取つて変わる様なマトリックス(アレー)デ
ィスプレ−は未だ研究段階である。このプラズマディス
プレ−、EL、LED、LCDにより、マトリックスア
レーを構成する場合の方法の一例を示したものが、第1
図である。Traditionally, matrix displays such as character displays and graphic displays are all C, R, and J.
It is a large device, requires high voltage and high current, and is heavy, making it unsuitable for portable use.
Therefore, in recent years, plasma displays, EL) LEDs, and LCDs have been developed as thin, small, and low-power display devices.
has been researched and put into practical use, but in most cases, the segment method is the main method of display, and C.
Matrix (array) displays that could replace R, J, are still in the research stage. The first example shows an example of a method for configuring a matrix array using the plasma display, EL, LED, and LCD.
It is a diagram.
X1〜X5は複数のゲート線であり、そのゲート線と直
交し複数のソース線Yを〜Y8を絶縁して設ける。これ
により任意の画素、例えば画素Aを点燈する場合、ゲー
ト線X2とソース線Y4に電圧を加える事によつて行な
う。第2図は、第1図の画素Aの構成の一例を示したも
のである。X1 to X5 are a plurality of gate lines, and a plurality of source lines Y are provided perpendicularly to the gate lines and insulated from -Y8. Accordingly, when an arbitrary pixel, for example, pixel A, is to be turned on, it is done by applying a voltage to the gate line X2 and the source line Y4. FIG. 2 shows an example of the configuration of pixel A in FIG. 1.
Tr4は画素選択用のトランジスターであり、1は表示
材であつて、トランジスターを通して表示信号を加えて
、点滅させる。トランジスターTrlのゲート電極はゲ
ート線X2へ、又、ソース電極はソース線Y4へ接続さ
れており、ドレインは、表示材を挾む一方の電極へ接続
され、他方の電極はアースされている。以上の様に、マ
トリックスアレーを構成する場合、画素選択用トランジ
スターの数は、非常に多数であつて、例えばゲート線が
100本、ソース線が100本で、アレーを構成した場
合、必要なトランジスター数は、100×100で1万
個となる。工Cで考えた場合、素子数1方のICの歩留
りは低く、当然、マトリックスディスプレ−の歩留りも
低い。これが、プラズマ、EL、LED、、LCDによ
る、マトリックスディスプレ−を非常に高価なものとし
、実用化を困難なものとしている一因である。本発明は
以上の欠点を除去し、画素選択用トランジスターに故障
対策を施し、ディスプレ−の製造歩留りを大幅に向上さ
せる事により、製造コストを下げ、薄型デイスプレ一の
実用化を促進するものである。本発明の実施例の一つを
示すものが、第3図であつて、1画素の構成を示してあ
る。Tr4 is a transistor for pixel selection, 1 is a display material, and a display signal is applied through the transistor to make it blink. The gate electrode of the transistor Trl is connected to the gate line X2, the source electrode is connected to the source line Y4, the drain is connected to one electrode sandwiching the display material, and the other electrode is grounded. As described above, when configuring a matrix array, the number of pixel selection transistors is extremely large. For example, when configuring an array with 100 gate lines and 100 source lines, the number of transistors required The number is 100x100 = 10,000. When considering the process C, the yield of an IC with one element is low, and naturally the yield of a matrix display is also low. This is one of the reasons why matrix displays using plasma, EL, LED, and LCD are extremely expensive and difficult to put into practical use. The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks, provides failure countermeasures for pixel selection transistors, and significantly improves the manufacturing yield of displays, thereby reducing manufacturing costs and promoting the practical use of thin displays. . One embodiment of the present invention is shown in FIG. 3, which shows the configuration of one pixel.
Xl,X′,rは、マトリツクスアレ一1行のゲート線
の組みであり、Yはソース線である。Tr4及びTr5
は、FAMOS等の不揮発性メモリーであり、Tr2,
Tr3は画素選択用のトランジスター、2は表示材であ
る。この回路を動作させる場合は、まず、Tr4又はT
r5のコントロールゲートにゲート線X′又はrを通し
て電圧を加え、このメモリートランジスノ一を「0N」
状態にし、画素選択用トランジスターTr2及びTr3
の動作をチエツクする。この場合、メモリートランジス
ターTr4及びTr5のコントロールゲートに加える電
圧は、メモリー素子として情報が書き込まれたい程度で
なければならない。次に、例えば画素選択用トランジス
ターTr2,Tr3の内、Tr2が不良であつて、Tr
3が良品の場合、ゲート線X′とソース線Yを用いて、
メモリートランジスターTr5を半永久的に「ON」状
態に書き込みを行なう。Xl, X', r are a set of gate lines in one row of the matrix array, and Y is a source line. Tr4 and Tr5
is a nonvolatile memory such as FAMOS, and Tr2,
Tr3 is a transistor for pixel selection, and 2 is a display material. When operating this circuit, first, Tr4 or T
Apply a voltage to the control gate of r5 through the gate line X' or r, and set this memory transistor to "0N".
state, pixel selection transistors Tr2 and Tr3
Check the operation. In this case, the voltage applied to the control gates of the memory transistors Tr4 and Tr5 must be at a level desired to write information as a memory element. Next, for example, among the pixel selection transistors Tr2 and Tr3, Tr2 is defective, and Tr2 is defective.
If 3 is good, use gate line X' and source line Y,
The memory transistor Tr5 is written into the "ON" state semi-permanently.
これによつて、ゲート線Xとソース線Yによつて、第3
図の画素が選択された場合、画素選択用トランジス汐一
は、必ず良品であるトランジスターTr3が用いられる
事になる。この例の様に、一つの画素表示体2を選択す
る為に、2個のトランジス汐一を用意すれば、その内の
少なくとも一つのトランジスターは正常に動作し、2個
のトランジスターがともに不良となる確率は非常に少な
く、従つて、製品の歩留りが大幅に向上する事が期特出
来る。この画素選択用トランジスターの故障対策に用い
られる回路は、実施例の第3図に限るものでは無く、又
、対策の為に用いられる素子も、FAMOS等の不揮発
性メモリーに限られる。上述の如く、本発明は、マトリ
クス状に配列された液晶画素電極の各々に、複数の選択
画素トランジスタを配列し、各トランジスタには、各ト
ランジスタの良不良をチエツクし良品のみに画像表示信
号を供給する固定メモリを接続したから、マトリクス状
に配列されたすべての画素について修正手段を構成する
ことが可能で、従つてそのための何ら予備的な部品を準
備する必要がなくても、全ての画素について補正するこ
とができる。As a result, the third
When the pixel shown in the figure is selected, the transistor Tr3, which is a good product, is always used as the pixel selection transistor Shioichi. As in this example, if two transistors are prepared to select one pixel display body 2, at least one of them will operate normally, and both transistors will be defective. The probability of this occurring is extremely low, and therefore, it can be expected that the product yield will be significantly improved. The circuit used for this troubleshooting of the pixel selection transistor is not limited to the one shown in FIG. 3 of the embodiment, and the elements used for the troubleshooting are also limited to nonvolatile memories such as FAMOS. As described above, the present invention arranges a plurality of selected pixel transistors in each of the liquid crystal pixel electrodes arranged in a matrix, checks whether each transistor is good or bad, and sends an image display signal to only the good transistors. By connecting the supplied fixed memory, it is possible to configure correction means for all pixels arranged in a matrix, and therefore it is possible to configure correction means for all pixels arranged in a matrix, without having to prepare any preliminary parts for this purpose. can be corrected for.
又従来、欠陥トランジス汐があつた場合、そのトランジ
スタの存するライン全体の画素表示が不可能であつたが
、このような問題を完全に解決することができる効果を
有する。さらに、上記固定メモリにより各トランジスタ
が良品であるか否かを最終的に画像表示ができる状態に
なる前の工程において、チエツクすることができるので
、製造工程の品質管理、歩留向上改善に大きく寄与する
効果を有する。Furthermore, in the past, when there was a defective transistor, it was impossible to display pixels in the entire line where the transistor existed, but this invention has the effect of completely solving this problem. Furthermore, the fixed memory allows checking whether each transistor is a good product before the final image display is possible, greatly contributing to quality control and yield improvement in the manufacturing process. It has a contributing effect.
第1図は、マトリツクスアレ一の構成方法の一例を示す
図である。
第2図は、従来におけるマトリツクスデイスプレ一の画
素の構成の一例を示したものであり、第3図は、本発明
によるマトリツクスデイスプレ一の一画素の構成の一例
を示したものである。X1ラX5,x,x′,r:ゲー
ト線、Y1ゞY8′Y:ソース線、Trl,Tr2,T
r3:画素選択用トランジスター、Tr4,Tr5:メ
モリートランジスメ一、1,2:表示材。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method of configuring a matrix array. FIG. 2 shows an example of the structure of a pixel in a conventional matrix display, and FIG. 3 shows an example of the structure of a pixel in a matrix display according to the present invention. be. X1 X5, x, x', r: Gate line, Y1ゞY8'Y: Source line, Trl, Tr2, T
r3: pixel selection transistor, Tr4, Tr5: memory transistor, 1, 2: display material.
Claims (1)
する画素電極がマトリクス状に配列されてなる液晶表示
装置において、各画素毎に画素選択用トランジスタを複
数接続し、該画素選択用トランジスタ各々には、該トラ
ンジスタの動作状態をチェックし、チェックの結果良品
のみのトランジスタに画像表示信号を供給する固定メモ
リが接続されてなることを特徴とする液晶表示装置。1. In a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between upper and lower substrates, and pixel electrodes for driving the liquid crystal are arranged in a matrix on the substrates, a plurality of pixel selection transistors are connected to each pixel, and the pixel selection transistor is connected to each pixel. A liquid crystal display device characterized in that a fixed memory is connected to each of the transistors to check the operating state of the transistor and to supply an image display signal to only those transistors that are found to be non-defective as a result of the check.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53073468A JPS5912179B2 (en) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53073468A JPS5912179B2 (en) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55530A JPS55530A (en) | 1980-01-05 |
JPS5912179B2 true JPS5912179B2 (en) | 1984-03-21 |
Family
ID=13519125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53073468A Expired JPS5912179B2 (en) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5912179B2 (en) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
JPH0685113B2 (en) * | 1981-04-14 | 1994-10-26 | シチズン時計株式会社 | Matrix liquid crystal display panel |
JPS5898775A (en) * | 1981-12-09 | 1983-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal display body unit |
JPS6035776A (en) * | 1983-08-09 | 1985-02-23 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Display panel |
JPS6145280A (en) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | 日本電信電話株式会社 | Image display unit |
JP2620240B2 (en) | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | Liquid crystal display |
JP2624750B2 (en) * | 1988-03-07 | 1997-06-25 | 株式会社日立製作所 | Liquid crystal display |
US5402254B1 (en) * | 1990-10-17 | 1998-09-22 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device with tfts in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films before the deposition of silicon |
JP4954400B2 (en) * | 2000-08-18 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP4954399B2 (en) * | 2000-08-18 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display |
US7180496B2 (en) | 2000-08-18 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
JP4895195B2 (en) * | 2006-12-25 | 2012-03-14 | 極東産機株式会社 | Laminating equipment |
WO2012004920A1 (en) * | 2010-07-05 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | Thin film transistor memory and display device equipped with same |
-
1978
- 1978-06-16 JP JP53073468A patent/JPS5912179B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55530A (en) | 1980-01-05 |
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