JPS5910166A - Triple voltage booster circuit - Google Patents

Triple voltage booster circuit

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JPS5910166A
JPS5910166A JP11941982A JP11941982A JPS5910166A JP S5910166 A JPS5910166 A JP S5910166A JP 11941982 A JP11941982 A JP 11941982A JP 11941982 A JP11941982 A JP 11941982A JP S5910166 A JPS5910166 A JP S5910166A
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JP
Japan
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voltage
capacitor
transistors
transistor
circuit
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JP11941982A
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Toshiaki Goto
利昭 後藤
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

PURPOSE:To accurately obtain triple voltage of DC power source voltage without feedback by sequentially alternately turning ON and OFF five transistors and charging a capacitor. CONSTITUTION:When transistors 13, 17 are turned OFF and transistors 14-16 are turned ON, a capacitor 22 is charged to the voltage of a DC power source 11 in a circuit which has a DC power source 11, an inductance 12, a diode 18, the capacitor 22, and the transistors 16, 14, 15. When the transistors 13, 15 are turned ON and the transistors 14, 16, 17 are turned ON, a capacitor 23 is charged to the voltage of the power source 11. When the transistors 13, 14, 17 are turned ON and the transistors 15, 16 are turned OFF, a capacitor 24 is charged to the voltage of the power source 11. Since the capacitors 22-24 are charged to the voltage of the power source 11, a load voltage becomes triple of the voltage of the power source 11.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は直流電源電圧を3倍に昇圧する回路に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit that triples the DC power supply voltage.

従来、直流電源電圧を3倍に昇圧する回路としては、第
1図のような昇圧形チョッパが提案されており、1は直
流電源、2はインダクタンス、3はトランジスタ、4は
ダイオード、5はコンデンサ、6は負荷である。図にお
いて、トランジスタ3が”オン”すると、直流電源1、
インダクタンス2、トランジスタ30回路で電流が流れ
、イン昇していく。ここで、Lはインダクタンス2の値
、■は直流電源電圧、tはトランジスタ3の9オン”時
間である。今、t=τとなり、インダクタンス2の電流
1z=Jzとなったときにトランジスタ3が1オフ”す
ると、インダクタンス2に蓄積されたエネルギー局LI
 L2は、ダイオード4、コンデンサ5、負荷6、直流
電源1、インダクタンス2の回路で消費され、コンデン
サ5は充電される。このように、トランジスタ306オ
ン”、′オフ”によりコンデンサ5は充電されていき、
負荷電力=供給電力となってバランスする。従って、供
給電力を増加し、即ち、インダクタンス2のLを減少し
ていけ供給エネルギが増大して負荷6の電圧が増大する
Conventionally, a step-up chopper as shown in Figure 1 has been proposed as a circuit that triples the DC power supply voltage, where 1 is a DC power supply, 2 is an inductance, 3 is a transistor, 4 is a diode, and 5 is a capacitor. , 6 is the load. In the figure, when transistor 3 is turned on, DC power supply 1,
Current flows through the inductance 2, transistor 30 circuit, and rises. Here, L is the value of inductance 2, ■ is the DC power supply voltage, and t is the 9" on-time of transistor 3. Now, when t = τ and the current of inductance 2 becomes 1z = Jz, transistor 3 1 off”, the energy station LI stored in the inductance 2
L2 is consumed in a circuit including a diode 4, a capacitor 5, a load 6, a DC power supply 1, and an inductance 2, and the capacitor 5 is charged. In this way, the capacitor 5 is charged as the transistor 306 turns on and off,
Load power = supply power and balance. Therefore, if the supplied power is increased, that is, the inductance 2 is decreased, the supplied energy increases and the voltage of the load 6 increases.

ある負荷においては、トランジスタ3の1オン”時間τ
と、インダクタンス2を適当に定めれば、負荷6の電圧
は直流電源1の電圧の3倍の電圧をえることが可能であ
る。
At a certain load, one "on" time τ of transistor 3
If the inductance 2 is appropriately determined, the voltage of the load 6 can be three times the voltage of the DC power supply 1.

しかしながら、第1図の回路の欠点は負荷6の変動によ
り負荷6の電圧が大幅に変るために、負荷6の電圧をフ
ィードバックし、負荷6が軽い場合にはトランジスタ2
06オン”期間を短かく、重い場合には長くするよう制
御しなければならず、フィードバック系の故障は致命的
な状態となる。
However, the disadvantage of the circuit shown in FIG. 1 is that the voltage of the load 6 changes significantly due to fluctuations in the load 6, so the voltage of the load 6 is fed back, and when the load 6 is light, the transistor 2
It is necessary to control the 06 ON period to be short, or to lengthen it when the load is heavy, and a failure of the feedback system becomes a fatal situation.

又、昇圧する電圧が例えば2000Vの場合には、20
00Vに耐えるトランジスタが必要となる欠点があり、
実際には複数個のトランジスタを直列接続し、これに耐
えるようにしなければならず、ターンオン、ターンオフ
、ストレージタイム、漏洩電流のバランスなどをとるた
めに、並列バランス抵抗、CRアブソーバ等を接続する
必要がある。しかるに、完全なバランスをとることは困
難であυ、個々のトランジスタの性能にしわよせされ、
高価なものとなっていた。
Also, if the voltage to be boosted is 2000V, for example, 20
There is a drawback that a transistor that can withstand 00V is required.
In reality, multiple transistors must be connected in series to withstand this, and parallel balance resistors, CR absorbers, etc. must be connected to balance turn-on, turn-off, storage time, leakage current, etc. There is. However, it is difficult to achieve a perfect balance, and it depends on the performance of each individual transistor.
It was expensive.

又、並列バランス抵抗、CRアブソーバの損失は無視出
来ないものであり、それが効率低下の原因となっていた
In addition, the loss of the parallel balance resistor and CR absorber cannot be ignored, which causes a decrease in efficiency.

本発明は従来の技術に内在する上記諸欠点を除去する為
になされたものであシ、従って本発明の目的は、低耐圧
のトランジスタが使用出来るのみならず、1固々のトラ
ンジスタのスイッチングスピードのバランスの問題もな
く、又フィードバックなしで3倍電圧に昇圧することが
できる新規な3倍電圧昇圧回路を提供することにある。
The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks inherent in the conventional technology.Therefore, an object of the present invention is to not only enable the use of low voltage transistors, but also to increase the switching speed of a fixed transistor. It is an object of the present invention to provide a novel triple voltage boosting circuit that can triple the voltage without any balance problem and without feedback.

上記目的を達成する為に、本発明に係る回路は、直流を
源と、該直流電源の第1及び第2の出力端子に接続され
た第1、第2及び第3の半導体スイッチの直列回路と、
前記第1及び第2の出力端子に前記直流電源に対して順
方向となるようにそれぞれ接続された第1及び第2のダ
イオードと、該第1及び第2のダイオード間に接続され
且つ負荷が並列に接続される第1、第2及び第3のコン
デンサの直列回路と、前記第1及び第2の半導体スイッ
チの中点と前記第1及び第2のコンデンサの中点間に接
続され且つ逆並列に第3のダイオードを接続された第4
の半導体スイッチと、@記第2及び第3の半導体スイッ
チの中点と前記第2及び第3のコンデンサの中点間に接
続され且つ逆並列に第4のダイオードを接続された第5
の半導体スイッチとを具備して構成される。
In order to achieve the above object, a circuit according to the present invention includes a series circuit of a DC source and first, second and third semiconductor switches connected to first and second output terminals of the DC power source. and,
first and second diodes connected to the first and second output terminals, respectively, in a forward direction with respect to the DC power supply; and a load connected between the first and second diodes. a series circuit of first, second and third capacitors connected in parallel; a series circuit connected between the midpoints of the first and second semiconductor switches and the midpoints of the first and second capacitors; A fourth diode connected in parallel with a third diode.
a fifth semiconductor switch connected between the midpoints of the second and third semiconductor switches and the midpoints of the second and third capacitors, and a fourth diode connected in antiparallel to the middle point of the second and third semiconductor switches;
It is configured with a semiconductor switch.

以下に本発明をその好ましい一実施例について図面を参
照しながら詳細に説明する。
A preferred embodiment of the present invention will be explained in detail below with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例であって、直流!源の電圧を
3倍に昇圧する回路構成図である。図において、参照番
号11は直流を源、12はインダクタンス、13〜17
はトランジスタ、18〜21はダイオード、22〜24
はコンデンサ、25は負荷をそれぞれ示している。
FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, which uses direct current! FIG. 3 is a circuit configuration diagram that triples the voltage of the source. In the figure, reference number 11 is a DC source, 12 is an inductance, and 13 to 17
are transistors, 18-21 are diodes, 22-24
25 represents a capacitor, and 25 represents a load.

第3図は亀2図の回路のトランジスタ13〜17を制御
するためのベース電流波形を示すものであり、aはトラ
ンジスタ13の、bはトランジスタ14の、Cはトラン
ジスタ15の、dはトランジスタ16の、−はトランジ
スタ17のそれぞれベース電流である。
FIG. 3 shows the base current waveforms for controlling transistors 13 to 17 in the circuit of FIG. , - are the base currents of the transistor 17, respectively.

又、横軸の1−1は説明のための期間を示す。Further, 1-1 on the horizontal axis indicates a period for explanation.

今、第3図において、期間Iにおいてはベース電流B、
gが10つ”レベル、電流bS ’sdが四ハイ”レベ
ルであるから、トランジスタ13.17は1オフ”、ト
ランジスタ14〜16は6オン”である。従って、第3
図の回路において、電源11、インダクタンス12、ダ
イオード18、コンデンサ22〜24、ダイオード21
の定常状態、即ち、コンデンサ22〜24のそれぞれは
およそ直流電源11の電圧の%に充電された状態から、
直流電源11、インダクタンス12、ダイオード18、
コンデンサ22、トランジスタ16 、14.15の回
路でコンデンサ22が直流電源11の電圧に充電される
Now, in FIG. 3, in period I, the base current B,
Since g is at 10" level and current bS'sd is at 4 high level, transistors 13 and 17 are 1" off and transistors 14 to 16 are 6" on. Therefore, the third
In the circuit shown in the figure, a power supply 11, an inductance 12, a diode 18, capacitors 22 to 24, a diode 21
From the steady state, that is, the state in which each of the capacitors 22 to 24 is charged to approximately % of the voltage of the DC power supply 11,
DC power supply 11, inductance 12, diode 18,
The capacitor 22 is charged to the voltage of the DC power supply 11 by a circuit including the capacitor 22 and the transistors 16 and 14.15.

次に第3図の期間■においては、トランジスタ13.1
5が”オン”、トランジスタ14.16.17が1オフ
”であるので、第2図の回路において直流電源11、イ
ンダクタンス12、トランジスタ13、ダイオード19
、コンデンサ23、ダイオード20、トランジスタ15
0回路でコンデンサ23が直流電源11の電圧に充電さ
れる。
Next, during the period ■ in FIG. 3, the transistor 13.1
5 is "on" and transistors 14, 16, and 17 are "off", so in the circuit of FIG.
, capacitor 23, diode 20, transistor 15
The capacitor 23 is charged to the voltage of the DC power supply 11 in the zero circuit.

次に第3図の回路の■の期間においてはトランジスタ1
3.14.17が”オン”、トランジスタ15.16が
”オフ”であるので、第2図の回路において、直流を源
11、インダクタンス12、トランジスタ13.14.
17、コンデンサ24、ダイオード21の回路でコンデ
ンサ24が直流電源11の電圧まで充電される。
Next, in the period (■) of the circuit in Fig. 3, the transistor 1
3.14.17 are "on" and transistors 15.16 are "off", so in the circuit of FIG.
17, a capacitor 24, and a diode 21, the capacitor 24 is charged to the voltage of the DC power supply 11.

このように、第3図の回路の1−1の期間でそれぞれコ
ンデンサ22〜24は直流電源11の電圧まで充電され
るので、負荷電圧は直流電源11の電圧の3倍となる。
In this way, each of the capacitors 22 to 24 is charged up to the voltage of the DC power supply 11 during the period 1-1 of the circuit in FIG. 3, so the load voltage becomes three times the voltage of the DC power supply 11.

個々のトランジスタ13〜17に加えられる電圧は1面
々のトランジスタが1オフ”している時の電圧であり、
第3図1〜■の期間について説明すると次の通シである
The voltages applied to the individual transistors 13 to 17 are the voltages when each transistor is "off",
The period from 1 to (2) in FIG. 3 will be explained as follows.

lの期間において、1オフ”しているトランジスタは1
3.17であり、トランジスタ13に加わる電圧はコン
デンサ22の電圧に等しい。トランジスタ17の電圧は
トランジスタ14.16が1オン”しているために、コ
ンデンサ23の電圧に等しい。
During period l, the number of transistors that are off is 1.
3.17, and the voltage applied to transistor 13 is equal to the voltage across capacitor 22. The voltage of the transistor 17 is equal to the voltage of the capacitor 23 because the transistors 14 and 16 are turned on.

■の期間においては、6オフ”しているトランジスタは
16.17であυ、トランジスタ14に加わる電圧はコ
ンデンサ23の電圧に等しい。又、トランジスタ16.
17に加わる電圧はそれぞれに逆並列に接続されたダイ
オード19.20の順電圧降下分の電圧がコレクタエミ
ッタに逆方向に加わり、はぼIV程度である。
During period (3), the number of transistors that are off is 16.17 υ, and the voltage applied to transistor 14 is equal to the voltage of capacitor 23. Also, transistor 16.
The voltage applied to 17 is approximately equal to the voltage corresponding to the forward voltage drop of diodes 19 and 20 connected in antiparallel to each other in the opposite direction to the collector-emitter, and is about IV.

■の期間においては、”オフ”しているトランジスタは
15.16であり、トランジスタ17が1オン”してい
るためにトランジスタ15の電圧はコンデンサ24の電
圧に等しい。トランジスタ16の電圧はトランジスタ1
4.17が6オン”しているためにコンデンサ23の電
圧に等しい。
During the period (2), the transistors that are "off" are 15.16, and the transistor 17 is "on", so the voltage of the transistor 15 is equal to the voltage of the capacitor 24.The voltage of the transistor 16 is equal to the voltage of the transistor 1.
4.17 is 6" on, so it is equal to the voltage of capacitor 23.

従って、個々のトランジスタに加わる電圧はコンデンサ
22〜24の電圧即ち、直流t 諒11の電圧をこえる
ことはない。
Therefore, the voltage applied to each transistor does not exceed the voltage of the capacitors 22 to 24, that is, the voltage of the DC voltage 11.

以上のように、本発明は5個のトランジスタを順次”オ
ン”、”オフ”させることにより、フィードバックなし
に正確に直流電源電圧の3倍の電圧をえることが出来る
こと、個々のトランジスタにかかる電圧は直流電源電圧
が時間的にバランス良くかかるために、特別なバランサ
抵抗、CRアブソーバは不要であり、例えば2000V
の直流出力電圧に対して666Vの電圧のトランジスタ
が使用出来る。
As described above, by sequentially turning five transistors "on" and "off", the present invention can accurately obtain a voltage three times the DC power supply voltage without feedback, and Since the DC power supply voltage is applied in a well-balanced manner over time, there is no need for a special balancer resistor or CR absorber; for example, 2000V.
A transistor with a voltage of 666V can be used for a DC output voltage of .

以上本発明をその良好な一実施例について説明したが、
それは単なる例示的なものであり、ここで説明された実
施例によってのみ本発明が限定されるものではなく、そ
の範囲内において下記の如き種々の変形、変更が考えら
れる。
The present invention has been described above with respect to one preferred embodiment thereof, but
These are merely illustrative, and the present invention is not limited only by the embodiments described here, and various modifications and changes as described below can be considered within the scope thereof.

先づ、第2図のインダクタンス12は電流を平滑し効率
よくコンデンサに充電するためのものであるが、動作上
は必ずしも必要ではない。
First, the inductance 12 shown in FIG. 2 is used to smooth the current and efficiently charge the capacitor, but it is not necessarily required for operation.

また、各トランジスタの6オン゛′、”オフ”の間に休
止期間を制御することにより負荷25の電圧を直流電源
11の電圧からその3倍電圧まで制御することができる
Furthermore, by controlling the rest period between 6 on and off of each transistor, the voltage of the load 25 can be controlled from the voltage of the DC power supply 11 to a voltage three times that voltage.

更に、第2図の本実施例において半導体スイッチをトラ
ンジスタの例で示したが、MOSFET 、 SIT。
Furthermore, although the semiconductor switch in this embodiment of FIG. 2 is shown as a transistor, it may also be a MOSFET or SIT.

GTO、SCR等の半導体スイッチでも同様な動作が出
来る。
Similar operations can be performed with semiconductor switches such as GTO and SCR.

捷た、本実施例では充電素子としてコンデンサ22−J
24が使用されているが、代りに、バッテリを用いるこ
ともできる。
In this example, a capacitor 22-J is used as a charging element.
24 is used, but a battery could alternatively be used.

更にまた、本実施例では電源として直流を源11が使用
されているが、代りに交流電源と整流回路を用いてもよ
い。
Furthermore, although the DC source 11 is used as a power source in this embodiment, an AC power source and a rectifier circuit may be used instead.

本発明は電源電圧を3倍にする3倍電圧昇圧回路につい
てのものであるが、双方向性半導体スイッチをN−11
固用いることにより、電源電圧をN倍にするN倍電圧昇
圧回路に拡張することが可能である。
The present invention relates to a triple voltage booster circuit that triples the power supply voltage.
By using the circuit specifically, it is possible to expand the power supply voltage to an N-fold voltage booster circuit that increases the power supply voltage by N times.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の3倍電圧昇圧回路を示す図、第2図は本
発明による3倍電圧昇圧回路の一実施例を示す構成図、
第3図は第2図のトランジスタを制御するためのベース
電流波形を示す図である。 1.11.、、直流電源、2.12.、、インダクタン
ス、3.13〜17.、、トランジスタ、4.18〜2
1.、、ダイオード、5.22〜24.、、コンデンサ
、6.25.、、負荷、am −* Fランラスタ13
のベース電流波形、b、、、トランジスタ14のベース
電流波形、C0”−トランジスタ15のベース電流波形
、dlo、トランジスタ16のベース電流波形、eon
e )ランジスタ17のベース電流波形、■〜I11.
..)ランジスタ13〜17の動作周期の期4 第1図 1 第2図 一士一 [ 第3図
FIG. 1 is a diagram showing a conventional triple voltage booster circuit, FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of the triple voltage booster circuit according to the present invention,
FIG. 3 is a diagram showing a base current waveform for controlling the transistor of FIG. 2. 1.11. ,, DC power supply, 2.12. ,, inductance, 3.13-17. ,,transistor,4.18~2
1. , , diode, 5.22-24. ,, capacitor, 6.25. ,,load,am-*F-run raster 13
Base current waveform of transistor 14, C0''-base current waveform of transistor 15, dlo, base current waveform of transistor 16, eon
e) Base current waveform of transistor 17, ■ to I11.
.. .. ) Period 4 of the operating cycle of transistors 13 to 17 Fig. 1 1 Fig. 2 1 and 1 [ Fig. 3

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)、直流電源と、該直流電源の第1及び第2の出力
端子に接続された第1、第2及び第3の半導体スイッチ
の直列回路と、前記第1及び第2の出力端子に紡記直流
電源に対して順方向となるようにそれぞれ接続された第
1及び第2のダイオードと、該第1及び第2のダイオー
ド間に接続され且つ負荷が並列に接続される第1、第2
及び第3のコンデンサの直列回路と、前記第1及び第2
の半導体スイッチの中点と前記第1及び第2のコンデン
サの中点間に接続され且つ逆並列に第3のダイオードを
接続された@4の半導体スイッチと、前記第2及び第3
の半導体スイッチの中点と前記第2及び第3のコンデン
サの中点間に接続され且つ逆並列に第4のダイオードを
接続された第5の半導体スイッチとを具備することを特
徴とした3倍電圧昇圧回路。
(1) a series circuit of a DC power supply, first, second and third semiconductor switches connected to the first and second output terminals of the DC power supply; first and second diodes connected in the forward direction with respect to the spinning DC power source; first and second diodes connected between the first and second diodes and with a load connected in parallel; 2
and a series circuit of a third capacitor, and a series circuit of the first and second capacitors.
a semiconductor switch @4 connected between the midpoint of the semiconductor switch and the midpoints of the first and second capacitors, and a third diode connected in antiparallel;
and a fifth semiconductor switch connected between the midpoint of the semiconductor switch and the midpoints of the second and third capacitors, and a fourth diode connected in antiparallel. Voltage boost circuit.
(2)、前記第1の出力端子と前記第1の半導体スイッ
チとの間にインダクタンスを接続したことを更に特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載の3倍電圧昇圧回路
(2) The triple voltage booster circuit according to claim (1), further characterized in that an inductance is connected between the first output terminal and the first semiconductor switch.
(3)、前記コンデンサの代りにバッテリを用いること
を更に特徴とする特許請求の範囲第(1)項又は第(2
)項記載の3倍電圧昇圧回路。
(3) Claim (1) or (2) further characterized in that a battery is used in place of the capacitor.
3-fold voltage booster circuit described in ).
(4)、前記直流電源の代シに交流電源と整流回路を用
いることを更に特徴とする特許請求の範囲1!! (1
)項又は第(2)項記載の3倍電圧昇圧回路。
(4) Claim 1 further characterized in that an AC power source and a rectifier circuit are used in place of the DC power source! ! (1
) or (2).
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