JPS5910038B2 - X Sensouchi - Google Patents

X Sensouchi

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JPS5910038B2
JPS5910038B2 JP13470275A JP13470275A JPS5910038B2 JP S5910038 B2 JPS5910038 B2 JP S5910038B2 JP 13470275 A JP13470275 A JP 13470275A JP 13470275 A JP13470275 A JP 13470275A JP S5910038 B2 JPS5910038 B2 JP S5910038B2
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JP
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voltage
ray
circuit
grid
tetrode
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JP13470275A
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功作 西尾
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は四極真空管を用いてX線管々電圧を制御するこ
とにより、高応答速度で且つ低電力で曝射X線量の制御
を行なうことができるX線装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an X-ray apparatus that can control the exposure X-ray dose with high response speed and low power by controlling the X-ray tube voltage using a tetrode vacuum tube. It is.

周知のようにX線装置を用いて被写体のX線透視あるい
はX線シネ撮影等を行なう場合、被写体の透視、撮影部
位を移動させ、種々の角度からのX線像を得ることがし
ばしば行なわれる。
As is well known, when performing X-ray fluoroscopy or X-ray cinegraphy of a subject using an X-ray device, it is often necessary to move the subject's fluoroscopy or radiography area to obtain X-ray images from various angles. .

この場合、被写体の各部位の厚みに伴って曝射X線量を
制御し、例えば透視用の表示装置であるところのX線蛍
光増倍管の出力輝度を一定にすることが要求されている
In this case, it is required to control the amount of exposed X-rays according to the thickness of each part of the subject, and to keep the output brightness of an X-ray fluorescence intensifier, which is a fluoroscopic display device, for example, constant.

このような制御動作は一般にABC (. Au ta
m t i cBrightness Control
:自動輝度調整)と称され、従来より幾つかの方法が
実用に供されており、その代表的な制御方式として次に
述べる2つがある。
Such control operations are generally ABC (. Au ta
m t ic Brightness Control
: automatic brightness adjustment), and several methods have been put into practical use in the past, and the following two are typical control methods.

(1)高圧発生のトランスの1次電圧を単巻摺動変圧器
とサーボモータとによって自動制御し、X線管電圧を制
御する方式。
(1) A system that automatically controls the primary voltage of a transformer that generates high voltage using a single-turn sliding transformer and a servo motor to control the X-ray tube voltage.

(2)X線管のフィラメント電流を自動制御し、X線管
々電流を制御する方式。
(2) A method that automatically controls the filament current of the X-ray tube and controls the current between the X-ray tubes.

しかしながら上述した2つの方法は何れも応答速度が遅
いという欠点がある。
However, both of the above two methods have the disadvantage of slow response speed.

即ち上記(1)の方法ではサーボモータの応答速度が遅
く、(2)の方法ではフィラメント電流を変えてもフィ
ラメント熱はこの電流変化に追従せず時間遅れが生ずる
That is, in the above method (1), the response speed of the servo motor is slow, and in the method (2), even if the filament current is changed, the filament heat does not follow the current change, resulting in a time delay.

更に上記2つの方法はいずれもその制御に大電力を要す
ると言う欠点がある。
Furthermore, both of the above two methods have the disadvantage that a large amount of power is required for their control.

そこで本発明は上記した事情に鑑みなされたものであり
、従来単にスイッチング素子としてのみ用いられていた
四極真空管( Tetrode:以下テトロードと称す
)をX線曝射用のスイッチ及びX線管管電圧制御用素子
として用いる事により制御応答速度を速めると共に、低
電力制御を可能とし、有効なるABC動作をおこなう事
のできるX線装置を提供する事を目的とする。
Therefore, the present invention was made in view of the above circumstances, and uses a tetrode vacuum tube (hereinafter referred to as a tetrode), which has conventionally been used only as a switching element, as an X-ray exposure switch and X-ray tube voltage control. An object of the present invention is to provide an X-ray apparatus that can increase the control response speed by using the X-ray device as an optical element, enable low-power control, and perform effective ABC operation.

第1図は本発明装置の概要を示しており、ここで1は高
圧発生器であり、この高圧発生器1は図示しないたとえ
ば三相交流電源(3ψAC)がその一次捲線に与えられ
、交流電源電圧を昇圧する高圧発生トランス2、この高
圧発生トランス2の出力を整流する高圧整流回路3、詳
細を後述するテトロード制御ユニット4,5から構成さ
れている。
FIG. 1 shows an outline of the device of the present invention, where 1 is a high-voltage generator, and this high-voltage generator 1 is supplied with, for example, a three-phase AC power source (3ψAC), not shown, to its primary winding. It is comprised of a high voltage generation transformer 2 that boosts the voltage, a high voltage rectifier circuit 3 that rectifies the output of the high voltage generation transformer 2, and tetrode control units 4 and 5 whose details will be described later.

ここでテトロード制御ユニット4,5は全く同一構成の
ものであって夫々X線管球6のアノード側、カンード側
に直列に挿入されテトロード1,8の電気的耐圧を持た
せるようにしている。
Here, the tetrode control units 4 and 5 have exactly the same configuration, and are inserted in series on the anode side and the cand side of the X-ray tube 6, respectively, so that the tetrodes 1 and 8 have an electrical withstand voltage.

また9は図示しないX線曝射信号を受けてX線曝射時間
を制御するタイマ回路で、第6図にそのブロック図を示
す。
Reference numeral 9 denotes a timer circuit (not shown) which receives an X-ray exposure signal and controls the X-ray exposure time, a block diagram of which is shown in FIG.

10は前記X線管球6の管電圧を制御する為の前記テト
ロード7,8のバイアス( Eg2)自動制御回路で詳
細は第3図で説明する。
Reference numeral 10 denotes an automatic bias (Eg2) control circuit for the tetrodes 7 and 8 for controlling the tube voltage of the X-ray tube 6, the details of which will be explained in FIG.

次にX線管6より曝射されたX線は被写体11を透過し
てX線蛍光増倍管12に入射される。
Next, the X-rays emitted from the X-ray tube 6 pass through the subject 11 and enter the X-ray fluorescence multiplier 12 .

而してX線蛍光増倍管12の出力蛍光面に前記透過X線
の可視光像が結ばれ、この可視光像は光学分配器13に
よってテレビカメラ14、およびシネカメラ15に分配
される。
A visible light image of the transmitted X-rays is formed on the output fluorescent screen of the X-ray fluorescence multiplier 12, and this visible light image is distributed to a television camera 14 and a cine camera 15 by an optical distributor 13.

一方、前記光学分配器13には、例えば光電子増倍管な
どより構成される輝度検出器16が内蔵されており、こ
の輝度検出器16によりX線蛍光増倍管12の出力輝度
が電気信号に変換され、前記自動制御回路10に与えら
れるようになっている。
On the other hand, the optical distributor 13 has a built-in brightness detector 16 composed of, for example, a photomultiplier tube, and the brightness detector 16 converts the output brightness of the X-ray fluorescence multiplier tube 12 into an electrical signal. The signal is converted and provided to the automatic control circuit 10.

−4、テトロード制御ユニット4,5は第2図に示すよ
うに構成されており、前述した如く、このユニット4,
5は同一に構成されている事から同一部分には同一符号
を付してその詳細を説明する。
-4, the tetrode control units 4, 5 are constructed as shown in FIG.
5 have the same structure, the same parts are given the same reference numerals and the details will be explained.

入力端子A,Bには前記タイマ回路9の出力信号が導入
されており、高耐圧トランス17により適宜調整される
The output signal of the timer circuit 9 is introduced into the input terminals A and B, and is appropriately adjusted by the high voltage transformer 17.

この高耐圧トランス17はタイマ回路9からのX線曝射
信号に対する応答性をよくするため、フエライトコアで
構成されたトランスを用いるのが適当である。
In order to improve responsiveness to the X-ray exposure signal from the timer circuit 9, it is appropriate to use a transformer made of a ferrite core as the high voltage transformer 17.

而して、前記高耐圧トランス17の2次電圧が全波整流
回路18で整流され、抵抗19、コンデンサ20よりな
る平滑回路を介してスイッチング用トランジスタ21の
ペースにベース電流として与えられる。
The secondary voltage of the high-voltage transformer 17 is rectified by the full-wave rectifier circuit 18, and is applied as a base current to the switching transistor 21 via a smoothing circuit composed of a resistor 19 and a capacitor 20.

又、入力端子C,Dには常時一定電圧、例えば交流10
0Vが与えられており、この電圧が高耐圧トランス22
を介してトランス23の一次捲線に供給される。
Input terminals C and D are always supplied with a constant voltage, for example, AC 10
0V is applied, and this voltage is applied to the high voltage transformer 22.
It is supplied to the primary winding of the transformer 23 via.

このトランス23の2次捲線は第1グリッドバイアス供
給捲線24とフィラメント電圧供給線25ならびに第2
グリッドバイアス供給捲線26を有し、前記捲線24に
発生した2次電圧は全波整流回路27で整流されたのち
抵抗28、コンデンサ29により成る平滑回路で直流化
され、その正側がテトロード7,8のカソ一ドに負側か
抵抗30を介して前記テトロードの第1グリッドに接続
される。
The secondary winding of this transformer 23 includes a first grid bias supply winding 24, a filament voltage supply line 25, and a second grid bias supply winding 24.
It has a grid bias supply winding 26, and the secondary voltage generated in the winding 24 is rectified by a full-wave rectifier circuit 27, and then converted to DC by a smoothing circuit consisting of a resistor 28 and a capacitor 29, and the positive side thereof is connected to the tetrode 7, 8. The negative side of the cathode of the tetrode is connected to the first grid of the tetrode through a resistor 30.

なお、前記平滑回路の正側は前記トランジスタ21のコ
レクタにも接続され、このトランジスタ21の電源電圧
ともなっている。
Note that the positive side of the smoothing circuit is also connected to the collector of the transistor 21 and serves as the power supply voltage of this transistor 21.

すなわち、トランジスタ21は前記テトロードのカソー
ドと第1グリッドの間に接続されており、通常はオフ状
態にある。
That is, the transistor 21 is connected between the cathode of the tetrode and the first grid, and is normally in an off state.

入力端子A,Bに前記タイマ回路9からのX線曝射信号
が与えられた時、トランジスタ21はオンとなり、テト
ロードのカソードー第1グリッド間を短絡するためテト
ロードもオンする。
When the X-ray exposure signal from the timer circuit 9 is applied to the input terminals A and B, the transistor 21 is turned on, and the tetrode is also turned on to short-circuit between the cathode and the first grid of the tetrode.

又、前記捲線25は直接前記テトロード7,8のカソー
ドに接続されており、そのフィラメント加熱電源となっ
ている。
Further, the winding 25 is directly connected to the cathodes of the tetrodes 7 and 8, and serves as a filament heating power source.

更に前記捲線26に発生した電圧は全波整流回路27に
よって整流され、直列に挿入されたトランジスタ28を
介して抵抗29およびコンデンサ30から構成される平
滑回路と、前記テ}o−ド7,8の第2グリッドに接続
されている。
Further, the voltage generated in the winding 26 is rectified by a full-wave rectifier circuit 27, and is connected to a smoothing circuit composed of a resistor 29 and a capacitor 30 via a transistor 28 inserted in series, and to the terminals 7 and 8. is connected to the second grid of

又、トランジスタ28のベースにはシリコン光検出ダイ
オード(太陽電池)31が接続されており、後述するグ
ラスファイバ(ライトガイド)32からの光信号によっ
て自己起電力を発生し前記トランジスタ28のベースに
電流を流しトランジスタ28をオンするように動作する
Further, a silicon photodetecting diode (solar cell) 31 is connected to the base of the transistor 28, and generates a self-electromotive force in response to a light signal from a glass fiber (light guide) 32, which will be described later. The transistor 28 is operated by flowing the current and turning on the transistor 28.

次に33は例えば発光ダイオードからなる光変調素子で
、後述する自動制御回路10からのパルス信号によって
発光し、前記グラスファイバ32を通過して前記シリコ
ン光検出ダイオード31に入光する構造によっている。
Next, reference numeral 33 denotes a light modulation element composed of, for example, a light emitting diode, which emits light in response to a pulse signal from an automatic control circuit 10 to be described later, and has a structure in which the light passes through the glass fiber 32 and enters the silicon photodetection diode 31.

なお、前記発光ダイオード33グラスファイバ32、シ
リコン光検出ダイオード31は塩化ビニールなどからな
る絶縁パイプ34に封入されて、絶縁オイルの侵油を防
ぐ構造になっている。
The light emitting diode 33, glass fiber 32, and silicon photodetection diode 31 are enclosed in an insulating pipe 34 made of vinyl chloride or the like to prevent insulating oil from penetrating.

次に上記構成の動作について、第4図ないし第6図を参
照に力1えて説明する。
Next, the operation of the above structure will be explained with reference to FIGS. 4 to 6.

入力端子G,Hには常時交流電圧、たとえばAC I
OOVが印加されており、トランス35の1次捲線に供
給されている。
Input terminals G and H are always connected to AC voltage, for example AC I
OOV is applied and is supplied to the primary winding of the transformer 35.

このトランス35の2次出力は全波整流回路36によっ
て整流され、抵抗37を介して定電圧ダイオード38に
加えられる。
The secondary output of this transformer 35 is rectified by a full-wave rectifier circuit 36 and applied to a constant voltage diode 38 via a resistor 37.

この定電圧ダイオード38の波形は第4図示Bに示すも
ので、すなわち交流波形第4図示Aの零位相パルスであ
る。
The waveform of the constant voltage diode 38 is shown in the fourth figure B, that is, the zero phase pulse of the AC waveform shown in the fourth figure A.

この零位相パルス第4図示Bは抵抗39を介してトラン
ジスタ40、抵抗41から構成されるインバータ回路に
導ひかれ、ワンショットマルチ回路42のトリガ信号と
なる。
This zero-phase pulse No. 4 B shown in the figure is led through a resistor 39 to an inverter circuit composed of a transistor 40 and a resistor 41, and becomes a trigger signal for a one-shot multi-circuit 42.

ワンショットマルチ回路42は、コンデンサ43、抵抗
44の時定数で発振するが、パルス幅制御端子PMを有
し、このパルス幅制御端子PMに印力目する信号レベル
によってパルス幅が調整できるものである。
The one-shot multi-circuit 42 oscillates with the time constant of a capacitor 43 and a resistor 44, and has a pulse width control terminal PM, and the pulse width can be adjusted by the signal level applied to the pulse width control terminal PM. be.

このワンショットマルチ回路42の出力信号パルスは第
4図のCに示すもので、トランジスタ45のベースに力
■えられる。
The output signal pulse of this one-shot multi-circuit 42 is shown at C in FIG. 4, and is applied to the base of the transistor 45.

トランジスタ45のエミツタは出力端子I,Jを介して
前記発光ダイオード33に接続される。
The emitter of the transistor 45 is connected to the light emitting diode 33 via output terminals I and J.

すなわち発光ダイオード33はワンショットマルチ回路
42で位相制御されたパルス第4図示Cの時間だけ発光
する。
That is, the light emitting diode 33 emits light only for the time period of the fourth pulse shown in FIG. 4 whose phase is controlled by the one-shot multi-circuit 42.

一方、パルス幅制御端子PMには差動増幅器46の出力
電圧が印力目されるように接続されており、フィードバ
ック系を構成している。
On the other hand, the output voltage of the differential amplifier 46 is connected to the pulse width control terminal PM to form a feedback system.

すなわち、前記輝度検出器16によって変換された輝度
信号は入力端子Kを介して抵抗47、コンデンサ48か
ら成る平滑回路によって直流化され前記差動増幅器46
の入力信号となる。
That is, the luminance signal converted by the luminance detector 16 is converted into DC by a smoothing circuit consisting of a resistor 47 and a capacitor 48 via an input terminal K, and is then converted to DC by the differential amplifier 46.
becomes the input signal.

又、差動増幅器46のもう一方の入力信号は、輝度レベ
ルを設定する可変抵抗器49からのものである。
The other input signal to the differential amplifier 46 is from a variable resistor 49 that sets the brightness level.

可変抵抗器49で設定された輝度レベルに対して前記輝
度検出器16によって検出された実測輝度の差の電圧第
4図示Dが前記ワンショットマルチ回路42のパルス幅
制御端子PMにフイードツクされ、出力パルス第4図示
Cのパルス幅tを可変するよう動作する。
A voltage D, shown in FIG. 4, representing the difference between the measured brightness detected by the brightness detector 16 and the brightness level set by the variable resistor 49 is fed to the pulse width control terminal PM of the one-shot multi-circuit 42 and output. It operates to vary the pulse width t of the fourth pulse C shown in the figure.

パルス第4図示Cによって発光させた発光ダイオード3
3の光は第2図に示すグラスファイバ32でシリコン光
検出ダイオード31に導ひかれ、トランジスタ28がオ
ンし、平滑された電圧第4図示Eがテトロード7,8の
第2グリッドのバイアス電圧として与えられている。
Light emitting diode 3 emitted by pulse No. 4 C shown in FIG.
3 is guided to the silicon photodetector diode 31 through the glass fiber 32 shown in FIG. 2, the transistor 28 is turned on, and the smoothed voltage E shown in FIG. It is being

従って、この第2グリッドに与えられる電圧値に応じて
テトロード7,8のカソード、プレート間電圧が制御さ
れる事になる。
Therefore, the voltage between the cathodes and the plates of the tetrodes 7 and 8 is controlled according to the voltage value applied to the second grid.

ここで、第2図に示す回路を等価的に書替えると第5図
に示すようになる。
Here, if the circuit shown in FIG. 2 is rewritten equivalently, it will become as shown in FIG. 5.

即ち、第2図に示すトランジスタ21、整流回路18、
抵抗19、コンデンサ20よりなるスイッチング回路が
スイッチS1に、捲線26、整流回路27、トランジス
タ28、抵抗29、コンデンサ30からなる第2グリッ
ドバイアス回路がEg2に、更に捲線24、整流回路2
7、抵抗28、コンデンサ29よりなる第1グリッドバ
イアス回路がEg,に相当する事になり、タイマ回路6
からのX線曝射信号が与えられると前記スイッチS1が
閉成され、テトロード7,8が導通してその内部電圧降
下vTが前記第2グリッドバイアス電圧Eg2により決
定されることになる。
That is, the transistor 21 shown in FIG. 2, the rectifier circuit 18,
A switching circuit consisting of a resistor 19 and a capacitor 20 is connected to the switch S1, a second grid bias circuit consisting of a winding 26, a rectifier circuit 27, a transistor 28, a resistor 29, and a capacitor 30 is connected to Eg2, and a winding 24 and a rectifier circuit 2
7, the first grid bias circuit consisting of a resistor 28 and a capacitor 29 corresponds to Eg, and the timer circuit 6
When an X-ray exposure signal is given from the grid, the switch S1 is closed, the tetrodes 7 and 8 become conductive, and the internal voltage drop vT is determined by the second grid bias voltage Eg2.

即ち、テトロードにあっては周知の如く、その特性上プ
レート電流IP,第1グリッド電圧Egtt一定とすれ
ば内部電圧降下■Tは第2グリッド電圧Eg2に依存す
る事となり、従って前記第2グリッド電圧Eg2を変化
させることにより、テトロードの内部降下電圧vTを制
御することができる。
That is, as is well known in the case of a tetrode, if the plate current IP and the first grid voltage Egtt are constant due to its characteristics, the internal voltage drop (T) depends on the second grid voltage Eg2, and therefore the second grid voltage By changing Eg2, the internal voltage drop vT of the tetrode can be controlled.

従って、高圧整流回路の3の整流出力電圧を■HT,X
線管6に印カロする管電圧を■XとすればvX=■HT
−2vTとなる。
Therefore, the rectified output voltage of 3 of the high voltage rectifier circuit is
If the tube voltage applied to the wire tube 6 is ■X, then vX=■HT
-2vT.

即ち、テトロード7,8の内部電圧降下を制御すること
によって、X線管々電圧(Vx)を制御することになる
That is, by controlling the internal voltage drop of the tetrodes 7 and 8, the X-ray tube voltage (Vx) is controlled.

尚、前記タイマ回路9(第6図に詳細を示す)は、入力
端子GにX線曝射信号が与えられると、この曝射信号を
トリガ信号としてワンショットマルチバイブレークOM
が駆動される。
Incidentally, when an X-ray exposure signal is given to the input terminal G, the timer circuit 9 (details shown in FIG. 6) uses this exposure signal as a trigger signal to trigger a one-shot multi-by-break OM.
is driven.

ところでこのワンショットマルチバイブレークOMは、
今対象としている被写体の診断部位に応じた曝射時間が
設定される、曝射時限設定器XTSにより出力パルス幅
が制御されたパルス信号が発生し、このパルス信号がゲ
ート回路Gに与えられて、前記パルスが存在する間ゲー
ト回路Gが開く。
By the way, this one-shot multi-by-break OM is
A pulse signal whose output pulse width is controlled is generated by the exposure time setting device XTS, in which the exposure time is set according to the diagnostic part of the subject currently being imaged, and this pulse signal is given to the gate circuit G. , the gate circuit G is open while said pulse is present.

一方、前記ゲート回路Gには正弦波発振回路OSよりの
出力が与えられており、ゲートが開いている間前記発振
回路OSの出力正弦波信号が増幅器APに与えられ、適
宜増幅されて出力トランスPTを介して前記制御ユニッ
ト4,5の入力端子ABに与えられる。
On the other hand, the output from the sine wave oscillation circuit OS is given to the gate circuit G, and while the gate is open, the output sine wave signal of the oscillation circuit OS is given to the amplifier AP, where it is appropriately amplified and output transformer. The signal is applied to input terminals AB of the control units 4 and 5 via PT.

上記のように本発明によれば、X線管と直列に接続した
高圧テトロードの第2グリッド電圧を制御することによ
って、X線管々電圧制御することができるため従来の方
式よりレスポンスが速く、かつ低電力で制御ができる。
As described above, according to the present invention, by controlling the second grid voltage of the high voltage tetrode connected in series with the X-ray tube, the voltage of each X-ray tube can be controlled, so the response is faster than that of the conventional method. And it can be controlled with low power.

また、発光ダイオード、グラスファイバ、シリコン光検
出ダイオードの組合せによる光伝導機構と、位相制御パ
ルスによる発光ダイオード制御を組合せることによって
低圧部→高圧部への電圧制御が可能となるため、従来の
高絶縁トランスを使用した方式に比べ小形かつ高絶縁化
が実現できる。
In addition, by combining the photoconduction mechanism with a combination of light-emitting diodes, glass fibers, and silicon photodetecting diodes, and light-emitting diode control using phase control pulses, voltage control from the low-voltage section to the high-voltage section becomes possible. Compared to systems that use isolation transformers, this method is smaller and has higher insulation.

これは、X線透視あるいはX線シネ撮影における応答性
の良い自動輝度制御に応用できる。
This can be applied to responsive automatic brightness control in X-ray fluoroscopy or X-ray cine photography.

尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えば上記実施例においては発光素子として発光ダイオー
ド、光電素子としてシリコン光検出ダイオード(いわゆ
るフォトダイオード)を用いたが、発生光素子としてラ
ンプ、また光電素子としてフォトトランジスタに代えて
もよい等、要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施
し得ることは勿論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and for example, in the above embodiments, a light emitting diode was used as the light emitting element and a silicon photodetection diode (so-called photodiode) was used as the photoelectric element, but a lamp was used as the light generating element. It goes without saying that the present invention may be modified as appropriate without changing the gist, such as replacing the phototransistor with a phototransistor as the photoelectric element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図、第3
図は第1図における要部の詳細を示す構成図、第4図は
第1図ないし第3図における動作を説明するための信号
波形図、第5図はテトロード制御ユニット4,5の等価
回路図、第6図はタイマ回路9の詳細を示すブロック図
である。 4,5・・・・・・テトロード制御ユニット、γ,8・
・・・・・テトロード、9・・・・・・タイマ回路、1
0・・・・・・自動制御回路、31・・・・・・シリコ
ン光検出ダイオード、32・・・・・・グラスファイバ
、33・・・・・・発光ダイオード。
Fig. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2, Fig. 3
The figure is a configuration diagram showing details of the main parts in Figure 1, Figure 4 is a signal waveform diagram for explaining the operation in Figures 1 to 3, and Figure 5 is an equivalent circuit of the tetrode control units 4 and 5. 6 are block diagrams showing details of the timer circuit 9. FIG. 4, 5... Tetrode control unit, γ, 8...
...Tetrode, 9 ...Timer circuit, 1
0... Automatic control circuit, 31... Silicon light detection diode, 32... Glass fiber, 33... Light emitting diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 X線管に印加すべき高電圧を発生する高圧発生器の
出力端とX線管との間に直列に接続された四極真空管と
、X線曝射信号が与えられると前記四極真空管を導通さ
せるべくその第1グリッドのバイアス電圧を制御する第
1グリッドバイアス回路と、前記四極真空管の内部電圧
降下を制御すべくその第2グリッドのバイアス電圧を制
御する第2グリッドバイアス回路と、前記X線管から曝
射されるX線量に応じて発光する発光素子と、この発光
素子からの前記発光量を光電変換する光電素子とを具備
し、前記第2グリッドバイアス回路のバイアス電圧を前
記光電素子の出力によって制御するようにしたことを特
徴としたX線装置。
1. A tetrode vacuum tube connected in series between the output end of a high voltage generator that generates a high voltage to be applied to the X-ray tube and the X-ray tube, and when an X-ray exposure signal is given, the tetrode vacuum tube is electrically connected. a first grid bias circuit that controls the bias voltage of the first grid to control the internal voltage drop of the tetrode vacuum tube; a second grid bias circuit that controls the bias voltage of the second grid to control the internal voltage drop of the tetrode vacuum tube; It is equipped with a light emitting element that emits light according to the amount of X-rays emitted from the tube, and a photoelectric element that photoelectrically converts the amount of light emitted from the light emitting element, and the bias voltage of the second grid bias circuit is controlled by the bias voltage of the photoelectric element. An X-ray device characterized by being controlled by output.
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