JPS588611B2 - Hakeiseikei Cairo - Google Patents

Hakeiseikei Cairo

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JPS588611B2
JPS588611B2 JP50100815A JP10081575A JPS588611B2 JP S588611 B2 JPS588611 B2 JP S588611B2 JP 50100815 A JP50100815 A JP 50100815A JP 10081575 A JP10081575 A JP 10081575A JP S588611 B2 JPS588611 B2 JP S588611B2
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transistor
inverter
transistors
main electrode
collector
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藤本勲
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はキャリヤインジエクション機構部を備え、この
部分をインバータトランジスタのベース電源部として使
用する形式のバイポーラ型論理方式(以下、IILと称
す)を用いた波形整形回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a waveform shaping circuit using a bipolar logic system (hereinafter referred to as IIL) that includes a carrier injection mechanism section and uses this section as a base power supply section of an inverter transistor. It is related to.

IILの特徴は基板もしくはこの上に形成したエビタキ
シャル層をエミツタ領域とし、この中へベース領域なら
びにコレクタ領域を作り込み形成したいわゆる逆型のN
PN型トランジスタへのベース電流を、基板もしくはこ
の上に形成したエビタキシャル層をベース領域とし、N
PN型トランジスタのベース領域をコレクタ領域として
利用するPNP型トランジスタによって供給するところ
にあり、ベース電流の供給がPNP型トランジスタのベ
ース・エミツタ間にその立ち上り電圧相当の電圧を印加
することによって行なえ、従って極めて低い電圧での動
作が可能になること、NPN型トランジスタとPNP型
トランジスタに構造上共通にできる領域が存在するとと
もにPNP型トランジスタのエミツタ領域を共通な領域
とすることができることなどにより集積度を高めること
ができる効果が奏されるものである。
The feature of IIL is that the substrate or the epitaxial layer formed on this is used as an emitter region, and the base region and collector region are formed into this so-called inverted N.
The base current to the PN type transistor is controlled by using the substrate or the epitaxial layer formed on the base region as the base region.
The base current is supplied by a PNP transistor that uses the base region of the PN transistor as the collector region, and the base current can be supplied by applying a voltage equivalent to the rising voltage between the base and emitter of the PNP transistor. It is possible to operate at extremely low voltages, there is a common structural region between NPN transistors and PNP transistors, and the emitter region of PNP transistors can be a common region, which increases the degree of integration. The effect that can be improved is produced.

第1図は以上説明してきたIILを2段接続して構成し
た論理回路を等価的に示した図であってキャリヤインジ
エクション機構部を形成するPNP型トランジスタ17
のエミツタが同トランジスタ17のベースに対して正と
なる電圧を端子18へ印加して電流を供給すると、PN
P型トランジスタ17のコレクタすなわちインバータト
ランジスタであるNPN型トランジスタ19のベースに
電流が供給される。
FIG. 1 is a diagram equivalently showing a logic circuit configured by connecting two stages of IILs described above, and shows a PNP transistor 17 forming a carrier injection mechanism section.
When a voltage is applied to the terminal 18 so that the emitter of the transistor 17 is positive with respect to the base of the transistor 17 and a current is supplied, the PN
A current is supplied to the collector of the P-type transistor 17, that is, the base of the NPN-type transistor 19, which is an inverter transistor.

このとき、NPN型トランジスタ19のベースが接地ま
たはそれに近い電位に保たれているとするとNPN型ト
ランジスタ19はしゃ断状態であり、トランジスタ17
のコレクタ電流は端子20から流出する。
At this time, if the base of the NPN transistor 19 is kept at ground or a potential close to it, the NPN transistor 19 is in a cut-off state, and the transistor 17
The collector current flows out from the terminal 20.

一方、NPN型トランジスタ19のベースに同トランジ
スタ19のベース・エミツタ間立ち上り電圧以上の電圧
が印加されているときには、同トランジスタ19が飽和
状態となりそのコレクタ電位はほぼ接地に近いものとな
る。
On the other hand, when a voltage higher than the base-emitter rise voltage of the NPN transistor 19 is applied to the base of the transistor 19, the transistor 19 becomes saturated and its collector potential becomes almost grounded.

すなわち、NPN型トランジスタ19のコレクタ21に
はそのベースに印加された信号を反転した信号が得られ
る。
That is, a signal obtained by inverting the signal applied to the base of the NPN transistor 19 is obtained at the collector 21 of the NPN transistor 19.

そして、NPN型トランジスタ19のコレクタ21を別
に配置したNPN型トランジスタ22のベースに接続す
るならば、NPN型トランジスタ22はNPN型トラン
ジスタ19とは逆の関係で導通あるいはしゃ断するもの
となり、そのコレクタに得られる信号はNPN型トラン
ジスタ19のコレクタに得られる信号とは逆位相の関係
になる。
If the collector 21 of the NPN transistor 19 is connected to the base of a separately arranged NPN transistor 22, the NPN transistor 22 becomes conductive or disconnected in the opposite relationship to the NPN transistor 19, and its collector The obtained signal has an opposite phase relationship with the signal obtained at the collector of the NPN transistor 19.

また、信号がこの回路を通過するのに要する時間すなわ
ち伝達遅延時間tdは、第2図に示すようにPNP型ト
ランジスタ17のエミツタに供給する電力Pdと反比例
の関係にあり、両者の積であるPd,tdは一定である
Furthermore, the time required for a signal to pass through this circuit, that is, the transmission delay time td, is inversely proportional to the power Pd supplied to the emitter of the PNP transistor 17, as shown in FIG. 2, and is the product of both. Pd and td are constant.

ところで、従来においてはパルスを発生させるためには
一般にコンデンサを用いており、そのパルス幅はコンデ
ンサの充放電に要する時間で決定していたが、現在の集
積回路技術でコンデンサをチップ上に作り込むことは価
格上で問題があり外付けのコンデンサを使用する場合が
多かった。
By the way, in the past, capacitors were generally used to generate pulses, and the pulse width was determined by the time required to charge and discharge the capacitor, but with current integrated circuit technology, capacitors can be built on chips. This was a problem in terms of price, and external capacitors were often used.

本発明は先述したIILの信号伝達遅延時間を利用する
ことにより、コンデンサを用いずに安価に集積回路化し
て入力信号に対して所望のパルス幅を有するパルスを出
力することのできる、従来とは構造を異にする波形整形
回路を提供することを目的とする。
The present invention utilizes the above-mentioned IIL signal transmission delay time to be integrated into a circuit at low cost without using a capacitor, and to output a pulse having a desired pulse width in response to an input signal, which is different from conventional methods. The purpose is to provide waveform shaping circuits with different structures.

以下図面とともに本発明について説明する。The present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図A,B,Cは第1図に示したIILの等価回路に
おけも入力信号、インバータトランジスタ19のコレク
タ21に生じる信号、インバータトランジスタ22のコ
レクタ23に生じる信号のそれぞれの波形を示すもので
、トランジスタ19のベースに付設した端子20へ印加
したパルスが低レベルから高レベルへ変化した時(同図
Aのa1)トランジスタ19はこの時点から遅延時間t
df経過したところで飽和状態となり(同図Bのa2)
、トランジスタ22のベースに供給されていた電流がト
ランジスタ19のコレクタ21を経てトランジスタ19
の側へ流れる(同図Bのa2)。
3A, B, and C show the respective waveforms of the input signal, the signal generated at the collector 21 of the inverter transistor 19, and the signal generated at the collector 23 of the inverter transistor 22 in the equivalent circuit of IIL shown in FIG. 1. Therefore, when the pulse applied to the terminal 20 attached to the base of the transistor 19 changes from a low level to a high level (a1 in A in the same figure), the transistor 19 starts from this point with a delay time t.
It becomes saturated after df (a2 in figure B)
, the current supplied to the base of the transistor 22 passes through the collector 21 of the transistor 19 to the transistor 19.
(a2 in Figure B).

この結果、トランジスタ22はトランジスタ19が飽和
した時点から遅延時間tdr経過したところでしゃ断す
る。
As a result, the transistor 22 is cut off after the delay time tdr has elapsed from the time when the transistor 19 is saturated.

(同図Cのa3)。一方、入カパルスが高レベルから低
レベルへ変化した時は(同図Aのb1)、遅延時間td
rが経過したところでトランジスタ19がしゃ断する(
同図Bのb2)。
(a3 in Figure C). On the other hand, when the input pulse changes from high level to low level (b1 in Figure A), the delay time td
Transistor 19 is cut off after r has elapsed (
b2 in Figure B).

したがってトランジスタ22はトランジスタ19のしゃ
断時から遅延時間tdfが経過したところで飽和状態と
なる(同図Cのb3)。
Therefore, the transistor 22 becomes saturated after the delay time tdf has elapsed from the time when the transistor 19 is cut off (b3 in FIG. 3C).

すなわち、入力端子20に印加されたパルス信号がトラ
ンジスタ19と同22において遅延されトランジスタ2
2の出力端子であるコレクタ23に伝達されるまでに要
する遅延時間は(tdf+tdr)である。
That is, the pulse signal applied to the input terminal 20 is delayed in the transistors 19 and 22, and the pulse signal is delayed in the transistors 19 and 22.
The delay time required for the signal to be transmitted to the collector 23, which is the output terminal of 2, is (tdf+tdr).

以上はインバータトランジスタを2段接続した時の遅延
時間であるが、同トランジスタをk個(kは3以上の整
数)接続した時については、まず偶数個接続した場合、
遅延時間はk(tdf+tdr)/2で出力波形は入力
波形と同一波形となる。
The above is the delay time when two stages of inverter transistors are connected, but when k transistors are connected (k is an integer of 3 or more), first of all, when an even number of transistors are connected,
The delay time is k(tdf+tdr)/2, and the output waveform is the same as the input waveform.

次にkが奇数の場合、入カパルスが高レベルから低レベ
ルに変化する時の遅延時間はtdr+(k−1)(td
f+tdr)/2、入カパルスが低レベルから高レベル
に変化する時の遅延時間はtdf+(k−1)(tdf
+tdr)/2となり出力波形は入力波形に対し反転し
たものとなる。
Next, if k is an odd number, the delay time when the input pulse changes from high level to low level is tdr+(k-1)(td
f+tdr)/2, and the delay time when the input pulse changes from low level to high level is tdf+(k-1)(tdf
+tdr)/2, and the output waveform is the inverse of the input waveform.

以下に上述した遅延時間の関係より得られる本発明の波
形整形回路の一実施例について第4図A〜−Eを用いて
説明する。
An embodiment of the waveform shaping circuit of the present invention obtained from the delay time relationship described above will be described below with reference to FIGS. 4A to 4E.

第4図Aは本発明の一実施例における波形整形回路の構
成を示す図であって、トランジスタ17はキャリヤイン
ジエクション機構部を形成するPNP型トランジスタで
あり人力信号源24より同図Bに示す入カパルスをイン
バータトランジスタであるトランジスタ25及び同29
のベースにそれぞれ印加する。
FIG. 4A is a diagram showing the configuration of a waveform shaping circuit according to an embodiment of the present invention, in which the transistor 17 is a PNP type transistor forming a carrier injection mechanism section, and the signal source 24 in FIG. The input pulses shown are transmitted through transistors 25 and 29, which are inverter transistors.
are applied to the base of each.

本実施例ではインバータトランジスタはトランジスタ2
5、同26、同27、同28を4段縦続接続した回路と
、トランジスタ29のみ1段接続した回路とより構成さ
れている。
In this embodiment, the inverter transistor is transistor 2.
The circuit is composed of a circuit in which transistors 5, 26, 27, and 28 are connected in cascade in four stages, and a circuit in which only transistors 29 are connected in one stage.

トランジスタ17のエミツタ18は電力供給用の端子で
一定電力を供給しておき、同トランジスタ17のコレク
タはインバータトランジスタ25、同26、同27、同
28、同29及び縦続接続回路を構成しないインバータ
トランジスタ32のベースにそれぞれ接続され、さらに
2つの縦続接続回路の各最終段であるインバータトラン
ジスタ28、同29のコレクタは共にインバータトラン
ジスタ32のベースに接続されている。
The emitter 18 of the transistor 17 is a terminal for supplying power and supplies constant power, and the collector of the transistor 17 is connected to inverter transistors 25, 26, 27, 28, 29, and inverter transistors that do not constitute a cascade connection circuit. Furthermore, the collectors of inverter transistors 28 and 29, which are the final stages of the two cascaded circuits, are both connected to the base of inverter transistor 32.

さて、まずトランジスタ25に印加されたパルスはトラ
ンジスタ26、同27、同28と順次伝達され、トラン
ジスタ28の出力端であるコレクタ30には同図Cに示
すように2(tdf+tdr)だけ遅延した入カパルス
と同一波形の信号が現われる。
First, the pulse applied to the transistor 25 is sequentially transmitted to the transistors 26, 27, and 28, and the input to the collector 30, which is the output terminal of the transistor 28, is delayed by 2 (tdf+tdr) as shown in FIG. A signal with the same waveform as the coupler appears.

また、トランジスタ29の出力端であるコレクタ31に
は同図Dに示すように入カパルスに対して反転し、かつ
tdrもしくはtdfだけ遅延した信号が現われる。
Further, at the collector 31, which is the output end of the transistor 29, a signal appears that is inverted with respect to the input pulse and delayed by tdr or tdf, as shown in FIG.

ここで、トランジスタ32のベースに注目すると、トラ
ンジスタ28および同29がしゃ断状態でコレクタ30
および31が高レベルの時には、トランジスタ17のコ
レクタから供給される電流はトランジスタ32のベース
に流入し、同トランジスタ32を飽和されるので出力端
であるコレクタ33は低レベルになる。
Here, if we pay attention to the base of the transistor 32, when the transistors 28 and 29 are cut off, the collector 30
When 31 and 31 are at a high level, the current supplied from the collector of the transistor 17 flows into the base of the transistor 32 and saturates the transistor 32, so that the output terminal, the collector 33, becomes a low level.

他方、トランジスタ28および同29のうち少なくとも
一方が飽和状態で低レベルのときは、トランジスタ17
から供給される電流はトランジスタ28または同29の
飽和している方のトランジスタに流れ、もはやトランジ
スタ32のベースには流れないのでトランジスタ32は
しゃ断状態となり、コレクタ33は高レベルとなる。
On the other hand, when at least one of transistors 28 and 29 is saturated and at a low level, transistor 17
The current supplied from the transistor 28 or 29 flows to the saturated transistor and no longer flows to the base of the transistor 32, so that the transistor 32 is cut off and the collector 33 becomes a high level.

すなわち、トランジスタ32はトランジスタ28および
同29からの入力がいずれも高レベルであれば出力端で
あるコレクタ33は低レベルとなり、それ以外の時は出
力は高レベルとなる。
That is, when the inputs from the transistors 28 and 29 are both at high level, the output terminal of the collector 33 of the transistor 32 is at a low level, and at other times, the output is at a high level.

ゆえに、信号源24より同図Bで示す入カパルスが印加
されると、トランジスタ32のコレクタ33には同図6
に示すように入力パルス信号の立ち上りよりtdrだけ
遅延し、パルス幅が(tdr+2tdf)である出力パ
ルス信号が得られる。
Therefore, when the input pulse shown in FIG. 6B is applied from the signal source 24, the collector 33 of the transistor 32 receives
As shown in the figure, an output pulse signal is obtained which is delayed by tdr from the rising edge of the input pulse signal and has a pulse width of (tdr+2tdf).

ところで、この出力パルス信号のパルス幅は入カパルス
信号には関係なく使用したトランジスタの遅延特性と使
用個数、すなわち回路素子により決定されるものである
By the way, the pulse width of this output pulse signal is determined by the delay characteristics and the number of transistors used, that is, by the circuit elements, regardless of the input pulse signal.

本実施例においては偶数段が奇数段より使用個数が多い
ときであるが、逆に奇数段が偶数段より多いときには入
カパルス信号の立ち上り部分で出力パルスが得られる。
In this embodiment, the number of even-numbered stages is greater than the odd-numbered stages, but conversely, when the number of odd-numbered stages is greater than the even-numbered stages, an output pulse is obtained at the rising edge of the input pulse signal.

したかって一般にインバータトランジスタを偶数m段と
奇数n段とで構成する波形整形回路より得られる出力パ
ルス幅は、 (■)m>nのとき となる。
Therefore, in general, the output pulse width obtained from a waveform shaping circuit composed of m even-numbered stages and odd-numbered n stages of inverter transistors is (■) when m>n.

さてここで、既に述べたように遅延時間tdfおよびt
drは、キャリヤインジエクション機構部を形成するP
NP型トランジスタ17のエミツタ18に供給する電力
に逆比例するので、従来では回路定数により決められた
パルス幅を連続して制御できなかったものが、一旦回路
を製造すれば出力パルスのパルス幅は単に供給電力を制
御させることにより任意に連続的に、かつ電子的に制御
できる効果を奏するものである。
Now, as already mentioned, the delay times tdf and t
dr is P forming the carrier injection mechanism section.
Since it is inversely proportional to the power supplied to the emitter 18 of the NP transistor 17, in the past it was not possible to continuously control the pulse width determined by the circuit constants, but once the circuit is manufactured, the pulse width of the output pulse can be controlled. By simply controlling the power supply, it is possible to control the power continuously and electronically as desired.

以上説明してきたように、キャリヤインジエクション機
構部を成形するトランジスタの一方の主電極より制御電
流が各々に供給されるインバータトランジスタの奇数個
を縦続接続してなる回路と、前記インバータトランジス
タの偶数個を縦続接続してなる回路との各最終段の前記
インバータトランジスタの一方の主電極を共に他のイン
バータトランジスタの制御電極に接続し、前記2つの縦
続接続回路の各入力を同一のものとし、さらに前記キャ
リヤインジエクション機構部を形成するトランジスタの
他方の主電極へ電力を供給することにより前記他のイン
バータトランジスタの一方の主電極より出力パルスを取
り出すことを特徴とする本発明の波形整形回路はコンデ
ンサを要せず従来のものとは全く異なる構造を有し、し
かも従来からの製造技術をそのまま使用することにより
安価に集積回路化でき、さらには供給電力を制御するだ
けで簡単に連続的に所望のパルス幅を有するパルス波形
の得られるもので、非常に実用的価値の高いものである
As explained above, there is a circuit formed by connecting an odd number of inverter transistors in cascade, each of which is supplied with a control current from one main electrode of the transistor forming the carrier injection mechanism, and an even number of inverter transistors. one main electrode of the inverter transistor in each final stage of the circuit formed by cascade-connecting the inverter transistors is connected to the control electrode of the other inverter transistor, and each input of the two cascade-connected circuits is the same, Furthermore, the waveform shaping circuit of the present invention is characterized in that an output pulse is extracted from one main electrode of the other inverter transistor by supplying power to the other main electrode of the transistor forming the carrier injection mechanism section. It does not require a capacitor and has a completely different structure from conventional ones. Moreover, it can be integrated at low cost by using conventional manufacturing technology as is, and furthermore, it can be easily integrated into a continuous circuit by simply controlling the power supply. It is possible to obtain a pulse waveform having a desired pulse width, and is of very high practical value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はIILの原理説明のための等価回路図、第2図
はIILの供給電力と伝達遅延時間との関係を示す図、
第3図A〜Cは本発明の波形整形回路の原理説明図、第
4図A〜Eは本発明の波形整形回路の一実施例を示す回
路図および動作説明図である。 17・・・・・・キャリヤインジエクション機構部を形
成するPNP型トランジスタ、18・・・・・・電力供
給端子、24・・・・・・入力信号源、25〜29,3
2・・・・・・インバータトランジスタ、33・・・・
・・出力端子。
Fig. 1 is an equivalent circuit diagram for explaining the principle of IIL, Fig. 2 is a diagram showing the relationship between IIL supply power and transmission delay time,
3A to 3C are diagrams explaining the principle of the waveform shaping circuit of the present invention, and FIGS. 4A to 4E are circuit diagrams and operation diagrams showing one embodiment of the waveform shaping circuit of the present invention. 17... PNP transistor forming carrier injection mechanism section, 18... Power supply terminal, 24... Input signal source, 25 to 29, 3
2... Inverter transistor, 33...
...Output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 キャリヤインジエクション機構部を形成するトラン
ジスタの一方の主電極より制御電流が各々に供給される
インバータトランジスタの奇数個を縦続接続してなる回
路と、前記インバータトランジスタの偶数個を縦続接続
してなる回路と、前記インバータトランジスタの前記2
つの縦続接続回路形成用のものとは異る他のインバータ
トランジスタとを有し、前記2つの縦続接続回路の各最
終段の前記インバータトランジスタの一方の主電極を共
に前記他のインバータトランジスタの制御電極に接続し
、前記2つの縦続接続回路の各入力を同一のものとし、
さらに前記キャリヤインジエクション機構部を形成する
トランジスタの他方の主電極へ電力を供給することによ
り前記他のインバータトランジスタの一方の主電極より
入力信号より短いパルス幅を有し、入カパルスに対して
遅延した出力パルスを取り出すことを特徴とする波形整
形回路。 2 主電極へ供給する電力を可変にしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の波形整形回路。
[Scope of Claims] 1. A circuit formed by cascading an odd number of inverter transistors, each of which is supplied with a control current from one main electrode of a transistor forming a carrier injection mechanism, and an even number of the inverter transistors. a circuit formed by connecting two inverter transistors in cascade;
and another inverter transistor different from that for forming two cascaded circuits, and one main electrode of the inverter transistor in each final stage of the two cascaded circuits is connected to the control electrode of the other inverter transistor. and each input of the two cascade connection circuits is the same,
Furthermore, by supplying power to the other main electrode of the transistor forming the carrier injection mechanism section, the other main electrode of the other inverter transistor has a pulse width shorter than the input signal. A waveform shaping circuit characterized by extracting delayed output pulses. 2. The waveform shaping circuit according to claim 1, characterized in that the power supplied to the main electrode is made variable.
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