JPS5878428A - 反応性イオンエツチングソ装置 - Google Patents
反応性イオンエツチングソ装置Info
- Publication number
- JPS5878428A JPS5878428A JP17689781A JP17689781A JPS5878428A JP S5878428 A JPS5878428 A JP S5878428A JP 17689781 A JP17689781 A JP 17689781A JP 17689781 A JP17689781 A JP 17689781A JP S5878428 A JPS5878428 A JP S5878428A
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- Japan
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- vacuum chamber
- dust
- light
- reactive ion
- light source
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１反応性イオンエツデンダ装置に関する。
近年、半導体集積回路を製造する際の微細加工技術の一
つとして、１反応性イオンエツテンダ法が採用されてい
る。反応性イオンエラをンダ装置は、真空容器内に相対
向して設けられｋｌ対の電極与この電橋に高量波電圧を
印加する高閾波電−と、ガス導入口から真空容器内に導
入された反応ガスを排出する排気機構等で構成されてい
る。而して、電極上に設置された被エツチング体である
例えば半導体基板上の二酸化ケイ素膜や多結晶Ｖ９フン
膜、アルミニウム膜等の表面に所定Δターンのレジスト
膜を被着して被エツチング領域を露出せしめ、真空容器
内を１０ ！ｏｒｔｓ度の減圧状態に設定してガス導入
口から反応性ガスを導入し、この反応性ガスから電極間
に印加した高鴫波電源によってプラズマを発生させ、プ
ラズマ中の反応性イオンやラジカルによって被エツチン
グ領域のエツチングを行なっている。
つとして、１反応性イオンエツテンダ法が採用されてい
る。反応性イオンエラをンダ装置は、真空容器内に相対
向して設けられｋｌ対の電極与この電橋に高量波電圧を
印加する高閾波電−と、ガス導入口から真空容器内に導
入された反応ガスを排出する排気機構等で構成されてい
る。而して、電極上に設置された被エツチング体である
例えば半導体基板上の二酸化ケイ素膜や多結晶Ｖ９フン
膜、アルミニウム膜等の表面に所定Δターンのレジスト
膜を被着して被エツチング領域を露出せしめ、真空容器
内を１０ ！ｏｒｔｓ度の減圧状態に設定してガス導入
口から反応性ガスを導入し、この反応性ガスから電極間
に印加した高鴫波電源によってプラズマを発生させ、プ
ラズマ中の反応性イオンやラジカルによって被エツチン
グ領域のエツチングを行なっている。
しかしながら、真空容器内に被エツチング体を設置する
＠１二大気中から侵入した粉じんや。
＠１二大気中から侵入した粉じんや。
鳳応性ｔスによる真空容器内壁及び電極の腐食。
虞はエツチング反応生成物の真空容器内−及び電極への
付着、脱−等ζ：より発生した粉じんが真！ｌｄｓ内４
：：＃まり、このような粉じんが被工ツチンダ領域に付
着して高い形状種度でエツチング処理を施すことができ
ない、その結果１歩留を著しく低下する問題があった。
付着、脱−等ζ：より発生した粉じんが真！ｌｄｓ内４
：：＃まり、このような粉じんが被工ツチンダ領域に付
着して高い形状種度でエツチング処理を施すことができ
ない、その結果１歩留を著しく低下する問題があった。
このような問題を解消するために、真空容器内の粉じん
の個数を測定する手段として、真空容器内に／母ターン
の形成されていないＶツコンクエへを設置し１反応性ブ
スを導入したり或は！ラズマを発生させた後にこのシリ
コンウニ＾を真空容器から大気中に取り出して、そのａ
ｌｌの粉じんの個数を目視或は光学顕微鏡等で数える方
法が採用されている。しかしながら、このよう電；目視
或は光学顕微鏡等の手段で真空容器内の汚染状態を検査
するものでは、検査作業：：熟練を要し、しかも検査時
間が長い欠点がある。
の個数を測定する手段として、真空容器内に／母ターン
の形成されていないＶツコンクエへを設置し１反応性ブ
スを導入したり或は！ラズマを発生させた後にこのシリ
コンウニ＾を真空容器から大気中に取り出して、そのａ
ｌｌの粉じんの個数を目視或は光学顕微鏡等で数える方
法が採用されている。しかしながら、このよう電；目視
或は光学顕微鏡等の手段で真空容器内の汚染状態を検査
するものでは、検査作業：：熟練を要し、しかも検査時
間が長い欠点がある。
また、検査作業中に大気中の粉じんがシリコンウニ八に
付着するため、真空容器内の汚染状層を正確に検査でき
ない欠点があった。
付着するため、真空容器内の汚染状層を正確に検査でき
ない欠点があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので。
真空容器内の汚染状態を極めて正確に−ぺて。
真空容器内を常に清浄な状態書；保ち、高い精度でエツ
チング処理を施すことができる反応性イオンエツチング
装置を提供するものである。
チング処理を施すことができる反応性イオンエツチング
装置を提供するものである。
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は１本発明の一実施例の要部を示す断面図である
。図中１は、ス、テンレススチール等からなる真空容器
である。真空容器１内（二は、絶縁部材１を介して１対
の平行平板電極３，４が相対向して設けられている。一
方の電極１は、絶縁部材１を介して真空容器１内に回転
自在に挿入された真空チャック１の先端部に固着されて
いる。また、電極１には整合器Ｉを介して高周波電源１
が接続されている。他方の電極４はアースされている。
。図中１は、ス、テンレススチール等からなる真空容器
である。真空容器１内（二は、絶縁部材１を介して１対
の平行平板電極３，４が相対向して設けられている。一
方の電極１は、絶縁部材１を介して真空容器１内に回転
自在に挿入された真空チャック１の先端部に固着されて
いる。また、電極１には整合器Ｉを介して高周波電源１
が接続されている。他方の電極４はアースされている。
真空客器１には、その内部に反応性ガスを導入するガス
導入管１と真空容器１内の反応性ガスを排出する排気口
ｔが形成されている。ｔた、真空１！ｉｌｌ内の電極１
，４閣の領域を挾むようにして真空容器１に相対向して
取付けられたガラスｆｌｌｌＯａ、ｒｏｂは％ダストカ
フｙりを構成する光源体１１と受光体１２が設けられて
いる。光源体１１は１例えばへ口ｒンランデで形成され
ている。受光体１１には。
導入管１と真空容器１内の反応性ガスを排出する排気口
ｔが形成されている。ｔた、真空１！ｉｌｌ内の電極１
，４閣の領域を挾むようにして真空容器１に相対向して
取付けられたガラスｆｌｌｌＯａ、ｒｏｂは％ダストカ
フｙりを構成する光源体１１と受光体１２が設けられて
いる。光源体１１は１例えばへ口ｒンランデで形成され
ている。受光体１１には。
受光した光信号を処理する計測器ＩＪが接続されている
。
。
ここで、光源体Ｉｆ、受光体１２及び計測器ＩＪで構成
されたメストカウン！は１例えば第２−に示す光学系の
機構署＝より組立てられて％、ｘる。図中ＩＩｍは、光
源体１月二設けられた光源である。光源体１１内には、
光ｓ１１ ｍに対向してかつ光軸１５に垂直にレン、ｆ
１＃が設置されている。光源体１１に対向しで設けられ
た受光体１２内には、レン／１６の焦点面以痺の位置に
光軸１ｓ１＝垂直になるように集光レンズ１１が設置さ
れでいる。集光レン、ｆ１１の後方には、集光レンＪｅ
１Ｆで集光された散乱光を集光するフォトマルチプライ
ヤ−１１が役けられている。また、受光体１ｊ内の集光
レンズ１１の前方ζ；は、光源体１１と受光体１２間Ｈ
番番か中ネ４→Ｎ１−１←略レンＩ１ｇの焦点面と集光
レンｙｅＪＦの間を通過する光束１０を完全−一！ｌｌ
ｌ１ｒする纏光板１１が設゛けられている。
されたメストカウン！は１例えば第２−に示す光学系の
機構署＝より組立てられて％、ｘる。図中ＩＩｍは、光
源体１月二設けられた光源である。光源体１１内には、
光ｓ１１ ｍに対向してかつ光軸１５に垂直にレン、ｆ
１＃が設置されている。光源体１１に対向しで設けられ
た受光体１２内には、レン／１６の焦点面以痺の位置に
光軸１ｓ１＝垂直になるように集光レンズ１１が設置さ
れでいる。集光レン、ｆ１１の後方には、集光レンＪｅ
１Ｆで集光された散乱光を集光するフォトマルチプライ
ヤ−１１が役けられている。また、受光体１ｊ内の集光
レンズ１１の前方ζ；は、光源体１１と受光体１２間Ｈ
番番か中ネ４→Ｎ１−１←略レンＩ１ｇの焦点面と集光
レンｙｅＪＦの間を通過する光束１０を完全−一！ｌｌ
ｌ１ｒする纏光板１１が設゛けられている。
而して、このように構成された反応性イオンエッチｙｌ
ｌｌｆｌｌｌｘｔ二よれば、真空容Ｉ１１の電極１．４
藺の領域中に存在する粉じん１＃の数を、エツチング処
理の前後で容易署；計測できるので、真空容１１１内を
常４：清浄に保って電極１上の被エツテンダ体である試
料２１（：高い楕一度でエツチング処理を施すことがで
き□る。即ち。
ｌｌｆｌｌｌｘｔ二よれば、真空容Ｉ１１の電極１．４
藺の領域中に存在する粉じん１＃の数を、エツチング処
理の前後で容易署；計測できるので、真空容１１１内を
常４：清浄に保って電極１上の被エツテンダ体である試
料２１（：高い楕一度でエツチング処理を施すことがで
き□る。即ち。
電極１，４間の鎖端に粉じん２１が存在すると、この粉
−じんＺＳが第２図に示す如く、受光体１１と光源体１
２間の領域を通過する際口、光ｉ１１１ ｍから発せら
れてレンズ１−で集光された光が、粉じんｚｊによって
散乱する。散乱した光２４は、集光レンズ１１によって
再び集光されてフォトマルチプライヤ１８に受光され。
−じんＺＳが第２図に示す如く、受光体１１と光源体１
２間の領域を通過する際口、光ｉ１１１ ｍから発せら
れてレンズ１−で集光された光が、粉じんｚｊによって
散乱する。散乱した光２４は、集光レンズ１１によって
再び集光されてフォトマルチプライヤ１８に受光され。
計測−１１によって電気信号として計測される。
つま′す、フォトマルチプライヤＩＩに受光された光は
、電気的パルスに変換される。この電気的パルスの強度
から粉じん２ｊの大きさを測定し、電気的Ａ′ルスの数
から粉じん１ｊの個数を測定することができる。
、電気的パルスに変換される。この電気的パルスの強度
から粉じん２ｊの大きさを測定し、電気的Ａ′ルスの数
から粉じん１ｊの個数を測定することができる。
なお、第２図中人は、粉じん１＃にょって数社した光が
集光レン！１Ｆによって集光されてフオトマルチプライ
ヤ１＃に導かれる光路を示すものである。従って、粉じ
ん１＃が存在しない場合は、レンズ１＃の焦点位ｆ１で
焦点を結んだ光は集光レン）ｅｌＦに集められようとす
るが、！１光板２１が存在するため、にこれに麿へいさ
れ、フォトマルチグライヤ１１には光信号は供給されな
い、つまり、しｙＲｌｇの焦点位置Ｂの近傍に粉・じん
１＃が存在すると散乱光が発生して粉じん１＃の大きさ
及び個数が計測される。
集光レン！１Ｆによって集光されてフオトマルチプライ
ヤ１＃に導かれる光路を示すものである。従って、粉じ
ん１＃が存在しない場合は、レンズ１＃の焦点位ｆ１で
焦点を結んだ光は集光レン）ｅｌＦに集められようとす
るが、！１光板２１が存在するため、にこれに麿へいさ
れ、フォトマルチグライヤ１１には光信号は供給されな
い、つまり、しｙＲｌｇの焦点位置Ｂの近傍に粉・じん
１＃が存在すると散乱光が発生して粉じん１＃の大きさ
及び個数が計測される。
因に、実施例の反応性イ゛オンエツテンダ装置しノによ
るエツチング処理状態から歩留な闘ぺるために、電極Ｊ
上に／ｆターンの形成されていないシリコンクエ＾を設
置して真空チャック１によって回転させながら、真空容
器１内にガス導入ローから反応性Ｉスな導入し一定時間
放置した。このときに計測器ＩＪによって計測された２
声無以上の粉じん１＃の敏と、一定時間放置後にシツコ
ンクエへを真空容１１Ｊ中から取り出して従来の順徽鏡
観察によって数えられた粉じん１＃の個数と′の関係を
副べたところ、＠３図に示す結果を得た。同図から明ら
かなように、実、施例の反応性イオンエツチング装置１
２では、崗じ粒径の粉じん１＃を従来の方法によるもの
よりも、４かに多く計測しており、粉じん１＃の計測種
度が高いことが判る。つまり、実施例の反応性イオンエ
ッデンダ装置しノでは１ダスト★りｙりにより電気的な
手段によって真空容器１内の粉じん１＃の計測を容具に
しかも正確に行なうことができるので、真空容器１内の
清浄管■を十分に行なって高い精度でエツチング処理を
施すことができる。その結果、メストオクｙりによる粉
じん１＃の計測に基づいて真空容１１内の清浄化を十分
に行なうことによって。
るエツチング処理状態から歩留な闘ぺるために、電極Ｊ
上に／ｆターンの形成されていないシリコンクエ＾を設
置して真空チャック１によって回転させながら、真空容
器１内にガス導入ローから反応性Ｉスな導入し一定時間
放置した。このときに計測器ＩＪによって計測された２
声無以上の粉じん１＃の敏と、一定時間放置後にシツコ
ンクエへを真空容１１Ｊ中から取り出して従来の順徽鏡
観察によって数えられた粉じん１＃の個数と′の関係を
副べたところ、＠３図に示す結果を得た。同図から明ら
かなように、実、施例の反応性イオンエツチング装置１
２では、崗じ粒径の粉じん１＃を従来の方法によるもの
よりも、４かに多く計測しており、粉じん１＃の計測種
度が高いことが判る。つまり、実施例の反応性イオンエ
ッデンダ装置しノでは１ダスト★りｙりにより電気的な
手段によって真空容器１内の粉じん１＃の計測を容具に
しかも正確に行なうことができるので、真空容器１内の
清浄管■を十分に行なって高い精度でエツチング処理を
施すことができる。その結果、メストオクｙりによる粉
じん１＃の計測に基づいて真空容１１内の清浄化を十分
に行なうことによって。
歩冑な約６％向上できることがＭ認された。
また、〆ストカクンタの光９１１ ｍには、＾口ｒンラ
ンプを用いる場合について説明したが、この他にも例え
ばＨ・−Ｎ・レーデ−を用いても嵐い、また、真空容器
１内にプラズマを発生させる場合には、受光体１２にカ
ットフィルタを取付けてｌラズマ光口よるノイズを防止
するのが望ましい。
ンプを用いる場合について説明したが、この他にも例え
ばＨ・−Ｎ・レーデ−を用いても嵐い、また、真空容器
１内にプラズマを発生させる場合には、受光体１２にカ
ットフィルタを取付けてｌラズマ光口よるノイズを防止
するのが望ましい。
また、／ストカクンタの光軸ＩＪ上の焦点を中心にして
受光体１１の位置を適当な角ば１例えは６０〜９Ｇ”傾
け、かつ、籠光板２１を除くことにより、真空容器１内
の粉じん１りの検出感度を高めるようにしても嵐い。
受光体１１の位置を適当な角ば１例えは６０〜９Ｇ”傾
け、かつ、籠光板２１を除くことにより、真空容器１内
の粉じん１りの検出感度を高めるようにしても嵐い。
以上説明した如く１本発明に係る反応性イオンエツテン
ダ装置署＝よれば、真空容器内の汚東状態を極めて正確
に調べて、真空容器内を常１：清浄な状態に保ち、高い
精度でエツチング処理を施すことができる。その結果、
歩留を向上させることができる等顕著な効果を有するも
のである。
ダ装置署＝よれば、真空容器内の汚東状態を極めて正確
に調べて、真空容器内を常１：清浄な状態に保ち、高い
精度でエツチング処理を施すことができる。その結果、
歩留を向上させることができる等顕著な効果を有するも
のである。
＠１図は、本発明の一実施例の要部を示す断面図、第意
図は同実施例のダストカクンタの構成を示す説明図、第
３図は、実施例の反応性イオンエツチング装置で計測し
た粉じんと従来方法にて測定した粉じんとの関係を示す
説明図である。 １・・・真空容器％２・・・絶縁部材、１，４・・・電
極。 ５・・・真空チャック、６・・・整合器、１・・・高周
波電源、トコ・ガス導入管、＃・・・排気口、１０ａ。 Ｊａｂ・・・ガラス１１．１１・・・光源体、１１ｍ・
・・光源、１Ｍ・・・受光体、１１・・・計測器、１１
・・・光軸、ＩＣ・・・レンＪｅ％１１・・・集光レン
ズ、Ｉｇ−・・フオトマルチプライヤ、１９・・・粉じ
ん、２０・・・光束。 ２１・・・籠光板、Ｌノ・・・反応性イオンエツチング
装置、２１・・・試料％１４・・・光。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 農
田シＹ ？じζ 第２１ ２ 第３ＷＩ 友ル用７゛財；＠＋ｊこれへ米介む′にの４ｎ数・□・
□：：ｉｊ
図は同実施例のダストカクンタの構成を示す説明図、第
３図は、実施例の反応性イオンエツチング装置で計測し
た粉じんと従来方法にて測定した粉じんとの関係を示す
説明図である。 １・・・真空容器％２・・・絶縁部材、１，４・・・電
極。 ５・・・真空チャック、６・・・整合器、１・・・高周
波電源、トコ・ガス導入管、＃・・・排気口、１０ａ。 Ｊａｂ・・・ガラス１１．１１・・・光源体、１１ｍ・
・・光源、１Ｍ・・・受光体、１１・・・計測器、１１
・・・光軸、ＩＣ・・・レンＪｅ％１１・・・集光レン
ズ、Ｉｇ−・・フオトマルチプライヤ、１９・・・粉じ
ん、２０・・・光束。 ２１・・・籠光板、Ｌノ・・・反応性イオンエツチング
装置、２１・・・試料％１４・・・光。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 農
田シＹ ？じζ 第２１ ２ 第３ＷＩ 友ル用７゛財；＠＋ｊこれへ米介む′にの４ｎ数・□・
□：：ｉｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器内に相対向して設けられた電極対と。 該電極の一方を固着するように前記真空容器内に回転自
在に貫挿された真空チャックと、前記電極対間の領域を
挾むように前記真空容器内に相対向して設けられた光源
体と受光体と該受光体に接続された計測器とからなる／
Ｘ）カクンタと、前記真空審器に形成されたガス導入口
とを具備することを特徴とする反応性イオンエツチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17689781A JPS5878428A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 反応性イオンエツチングソ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17689781A JPS5878428A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 反応性イオンエツチングソ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878428A true JPS5878428A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16021657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17689781A Pending JPS5878428A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 反応性イオンエツチングソ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237924U (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-06 | ||
| US7282111B2 (en) * | 2004-01-02 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for monitoring particles contamination in semiconductor manufacturing facilities |
| WO2007148897A1 (en) | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Sosul Co., Ltd. | Plasma etching chamber |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP17689781A patent/JPS5878428A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237924U (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-06 | ||
| US7282111B2 (en) * | 2004-01-02 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for monitoring particles contamination in semiconductor manufacturing facilities |
| WO2007148897A1 (en) | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Sosul Co., Ltd. | Plasma etching chamber |
| EP2030226A4 (en) * | 2006-06-20 | 2010-06-02 | Sosul Co Ltd | plasma etching |
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