JPS587603Y2 - surge absorber - Google Patents

surge absorber

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JPS587603Y2
JPS587603Y2 JP1978128162U JP12816278U JPS587603Y2 JP S587603 Y2 JPS587603 Y2 JP S587603Y2 JP 1978128162 U JP1978128162 U JP 1978128162U JP 12816278 U JP12816278 U JP 12816278U JP S587603 Y2 JPS587603 Y2 JP S587603Y2
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JP
Japan
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ring
varistor
shaped
surge
terminal
Prior art date
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Expired
Application number
JP1978128162U
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Japanese (ja)
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JPS5545251U (en
Inventor
幹夫 住吉
Original Assignee
松下電器産業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案はサージ吸収器に関するものである。[Detailed explanation of the idea] This invention relates to a surge absorber.

セラミックバリスタ、例えば酸化亜鉛を主体としたバリ
スタは、その電圧−電流特性が従来になく優れているた
め、電源線や信号線に機器と並列に接続され、雷サージ
電圧から機器を保護するために極めて多く用いられてい
る。
Ceramic varistors, such as varistors made mainly of zinc oxide, have better voltage-current characteristics than ever before, so they are connected in parallel with equipment to power lines and signal lines to protect equipment from lightning surge voltages. It is used extremely often.

第1図はこの酸化亜鉛型バリスタの電圧−電流特性を示
したものである。
FIG. 1 shows the voltage-current characteristics of this zinc oxide type varistor.

図において、Aは電圧−電流特性曲線、aおよびbはツ
ェナーダイオードのツェナー電圧に相当する電圧で急に
電接が流れ始める電圧であり、一般にバリスタ電圧と呼
ばれている。
In the figure, A is a voltage-current characteristic curve, and a and b are voltages corresponding to the Zener voltage of a Zener diode, which are voltages at which electrical contact suddenly begins to flow, and are generally called varistor voltages.

通常、バリスタ電圧は回路電圧の波高波よりも高い値に
設定され、回路電圧に対して酸化亜鉛型バリスタは絶縁
物として動作する。
Usually, the varistor voltage is set to a value higher than the peaks and waves of the circuit voltage, and the zinc oxide type varistor operates as an insulator with respect to the circuit voltage.

しかしながら、通常電圧をはるかに超えるサージ電圧が
侵入してきた場合、酸化亜鉛型バリスタは、直ちに低抵
抗値を示し、サージ電圧に起因するサージ電流を側路し
、酸化亜鉛型バリスタ両端の電圧の上昇を抑制するもの
である。
However, when a surge voltage that far exceeds the normal voltage enters, the zinc oxide varistor immediately exhibits a low resistance value, bypassing the surge current caused by the surge voltage, and increasing the voltage across the zinc oxide varistor. This is to suppress the

このような目的で従来より第2図に示された構造をもつ
サージ吸収器が広く用いられている。
For this purpose, a surge absorber having the structure shown in FIG. 2 has been widely used.

第2図において、1は円板形状を威した酸化亜鉛型バリ
スタ素子、2および3はそれぞれ酸化亜鉛型バリスタ素
子1の両面に焼き付けられた銀の電極、4および5はそ
れぞれ電極2,3にはんだ付けされたリード端子である
In Fig. 2, 1 is a zinc oxide type varistor element with a disk shape, 2 and 3 are silver electrodes baked on both sides of the zinc oxide type varistor element 1, and 4 and 5 are electrodes 2 and 3, respectively. This is a soldered lead terminal.

今、このサージ吸収器に波頭しゅん度の高い大きなサー
ジ電流あるいは大サージ電流が流れ込んだ場合、酸化亜
鉛型バリスタ素子1内に流れる電流は、表皮効果により
第3図に示すように酸化亜鉛型バリスタ素子1の円周部
の電流密度(破線で模疑的に示す)が高くなり、逆に酸
化亜鉛型バリスタ素子1の中心部の電流密度が低くなる
Now, when a large surge current or a large surge current with a high wavefront severity flows into this surge absorber, the current flowing in the zinc oxide type varistor element 1 will be affected by the zinc oxide type varistor element 1 due to the skin effect, as shown in Figure 3. The current density at the circumferential portion of the element 1 (simply indicated by a broken line) becomes high, and conversely, the current density at the center of the zinc oxide type varistor element 1 becomes low.

このように電流が不均一に流れた場合、円周部における
サージ耐量によって酸化亜鉛型バリスタ素子1全体のサ
ージ耐量が決定されることになり、表皮効果が大きい程
サージ耐量は低下する。
When the current flows non-uniformly in this way, the surge resistance of the entire zinc oxide type varistor element 1 is determined by the surge resistance in the circumferential portion, and the greater the skin effect, the lower the surge resistance.

また、この現象は単に本来酸化亜鉛型バリスタのもつサ
ージ耐量を低下させるのみでなく、円周上の電流密度が
高くなることによって制限電圧も高くなり、サージ吸収
器としての特性が損われる。
Furthermore, this phenomenon not only reduces the surge resistance that the zinc oxide type varistor originally has, but also increases the limiting voltage due to the increased current density on the circumference, impairing its characteristics as a surge absorber.

そこで、このような表皮効果を低減してサージ吸収特性
を向上させることを目的とするサージ吸収器が提案され
ている。
Therefore, surge absorbers have been proposed that aim to reduce such skin effects and improve surge absorption characteristics.

このサージ吸収器は、第4図に示すように、リング形バ
リスタ6と、このリング形バリスタ6の上面電極7に植
立した第1端子8と、リング形バリスタ6の下面電極9
からリング孔10を通って上方に突出した第2端子11
とからなる。
As shown in FIG. 4, this surge absorber includes a ring-shaped varistor 6, a first terminal 8 planted on an upper electrode 7 of the ring-shaped varistor 6, and a lower electrode 9 of the ring-shaped varistor 6.
A second terminal 11 projects upward through the ring hole 10.
It consists of.

この場合、第2端子11は下面電極9に接触する平板部
11 aが適当な機械的強度をもつように構成されてい
る。
In this case, the second terminal 11 is constructed such that the flat plate portion 11a that contacts the lower electrode 9 has appropriate mechanical strength.

このサージ吸収器においては、サージ電流は矢印Bに示
すように、第1端子8→上面電極7→リング形バリスタ
6→下面電極9→第2端子11と流れ、第1端子8から
下面電極9へ流れる電流と第2端子11中を流れる電流
が亙いに逆方向となり、それぞれが作るリング形バリス
タ6内の磁場の変化が打ち涜し合う。
In this surge absorber, the surge current flows from the first terminal 8 to the top electrode 7 to the ring-shaped varistor 6 to the bottom electrode 9 to the second terminal 11 as shown by arrow B, and from the first terminal 8 to the bottom electrode 9. The current flowing through the ring-shaped varistor 6 and the current flowing through the second terminal 11 are in substantially opposite directions, and the changes in the magnetic fields within the ring-shaped varistor 6 produced by each of them interfere with each other.

しかし、この提案例は第1端子8を上面電極7の周方向
の1個所にしか形成されていないため、リング形バリス
タ6に流れるサージ電流が均一には流れず、あまり表皮
効果を低減することはできない。
However, in this proposed example, since the first terminal 8 is formed only at one location in the circumferential direction of the upper surface electrode 7, the surge current flowing through the ring-shaped varistor 6 does not flow uniformly, and the skin effect is not reduced much. I can't.

したがって、この考案の目的は、表皮効果を十分低減で
きてサージ吸収特性を向上させることができるサージ吸
収器を提供することができる。
Therefore, an object of this invention is to provide a surge absorber that can sufficiently reduce the skin effect and improve surge absorption characteristics.

この考案の一実施例を第5図に示す。An embodiment of this invention is shown in FIG.

すなわち、このサージ吸収器は、リング形バリスタ6と
、このノング形バリスタ6の上面電極7に前記リング形
バリスタ6のリング孔10と同軸につば部8aを固着し
このつば部8aの内周縁にパイプ部8bを一体的に植立
した第1端子8と、前記リング形バリスタ6の下面電極
9に平板部11 aを固着しこの平板部11 aの上面
中央位置に棒状部11 bを植設しこの棒状部11 a
を前記リング孔10および前記パイプ部8bを貫通して
外部に露出させた第2端子11とを備えている。
That is, this surge absorber includes a ring-shaped varistor 6, a collar 8a is fixed to the upper surface electrode 7 of the non-long-type varistor 6 coaxially with the ring hole 10 of the ring-shaped varistor 6, and the collar 8a is attached to the inner peripheral edge of the collar 8a. A flat plate part 11a is fixed to the first terminal 8 with the pipe part 8b integrally planted thereon and the lower electrode 9 of the ring-shaped varistor 6, and a rod-shaped part 11b is planted in the center position of the upper surface of the flat plate part 11a. Shiko rod-shaped part 11a
and a second terminal 11 that penetrates the ring hole 10 and the pipe portion 8b and is exposed to the outside.

このように構成した結果、サージ電流はリング形バリス
タ6を均一に流れ、この電流と棒状部11bが流れる電
流とがほぼ完全に打ち消し合い、表皮効果は十分に低減
できバリスタのもつ本来のサージ耐量特性および制限電
圧特性が得られる。
As a result of this configuration, the surge current flows uniformly through the ring-shaped varistor 6, and this current and the current flowing through the rod-shaped portion 11b almost completely cancel each other out, and the skin effect can be sufficiently reduced and the original surge resistance of the varistor can be reduced. characteristics and limiting voltage characteristics are obtained.

その結果、同一寸法のバリスタでもより大きなサージ耐
量が得られる。
As a result, a larger surge withstand capacity can be obtained even with a varistor of the same size.

以上のように、この考案のサージ吸収器は、表皮効果が
低減でき、つぎのような効果が生じる。
As described above, the surge absorber of this invention can reduce the skin effect and produce the following effects.

(1)サージ耐量が向上する。(1) Surge resistance is improved.

(2)電流密度が低減して制限電圧が低くなる。(2) The current density is reduced and the limiting voltage is lowered.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はバリスタ電圧−電流特性図、第2図は従来のサ
ージ吸収器の側面図、第3図は第2図のサージ吸収器の
欠点を説明するための説明図、第4図は提案例の側断面
図、第5図はこの考案の一実施例の側断面図である。 6・・・・・・リング形バリスタ、7・・・・・・−1
面電極、8・・・・・・第1端子、8a・・・・・・つ
ば部、8b・・・・・・パイプ部、9・・・・・・下面
電極、10・・・・・・リング孔、11・・・・・・第
2端子、11 a・・・・・・平板部、11 b・・・
・・・棒状部。
Figure 1 is a varistor voltage-current characteristic diagram, Figure 2 is a side view of a conventional surge absorber, Figure 3 is an explanatory diagram to explain the shortcomings of the surge absorber in Figure 2, and Figure 4 is a proposal. FIG. 5 is a side sectional view of an embodiment of the invention. 6...Ring type varistor, 7...-1
Surface electrode, 8...First terminal, 8a...Brim part, 8b...Pipe part, 9...Bottom electrode, 10...・Ring hole, 11... Second terminal, 11 a... Flat plate part, 11 b...
...rod-shaped part.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] リング形バリスタと、このリング形バリスタの上面電極
に前記リング形バリスタのリング孔と同軸につば部を固
着しこのつば部の内周縁にパイプ部を一体的に植立した
第1端子と、前記リング形バリスタの下面電極に平板部
を固着しこの平板部の上面中央位置に棒状部を植設しこ
の棒状部を前記リング孔および前記パイプ部を貫通して
外部に露出させた第2端子とを備えたサージ吸収器。
a ring-shaped varistor, a first terminal having a flange fixed to the upper electrode of the ring-shaped varistor coaxially with the ring hole of the ring-shaped varistor, and a pipe part integrally planted on the inner peripheral edge of the flange; A flat plate part is fixed to the lower electrode of the ring-shaped varistor, and a rod-shaped part is implanted at the center of the upper surface of the flat plate part, and this rod-shaped part penetrates the ring hole and the pipe part and is exposed to the outside as a second terminal. Surge absorber with.
JP1978128162U 1978-09-18 1978-09-18 surge absorber Expired JPS587603Y2 (en)

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