JPS5875049A - ナイフマ−ク検査装置 - Google Patents
ナイフマ−ク検査装置Info
- Publication number
- JPS5875049A JPS5875049A JP17421681A JP17421681A JPS5875049A JP S5875049 A JPS5875049 A JP S5875049A JP 17421681 A JP17421681 A JP 17421681A JP 17421681 A JP17421681 A JP 17421681A JP S5875049 A JPS5875049 A JP S5875049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- knife mark
- detection position
- condensed
- knife
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
本発明は平板（シート）に斜め方向に直線状に入るナイ
フ、カッターによる切込み傷（以下、ナイフマーク）を
高感度に検出し得るナイフマーク検査装置を提供せんと
する。
フ、カッターによる切込み傷（以下、ナイフマーク）を
高感度に検出し得るナイフマーク検査装置を提供せんと
する。
（２）従来例
従来例の一例を第１図に示す。（７）は平板で、コンベ
ヤ等によるナイフマーク検査装置下に順次搬送される。
ヤ等によるナイフマーク検査装置下に順次搬送される。
ライン光源（１）の光束はシリンドリカルレンズ（２）
により平板上に直線状に集光される。シリンドカルレン
ズ（３）は平板（７）による反射光のうち拡散光を集光
する為平板上の直線光と平行にほぼ直上に取り付けられ
る。このシリンドカルレンズ（３）Ｋより集光された拡
散光はスリット（４）を介して光電子増倍管（フォトマ
ルチプライヤ−）（５）Ｉｃ入射し電気的検出信号に変
換される。第２図にこの検出信号を示す。スリット（４
）はナイフマーク（６）の発生方向にあわせられている
。ナイフマーク（６）の断面形状が第２園内のようなと
き図中のように′ｒの部分（図中ａ−ｂ間）が生ずる。
により平板上に直線状に集光される。シリンドカルレン
ズ（３）は平板（７）による反射光のうち拡散光を集光
する為平板上の直線光と平行にほぼ直上に取り付けられ
る。このシリンドカルレンズ（３）Ｋより集光された拡
散光はスリット（４）を介して光電子増倍管（フォトマ
ルチプライヤ−）（５）Ｉｃ入射し電気的検出信号に変
換される。第２図にこの検出信号を示す。スリット（４
）はナイフマーク（６）の発生方向にあわせられている
。ナイフマーク（６）の断面形状が第２園内のようなと
き図中のように′ｒの部分（図中ａ−ｂ間）が生ずる。
このことは、平板が正常でナイフマーク（６）がないと
きは検出位置１点で光束は平板に反射するが、ナイフマ
ーク（６）の凹み１こより反射点がｂ点まで移動してい
るということであり、反射点の移動によりフォトマルチ
プライヤ−（５）ｋ達する拡散光は減少する。従って７
オトマルチプライヤー（５）の検出信号（＠−＠）はナ
イフマーク（６）の部分で落ち込み第２図（Ｂｊ図のよ
うになる。第２図（１１図のＣがこれを示す、このとき
（１１図のようにスライスレベル（ｄ−ｄ）を設ければ
ナイフマーク検出が出来る。しかし、実際にはこの方式
によればナイフマーク郁（Ｃ）での検出信号の落ち込み
がそれほど大きく検出できず、充分なＳｌＮ比を得るこ
とが困難である場合が少なくない。
きは検出位置１点で光束は平板に反射するが、ナイフマ
ーク（６）の凹み１こより反射点がｂ点まで移動してい
るということであり、反射点の移動によりフォトマルチ
プライヤ−（５）ｋ達する拡散光は減少する。従って７
オトマルチプライヤー（５）の検出信号（＠−＠）はナ
イフマーク（６）の部分で落ち込み第２図（Ｂｊ図のよ
うになる。第２図（１１図のＣがこれを示す、このとき
（１１図のようにスライスレベル（ｄ−ｄ）を設ければ
ナイフマーク検出が出来る。しかし、実際にはこの方式
によればナイフマーク郁（Ｃ）での検出信号の落ち込み
がそれほど大きく検出できず、充分なＳｌＮ比を得るこ
とが困難である場合が少なくない。
（３）発明の構成
本発明は上記欠点を除去せんとする。
本発明の要旨とするところはナイフマークの検出位置ｉ
Ｃ線状に集光させ墨光束を拡散させ検出位置の直上に配
するスリットに入る拡散光を７オトマルチプライヤーに
て電気的検出信号Ｋかえるナイフマーク検出装置に堰い
て、前記集光させる光束の拡散側に検出位置を焦点もす
る巾広の曲面鏡を配して成るナイフマーク検査装置であ
る。
Ｃ線状に集光させ墨光束を拡散させ検出位置の直上に配
するスリットに入る拡散光を７オトマルチプライヤーに
て電気的検出信号Ｋかえるナイフマーク検出装置に堰い
て、前記集光させる光束の拡散側に検出位置を焦点もす
る巾広の曲面鏡を配して成るナイフマーク検査装置であ
る。
（４）発明の実施例
以下本発明を第３図乃至第５図に図示せる一実施例に基
づき説明する。
づき説明する。
図中（１）乃至（５）の機器は従来のものと全く同様の
（８）は巾広の曲面鏡で、その線状に形成される焦点は
スリット（４）直下のナイフ７−り（６）の検出位置（
鳳）になるように配されている。
（８）は巾広の曲面鏡で、その線状に形成される焦点は
スリット（４）直下のナイフ７−り（６）の検出位置（
鳳）になるように配されている。
而して該検出位置て乱反射され曲面鏡（８）に入る拡散
光は再び該検出位置（龜）に線状に集光される。
光は再び該検出位置（龜）に線状に集光される。
即ち、第４図番こ示される如く、シリンドリカルレンズ
（２）にて平板（７）ｋ集光された線状の光束は平板（
７）に拡散され、直上に散乱するものがスリット（４）
に入るが、−万両面鏡（８）に入るものは再び検出位置
（９）に線状に集束される。而してこの曲面鏡（８）に
より集光される光の直上に散乱するものもスリット（４
）に入り、結果として従前のこの種の検査装置では得ら
れなかった強い光を検査位置（９）に集光することとな
る。
（２）にて平板（７）ｋ集光された線状の光束は平板（
７）に拡散され、直上に散乱するものがスリット（４）
に入るが、−万両面鏡（８）に入るものは再び検出位置
（９）に線状に集束される。而してこの曲面鏡（８）に
より集光される光の直上に散乱するものもスリット（４
）に入り、結果として従前のこの種の検査装置では得ら
れなかった強い光を検査位置（９）に集光することとな
る。
一方ナイフマーク（６）があった場合は、第５図のよう
に平板（７）上に集光する光の反射点は検出位置ａ点か
らｂ点へ移動する。而してｂ点よりの反射光はこのずれ
により曲面鏡（８）に角度ずれして入射するようになる
ため曲面鏡叫より集光される光は検出位置電点をはずれ
その上方に位置する。従って検出位置ａ点にシャープに
焦点を結んでいるシリンドリカルレンズ（３）からスリ
ット（４）に入る拡散光は激減する。尚このことはナイ
フマーク（６）が凸状の場合でも同様である。
に平板（７）上に集光する光の反射点は検出位置ａ点か
らｂ点へ移動する。而してｂ点よりの反射光はこのずれ
により曲面鏡（８）に角度ずれして入射するようになる
ため曲面鏡叫より集光される光は検出位置電点をはずれ
その上方に位置する。従って検出位置ａ点にシャープに
焦点を結んでいるシリンドリカルレンズ（３）からスリ
ット（４）に入る拡散光は激減する。尚このことはナイ
フマーク（６）が凸状の場合でも同様である。
而して平板（７）が正常である場合とナイフマーク（６
１が存在する場合とのフォトマルチプライヤ−（５）に
よって電気的に検出される検出信号の比、即ちＳ／Ｎ
比が向上し、ナイフマーク（６）の検出感度は極めて向
上するのである。
１が存在する場合とのフォトマルチプライヤ−（５）に
よって電気的に検出される検出信号の比、即ちＳ／Ｎ
比が向上し、ナイフマーク（６）の検出感度は極めて向
上するのである。
（５）発明の効果
以上の如く本発明番こよれば、照射光量が増加するため
ナイフマークによる鉱散量の変化の検出が明確になり、
ナイフマークの検出が確実であるという利点がある。
ナイフマークによる鉱散量の変化の検出が明確になり、
ナイフマークの検出が確実であるという利点がある。
第１図及び第２図は従来例を示す図で、第１図は斜視図
、第２図（ａ）は断面図、第２図（ｂｌは検出信号の概
略図、第３図乃至第５図は本発明の一実施例を示す図で
、第３図は斜視図、第４図及び第５図は断面図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名）
、第２図（ａ）は断面図、第２図（ｂｌは検出信号の概
略図、第３図乃至第５図は本発明の一実施例を示す図で
、第３図は斜視図、第４図及び第５図は断面図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名）
Claims (1)
- （１）ナイフマークの検出位置に線状に集光させる光束
を拡散させ検出位置の直上に配する不リットに入る拡散
光を７オトマルチプライヤーにて電気的検出信号番こか
えるナイフマーク検出装置に参いて、前記集光させる光
束の拡散側に検出位置を焦点とする巾広の曲面鏡を配し
て成るナイフ７−ク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421681A JPS5875049A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | ナイフマ−ク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421681A JPS5875049A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | ナイフマ−ク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875049A true JPS5875049A (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=15974752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17421681A Pending JPS5875049A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | ナイフマ−ク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875049A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5168322A (en) * | 1991-08-19 | 1992-12-01 | Diffracto Ltd. | Surface inspection using retro-reflective light field |
| JPH0514907U (ja) * | 1991-08-03 | 1993-02-26 | セントラル自動車株式会社 | 表面検出装置 |
| US5206700A (en) * | 1985-03-14 | 1993-04-27 | Diffracto, Ltd. | Methods and apparatus for retroreflective surface inspection and distortion measurement |
| JPH05232043A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Seisaku Tanaka | 継目検出装置 |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP17421681A patent/JPS5875049A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206700A (en) * | 1985-03-14 | 1993-04-27 | Diffracto, Ltd. | Methods and apparatus for retroreflective surface inspection and distortion measurement |
| JPH0514907U (ja) * | 1991-08-03 | 1993-02-26 | セントラル自動車株式会社 | 表面検出装置 |
| US5168322A (en) * | 1991-08-19 | 1992-12-01 | Diffracto Ltd. | Surface inspection using retro-reflective light field |
| JPH05232043A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Seisaku Tanaka | 継目検出装置 |
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