JPS5868017A - Picture transducer - Google Patents
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- JPS5868017A JPS5868017A JP16637181A JP16637181A JPS5868017A JP S5868017 A JPS5868017 A JP S5868017A JP 16637181 A JP16637181 A JP 16637181A JP 16637181 A JP16637181 A JP 16637181A JP S5868017 A JPS5868017 A JP S5868017A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0338—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect structurally associated with a photoconductive layer or having photo-refractive properties
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
導電効用とを(Ill汀する結晶板を用いた画1象変換
素3ー
子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a three-dimensional image conversion element triplet using a crystal plate that has a conductive effect.
インコヒーレント光によって画像情報全書みみ。All image information is written by incoherent light.
コヒーレント光を用いて書込んだ画像端・服ケ咬み出す
こトVC..J:V)、インコヒーレント自コヒーレン
ト変換ケ行なう上記形式の画像変換素子は従来より周知
である。VC. .. J:V), an image conversion element of the above type which performs an incoherent self-coherent transformation is well known in the art.
こσつ種の画像変換素子(以下,I’l”C素子と言う
)においては、主としてスベノクルノイズヲ除去する目
的で、結晶板の各面ケ高稍度に光学研摩し、こnをλ/
2乃至λ/10(λは読出−亀の波長)程の平坦度に仕
ヒげるのが普通である。この場合、結晶板の両面が高精
度な平行性を有していると。In this type of image conversion element (hereinafter referred to as I'l''C element), each surface of the crystal plate is optically polished to a high degree of polish, mainly for the purpose of removing noise. λ/
It is common to achieve a flatness of about 2 to λ/10 (λ is the readout wavelength). In this case, both sides of the crystal plate have highly accurate parallelism.
画像情報の読出しを行なう際、I ’]” C素子内で
読出光の一部が反射全繰返し、しかもこの読出光がコヒ
ーシンl−光であるtめ,干渉縞が発生して1′1゛C
素子に書込捷れた画像情報を忠′欠に読出丁ことが困難
となる。When reading image information, a part of the readout light is completely reflected within the I']"C element, and since this readout light is cohesin light, interference fringes are generated and the 1'1" C
It becomes difficult to faithfully read out image information that has been written to the element.
本発明は上記招識に基きなさf+−たものであり。The present invention is not based on the above-mentioned insight.
簡単な構成Vr:..J:って干渉縞の発生金抑えるこ
との可能なI ’J’ C素子を提供することを目的と
する。Simple configuration Vr:. .. The object of the present invention is to provide an I'J'C element capable of suppressing the generation of interference fringes.
4−
以下、従来の1’II” C素子との比較において本発
明の有利な実施例を図面に従って説明する。4- In the following, advantageous embodiments of the invention will be described in comparison with conventional 1'II'' C elements with reference to the drawings.
第1図は本発明に係るT ’]” C素子の一例全示す
説明図であり,このT ’l” C素子は、結晶板1と
。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a T']"C element according to the present invention, and this T'l"C element has a crystal plate 1.
この結晶板lにおける互いに平行な各面2.3の外側(
C位置する絶縁層4,5と、該絶縁層4.5の外111
11に設けら扛た透明電極6、7とを有している。結晶
板1としては、電気光学効果と,波長に依存する光導電
効果と全併有する結晶が用いられ,。The outside of each mutually parallel plane 2.3 in this crystal plate l (
The insulating layers 4 and 5 located at C and the outside 111 of the insulating layer 4.5
11 and transparent electrodes 6 and 7 provided thereon. As the crystal plate 1, a crystal having both an electro-optic effect and a wavelength-dependent photoconductive effect is used.
特ニビスマスシリコンオキサイド( Bi,、、 Si
n,、。)単結晶又げビスマスゲルマニウムオキサイド
(B’ I 2 Ge 02 o )単結晶全有利に用
いることができる。Special Nibismuth silicon oxide (Bi,, Si
n,,. ) Single crystal bismuth germanium oxide (B' I 2 Ge 02 o ) single crystals can advantageously be used.
i 1c各透明電極6.7は1例えば■n203,Sn
O3,又はこ扛らの複合体等から成る薄膜から構成ζ几
る。i 1c Each transparent electrode 6.7 is 1 e.g. n203, Sn
It is composed of a thin film made of O3 or a composite thereof.
第1図に示した絶縁IPJ4.5は、連結部8,9によ
って互いに一体的Cτ連結さ几ているが、公知の如く、
結晶板1の各面2、3の外(Illに位置する別個の絶
縁層を用いることもできる。本例における絶縁1\り・
1,5は,光の透過全許容する透明物質、例えばポリパ
ラキンリレン等から構成さ几ている。The insulating IPJ4.5 shown in FIG.
It is also possible to use a separate insulating layer located outside each side 2, 3 of the crystal plate 1.
1 and 5 are made of a transparent material that allows all light to pass through, such as polyparaquinrylene.
第1図1における右側1の結晶板面3と、これに対向す
る絶縁層5との間には,本発明により、反射防止膜とし
ての用をな1第1の層10が設けられ。According to the present invention, a first layer 10, which serves as an anti-reflection film, is provided between the crystal plate surface 3 on the right side 1 in FIG. 1 and the insulating layer 5 opposite thereto.
しかもその右方に位置する透明電極7の外(Ill而に
は、第2の層l1が設けられている。本例における第1
層10及び第2層1lも透明物質から構成され、その有
利な物質名は後(で例示する。Furthermore, a second layer l1 is provided outside the transparent electrode 7 located on the right side of the transparent electrode 7.
The layer 10 and the second layer 1l are also composed of a transparent material, the advantageous names of which will be exemplified below.
図示した結晶板lの各面2.3は互いに平行に形成さ几
、第1層10、絶縁層5,透明電極7及び第2層11も
互いに平行に延在する。The surfaces 2.3 of the illustrated crystal plate 1 are formed parallel to each other, and the first layer 10, the insulating layer 5, the transparent electrode 7 and the second layer 11 also extend parallel to each other.
上述の如く構成されたT T C素子全使用するには,
先ず電源+2によって画策ji6,7に電圧を印加し,
結晶板1に電位勾配音生せしめる。次いで第1図におけ
る右側から(勿論左側からでもよい)、図示していない
結像光学系全通して,画像情報源からの書込み光”+を
照射する。曹込み光1・。To use all the TTC elements configured as described above,
First, apply voltage to scheme ji6 and ji7 by power supply +2,
A potential gradient sound is generated on the crystal plate 1. Next, writing light "+" from an image information source is irradiated from the right side in FIG. 1 (of course, it may be from the left side) through the entire imaging optical system (not shown).
としては、結晶板が光導電効果を示す波長のインコヒー
レント光が用いられる。このように書込み光全照射丁れ
ば,画像情報の形態に応じて書込み光の当てらn,た結
晶板部分では間述の電位勾配は減少−[ろものσ)1先
の当てら才1.ないち6分では、電fs’を勾1?、
II元の状態ケ維持するため、ITC素子に所定の画像
昂’t’ftがI’Fム捷fLる。尚、光伝導効果に工
り結晶板[りに′セフ1°したキャリヤが透明電極へ流
出1ろ(−とは、絶縁層・1.5によって阻lにさ才]
、ろ。Incoherent light having a wavelength at which the crystal plate exhibits a photoconductive effect is used. In this way, if the entire writing light is irradiated, the potential gradient mentioned above will decrease in the part of the crystal plate that is not irradiated with the writing light depending on the form of the image information. .. In 6 minutes, is the electric fs' slope 1? ,
In order to maintain the original state, a predetermined image intensity 't'ft is applied to the ITC element. It should be noted that the photoconductive effect of the crystal plate is modified so that the carriers that have undergone 1° flow out to the transparent electrode (- are blocked by the insulating layer 1.5).
,reactor.
:XF 込i n ;/j 114i (’l情’41
i k a 出T ICij 、偏光子(図示せず)を
曲した読出光1・2な・、r ’r C素子の例えげ左
(ullがら、結晶板■の而2vこ垂1■に人射烙せ。:XF including in ;/j 114i ('ljo'41
i ka output T ICij , readout beams 1 and 2 with curved polarizers (not shown), r 'r An example of a C element (left) Shoot the fire.
f i” C素T−をJ1ハ過し1m九ケ検光子(1図
示せず)に通せばよい。読出光としては、結晶板2に光
伝導効果を生ぜしめない波長のコヒーレント光が用いら
r、る。このように1画像情報の罫込・一時にはインコ
ヒーレント尤を・使用し、読出し時にげコヒーレント>
’C: fLI[1いろことにエリ、インコ1つ一しン
ト胃コの画像情態5ケコヒーレント光の1111i像情
報(C変換−4−ることができ、こ几作1 ’II’
C素子による1ンコヒ−レ/1・・コヒーレント変換で
ある。かかるI′1゛C素−f−Vl、P’1lij’
7− IJ 工i換’lo 丸字情報処l′il!を
r行うンステA vC有利に用い乙ことかできる。It is sufficient to pass the C element T- through a J1 filter and a 1 m analyzer (1 not shown). Coherent light with a wavelength that does not cause a photoconductive effect in the crystal plate 2 is used as the read light. In this way, one image information is interlined and at one time incoherent information is used, and when read out, it becomes coherent.
'C: fLI [1 Image information of each parrot's stomach and 5 pieces of coherent light 1111i image information (C conversion-4- can be obtained, this work 1 'II'
This is a 1-cohere/1...coherent conversion using a C element. Such I'1゛C element -f-Vl, P'1lij'
7- IJ 工 i exchange 'lo Maruji information processing l'il! It can be used to advantage of A vC.
上Ijlsした如く結情叛に;)l: )7\んだ画1
1:情報を読出7−
丁際、素子内における読出光の反射に起因した干渉縞の
発生は大幅(C抑制される。こn−に反し、第2図に示
す如き従来のT i’ C素子においては先にも説明し
たように干渉縞の発生は避けらJ′1.ない。Just like I did above, I rebelled ;)l: )7\datta picture 1
1: Read information 7- Finally, the generation of interference fringes due to the reflection of the readout light within the element is greatly suppressed.On the contrary, in the conventional T i' C as shown in FIG. As explained above, the occurrence of interference fringes is unavoidable in the element.
即ち、第2図1で示す素子(でおいては、第1図に示す
第1層10と第2層11とが設けられておらず、読出光
(コヒーレントt )が結晶板1に入射L−cこれを出
射しようとしたとき、その一部の光が第2図に破線]・
2′で示す如く、結晶板1と絶縁層5との境W面I3C
てて反射し、この反射光1・2′が再度他側C7つ結晶
板1・絶縁層4間の境5♀而14で反射しく破線矢印”
3)、これがJ T C素子を出射していたため。That is, in the element shown in FIG. 2 1, the first layer 10 and the second layer 11 shown in FIG. -c When trying to emit this light, some of the light is shown by the broken line in Figure 2]
As shown by 2', the boundary W plane I3C between the crystal plate 1 and the insulating layer 5
This reflected light 1 and 2' is reflected again at the boundary 5♀ then 14 between the crystal plate 1 and the insulating layer 4 on the other side, as indicated by the dashed line arrow.
3), because this was emitting from the JTC element.
結晶板1における両面2,3の平行性が良好であると、
反射を繰越してT ’I” C素子を出、を光L3と、
反射することなく i T C,素子をそσバヒま出射
した光とによって干渉縞が発生し、こ汎に基いて、先1
で説明した不都合を免′11.なかつ友。When the parallelism of both surfaces 2 and 3 in the crystal plate 1 is good,
The reflection is carried forward and the light exits the T'I''C element, and is called light L3.
Interference fringes are generated by the light emitted from the element without being reflected, and based on this generalization, the first
The inconvenience explained in '11. Nakatsu friend.
第1Nに示す構成においては、−上述した如き光の反射
を防止し、これVrCより干渉縞の発生を抑え得るよう
になっており、以下にその具体的な条件8−
と、こn 1一定める際の手法につき詳細に説明する。In the configuration shown in No. 1N, it is possible to prevent the reflection of light as described above and to suppress the generation of interference fringes by VrC, and the specific conditions 8 and 1 are as follows. The method used to determine this will be explained in detail.
第3図は結晶板1.第1層10.絶縁層5、透明電接7
及び第2層11の1青層状態全模式化して示す説明図で
ある。第:う図に示したd4Id3・d2・d、il−
、、I。Figure 3 shows crystal plate 1. First layer10. Insulating layer 5, transparent electrical contact 7
FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing the entire state of the first blue layer of the second layer 11. FIG. No.: d4Id3・d2・d, il− shown in the figure
,,I.
各層(+0 、5 、7 、 II )の厚み全そ扛ぞ
れ表わL、n、、 n4 、 n、 、 +1.、 、
n、 、及びn。ば、結晶板l、各層(to、5,7
.II)、及び空気15の、読出光波長(こ才王をλと
する)に対する屈折率をそ几ぞn表わしている。そして
本発明に係る構成においては。The total thickness of each layer (+0, 5, 7, II) is represented by L, n, , n4, n, , +1. , ,
n, , and n. For example, crystal plate l, each layer (to, 5, 7
.. II), and the refractive index of the air 15 with respect to the reading light wavelength (where λ is the wavelength of light). And in the configuration according to the present invention.
上記各層(To、 5 、7 、11)の屈折率に所定
の関係全もたせることによって、結晶板lを通過した読
出光の11ぼ全てが、各層(+0.5,7.+1)をそ
のま壕透過して[TCC壬子全出射るよつに構成されて
いる。この場合、上記の如く読出光が各層(+0 、5
、7 、11 )を透過するように構成するための1
つの条件を、絶縁層5の光学膜厚d、・n。By making the refractive index of each layer (To, 5, 7, 11) have a predetermined relationship, all 11 of the readout light that has passed through the crystal plate l can pass through each layer (+0.5, 7, +1) as it is. It is configured to pass through the trench and emit all of the TCC. In this case, as mentioned above, the readout light is applied to each layer (+0, 5
, 7, 11) to make it transparent.
One condition is the optical thickness d, ·n of the insulating layer 5.
を極く小なる所定の大きさに設定することによって、定
めることも可能である。ところが絶縁層5に、結晶板l
への印IJn電圧に対し充分耐え得るよりな11−;ノ
ド、即ち++1’!縁破壊ケ生じないような厚みに設定
する必要があり、この厚みd3は通常数/ZITI乃至
数十μm程度に定めc−)f′Lる。従って、このAt
考慮すると、絶縁層5の光学膜厚d3・n3ti極く小
なる所定の大きさに設定することば困難である。It is also possible to determine this by setting the value to a predetermined extremely small size. However, the insulating layer 5 has a crystal plate l.
11-; node, that is, ++1'! It is necessary to set the thickness to such a value that no edge breakage will occur, and this thickness d3 is usually set at about several/ZITI to several tens of μm c-)f'L. Therefore, this At
Considering this, it is difficult to set the optical film thickness d3·n3ti of the insulating layer 5 to a predetermined extremely small size.
本発明ではこの点に看目し、第1層10と第2層1]の
光学膜型n4・d、、、n、・d、と、透明電極7の光
学膜)早n2・d2を次の如く、即ち
n、−d、= n、 e d4−λ/4
(t)n2* d、、−λ/4 又は(2)n
、、 * d、、−λ/2
(3)に定め、絶縁層5の厚みd3にいかなる大きさ
に定めたときにも、はとんど全ての読出光を、各層(5
、10、7、11)にて反射婆せt″にこ几を透過させ
ることができるように構成しである。以下1.r。In the present invention, in view of this point, the optical film types n4·d, , n,·d of the first layer 10 and the second layer 1] and the optical film types n2·d2 of the transparent electrode 7 are , i.e. n, -d, = n, e d4-λ/4
(t)n2*d,, -λ/4 or (2)n
,, *d,, -λ/2
(3), and when the thickness d3 of the insulating layer 5 is set to any size, almost all the readout light is transmitted to each layer (5).
, 10, 7, and 11), the structure is such that the reflection filter t'' can be transmitted through the filter.The following 1.r.
り具体的に説明しよう。Let me explain in detail.
(1)一般に、第3図に示した4つの層(+0.5゜7
.11)i、波長λの光が入射角αで透過する場合を考
えると、こn7に対応するマトリクスは次のように表わ
丁ことができる。(1) In general, the four layers shown in Figure 3 (+0.5°7
.. 11) Considering the case where light with wavelength λ and i is transmitted at an incident angle α, the matrix corresponding to n7 can be expressed as follows.
である。It is.
ぞして、・1つの層(Hl 、 5 、7 、11 )
な、屈折率l]。の″と気と、 Irt!町率+13の
結晶板1の間に存するがら、マトリクスを(4)式の如
く表わせば、4つの層全体の光の反射率Rは次の如く表
わすことができる。Therefore, one layer (Hl, 5, 7, 11)
, refractive index l]. If the matrix is expressed as equation (4), the light reflectance R of the entire four layers can be expressed as follows. .
fil) 4つの層(5、]、0.7.1.1.)に
対応するマトリクス及びその反射率は一般に(4)式及
び(5)式で表わさイする。そこて先す、n2・d2−
λ/4 [21式沖場合について考えてみよう。fil) The matrix corresponding to the four layers (5, ], 0.7.1.1.) and its reflectance are generally expressed by equations (4) and (5). Then, n2・d2−
λ/4 [Let's consider the case of Type 21 offshore.
既述のように読出光はコヒーレント平行光であり、■T
C素子への入射角は実質的に00であるから、この条件
と(1)式及び(2)式の条件を考慮に入れる譜、(4
)式から次の7トリクスが得られる。As mentioned above, the readout light is coherent parallel light, and ■T
Since the angle of incidence on the C element is substantially 00, the score (4
), the following seven trixes are obtained.
ここでIt −(lであれば、結晶板lを通過した読出
光ばそのま捷4つの層(10、5、7、II )を透過
し、干渉縞≠;発生することはない。そこで1% =0
なる条件に工す(7)式からn+−n+ffi求めると
。Here, if It - (l, the readout light that has passed through the crystal plate l will pass through the four layers (10, 5, 7, II), and no interference fringes will be generated. Therefore, 1 % = 0
If we calculate n+-n+ffi from equation (7) under the condition that:
n4=57漬ζ (8)nl
−n2/F(9)
か得られる。この場合、ns、n、、及び13は、使用
する結晶板l、絶縁層5及び透明電極7の材質し・こま
って一義的(て定捷る。従ってこnら1(応じて(8)
式及び(9)式をほぼ満足するように第1層】0と第2
層11の(」質を選択丁n、ば、’F’L2はぼ零にし
、干渉縞の発′)只ヲ大幅に抑えることができる。n4 = 57 pickles ζ (8) nl
−n2/F(9) is obtained. In this case, ns, n, and 13 are unambiguous depending on the materials of the crystal plate l, insulating layer 5, and transparent electrode 7 to be used.
The first layer] 0 and the second layer so as to almost satisfy the equation and (9).
If the quality of layer 11 is selected, F'L2 is made zero, and the generation of interference fringes can be greatly suppressed.
例えば、結晶板lとしてBi、、、 5in2o(以下
、単に11 S Oという)tlM−結晶ケ用い、読出
光としてHe−Ncレーザ尤(その波しλ全633nm
とする)全使用すると共lで、透明電極7を、In、、
(J3とS n03との複合体に3[り構成し、絶縁層
5としてポリパラキノリレノ膜を用い、tとすると、結
晶板](+380単結晶)の屈折率ns u 2.53
であり、同様[n2=2゜0、n3伊1.63となるか
ら、(8)式及び(9)式により。For example, a Bi...
) When all the transparent electrodes 7 are used, In, ,
(A composite of J3 and S n03 is composed of 3 [3], a polyparaquinoleno film is used as the insulating layer 5, and t is a crystal plate] (+380 single crystal) refractive index ns u 2.53
Similarly, [n2=2°0, n3=1.63, so according to equations (8) and (9).
n、り2.03
(10n1 り1..57
(1◇が得られる。かかる
場合には、第1層]0として例えばジルコニア(n4
”21) t 第2層11としては例えばフン化セリウ
ム(n+”1.6)を、00式及び0])式をほぼaた
丁ものとして用いることができる。n, ri 2.03
(10n1 ri1..57
(1◇ is obtained. In such a case, the first layer]0 is, for example, zirconia (n4
"21)t As the second layer 11, for example, cerium fluoride (n+"1.6) can be used as a combination of the 00 type and 0]) type.
そして、こ扛らの数値を(5)式に代入して反射率Rを
求めると、このf(ば05%以下となり、4つの層(1
0,5,7,II)における読出光の反射を極く僅かに
抑え干渉縞の発生を有効に抑制することかできる。伺、
第1層10(グ、絶縁層5と共に結晶板1に発生したキ
ャリヤが透明電極へ流出することを防止工べく、高い絶
縁性を有していることが望まLいが、上述したジルコニ
アは高い体積固有抵抗率を有しているため、この要求を
支障なく満た丁ことができる、捷た絶縁層5として、ポ
リバラキシリレンの如き耐熱11“の低い物質を用いる
と。Then, by substituting these values into equation (5) to find the reflectance R, this f (if
0, 5, 7, II) can be suppressed to a very small degree, and the generation of interference fringes can be effectively suppressed. Visit,
It is desirable that the first layer 10 (g) has high insulating properties in order to prevent the carriers generated in the crystal plate 1 together with the insulating layer 5 from flowing out to the transparent electrode. If a material with a low heat resistance of 11'', such as polyvaraxylylene, is used as the twisted insulating layer 5, this requirement can be met without any problem because it has a specific volume resistivity.
[TC素子の製作1埒に絶R層を熱によって劣化させて
し捷う恐れも考えら扛る。即ち、第1層10及び透明電
極7を蒸青によって形成すると、その際結晶板lも加熱
さ詐るため、絶縁層5が劣化してしまうことが考えらn
る訳である。ところが1例えばジルコニア薄膜から成る
第1層10を蒸着によって形成する際VCは、未だ絶縁
層5は形成さ汎ていないので、これが劣化する恐れは全
くないし、絶縁層5に透明電ノボ7を蒸着する際には、
イオンブレーティング法全採用丁れば、絶縁層5が劣化
する程、こ几を加熱する必要はない。捷た、例えばフッ
化セリウムから成る第2層11ば、こ扛ヲンフトコート
丁れは絶縁層の劣化全防止できる。[There is a risk that the absolute R layer may deteriorate due to heat and break off during the production of the TC element. That is, when the first layer 10 and the transparent electrode 7 are formed by steam blue, the crystal plate 1 is also heated and the insulating layer 5 is likely to deteriorate.
This is the reason. However, when forming the first layer 10 made of, for example, a zirconia thin film by vapor deposition, the insulating layer 5 has not yet been formed, so there is no risk of deterioration of this, and the transparent electrode 7 is vapor-deposited on the insulating layer 5. When doing so,
If the ion blating method is fully adopted, there is no need to heat the oven to the extent that the insulating layer 5 deteriorates. If the second layer 11 is made of, for example, cerium fluoride, the deterioration of the insulating layer can be completely prevented.
ただ、第2[※11をこのようにソフトコートした場合
には、その剥1++l k防止する目的で1反射防市膜
を施した透明ガラス基板で上述の如く構成した■TC素
子を、挾み封じ込むようにすることが望ましい。このよ
うに対処することによって、ポリパラキシリレン膜の如
きM機絶縁物の熱劣化を防1にし、捷たこの絶縁層が水
分を吸収してその絶縁特性が低下することも防止でき、
結晶板へ高電圧全印加したときの安全性も保Lnる。However, when the second [*11] is soft-coated in this way, the ■TC element constructed as described above is sandwiched between a transparent glass substrate coated with a reflective anti-corrosion film for the purpose of preventing its peeling. It is desirable to contain it. By taking measures in this way, it is possible to prevent thermal deterioration of M-type insulators such as polyparaxylylene films, and also to prevent the insulating properties of the shredded insulating layer from absorbing moisture and reducing its insulation properties.
Safety is also maintained when the full high voltage is applied to the crystal plate.
(il[l 次IF、、n2@d2−λ/2[(3)
式〕に設定シタ場合につき考える。この場合にもn2・
d2−λ/4であるときに行った既述の手法を全く同じ
手法によって。(il[l-order IF,, n2@d2−λ/2[(3)
Consider the case where the expression is set. In this case also n2・
Using exactly the same method as described above when d2-λ/4.
R−0を満た丁n、 、 n、を求めてみると、n、−
「遅 0an4=、1
113・na Hが得らnる。When we find n, , n, which satisfy R-0, we get n, -
“Slow 0an4=,1
113.na H is obtained.
そこで、結晶板1.読出光、透明電極7.絶縁層5とし
て、(i[C例示したものと全く同じものを用いたとす
ると、 n2”’2.53. n252.0. n3
−=f1.63であるから、(19式及び03式から、
馬”1.28.。422.03が得られる。従ってこの
場合にも第1層10として、例えばシ゛ルコニア(n4
”2.1 )?用い、第2層11としては例えばフッ
化マグネシウム(馬A/1.38)を用いることができ
、その際の反射率もやばり0.5以下に抑えることがで
きる。同、この場合も絶縁層5の熱による劣化全防止す
るために、 (1i)に述べた方法によりI ’I’
C素子全製作することか有利である0その際第2層1】
のフッ化マグネシウム膜もソフトコートとすることが望
ましいが、この場合も、TTC素子全反吋防止膜を施し
た透明ガラス基板で挾み込むと有利である。Therefore, crystal plate 1. Readout light, transparent electrode7. Assuming that the insulating layer 5 is exactly the same as that shown in the example of (i[C), n2'''2.53. n252.0. n3
-=f1.63, (from formula 19 and formula 03,
Therefore, in this case as well, the first layer 10 is made of, for example, siliconia (n4
For example, magnesium fluoride (A/1.38) can be used as the second layer 11, and the reflectance at that time can also be suppressed to 0.5 or less. Similarly, in this case as well, in order to completely prevent deterioration of the insulating layer 5 due to heat, I'I'
It is advantageous to fabricate the entire C element, in which case the second layer 1]
Although it is desirable that the magnesium fluoride film is also made into a soft coat, in this case as well, it is advantageous to sandwich the TTC element between transparent glass substrates coated with a total anti-reverse film.
す、上、(11)及びGiDにおいて説明した事項をま
とめると。To summarize the matters explained in (11) and GiD above.
(1) il@Io;n4=7elHY満足1、好
ましく汀高い体積固有抵抗率を有する物質を、光学膜厚
λ/4の状態で形成して@1層10ケ得る。(1) il@Io;n4=7elHY satisfies 1, preferably a material having a high specific volume resistivity is formed with an optical film thickness of λ/4 to obtain 10 layers per layer.
(2) 第2層++ ; n2−d2=λ/4全満7
’ll きl’c[。(2) Second layer ++; n2-d2=λ/4 full 7
'll ki l'c[.
n、 = n2/Jna kはぼ満址し、n、、ad2
がλ/2であるときに、n、 −%丁lはぼ満巳する間
近率n1を時った物質を、光学膜厚n1・d、がλ/4
となるように形成して第2層IIを得る。n, = n2/Jna k is almost gone, n,, ad2
When is λ/2, the optical film thickness n1・d is λ/4 for a material whose nearness rate n1 is almost full.
A second layer II is obtained by forming the second layer II.
以−ヒの如く構成することによって、I’l’C素子内
部でQ)光の反射を抑え、従って干渉縞の発生を無視で
きる程1(小さくすることができる。By configuring as shown below, the reflection of Q) light inside the I'l'C element can be suppressed, and therefore the generation of interference fringes can be made small enough to be ignored.
を八t 、本発明は第1図に示した実施例に限定ζ庇ず
各種改変することができ2例えば第4図に示すように、
結晶板lの両(1111Ilて第1(1)層10と第2
の層11を設けることも可能である。また結晶板の一方
の面の外側にのみ絶縁層を設けたITC素子にも本発明
を有利に適用できる。However, the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 1, and can be modified in various ways.For example, as shown in FIG. 4,
Both sides of the crystal plate l (1111Il) have the first (1) layer 10 and the second
It is also possible to provide a layer 11 of. The present invention can also be advantageously applied to an ITC element in which an insulating layer is provided only on the outside of one surface of a crystal plate.
第1図は本発明に係るITC素子の一例を示す模式説明
図、第2図は従来のITC素子の一例を示す説明(支)
、第3図に第1図に示すITC素子の一部を更に模式化
して示す説明図、第4図は他の実癩例を示す第1図と同
様な説明図である。
1・・・結晶板; 4,5・・・絶縁層;6.7・・・
透明電極;10・・・第1層;11・・第2層; l
、、n、 、n、、 +”3 ”4・・屈折率第1図Fig. 1 is a schematic explanatory diagram showing an example of an ITC element according to the present invention, and Fig. 2 is an explanation (support) showing an example of a conventional ITC element.
, FIG. 3 is an explanatory diagram further schematically showing a part of the ITC element shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an explanatory diagram similar to FIG. 1 showing another example of leprosy. 1... Crystal plate; 4, 5... Insulating layer; 6.7...
Transparent electrode; 10...first layer; 11...second layer; l
,,n, ,n,, +"3"4...Refractive index diagram 1
Claims (4)
とを併有する結晶板、該結晶板の少なくとも一方の側(
C位置する絶縁層、前記結晶板に電圧を印加するための
一対の透明電極ケ含む画像変換素子において。 読出光の反射を防止するための第1層及び第2層を設け
たこと。 前記第1層を、前記結晶板と絶縁層との間に配置すると
共に、第1層と第2層との間(て。 一対の透明電極のうちの一方の透明電極とi前記第1一
層に1冑接する絶縁層とが位置するように、第2層ケ配
置したこと、及び 読出)運の波長全λとし、第1層して隣接する^11記
絶線層、前記一方の透明電極、及び^11記結晶板の、
読出光波艮に対する屈折率?そ几ぞn、n3 + n2
+ nsとしたとき、第1層及び第2層の光学膜厚を
λ/4に設定すると共に、第1層としてその屈折率がほ
ぼ、「パー1;である物質を使用し、@記一方の透明電
極の光学膜厚がλ/4であるとき、第2層としてその屈
折率がほぼn2/rである物質全使用したこと全特徴と
する前記画像変換素子。(1) A crystal plate having both an electro-optic effect and a wave-dependent photoconductive effect, at least one side of the crystal plate (
An image conversion element including an insulating layer located at C and a pair of transparent electrodes for applying a voltage to the crystal plate. A first layer and a second layer are provided to prevent reflection of read light. The first layer is disposed between the crystal plate and the insulating layer, and the first layer is disposed between the first layer and the second layer. The second layer is arranged so that the insulating layer is in contact with the first layer, and the total wavelength of the readout is λ, and the first layer is adjacent to the insulating layer, and the one transparent electrode is , and ^11 of the crystal plate,
Refractive index for readout light wave? That's it, n3 + n2
+ ns, the optical film thickness of the first layer and the second layer is set to λ/4, and a material whose refractive index is approximately "par 1" is used as the first layer. When the optical thickness of the transparent electrode is λ/4, the second layer is made of a material whose refractive index is approximately n2/r.
イド単結晶又はビスマスゲルマニウムオキサイド単結晶
から成る特許請求の範囲第1項に記載の画像変換素子。(2) The image conversion element according to claim 1, wherein the convex M8 self-crystal plate is made of bismuth oxide single crystal or bismuth germanium oxide single crystal.
併有する結晶板、該結晶板の少なくとも一方の側に位置
する絶縁層、前記結晶板π電圧に印加するための一対の
透明電極を含む画像変換素子において1 読出光の反射を防止するための第1層及び第2層を設け
たこと、 ^11記第1層金、@記結晶板と絶縁層との間に配(6
すると共に、第1層と第2層との間に。 一対の透明電極のうちの一方の透明市、極と^1■記載
11繍Vて隣接−[る絶縁層とブパ泣揮するように、第
2層全配置したこと、及び 、読出光の1皮長をλとし、第1層に隣接する前記絶縁
層、前記一方の透明N極、及び前記結晶板の、読出光波
長に対−[る屈折率ケそ汎ぞn n3 、 n2.11
8とし、たとき、第1層及び第2層の尤7膜厚全λ/・
1に設定すると共に1第1層としてその屈(〕〒率がほ
ぼ4n3・nSである物質全便用し、前記一方の透明電
極の丸字膜厚がλ、/2であるとき、第2層としてその
屈折率がほぼ仄てあ葛物質全使用したこと全特徴とする
前記画像変換素子。(3) A crystal plate having both an electro-optical effect and a photoconductive effect dependent on waves, an insulating layer located on at least one side of the crystal plate, and a pair of transparent electrodes for applying the π voltage to the crystal plate. In an image conversion element including 1. A first layer and a second layer are provided to prevent reflection of readout light; ^11 first layer gold;
and between the first layer and the second layer. The entire second layer is arranged so that one of the transparent electrodes of the pair of transparent electrodes is in contact with the insulating layer adjacent to the pole, and the readout light is One skin length is λ, and the refractive index of the insulating layer adjacent to the first layer, the one transparent N pole, and the crystal plate relative to the wavelength of the readout light is n n3 , n2.11
8, then the total thickness of the first layer and the second layer is λ/・
1 and a material whose refractive index is approximately 4n3·nS is used as the first layer, and when the round film thickness of the one transparent electrode is λ,/2, the second layer The image conversion element is characterized in that it uses a material whose refractive index is almost the same.
単結晶又(−rビスマスゲルマニウムオキサイド小結晶
から成る特許請求の範囲第3項に記載の画像変換素子。(4) The image conversion element according to claim 3, wherein the crystal plate is made of a bismuth silicon oxide single crystal or (-r bismuth germanium oxide small crystal).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16637181A JPS5868017A (en) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Picture transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16637181A JPS5868017A (en) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Picture transducer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868017A true JPS5868017A (en) | 1983-04-22 |
Family
ID=15830163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16637181A Pending JPS5868017A (en) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Picture transducer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868017A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54134656A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Picture image transforming element |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16637181A patent/JPS5868017A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54134656A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Picture image transforming element |
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