JPS5865418A - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JPS5865418A JPS5865418A JP56165376A JP16537681A JPS5865418A JP S5865418 A JPS5865418 A JP S5865418A JP 56165376 A JP56165376 A JP 56165376A JP 16537681 A JP16537681 A JP 16537681A JP S5865418 A JPS5865418 A JP S5865418A
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- Japan
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- liquid crystal
- comb
- light
- electrodes
- transparent substrate
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134327—Segmented, e.g. alpha numeric display
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
零発Ｉ１４は液晶の電気光学効果を利用した液晶装置の
改良に関し、より詳細Ｃは液晶分子の持つ二色性、即ち
液晶分子の長軸方向とそれに直交する方向とで光の徴収
率が異なる特性を利用した液晶装置ｃｌｌするものであ
る。
改良に関し、より詳細Ｃは液晶分子の持つ二色性、即ち
液晶分子の長軸方向とそれに直交する方向とで光の徴収
率が異なる特性を利用した液晶装置ｃｌｌするものであ
る。
近時、液晶装置は液晶が示す電気光学効果を応用し、耽
時Ｉｔや電車等の数字表示パネルの表示デバイスとして
多用されるとともＩＣ表示デバイス以外の分野、例えば
写真機やプリンタ用光像走査装［Ｃ使用される元シャッ
ター等のオプトエレクトロニクスの分野にも応用展開が
図られている。
時Ｉｔや電車等の数字表示パネルの表示デバイスとして
多用されるとともＩＣ表示デバイス以外の分野、例えば
写真機やプリンタ用光像走査装［Ｃ使用される元シャッ
ター等のオプトエレクトロニクスの分野にも応用展開が
図られている。
しかし乍ら、従来の液晶装置の電気光学効果を用いて、
例えば光シヤツター動作を行わせる場匍光の通過のＯＮ
％ＯＦＦ状層を形成するための液晶の二方向への配向が
、一方は相対向する電極間に電界を印加し、両電極間に
介在する液晶分子の配列を強制的（変化させているのｃ
ｔ４し、他一方は初期の液晶分子配列にもとすく分子配
向にのみ依存しているため、その応答速度が数十〜数百
（２）・・と極めて遅く、かつ光の過断も完全でないた
め光シャ゛ツタ−としては到底実用に供しなかった。
例えば光シヤツター動作を行わせる場匍光の通過のＯＮ
％ＯＦＦ状層を形成するための液晶の二方向への配向が
、一方は相対向する電極間に電界を印加し、両電極間に
介在する液晶分子の配列を強制的（変化させているのｃ
ｔ４し、他一方は初期の液晶分子配列にもとすく分子配
向にのみ依存しているため、その応答速度が数十〜数百
（２）・・と極めて遅く、かつ光の過断も完全でないた
め光シャ゛ツタ−としては到底実用に供しなかった。
そこで、この従来の液晶装置の応答速度の欠点を改良す
るため液晶セルの相対向する電極の一方を櫛形とした３
電極構痺のものがチャニンにより提案された。
るため液晶セルの相対向する電極の一方を櫛形とした３
電極構痺のものがチャニンにより提案された。
この３電極構造の液晶セルを使用した液晶装置は液晶分
子の光学的異方性によるレターデーシーンを利用したも
ので、！ｌＩ１図囚（図囚Ｗ−示すよう（偏光軸が互い
に直交する２枚の偏光板Ｐｏ％Ａｎ間に液晶セルｌを、
該液晶セル１の櫛形電極ＬＯ１Ｌ２の長さ方向（ｙ軸方
向）が両偏光板ＰＯ％Ａｍの偏光軸（罰して４５°の傾
きをもつよう（配置された構造を有しており、前記液晶
セル五の対向する電極Ｌ・とＬｌの間に電圧Ｖｅを印加
すると、液晶分子は垂直配向（第１図（Ｂ）の３軸方向
）し、光はそのまま液晶セルを通過するため、光は偏光
軸が互いに直交する２枚の偏光板Ｐｏ％ＡｎＣより完全
に遍断され、光のＯＦＦ状態となり、−万一形電極Ｌｏ
とＬ２の間に電圧Ｖｄを印加すると、液晶分子は平行配
向（１１図（Ｂ） ｘ軸方向）し、ｘ軸方向に光軸を持
つｌ軸性結晶と同じ光学的特性となって、光軸が２枚の
偏光板と４５″の傾きをもつものとなるため光は次式で
示される強度で通過し、光のＯＮ状態となる。
子の光学的異方性によるレターデーシーンを利用したも
ので、！ｌＩ１図囚（図囚Ｗ−示すよう（偏光軸が互い
に直交する２枚の偏光板Ｐｏ％Ａｎ間に液晶セルｌを、
該液晶セル１の櫛形電極ＬＯ１Ｌ２の長さ方向（ｙ軸方
向）が両偏光板ＰＯ％Ａｍの偏光軸（罰して４５°の傾
きをもつよう（配置された構造を有しており、前記液晶
セル五の対向する電極Ｌ・とＬｌの間に電圧Ｖｅを印加
すると、液晶分子は垂直配向（第１図（Ｂ）の３軸方向
）し、光はそのまま液晶セルを通過するため、光は偏光
軸が互いに直交する２枚の偏光板Ｐｏ％ＡｎＣより完全
に遍断され、光のＯＦＦ状態となり、−万一形電極Ｌｏ
とＬ２の間に電圧Ｖｄを印加すると、液晶分子は平行配
向（１１図（Ｂ） ｘ軸方向）し、ｘ軸方向に光軸を持
つｌ軸性結晶と同じ光学的特性となって、光軸が２枚の
偏光板と４５″の傾きをもつものとなるため光は次式で
示される強度で通過し、光のＯＮ状態となる。
式中、■Ｏ：偏光板Ｐ・、ムｎを通過する際の損失を差
し引いた後の光の強さ １ｍ＝入射光の偏光方向と液晶分子軸方向となす角 声冨４５’ Ｓ：液晶セル中での常光線と異常光− との位相差 かくして、光のＯＮ％ＯＦＦ状態が電圧ｖ０、Ｖｄの印
加切換えにより制御される。この３電極構造の液晶セル
を使用した液晶装置は光の通過のＯＮ、 ＯＦＦ状態を
形成するための液晶配向かいずれも電圧Ｖａ、Ｖｄの印
加による強制的なものであるため、数ｍａ・Ｃという早
い応答速度が得られる。
し引いた後の光の強さ １ｍ＝入射光の偏光方向と液晶分子軸方向となす角 声冨４５’ Ｓ：液晶セル中での常光線と異常光− との位相差 かくして、光のＯＮ％ＯＦＦ状態が電圧ｖ０、Ｖｄの印
加切換えにより制御される。この３電極構造の液晶セル
を使用した液晶装置は光の通過のＯＮ、 ＯＦＦ状態を
形成するための液晶配向かいずれも電圧Ｖａ、Ｖｄの印
加による強制的なものであるため、数ｍａ・Ｃという早
い応答速度が得られる。
しかし乍ら、このチャニンの３電極構造の液晶セルを使
用した液晶装置は光の通過のＯＮ、 ＯＦＦ状態を形成
するのに偏光板が必ず２枚必要であるため、この２枚の
偏光板により通過する光が損失され、光の通過のＯＮ状
態でも通過する光は極めて弱く、光の通過のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状園のコントラスト比が極めて低いという欠点を有
していた。また同時に高価な偏光板を２枚必要とするた
め装置が大型化するとともに高コストとなる欠点も有し
ていた本尭明者等は上記従来の欠点の解消のために、櫛
形電極を有する透明基板と対向電極を有する透明基板と
を、両電極が＠対向するよう【近接配置し、且つ両透明
基板間に液晶を封入した液晶セルと、―記櫛形電極間の
電界による液晶の配向方向と平行となる偏光軸を有する
偏光板とから成る応答速度が早く、且つ光の通過のＯＮ
、ＯＦＦ状態のコントラスト比が＾＜、シかも小ｉ１に
シて低コストな液晶装置を先に提案した。
用した液晶装置は光の通過のＯＮ、 ＯＦＦ状態を形成
するのに偏光板が必ず２枚必要であるため、この２枚の
偏光板により通過する光が損失され、光の通過のＯＮ状
態でも通過する光は極めて弱く、光の通過のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状園のコントラスト比が極めて低いという欠点を有
していた。また同時に高価な偏光板を２枚必要とするた
め装置が大型化するとともに高コストとなる欠点も有し
ていた本尭明者等は上記従来の欠点の解消のために、櫛
形電極を有する透明基板と対向電極を有する透明基板と
を、両電極が＠対向するよう【近接配置し、且つ両透明
基板間に液晶を封入した液晶セルと、―記櫛形電極間の
電界による液晶の配向方向と平行となる偏光軸を有する
偏光板とから成る応答速度が早く、且つ光の通過のＯＮ
、ＯＦＦ状態のコントラスト比が＾＜、シかも小ｉ１に
シて低コストな液晶装置を先に提案した。
しかし乍ら、この液晶装置も櫛形電極に電圧を印加して
液晶を強制的に配向させ、光の通過のｏｙｒ Ｂ態を形
成させた場合、該櫛形電極の基底部が凹状であるため基
底ｓｃ印加される電界方向が歯ｓｃおける電界方向とｓ
ｏ”ずれ、その部位の液晶を液晶装置の光の通過のＯＮ
状態を形成する方向に配向させることになり、その結果
、櫛形電極の基底−は常に党を通過し、完全な光の通過
の０１ＦＦ状態を形成することができないという点で改
良すぺぎ課■を有していた。
液晶を強制的に配向させ、光の通過のｏｙｒ Ｂ態を形
成させた場合、該櫛形電極の基底部が凹状であるため基
底ｓｃ印加される電界方向が歯ｓｃおける電界方向とｓ
ｏ”ずれ、その部位の液晶を液晶装置の光の通過のＯＮ
状態を形成する方向に配向させることになり、その結果
、櫛形電極の基底−は常に党を通過し、完全な光の通過
の０１ＦＦ状態を形成することができないという点で改
良すぺぎ課■を有していた。
不発９＋１は不発明看等が先に提案した液晶装置に於い
て、完全な光の通過のＯＦＦ状態を形成することができ
る液晶装置を提供することをその目的とするものである
。
て、完全な光の通過のＯＦＦ状態を形成することができ
る液晶装置を提供することをその目的とするものである
。
本発明は櫛形電極を有する透明基板と対向電極を有する
透明基板とを両電極が相対向するよう【近接配置すると
ともに両透明基板間に液晶を封入した液晶セルと、前記
櫛形電極間の電界による液晶の配向方向と平行となる偏
光軸を有する偏光板とから成る液晶装置において、前記
透明基板の少なくとも一方の基板の外表面における前記
櫛形電極の基底部（対応する部分に遮光体を配設したこ
とを特徴とするものである。
透明基板とを両電極が相対向するよう【近接配置すると
ともに両透明基板間に液晶を封入した液晶セルと、前記
櫛形電極間の電界による液晶の配向方向と平行となる偏
光軸を有する偏光板とから成る液晶装置において、前記
透明基板の少なくとも一方の基板の外表面における前記
櫛形電極の基底部（対応する部分に遮光体を配設したこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明を添付図１１ｉｃ基づき詳細に説明する。
第２図体５１Ｂ）は本発明の液晶装置の基本構成を示し
、ｌは液晶セル、Ｐｏは偏光板である。
、ｌは液晶セル、Ｐｏは偏光板である。
液晶セルｌは内面に櫛形の電極Ｌ・、Ｌ２を有する透明
基板２と内向に対向電極ＬＸを有する透明基板３を、両
基板間に所定間−を形成するようにスペー９４を介して
近接配置し、該間隙内に正の誘電異方性を示す液晶Ｓを
封入したものである。
基板２と内向に対向電極ＬＸを有する透明基板３を、両
基板間に所定間−を形成するようにスペー９４を介して
近接配置し、該間隙内に正の誘電異方性を示す液晶Ｓを
封入したものである。
前記透明基板２．３の白衣＠Ｃは、分子配向処理が施し
てあり、液晶Ｓの分子が基板に対し平行もしくは−直に
なるように処理されている。
てあり、液晶Ｓの分子が基板に対し平行もしくは−直に
なるように処理されている。
―記−形電極Ｌ・、Ｌｚ及び対向電極Ｌ１は酸化スベ酸
化インジウム等の透明導電社料から成り、従来周知の薄
膜手法及びエツチング加工法を採用することにより形成
される。
化インジウム等の透明導電社料から成り、従来周知の薄
膜手法及びエツチング加工法を採用することにより形成
される。
前記櫛形電極は９８図に示すように凹状の電極Ｌ＠に凸
状の電極Ｌ２を嵌入させた形状を有しており、凹状の電
ＩｉＬ・は共通電極として接地されており、凸状の電極
Ｌ３は、駆動電極として外部電ＩＩ（不図示）に接続さ
れている。この櫛形電＠Ｌｏ、Ｌ！間に駆動電圧ｖｄが
印加されると、櫛形電極の基底部（１１８１１斜線部参
ＩＫ）の領域を除いて液晶Ｓは液晶セルｌの基［１，ｌ
に対し強制的に平行に配向される。
状の電極Ｌ２を嵌入させた形状を有しており、凹状の電
ＩｉＬ・は共通電極として接地されており、凸状の電極
Ｌ３は、駆動電極として外部電ＩＩ（不図示）に接続さ
れている。この櫛形電＠Ｌｏ、Ｌ！間に駆動電圧ｖｄが
印加されると、櫛形電極の基底部（１１８１１斜線部参
ＩＫ）の領域を除いて液晶Ｓは液晶セルｌの基［１，ｌ
に対し強制的に平行に配向される。
また、前記対向電極Ｌｌは制御電極として外部電源（不
図示）ＥＩｌ絖されており、前記共通接地電極Ｌｏとの
間で制御電圧ｖｃＩが印加されると液晶Ｓは基板２．３
に対し垂直に強制的に配向される。
図示）ＥＩｌ絖されており、前記共通接地電極Ｌｏとの
間で制御電圧ｖｃＩが印加されると液晶Ｓは基板２．３
に対し垂直に強制的に配向される。
前記櫛形電極の基底部の領域の液晶は、櫛形電極Ｌｅ、
ｔ、ｚ間に駆動電圧Ｖｄを印加したと＃に、液晶セル
１の基＠２．３ｒ一対し垂直方向に配向されその結果、
光の通過を許容すること（なり、この領域は実際上、液
晶装置として機能しない部分である。
ｔ、ｚ間に駆動電圧Ｖｄを印加したと＃に、液晶セル
１の基＠２．３ｒ一対し垂直方向に配向されその結果、
光の通過を許容すること（なり、この領域は実際上、液
晶装置として機能しない部分である。
そこで、本発明（おいては、透明基鈑２．３の少なくと
も一方の基１ｆｌ＃ｃおいて、櫛形電極の基底部【該当
する部分【遼光体を配設することが重要である。このた
めに、例えば１ｓ１図に示すように、液晶セルｌの透明
基板３の外表面には、櫛形電極Ｌ・、Ｌｚの基底部【＃
当する部分【金属蒸着膜等から成る遮光体６が配設され
ている。
も一方の基１ｆｌ＃ｃおいて、櫛形電極の基底部【該当
する部分【遼光体を配設することが重要である。このた
めに、例えば１ｓ１図に示すように、液晶セルｌの透明
基板３の外表面には、櫛形電極Ｌ・、Ｌｚの基底部【＃
当する部分【金属蒸着膜等から成る遮光体６が配設され
ている。
尚、前記櫛形電極Ｌｏ％Ｌ２の歯数は第３図に示す３個
のものＣ４Ｉ定されるものではなく、液晶セル１の大き
さ等に応じその歯数を任意に変更することが可能である
。
のものＣ４Ｉ定されるものではなく、液晶セル１の大き
さ等に応じその歯数を任意に変更することが可能である
。
餉配偏光板Ｐｏｔ寡液晶セルｌの引りすなわち光の出射
側に配置されており、その偏光軸は液晶セル１の櫛形電
極Ｌ・、Ｌｚの方向と直交する方向、換言すれば、櫛形
電極間の電界【よる液晶５の配向方向と平行となってい
る。
側に配置されており、その偏光軸は液晶セル１の櫛形電
極Ｌ・、Ｌｚの方向と直交する方向、換言すれば、櫛形
電極間の電界【よる液晶５の配向方向と平行となってい
る。
かくして、本発明の液晶装置に於いて、液晶セルｌの前
部すなわち光の入射側に光源としてタングステンを発光
エレメントとする夏ラング（図示せず）を配置し、該液
晶セル１の櫛形電極Ｌ・、Ｌｚ間に駆動電圧ｖｄを印加
した場合、液晶２０分子は液晶セル１０基板に対し平行
（嬉８図（Ｂ）の１軸方向）Ｅ配向し、通過する平行方
向ｃＸ軸方向）の光を強く吸収して、垂直方向（Ｘ軸方
向）の光のみを通過させる。この液晶セルｌを通過した
垂直方向（Ｘ軸方向）の光は、液晶セル１区近接して配
置された偏光軸が液晶セル１の平行方向ＣＸ軸方向）と
岡方崗の偏光ＩＩＰ・（より徴収され、偏光１１Ｐ・を
通過することはなく完全に速断され、党の通過のＯＦＦ
状腸が形成される。
部すなわち光の入射側に光源としてタングステンを発光
エレメントとする夏ラング（図示せず）を配置し、該液
晶セル１の櫛形電極Ｌ・、Ｌｚ間に駆動電圧ｖｄを印加
した場合、液晶２０分子は液晶セル１０基板に対し平行
（嬉８図（Ｂ）の１軸方向）Ｅ配向し、通過する平行方
向ｃＸ軸方向）の光を強く吸収して、垂直方向（Ｘ軸方
向）の光のみを通過させる。この液晶セルｌを通過した
垂直方向（Ｘ軸方向）の光は、液晶セル１区近接して配
置された偏光軸が液晶セル１の平行方向ＣＸ軸方向）と
岡方崗の偏光ＩＩＰ・（より徴収され、偏光１１Ｐ・を
通過することはなく完全に速断され、党の通過のＯＦＦ
状腸が形成される。
尚、この時櫛形電極Ｌ・、Ｌｚの基底ｍｃおいては液晶
分子の配向はＸ軸方向に対し・ＯｏずれたＸ軸方向とな
り、Ｘ軸方向の光がそのまま液晶セル１及び偏光板Ｐｏ
を通過し、光の通過のＯＮ状態が形成されるが、前記遮
光体６ｃより完全に光の通過が速断されているため、完
全な光のＯＦＦ状−が形成される。
分子の配向はＸ軸方向に対し・ＯｏずれたＸ軸方向とな
り、Ｘ軸方向の光がそのまま液晶セル１及び偏光板Ｐｏ
を通過し、光の通過のＯＮ状態が形成されるが、前記遮
光体６ｃより完全に光の通過が速断されているため、完
全な光のＯＦＦ状−が形成される。
また、液晶セルｌの灼向電極Ｌｌと接地電極り。
間に制御電圧Ｖｃを印加した場合、液晶５の分子は液晶
セルｌの基板Ｃ灼し垂直方向（第２図（Ｂ） Ｘ軸方向
）に配向し、光は液晶５ｃよる吸収を受けることはなく
、そのまま液晶セル１を通過する。この液晶セルｌを通
過した光は、液晶セル１ｃ近接して配置された偏光板Ｐ
ｏＣより、偏光板ＰＧの偏光軸以外の光は吸収されるも
のの偏光軸に平行な光はそのまま通過し、光の通過のＯ
Ｎ状態が形成される。これにより光の通過のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状口が形成される。
セルｌの基板Ｃ灼し垂直方向（第２図（Ｂ） Ｘ軸方向
）に配向し、光は液晶５ｃよる吸収を受けることはなく
、そのまま液晶セル１を通過する。この液晶セルｌを通
過した光は、液晶セル１ｃ近接して配置された偏光板Ｐ
ｏＣより、偏光板ＰＧの偏光軸以外の光は吸収されるも
のの偏光軸に平行な光はそのまま通過し、光の通過のＯ
Ｎ状態が形成される。これにより光の通過のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状口が形成される。
なお、本発明においては遮光体６を配設する位置は透明
基板２．３の外表面Ｃおける櫛形電極の基底＠Ｃ対応す
る部分以外に透明基＊２．３の内表面であってもよい。
基板２．３の外表面Ｃおける櫛形電極の基底＠Ｃ対応す
る部分以外に透明基＊２．３の内表面であってもよい。
例えば透明基板２の内表面において櫛形電極の基底部上
に直接不透明の絶縁樹脂等から成る遣光体を塗布するこ
ともできる。
に直接不透明の絶縁樹脂等から成る遣光体を塗布するこ
ともできる。
次に、本発明を以下に示す実施例に基づき説明する。
下記の実施例においては液晶セル及び偏光板を第２図に
示すように配置するとともに、櫛形電極は亀３図に示す
形状とした。そして光源としてはＨａ −Ｎｅ ｖ−ｆ
−（入＝ ６８２８１） ＊’ｆｌ用Ｌ、各ｍ晶セル
に駆動電圧（Ｖｄ ）、制御電圧（Ｖ・）をそれぞれ印
加して液晶装置としての応答速度（立上り時間及び立下
り時間）及び表示の鮮明度としてのコントラスト比を測
定した。
示すように配置するとともに、櫛形電極は亀３図に示す
形状とした。そして光源としてはＨａ −Ｎｅ ｖ−ｆ
−（入＝ ６８２８１） ＊’ｆｌ用Ｌ、各ｍ晶セル
に駆動電圧（Ｖｄ ）、制御電圧（Ｖ・）をそれぞれ印
加して液晶装置としての応答速度（立上り時間及び立下
り時間）及び表示の鮮明度としてのコントラスト比を測
定した。
尚、応答速度としての立上り時間（１：ｗｒｉｔｅ）、
立下り時間（１１：ｅｒａ畠・）及びコントラスト比は
次式により規定する。
立下り時間（１１：ｅｒａ畠・）及びコントラスト比は
次式により規定する。
’ＣｗｒｉＬｓ＝ Ｔ、ｄｅｌａｙ ＋ １；
ｒｉａａ１：ｅｒａ＠・＝ Ｅ ｄ＠ａａｙ式中、
１：ｄ＠１ｍＦ ＝透過光強度の最小値から透過光強度
の最大値の１０ Ｌｓｃなるまでの立上り時 間 ”Ｃｒｉａａ −透過光強度の最大値のｌＯ嘩から９
０％ｉＣなるまでの 時間 Ｃｄ＠ｃｍｙ ＝透過光強度の最大値の９０−からｌＯ
慢（なるまでの 時間 式中、Ｔｗｍｘ ： 透過光強度の最大値７ｊ＋ｎｉｎ
： 透過光強度の最小値〔実施例１〕 液晶セル及び偏光板を下記のものより構成し、制御電圧
（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ−ｍ−ａ）、駆動電圧（Ｖｄ
）として３５Ｖ（ｒ−ｍ−ｓ）を印加し応答速度及びコ
ントラスト比を測定した。
ｒｉａａ１：ｅｒａ＠・＝ Ｅ ｄ＠ａａｙ式中、
１：ｄ＠１ｍＦ ＝透過光強度の最小値から透過光強度
の最大値の１０ Ｌｓｃなるまでの立上り時 間 ”Ｃｒｉａａ −透過光強度の最大値のｌＯ嘩から９
０％ｉＣなるまでの 時間 Ｃｄ＠ｃｍｙ ＝透過光強度の最大値の９０−からｌＯ
慢（なるまでの 時間 式中、Ｔｗｍｘ ： 透過光強度の最大値７ｊ＋ｎｉｎ
： 透過光強度の最小値〔実施例１〕 液晶セル及び偏光板を下記のものより構成し、制御電圧
（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ−ｍ−ａ）、駆動電圧（Ｖｄ
）として３５Ｖ（ｒ−ｍ−ｓ）を印加し応答速度及びコ
ントラスト比を測定した。
液晶セル
使用液晶二ＺＬＩ −１５５７（メルク社Ｍ）透明基板
ニガラス基板 電極材料二酸化インジウム 透明基板間膝（液晶層厚） ： １２．５μ厘偏光板 ＨＮ−１１（ポラロイド社製） （測定結果） 応答速度 立上り時間（てｗｒｉｔｅ） ＝ ｇＬＩＳ ｍ５ｅｃ
立下り時間（τｄ＠ｅａｙ） ＝ （Ｌ３！ ｔａｍ＠
ｓコントラスト比 〔実施例２〕 実施例１の透明基板間ＩＩ（液晶層厚）を９．０μｌと
した液晶セルを用い制御電圧（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ
−ｍ−ｓ）駆動電圧（Ｖｄ）として３５Ｖ（ｒ−ａ＋−
ａ）を印加し実施例１と同一方法で応答速度、及びコン
トラスト比を測定した。
ニガラス基板 電極材料二酸化インジウム 透明基板間膝（液晶層厚） ： １２．５μ厘偏光板 ＨＮ−１１（ポラロイド社製） （測定結果） 応答速度 立上り時間（てｗｒｉｔｅ） ＝ ｇＬＩＳ ｍ５ｅｃ
立下り時間（τｄ＠ｅａｙ） ＝ （Ｌ３！ ｔａｍ＠
ｓコントラスト比 〔実施例２〕 実施例１の透明基板間ＩＩ（液晶層厚）を９．０μｌと
した液晶セルを用い制御電圧（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ
−ｍ−ｓ）駆動電圧（Ｖｄ）として３５Ｖ（ｒ−ａ＋−
ａ）を印加し実施例１と同一方法で応答速度、及びコン
トラスト比を測定した。
（Ｉ１１１定結果）
応答速度
立上り時間（１：ｗｒｉｔｅ） ＝ ０．３３ｍ５＠ｅ
立下り時間（’［ｄｓａａｙ） ＝ ０．３１１５ｍｓ
＠ｅコントラスト比 〔実施例３〕 実施例１の透明基板間■（液晶層厚）を１０μ纒とした
液晶セルを剛い、制御電圧（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ−
ｍ４）駆動電圧（Ｖｄ）としテ５０Ｖ（ｒ−ｍ−ａ）を
印屯 加し、実施例１と同一方法で応答速度及びコントラスト
比を測定した。
立下り時間（’［ｄｓａａｙ） ＝ ０．３１１５ｍｓ
＠ｅコントラスト比 〔実施例３〕 実施例１の透明基板間■（液晶層厚）を１０μ纒とした
液晶セルを剛い、制御電圧（Ｖｅ）として３５Ｖ（ｒ−
ｍ４）駆動電圧（Ｖｄ）としテ５０Ｖ（ｒ−ｍ−ａ）を
印屯 加し、実施例１と同一方法で応答速度及びコントラスト
比を測定した。
（測定結果）
応答速度
立上り時間（τｗｒ ｉ ｔ・） ＝ ０．２７ｍ１ｅ
ｅ立Ｆり時間〔てｄｅｃａｙ） ＝ ０．３０ｍ５ｅｃ
コントラスト比 〔比較例〕 実施例１の液晶セル及び２枚の偏光板を第１図に示すよ
うに配置し、制御電圧（Ｖｃ）としてｓｓＶ（ｒ−ｍ−
ｓ）、駆動電圧（Ｖｄ ）として３５Ｖ（ｒ−ｉｎ−ｓ
＋）を印加し応答速度及びコントラスト比を測定した。
ｅ立Ｆり時間〔てｄｅｃａｙ） ＝ ０．３０ｍ５ｅｃ
コントラスト比 〔比較例〕 実施例１の液晶セル及び２枚の偏光板を第１図に示すよ
うに配置し、制御電圧（Ｖｃ）としてｓｓＶ（ｒ−ｍ−
ｓ）、駆動電圧（Ｖｄ ）として３５Ｖ（ｒ−ｉｎ−ｓ
＋）を印加し応答速度及びコントラスト比を測定した。
（測定結果）
応答速度
立上り時間（てｗｒｉｔ＠） ＝ １．ｓ ｕｌｌｌ＠
（１立下り時間（τｄ＠ａａｙ） ＝ ０．３５ ｍ５
ｓａコントラスト比 本発明の液晶装置によれば、上記実施例及び比較例の一
定結果からも判るよう（、液晶セルと１枚の偏光板を、
偏光板の偏光軸が液晶セルの櫛形電極間の電界による液
晶の配向方向と平行となるように配置したことにより、
従来の液晶装置に比し、極めて応答速度が早く、特に立
上り時間が顕著に改良され、且つ高ツノトラスト比の液
晶装置が得られ、その上、液晶セルの櫛形電極の基底部
に該当する部分【遍光体を配設したことｋこより、不要
な光の漏れを防止し、光の通過のＯＦＦ状態が完全【行
なわれる。更に、この遣光体を設けるだけで、液晶装置
の実用部分が規定されるため、その実用部分を任意に且
つ正確に設定することができ、液晶装置の製作も簡単化
される。
（１立下り時間（τｄ＠ａａｙ） ＝ ０．３５ ｍ５
ｓａコントラスト比 本発明の液晶装置によれば、上記実施例及び比較例の一
定結果からも判るよう（、液晶セルと１枚の偏光板を、
偏光板の偏光軸が液晶セルの櫛形電極間の電界による液
晶の配向方向と平行となるように配置したことにより、
従来の液晶装置に比し、極めて応答速度が早く、特に立
上り時間が顕著に改良され、且つ高ツノトラスト比の液
晶装置が得られ、その上、液晶セルの櫛形電極の基底部
に該当する部分【遍光体を配設したことｋこより、不要
な光の漏れを防止し、光の通過のＯＦＦ状態が完全【行
なわれる。更に、この遣光体を設けるだけで、液晶装置
の実用部分が規定されるため、その実用部分を任意に且
つ正確に設定することができ、液晶装置の製作も簡単化
される。
また、本発明によれば高価なＡｆｔ 銀を工１枚しか使
用しないため装置の小型化、低コスト化が達成される。
用しないため装置の小型化、低コスト化が達成される。
なお、本発明は上述した実施例に一＠’ｘ？−されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変史は□１能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変史は□１能である。
第１回置（Ｂ）は従来の液晶装置の構造を説明するため
の図、第２図ＩＡ）（Ｂ）は本発明の液晶装置の構造を
説明するための図、第３図は櫛形電極の一例を示す平面
図である。 ｌ：液晶セル ２．３；−透明基板 ５：液晶 ６：遣先棒 Ｌｏ％Ｌｌ：＠形電極 Ｌｌ：対向電極Ｐｏ１Ａ謳：
偏光板 特許出願人 京都セラミック株式会社 代表者稲盛和夫 河村孝夫
の図、第２図ＩＡ）（Ｂ）は本発明の液晶装置の構造を
説明するための図、第３図は櫛形電極の一例を示す平面
図である。 ｌ：液晶セル ２．３；−透明基板 ５：液晶 ６：遣先棒 Ｌｏ％Ｌｌ：＠形電極 Ｌｌ：対向電極Ｐｏ１Ａ謳：
偏光板 特許出願人 京都セラミック株式会社 代表者稲盛和夫 河村孝夫
Claims (1)
- 機態電極を有する透明基板と対向電極を有する透明基板
とを両電極が相対向するように近接配置するとともに両
透勇基板間Ｃ＠晶を飼犬した液晶セルと、前記櫛形電極
間の電界による液晶の配向方向と平行となる偏光軸を有
する偏光板とから成る液晶装置において、前記透明基板
の少なくとも一方の基板Ｗ−おける前記櫛形電極の基底
ｓＣ該当する部分に透光体を配設したことを特徴とする
液晶装置・
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165376A JPS5865418A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 液晶装置 |
| US06/409,848 US4645304A (en) | 1981-08-25 | 1982-08-20 | Liquid crystal device having interdigitated electrodes with shade member |
| DE19823231285 DE3231285A1 (de) | 1981-08-25 | 1982-08-23 | Fluessigkristallvorrichtung, insbesondere fuer die numerische anzeige |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165376A JPS5865418A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865418A true JPS5865418A (ja) | 1983-04-19 |
Family
ID=15811191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165376A Pending JPS5865418A (ja) | 1981-08-25 | 1981-10-15 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5865418A (ja) |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56165376A patent/JPS5865418A/ja active Pending
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