JPS5857707B2 - チヨウオンパタンシヨクシ - Google Patents
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- JPS5857707B2 JPS5857707B2 JP13834475A JP13834475A JPS5857707B2 JP S5857707 B2 JPS5857707 B2 JP S5857707B2 JP 13834475 A JP13834475 A JP 13834475A JP 13834475 A JP13834475 A JP 13834475A JP S5857707 B2 JPS5857707 B2 JP S5857707B2
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超音波を利用した非破壊検査装置、超音波診断
装置などに使用される探触子に関し、特に従来からの欠
点である1損失の多さ、2帯域巾の狭さを同時に解決す
る手法を提供する。
装置などに使用される探触子に関し、特に従来からの欠
点である1損失の多さ、2帯域巾の狭さを同時に解決す
る手法を提供する。
第1図に典型的な従来例型探触子の構成を示す。
図において1は圧電板、2は電極、3は1/4波長板な
どのマツチング板、4は一般にダンパーと呼ばれている
裏面負荷、5はリード線である。
どのマツチング板、4は一般にダンパーと呼ばれている
裏面負荷、5はリード線である。
圧電板10例としてはPZTなとの圧電セラミック、水
晶、LiNbO3などの圧電結晶があげられる。
晶、LiNbO3などの圧電結晶があげられる。
マツチング層3とダンパー4の代表としてはエポキシな
どの樹脂にタングステン粉末を適量混合させたものが一
般的である。
どの樹脂にタングステン粉末を適量混合させたものが一
般的である。
つぎに第2図にもとずいて従来型探触子の使用例を説明
する。
する。
図において21は第1図に示した探触子、22は人体な
どの被検物体、23は高周波パルス発振源、24は高周
波受信器、25は信号表示器である。
どの被検物体、23は高周波パルス発振源、24は高周
波受信器、25は信号表示器である。
高周波パルス発振源23より発生された高周波パルス2
6は探触子21によって超音波に変換され、超音波パル
ス2Tとなって被検体22中を進行し、被検部28に当
って反射パルス29を生じる。
6は探触子21によって超音波に変換され、超音波パル
ス2Tとなって被検体22中を進行し、被検部28に当
って反射パルス29を生じる。
この反射パルス29は再び探触子21によって高周波パ
ルスとなって、これが高周波受信機24によって検出の
上適当な信号処理をうけたあと信号表示器25によって
表示され、被検体内部の各種情報探索に供用される。
ルスとなって、これが高周波受信機24によって検出の
上適当な信号処理をうけたあと信号表示器25によって
表示され、被検体内部の各種情報探索に供用される。
なお探触子21は被検体22との接触をよくするため両
者の間に油などの油滑性の物質211を介在させる。
者の間に油などの油滑性の物質211を介在させる。
第1図、第2図で述べた従来方式の探触子を使用した非
破壊検査装置の欠点をつぎに述べる。
破壊検査装置の欠点をつぎに述べる。
第1の欠点は従来型探触子の損失の多さである。
この損失の大きい原因は概略二つの原因によるものであ
る。
る。
第一は第1図において、圧を板1によって発生した音波
が被検体方向へ向う他ダンパー14方向にかなり向う点
である。
が被検体方向へ向う他ダンパー14方向にかなり向う点
である。
すなわち、ダンパー4によって発生した音波のかなりの
量が消費されてしまう点である。
量が消費されてしまう点である。
第二の原因は圧電板1の電気的マツチング条件が悪い点
である。
である。
すなわち高周波信号がうまく圧電板1に吸収されないと
いう点である。
いう点である。
第2の欠点は従来型探触子の高周波応答特性の悪さ、換
言すれば探触子21の周波数帯域中の狭さである。
言すれば探触子21の周波数帯域中の狭さである。
この原因は圧電板1の電気的マツチング条件の悪いこと
とダンパー4およびマツチング層3の特性の悪さに基く
ものである。
とダンパー4およびマツチング層3の特性の悪さに基く
ものである。
第1の欠点を除去するためにはダンパ一層4の響インピ
ーダンスを低くするかあるいはこれをとり除けばよいが
、こうすることによって探触子の周波数特性が悪くなり
、第2の欠点がますます増大する。
ーダンスを低くするかあるいはこれをとり除けばよいが
、こうすることによって探触子の周波数特性が悪くなり
、第2の欠点がますます増大する。
第1の欠点を具体的に示すために1つの例をとりあげる
。
。
第3図は圧電板の結合係数が0.5、音響インピーダン
スか30.3 X 105cgs。
スか30.3 X 105cgs。
×波長マツチング層の音響インピーダンスが被検体(水
)と圧電板のそれの幾何平均である場合の探触子のトラ
ンスジューサ利得を周波数の関数とし、で計算したもの
である。
)と圧電板のそれの幾何平均である場合の探触子のトラ
ンスジューサ利得を周波数の関数とし、で計算したもの
である。
探触子と電気系とのマツチングを良くするための並列に
インダクタンスと抵抗を接続している。
インダクタンスと抵抗を接続している。
この例では、探触子の利得は一7bB程度は必ずあり、
これを良くすることと周波数特性を良くすることとは同
時に達成できないことが示されている。
これを良くすることと周波数特性を良くすることとは同
時に達成できないことが示されている。
これは一例であるが他の一般的な場合についても計算し
て見ると同じことが言える。
て見ると同じことが言える。
すなわち従来型の探触子においてはかなりの入力かダン
パ一層に消費され、損失が大きい。
パ一層に消費され、損失が大きい。
以上は計算に基く理想的な場合であるが、現実には、上
記の場合に加えさらにいろいろな問題が発生する。
記の場合に加えさらにいろいろな問題が発生する。
中でも大きな問題はマツチング層3、ダンパー4の材質
である。
である。
従来から用いられていルタンパ一層、マツチング層はい
ずれも合成樹脂にタングステン粉末を梶入させ固化させ
たものであり、合成樹脂の固化に時間を要する関係上タ
ングステン粉末の混入が一様にならず、その結果として
、でき上り材料に不均一性を生ずる。
ずれも合成樹脂にタングステン粉末を梶入させ固化させ
たものであり、合成樹脂の固化に時間を要する関係上タ
ングステン粉末の混入が一様にならず、その結果として
、でき上り材料に不均一性を生ずる。
これが原因となって実験的には探触子の損失はさらに増
大することとなっていた。
大することとなっていた。
第2の欠点である周波数帯域中であるかこれは上述の第
1の欠点とも関連しており、ここでも適当で均質なマツ
チング層とダンパーが必要とされる。
1の欠点とも関連しており、ここでも適当で均質なマツ
チング層とダンパーが必要とされる。
これに加えて圧電体自身の材料定数が問題となる。
とくに重要なのは電気機械結合係数の大きいことと、誘
電率の値である。
電率の値である。
誘電率としては、その圧電体使って構成される探触子の
義気インピーダンス値か、探触子、駆動用電源インピー
ダンス値に近い値を与えるような大きさ、具体的にはξ
aが100〜5000間の値に入るものであることが望
ましい。
義気インピーダンス値か、探触子、駆動用電源インピー
ダンス値に近い値を与えるような大きさ、具体的にはξ
aが100〜5000間の値に入るものであることが望
ましい。
しかしながら、従来から存在する圧電セラミックや圧電
結晶材料では誘電率が上述の条件を満足するものがなか
った。
結晶材料では誘電率が上述の条件を満足するものがなか
った。
本発明は以上のような欠点を解消したもので、以下図面
とともに詳細に説明する。
とともに詳細に説明する。
第4図は本発明に基づく探触子の一実施例の構成を示す
。
。
図において、44は探触子全体を示し、圧電41.電極
42およびマツチング層47から成っている。
42およびマツチング層47から成っている。
43は電極42に接続されたリード線で、探触子44か
らの電気信号をマツチング回路45に供給する。
らの電気信号をマツチング回路45に供給する。
46は受信回路である。圧電板41としては、厚み縦振
動の結合係数の値が少くとも40%以上ある大きいもの
で、かつ誘電率ε33の値が100〜500程度の圧電
セラミックが望ましい。
動の結合係数の値が少くとも40%以上ある大きいもの
で、かつ誘電率ε33の値が100〜500程度の圧電
セラミックが望ましい。
このような圧電セラミックとしては、たとえばPbOと
TlO2を主成分とし、これに微量のMnO2とLa2
O3を添加した圧電セラミックあるいはPb(M1y3
NbK)o3とPbTiO2とPbZrO3を主成分と
し、これに微量のCr2o3 又はCoOを添加した
圧電セラミックなどがある。
TlO2を主成分とし、これに微量のMnO2とLa2
O3を添加した圧電セラミックあるいはPb(M1y3
NbK)o3とPbTiO2とPbZrO3を主成分と
し、これに微量のCr2o3 又はCoOを添加した
圧電セラミックなどがある。
電極42は圧電板41の画面上lこAP 、 Au 。
At、Ni 、Cr 、Cuなどの金属層を形成してつ
くられる。
くられる。
マツチング層47は第1ないし第3のマツチング層48
〜50から成る3層構造をしている。
〜50から成る3層構造をしている。
第1のマツチング層48としては、5FS−1゜S F
G−1板のような特殊重フリントガラス、重フリント
ガラス、テルライトガラスのような鉛ガラスが、第2の
マツチング層49としてはA8□s3ガラスやCe52
ガラスのようなSを含むカルゴゲンガラスが、第3のマ
ツチング層50としてはポリカーボネイト、アクリル、
ポリスチレンなどのような音響インピーダンスが2〜3
の高分子物質が利用される。
G−1板のような特殊重フリントガラス、重フリント
ガラス、テルライトガラスのような鉛ガラスが、第2の
マツチング層49としてはA8□s3ガラスやCe52
ガラスのようなSを含むカルゴゲンガラスが、第3のマ
ツチング層50としてはポリカーボネイト、アクリル、
ポリスチレンなどのような音響インピーダンスが2〜3
の高分子物質が利用される。
圧電板および第1ないし第3のマツチング層の材料はい
ずれも平板状に平行研磨し、圧電板41は厚み縦振動の
に波長共振構造をもたせた上で、板の両面に電極材料、
たとえばAuを蒸着によってつける。
ずれも平板状に平行研磨し、圧電板41は厚み縦振動の
に波長共振構造をもたせた上で、板の両面に電極材料、
たとえばAuを蒸着によってつける。
第1、第2、第3のマツチング層の厚さはそれぞれを圧
電板41より発生する音波のそれぞれの層中におけるイ
波長で規格化した値TN1゜TN21 ”Nsで記述す
ることにして、それぞれ0.5TN1,0.5TN2,
0.5TN3まで研磨の上、上記圧電板に音響的接着さ
せる。
電板41より発生する音波のそれぞれの層中におけるイ
波長で規格化した値TN1゜TN21 ”Nsで記述す
ることにして、それぞれ0.5TN1,0.5TN2,
0.5TN3まで研磨の上、上記圧電板に音響的接着さ
せる。
いま、第1のマツチング層48としてSFS−1ガラス
、第2のマツチング層としてAs 2 S 3ガラス第
3のマツチング層としてポリカーボネイトを使用し、共
振周波数を2MHzに選ぶ場合には、それぞれの厚さは
次のようになる。
、第2のマツチング層としてAs 2 S 3ガラス第
3のマツチング層としてポリカーボネイトを使用し、共
振周波数を2MHzに選ぶ場合には、それぞれの厚さは
次のようになる。
圧電セラミック :0.97つ
5FS−1ガラス 二〇、41mm
AS 2 S 3ガラス 二 〇、33關ポリカーボ
ネイト:o、25mm 上述した構成の本発明による探触子では、圧電板41で
発生した音波は、従来型探触子のようにダンパ一層で消
費されることなくすべてマツチング層47を通じて被検
体の方へ進行することになり、従来型探触子でみられた
トランスジューサ利得の減少(少くとも一7dB以下)
か回避されることになり、結果的に探触子の感度か大巾
に向上する。
ネイト:o、25mm 上述した構成の本発明による探触子では、圧電板41で
発生した音波は、従来型探触子のようにダンパ一層で消
費されることなくすべてマツチング層47を通じて被検
体の方へ進行することになり、従来型探触子でみられた
トランスジューサ利得の減少(少くとも一7dB以下)
か回避されることになり、結果的に探触子の感度か大巾
に向上する。
マツチング層47としては従来の探触子に見られるよう
な合成樹脂と金属粉の混合体が使用されていないため、
材料の不均一がなく、探触子の特性は常に一定したもの
が製造可能となる。
な合成樹脂と金属粉の混合体が使用されていないため、
材料の不均一がなく、探触子の特性は常に一定したもの
が製造可能となる。
さらにマツチング層47が三属であるため、マツチング
層材料、層厚に自由度ができて理想的なマツチング条件
が実現しやすくなり結果的に広帯域で高感度の探触子が
製作できる。
層材料、層厚に自由度ができて理想的なマツチング条件
が実現しやすくなり結果的に広帯域で高感度の探触子が
製作できる。
上述の効果をさらに具体的に説明するために、従来型探
触子のトランスジューサ利得の周波数変化(第3図)を
本発明に基く探触子のトランスジューサ利得の周波数変
化と比較する。
触子のトランスジューサ利得の周波数変化(第3図)を
本発明に基く探触子のトランスジューサ利得の周波数変
化と比較する。
第5図は上述の具体的実施例に基いて製作した探触子の
トランスジューサ利得対周波数関係を示す理論および実
験データである。
トランスジューサ利得対周波数関係を示す理論および実
験データである。
この図において、第4図のマツチング回路45および、
駆動回路46に相当するものとしてはそれぞれ0.71
/Q)。
駆動回路46に相当するものとしてはそれぞれ0.71
/Q)。
coのインピーダンス値をもった直列コイル、0.41
/l。
/l。
Coの内部抵抗を持った電源が使われた場合についての
ものを想定している。
ものを想定している。
ここでω。=2πfo、fo、C8はそれぞれ圧電板4
1の反共振周波数とクランプ容量の値である。
1の反共振周波数とクランプ容量の値である。
第5図で示されているように本発明に基く探触子ではT
Gの値は0.5〜1.3foにかけて3dB以下であり
、非常に高い。
Gの値は0.5〜1.3foにかけて3dB以下であり
、非常に高い。
これは従来型のものを比較すると本発明に基く探触子が
非常に高感度であり、しかも広帯域であってより忠実な
信号再生能力をもっていることを示すものである。
非常に高感度であり、しかも広帯域であってより忠実な
信号再生能力をもっていることを示すものである。
第5図は本発明の一実施例における特性でありマツチン
グ層47のそれぞれの厚さもそね、ぞれ0.5TN1,
0.5TN2,0.5TN3の場合であった。
グ層47のそれぞれの厚さもそね、ぞれ0.5TN1,
0.5TN2,0.5TN3の場合であった。
実験と計算によるとこれらの値は0.4〜0.6TN1
104〜0.6 TN2.0.3〜0.7 ’1’N3
でもほぼ゛同様な探触子としての特性が得られることが
わかった。
104〜0.6 TN2.0.3〜0.7 ’1’N3
でもほぼ゛同様な探触子としての特性が得られることが
わかった。
またマツチング層材料としては下記の材料が適している
ことがわかった。
ことがわかった。
第一層:テルライトガラス、特殊重フリントガラス、重
フリントガラス 第二層:0eS2ガラス、As 2 S sガラス第三
層二ポリカーボネイト、アクリル、ポリスチレン また圧電板としては、−成分基、二、三成分系セラミッ
クのうちとくに厚み縦振動に対する結合係数の値が40
%以上、誘電率ξSの値か100〜500をもつものが
適していることがわかった。
フリントガラス 第二層:0eS2ガラス、As 2 S sガラス第三
層二ポリカーボネイト、アクリル、ポリスチレン また圧電板としては、−成分基、二、三成分系セラミッ
クのうちとくに厚み縦振動に対する結合係数の値が40
%以上、誘電率ξSの値か100〜500をもつものが
適していることがわかった。
以上のように本発明に基く探触子は従来構造によるダン
パーでの損失を無くシ、マツチング層による理想的マツ
チングを実現したため、高感度、広帯域の特性を比較的
簡単な構成で生み出すことができるようになって。
パーでの損失を無くシ、マツチング層による理想的マツ
チングを実現したため、高感度、広帯域の特性を比較的
簡単な構成で生み出すことができるようになって。
本発明は人体の検診用に使用される超音波診断装置、産
業用材料の検査に使用される超音波非破壊検査装置用と
して極めて有用なものとなる。
業用材料の検査に使用される超音波非破壊検査装置用と
して極めて有用なものとなる。
第1図は従来の超音波探触子の構成を示す一部断面側面
図、第2図は超音波探触子を使用した診断装置の実施例
を示す構成図、第3図は従来の超音波探触子の利得の周
波数特性図、第4図は本発明による超音波探触子の実施
例を示す構成図、第5図は本発明による超音波探触子の
利得の周波数特性図である。 1.41・・・・・・圧電板、2,42・・・・・・電
極、3゜47・・・・・・マツチング層、4・・・・・
・裏面負荷、5,43・・・・・・リード線、21.4
4・・・・・・探触子、22・・・・・・被検物体、2
3・・・・・・高周波パルス発振源、24・・・・・・
受信器、25・・・・・・信号表示器、28・・・・・
・被検部、45・・・・・・マツチング回路、46・・
・・・・受信回路、48・・・・・・第1のマツチング
層、49・・・・・・第2のマツチング層、50・・・
・・・第3のマツチング層。
図、第2図は超音波探触子を使用した診断装置の実施例
を示す構成図、第3図は従来の超音波探触子の利得の周
波数特性図、第4図は本発明による超音波探触子の実施
例を示す構成図、第5図は本発明による超音波探触子の
利得の周波数特性図である。 1.41・・・・・・圧電板、2,42・・・・・・電
極、3゜47・・・・・・マツチング層、4・・・・・
・裏面負荷、5,43・・・・・・リード線、21.4
4・・・・・・探触子、22・・・・・・被検物体、2
3・・・・・・高周波パルス発振源、24・・・・・・
受信器、25・・・・・・信号表示器、28・・・・・
・被検部、45・・・・・・マツチング回路、46・・
・・・・受信回路、48・・・・・・第1のマツチング
層、49・・・・・・第2のマツチング層、50・・・
・・・第3のマツチング層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 圧電板の一方の面に電極金属層を介して3層構造の
マツチング層を形成したことを特徴とする超音波探触子
。 2 第1のマツチング層が鉛ガラス、第2のマツチング
層が硫黄を含むカルコゲンガラス、第3のマツチング層
が音響インピーダンスが2〜3の高分子物質で構成され
、圧電板の電極金属層上にこの順序で形成したことを特
徴とする特許請求範囲第1項記載の超音波探触子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13834475A JPS5857707B2 (ja) | 1975-11-17 | 1975-11-17 | チヨウオンパタンシヨクシ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13834475A JPS5857707B2 (ja) | 1975-11-17 | 1975-11-17 | チヨウオンパタンシヨクシ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5261987A JPS5261987A (en) | 1977-05-21 |
JPS5857707B2 true JPS5857707B2 (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=15219713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13834475A Expired JPS5857707B2 (ja) | 1975-11-17 | 1975-11-17 | チヨウオンパタンシヨクシ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5857707B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0618204A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-25 | Chiyuuhatsu Hanbai Kk | 産業車両のブ−ム動作検出装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4211948A (en) * | 1978-11-08 | 1980-07-08 | General Electric Company | Front surface matched piezoelectric ultrasonic transducer array with wide field of view |
US4482834A (en) * | 1979-06-28 | 1984-11-13 | Hewlett-Packard Company | Acoustic imaging transducer |
JPS56161040A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-11 | Hitachi Medical Corp | Displaying of tomogram image in ultrasonic tomogram apparatus |
US4366406A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-28 | General Electric Company | Ultrasonic transducer for single frequency applications |
JPS60185499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Terumo Corp | 超音波探触子 |
JPS61176848A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | Honda Keisuke | 超音波顕微鏡 |
JP5681662B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2015-03-11 | 日立アロカメディカル株式会社 | 超音波探触子 |
-
1975
- 1975-11-17 JP JP13834475A patent/JPS5857707B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0618204A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-25 | Chiyuuhatsu Hanbai Kk | 産業車両のブ−ム動作検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5261987A (en) | 1977-05-21 |
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