JPS585085A - Dark current correcting circuit of solid-state image pickup device - Google Patents

Dark current correcting circuit of solid-state image pickup device

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Publication number
JPS585085A
JPS585085A JP56101234A JP10123481A JPS585085A JP S585085 A JPS585085 A JP S585085A JP 56101234 A JP56101234 A JP 56101234A JP 10123481 A JP10123481 A JP 10123481A JP S585085 A JPS585085 A JP S585085A
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JP
Japan
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dark current
signal
horizontal
signal line
solid
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Pending
Application number
JP56101234A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Takahashi
健二 高橋
Naoki Ozawa
直樹 小沢
Shusaku Nagahara
長原 脩策
Kayao Takemoto
一八男 竹本
Tsutomu Fujita
努 藤田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS585085A publication Critical patent/JPS585085A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current

Abstract

PURPOSE:To suppress variation in dark current by equalizing a dark current component of a horizontal signal line to those of a photodiode and a vertical signal line, and subtracting the dark current component from a signal component. CONSTITUTION:The moment a switch 53 is turned on, a dark current component stored in a horizontal signal line is read out in a spike shape. The output signal of a preamplifier 54 is applied to a clamping circuit 55 for dark current detection and a clamping circuit 56 for signal detection. The output of the clamping circuit 55 is inputted through a sample holding circuit 57 to a differential amplifier 58, and a reference level is inputted to the differential amplifier 58. The output of the amplifier 58 is applied to the clamping circuit 56 to clamp an image pickup signal.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体撮像装置に関し、特に固体撮像素、子が発
生する不要な暗電流成分を除去する丸めの信号処理回路
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly to a rounded signal processing circuit for removing unnecessary dark current components generated by a solid-state imaging device.

固体撮像装置は、例えば第1図に示すように1X位置選
択用の水平走査回路(シフトレジスタ)1、Y位置選択
用の垂直走査回路(シフトレジスタ)2.フォトダイオ
ード4とMO8)ランジスタ5とをプレイ状に配置した
感光部3.及び垂直信号線7に蓄積された信号を順次読
み出すための水平スイッチ8からなる。MO8)ランジ
スタ以下MO8Trと記す)5は、信号線6に出力され
た垂直走査パルスによって開閉される垂直スイッチを構
成しており、Y方向に並んだ各垂直スイッチのドレイン
は垂直信号線7によって共通接続され、前記したように
水平走査パルスで開閉される水平スイッチMO8Ti8
を介して出力信号#9に接続されている。従って二次元
状に配列されたフオドダイオード4からの信号は、水平
垂直の2つの走査回路1.2から出力されるパルスでス
イッチ5.8を順次開閉することにより、出力端子10
に次々と読み出される。第2図には以上のようにして読
み出された信号波形を示す。第2図(a)は、垂直走査
周期について示したもので図中21及び22が垂直の帰
線期間である。また23は、水平走査期間を示し24は
水平の帰線期間を示す。
For example, as shown in FIG. 1, the solid-state imaging device includes a horizontal scanning circuit (shift register) 1 for 1X position selection, a vertical scanning circuit (shift register) 2 for Y position selection. A photosensitive section 3 in which a photodiode 4 and a transistor 5 (MO8) are arranged in a play shape. and a horizontal switch 8 for sequentially reading out the signals accumulated on the vertical signal line 7. The MO8) transistor (hereinafter referred to as MO8Tr) 5 constitutes a vertical switch that is opened and closed by the vertical scanning pulse output to the signal line 6, and the drains of the vertical switches arranged in the Y direction are shared by the vertical signal line 7. A horizontal switch MO8Ti8 is connected and opened and closed by horizontal scanning pulses as described above.
is connected to output signal #9 via. Therefore, the signals from the two-dimensionally arranged food diodes 4 are transmitted to the output terminal 10 by sequentially opening and closing the switches 5.8 using pulses output from the two horizontal and vertical scanning circuits 1.2.
are read out one after another. FIG. 2 shows the signal waveform read out as described above. FIG. 2(a) shows the vertical scanning period, and 21 and 22 in the figure are vertical retrace periods. Further, 23 indicates a horizontal scanning period, and 24 indicates a horizontal retrace period.

第2図0)は1水平期間を拡大表示したものである。FIG. 2 0) is an enlarged display of one horizontal period.

φ)の25で示し九期間が映倫信号の期間であり、24
の期間は前述した水平帰線期間である。映像信号は周知
のように直流分を持っておりこれを正しく再現しなけれ
ばならない。通常この直流分を再生するためにはパルス
クランプ回路が用いられる。パルスクランプ回路り広く
一般に用いられている回路であるので詳a4な説明は省
略する。パルスクランプ回路では通常水平の帰線期間を
一定の直流レベルに固定することによ抄直流再生を行っ
ている。しかるに撮偉素子の出力中には真の映倫信号成
分26以外に不要な暗電流成分27が含まれている。こ
の暗電流成分は常に一定であれば問題はないが、暗電流
成分は通常温度によって変化する性質を持つ。以上のこ
とは温度変化によって等測的に直流成分が変動すること
を意味する。映倫信号は直流再生を行った後Kr処理や
ブランキング処理(いわゆるプロセス回路)を行わなけ
ればならないため、直流分の変動は好ましくない。
The nine period indicated by 25 in φ) is the period of Eirin signal, and 24
The period is the horizontal retrace period described above. As is well known, a video signal has a DC component, which must be reproduced correctly. Usually, a pulse clamp circuit is used to regenerate this DC component. Since the pulse clamp circuit is a widely used circuit, a detailed explanation thereof will be omitted. A pulse clamp circuit normally performs direct current regeneration by fixing the horizontal retrace period to a constant direct current level. However, the output of the image sensor includes an unnecessary dark current component 27 in addition to the true video signal component 26. There is no problem if this dark current component is always constant, but the dark current component usually has the property of changing depending on the temperature. The above means that the DC component varies isometrically due to temperature changes. Since the Eirin signal must be subjected to Kr processing and blanking processing (so-called process circuit) after DC reproduction, fluctuations in the DC component are undesirable.

特にカラーカメラにおいては直流分の変動はカラーバラ
ンスをくずすことになり色再現性を著るしく害するため
大きな問題である。本発明はこの暗電流による直流分の
温度変動を抑制する回路方式を提供するものである。以
下詳細に本発明を説明するが、説明に先立ち暗電流の発
生原因について述べる。暗電流の発生する部分は第1図
のMO8臘撮像素子では、主に3ケ所存在する。第1に
はフォトダイオード4であり、第2は垂直信号線7でお
り、第3には水平信号線9である。第3図に1画素が読
み出されるまでに通過する素子の構造を断面図によって
模式的に示した。フォトダイオード4は半導体基板31
(例にP型とする)と逆ONW層によって構成され、こ
れは垂直スイッチM O8T 乳5のソースともなって
いる。垂直M O’8Tm5のドレイ/32はソース同
様N!!!の拡散層で構成されており水平スイッチMO
8Tm8のソース33に垂直信号線7を介して接続され
ている。水平スイッチMO8T18のソース33.ドレ
イン34も同様にN型拡散層で作られていることは首う
までもない。ドレイン34は全水平スイッチM OS 
T m分が信号出力線9によってまとめられ信号出力端
子10まで接続されている。垂直信号線7には垂直方向
の画素分のトランジスタのドレインが並列に接続されて
いることは言うまでもない。
Particularly in color cameras, fluctuations in the DC component are a big problem because they disrupt the color balance and significantly impair color reproducibility. The present invention provides a circuit system that suppresses the temperature fluctuation of the DC component due to this dark current. The present invention will be described in detail below, but prior to the explanation, the cause of dark current generation will be described. In the MO8 image sensor shown in FIG. 1, there are mainly three parts where dark current occurs. The first is the photodiode 4, the second is the vertical signal line 7, and the third is the horizontal signal line 9. FIG. 3 schematically shows, in cross-sectional view, the structure of the elements that pass through until one pixel is read out. The photodiode 4 is a semiconductor substrate 31
(taken as P type in this example) and an inverted ONW layer, which also serves as the source of the vertical switch M O8T 5. Vertical M O'8Tm5's drain/32 is N like the source! ! ! horizontal switch MO
It is connected to the source 33 of 8Tm8 via the vertical signal line 7. Source 33 of horizontal switch MO8T18. It goes without saying that the drain 34 is also made of an N-type diffusion layer. Drain 34 is all horizontal switch MOS
Tm portions are grouped together by a signal output line 9 and connected to a signal output terminal 10. It goes without saying that the drains of transistors for pixels in the vertical direction are connected to the vertical signal line 7 in parallel.

これらのNll拡散層と基板とはPNジャンクションを
構成し、常に逆バイアスで使用される。PNジャンクシ
ョンは温度変化によって暗電流が生ずることは公知であ
る。シリコンを基板として使用した場合の゛暗電流は素
子の製造プロセスにもよるが、30℃上昇するととに約
1ケタの増加があると言われている。60℃の上昇では
約100倍にふえてしまい大きな問題である。
These Nll diffusion layers and the substrate constitute a PN junction, which is always used with a reverse bias. It is known that dark current is generated in a PN junction due to temperature changes. When silicon is used as a substrate, the dark current is said to increase by about one order of magnitude when the temperature rises by 30° C., although it depends on the manufacturing process of the device. An increase of 60°C will increase the temperature by about 100 times, which is a big problem.

以上述べたようにこのPNジャンクションの暗電流が映
像信号中の暗電流となることは説明の必要がないであろ
う。暗電流量は時間に比例するのでフォトダイオード1
個の暗電流量(蓄積時間は通常1/60〜1/30秒)
と多数のドレイン拡散層がまとめられた垂直信号線7(
蓄積時間6&5μs)の暗電流量とはほぼ同レベル発生
し両方とも無視できないのが現状である。
As described above, it is unnecessary to explain that the dark current of this PN junction becomes the dark current in the video signal. Since the amount of dark current is proportional to time, photodiode 1
amount of dark current (accumulation time is usually 1/60 to 1/30 seconds)
and a vertical signal line 7 (where many drain diffusion layers are grouped together).
The current situation is that the amount of dark current generated is approximately the same as the amount of dark current with an accumulation time of 6 and 5 μs, and both cannot be ignored.

次にこの暗電流量を検出し信号の暗電流変化による変動
を抑制する具体的な方法について述べる。
Next, a specific method for detecting this amount of dark current and suppressing fluctuations in the signal due to changes in dark current will be described.

フォトダイオードから発生する暗電流Idp 、 I!
直信号線から発生する暗電流Idv、水平信号線から発
生する暗電流Idwtは蓄積時間がIdpは1&7%5
Idvは6&4−8.Idwは水平の画素数にもよるが
今、水平画素数を384とすれば約14On、Sとなる
。おのおの蓄積時間は異なるが暗電流の温度依存性は同
様である。一般にこれらの暗電流変化を抑制する方法に
第4図に示すように素子受光面41の1部分に光学的に
光を通さないマスク42を設け、この位置を一定電位に
クランプすることにより、暗電流の影響を避ける方法が
行われている。
Dark current Idp generated from the photodiode, I!
The dark current Idv generated from the direct signal line and the dark current Idwt generated from the horizontal signal line have an accumulation time of Idp of 1&7%5.
Idv is 6&4-8. Idw depends on the number of horizontal pixels, but if the number of horizontal pixels is 384, it will be approximately 14 On,S. Although the storage time is different, the temperature dependence of the dark current is the same. Generally, as shown in FIG. 4, a method of suppressing these changes in dark current is to provide a mask 42 that does not optically pass light through a portion of the element light-receiving surface 41, and clamp this position to a constant potential. Methods are being used to avoid the effects of current.

しかしこの方法では光学的に遮蔽した部分42を作るた
め、画素がその分だけ余分に必要である。
However, in this method, since the optically shielded portion 42 is created, an extra number of pixels are required.

固体撮像素子においては、チップ面積を増大することは
即素子製造プロセスにおける歩留抄を悪化させることに
なり好ましくない。そこで本発明においては素子の画素
数の増加をせずに暗電流の変動を抑制する方法を提供す
るものである。
In solid-state imaging devices, increasing the chip area is not preferable because it impairs yield in the device manufacturing process. Therefore, the present invention provides a method for suppressing dark current fluctuations without increasing the number of pixels of an element.

次に具体的な実施例を用いて詳細に説明する。Next, a detailed explanation will be given using a specific example.

第5図、第6図を用いて本発明の一実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described using FIGS. 5 and 6.

本発明では水平出力線の暗電流、垂直線の暗電流、フォ
トダイオードの暗電流も蓄積時間による大きさの差はあ
るが温度依存性は同一である性質を利用する。本発明の
主旨は水平信号線の暗電流を検出してその他のすべての
暗電流を抑制することである。MO8W撮像素子51は
水平、垂直の各ドライブパルスを同期信号発生器52よ
り供給され駆動される。この時、前記したごとく水平信
号線の暗電流の蓄積時間は短かいので、通常の信号読み
出し期間に暗電流量を検出するのはむずかしい。そこで
本発明では垂直帰線期間に検出する。一般に垂直帰線期
間は21H(H:水平走査期間をあられす)設けられて
おりこの期間を蓄積期間に用いれば精度良く暗電流を検
出できる。
The present invention utilizes the property that the dark current of the horizontal output line, the dark current of the vertical line, and the dark current of the photodiode have the same temperature dependence, although their magnitudes differ depending on the storage time. The gist of the present invention is to detect dark current in horizontal signal lines and suppress all other dark currents. The MO8W image sensor 51 is driven by being supplied with horizontal and vertical drive pulses from a synchronizing signal generator 52. At this time, as described above, since the accumulation time of the dark current in the horizontal signal line is short, it is difficult to detect the amount of dark current during the normal signal read period. Therefore, in the present invention, detection is performed during the vertical retrace period. Generally, a vertical retrace period of 21H (H: stands for horizontal scanning period) is provided, and if this period is used as an accumulation period, dark current can be detected with high accuracy.

ただし第1図の構造の撮像素子では信号出力端10には
常時プリアンプが接続されているため、暗電流は常時読
み出されてしまい、蓄積動作は行わない。そとで本発明
では第5図(b)K示すように垂直帰線期間中、水平信
号線9とプリアンプ54を分離するためのスイッチ53
を設ける。このスイッチ53は撮像素子51のチップ上
に設けても良いし、外部にディスクリートな部品として
設けても良い。第6図には撮像素子51を駆動するパル
ス群のタイミングチャート図を示す。スイッチ53は第
6図の(b)に示すように垂直ブランキング期間中のほ
とんどがOFFとなるようK11M閉され、垂直帰線期
間が終る以前KONとなる。水平のシフトレジスタは第
6図(C)に示すスタートパルスで動作する。すなわち
、スイッチ53がOFFしている期間は当然のことなが
ら動作を停止している。
However, in the image pickup device having the structure shown in FIG. 1, since the preamplifier is always connected to the signal output terminal 10, the dark current is always read out and no storage operation is performed. In the present invention, as shown in FIG. 5(b)K, a switch 53 is provided to separate the horizontal signal line 9 and the preamplifier 54 during the vertical retrace period.
will be established. This switch 53 may be provided on the chip of the image sensor 51, or may be provided externally as a discrete component. FIG. 6 shows a timing chart of a pulse group for driving the image sensor 51. In FIG. As shown in FIG. 6(b), the switch 53 is closed K11M so as to be OFF during most of the vertical blanking period, and becomes KON before the end of the vertical retrace period. The horizontal shift register operates with a start pulse shown in FIG. 6(C). That is, while the switch 53 is OFF, the operation is naturally stopped.

以上のようになすと、プリアンプ出力には第6図(d)
に示すような出力波形が得られる(信号の極性は説明の
都合上正極性とした)。すなわちスイッチ53がONし
た瞬間に水平信号線に蓄積した暗電流量61がスパイク
状に読み出される。暗電流量61が読み出された後のレ
ベル62は水平信号線の非常に微少な蓄積時間(140
yb8)に対応する暗電流が現われるがこれは垂直帰線
期間(21H)にくらべ十分に小さく暗電流がない状態
としての基準レベルになり得る。次に水平シフトレジス
タのスタートパルスが入力され信号63が出力される。
If the above is done, the preamplifier output will be as shown in Figure 6(d).
An output waveform as shown in is obtained (the polarity of the signal is assumed to be positive for convenience of explanation). That is, the dark current amount 61 accumulated in the horizontal signal line is read out in the form of a spike at the moment the switch 53 is turned on. The level 62 after the dark current amount 61 is read out is determined by the very short accumulation time (140
A dark current corresponding to yb8) appears, but this is sufficiently smaller than the vertical retrace period (21H) and can serve as a reference level for a state in which there is no dark current. Next, a start pulse of the horizontal shift register is input and a signal 63 is output.

第5図はおいてプリアンプ54の出力信号は恒系統にわ
けられまず一方は暗電流検出用のクランプ回路55に加
えられ直流再生される。もう一方の出力は信号用のクラ
ンプ回路56に加えられる。クランプパルスを第6図(
鎖に示す。
In FIG. 5, the output signals of the preamplifier 54 are divided into constant circuits, and one of them is applied to a clamp circuit 55 for dark current detection, where it is regenerated as a direct current. The other output is applied to a signal clamp circuit 56. The clamp pulse is shown in Figure 6 (
Shown on the chain.

暗電流検出用クランプ回路55で一定電位に直流固定さ
れた信号は2系統のサンプルホールド回路57に加えら
れる。一方のサンプルホールド回路では第6図(e>に
方 パルスで暗電流量61をサンプルホールドし、残り
のサンプルホールド回路では第6図(f)のパルスによ
って基準レベル62をサンプルホールドする。暗電流量
のサンプルホールド出力は次段の差動増幅器58の負入
力端子に、また基準レベルのサンプルホールド出力は差
動増幅器58の正入力端子に加えられる。すなわち差動
増幅器58の出力には暗電流の変化とは逆の直流変化が
得られる。ここで差動増幅器5Bの増幅度について述べ
る。今、フォトダイオードの単位時間の暗電流量をId
p、垂直信号線の単位時間の暗電流量をIdv、水平信
号線の単位時間の暗電流量をIdwとし、フォトダイオ
ードの蓄積時間をtv、水平走査期間を111.暗電流
検出のための水平信号線の蓄積時間をta(約20H)
とすれば、出力信号の映像期間の暗電流量Idは Id=IdpXtv+IdvX首          
   −(1)となる。また水平信号線の暗電流貴重d
′は工dl=工dWXt4          00.
(2)となる。Id p/ Id w (=α)、Id
マ/Idw(=β)は実験により簡単に求めることがで
きる。工dをα、βを用いて書き直すと 工d=cc工dwXty+β工d、xtw      
    ”(3)となる。さらに工dをId′を用いて
書くととなる。すなわち差動増幅器5−8の増幅度を暗
電流分と同一の量の逆変化が出力に得られることになる
。この直流出力を信号クランプ回路56のクランプ電位
とすれば、信号中の暗電流変化は打ち消され、真の信号
分が常に一定の直流レベルに固定された出力59がクラ
ンプ回路56の出力に得られる。
The DC signal fixed to a constant potential by the dark current detection clamp circuit 55 is applied to two sample and hold circuits 57. One sample-hold circuit samples and holds the dark current amount 61 using the pulse shown in Fig. 6 (e>), and the remaining sample-hold circuit samples and holds the reference level 62 using the pulse shown in Fig. 6 (f). The sample-and-hold output of the quantity is applied to the negative input terminal of the next-stage differential amplifier 58, and the sample-and-hold output of the reference level is applied to the positive input terminal of the differential amplifier 58. That is, the output of the differential amplifier 58 has a dark current. A direct current change opposite to the change in is obtained.Here, we will discuss the amplification degree of the differential amplifier 5B.Now, let the amount of dark current of the photodiode per unit time be Id.
p, the amount of dark current per unit time of the vertical signal line is Idv, the amount of dark current per unit time of the horizontal signal line is Idw, the storage time of the photodiode is tv, and the horizontal scanning period is 111. The accumulation time of the horizontal signal line for dark current detection is ta (approximately 20H)
Then, the amount of dark current Id during the video period of the output signal is Id=IdpXtv+IdvX
−(1). Also, the dark current of the horizontal signal line is valuable.
' is dl=dWXt4 00.
(2) becomes. Id p/ Id w (=α), Id
Ma/Idw (=β) can be easily determined by experiment. Rewriting engineering d using α and β, engineering d = cc engineering dwXty + β engineering d, xtw
``(3).Furthermore, if d is written using Id', then the amplification factor of the differential amplifier 5-8 is the same as the dark current, and an inverse change is obtained in the output. If this DC output is used as the clamp potential of the signal clamp circuit 56, dark current changes in the signal are canceled out, and an output 59 in which the true signal component is always fixed at a constant DC level is obtained as the output of the clamp circuit 56. It will be done.

以上述べたようになせば素子素子の画素数を増やすこと
なく暗電流補正が可能となり、画質の向上ばかりか素子
の製造上の歩留にKも大いに寄与することができる。
By doing as described above, dark current correction can be performed without increasing the number of pixels of the element, and K can greatly contribute to not only improvement of image quality but also the manufacturing yield of the element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はMO8m!固体撮倫素子のブロック図、第2図
はMO811固体撮偉素子からの出力信号の説明図、第
3図はMO8型固体撮偉素子の断面構今 造園、第1図は従来の黒クランプ暗電流補正方法の説明
図、第5図は本発明の一実施例のブロックダイアダラム
、第6図は第5図に必要なパルスの¥Fl  目 Y 2口 (71) 3 第 3 口
Figure 1 shows MO8m! A block diagram of the solid-state sensor, Fig. 2 is an explanatory diagram of the output signal from the MO811 solid-state sensor, Fig. 3 is the cross-sectional structure of the MO8 solid-state sensor, and Fig. 1 is the conventional black clamp dark. An explanatory diagram of the current correction method, Fig. 5 shows a block diagram of an embodiment of the present invention, and Fig. 6 shows the pulses necessary for Fig. 5.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、水平、垂直方向に感光素子をプレイ状に配列し、各
感光素子を順次走査することにより映像信号を得るよう
にした固体撮像装置において、水平信号線の暗電流を検
出する手段と、この検出された暗電流分をホトダイオー
ドと垂直信号線の暗電流分と等しくするために演算する
手段と、演算結果を信号分より減じる手段とを具備した
固体撮像装置の暗電流補正回路。 2 上記暗電流検出手段及び上記演算手段が、水平信号
線の出力端と前置増幅器の間にスイッチを設ける手段と
、このスイッチを垂直帰線期間の間Kll閉する手段と
、前記スイッチのONと同時に得られる水平出力線の暗
電流をサンプルホールドする手段と、暗電流読み出し後
の暗電流の生じていない部分をサンプルホールドする手
段と、これら前記の2出力の差から暗電流の変化の逆極
性の信号を得る手段とからなることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の固体撮像装置の暗電流補正回路。
[Claims] 1. In a solid-state imaging device in which photosensitive elements are arranged in a play pattern in the horizontal and vertical directions and a video signal is obtained by sequentially scanning each photosensitive element, the dark current of the horizontal signal line is A dark current of a solid-state imaging device comprising means for detecting, means for calculating to make the detected dark current equal to the dark current of a photodiode and a vertical signal line, and means for subtracting the calculation result from the signal. correction circuit. 2. The dark current detection means and the calculation means include means for providing a switch between the output end of the horizontal signal line and the preamplifier, means for closing this switch during the vertical retrace period, and turning on the switch. There is a means to sample and hold the dark current of the horizontal output line obtained at the same time, a means to sample and hold the part where no dark current occurs after reading out the dark current, and an inverse of the change in dark current from the difference between these two outputs. 2. A dark current correction circuit for a solid-state imaging device according to claim 1, further comprising means for obtaining a polarity signal.
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