JPS5850323B2 - Method of manufacturing optical phase plate - Google Patents

Method of manufacturing optical phase plate

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JPS5850323B2
JPS5850323B2 JP6198676A JP6198676A JPS5850323B2 JP S5850323 B2 JPS5850323 B2 JP S5850323B2 JP 6198676 A JP6198676 A JP 6198676A JP 6198676 A JP6198676 A JP 6198676A JP S5850323 B2 JPS5850323 B2 JP S5850323B2
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JP
Japan
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thin film
transparent
pattern
phase plate
optical phase
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JP6198676A
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JPS52145047A (en
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充和 近藤
潔 浅川
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はフーリエ変換ホログラムの製作において、表
示パターンに光学的位相差を与えるために用いる位相板
の製造方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a phase plate used to impart an optical phase difference to a display pattern in the production of a Fourier transform hologram.

フーリエ変換ホログラムは高密度記録と冗長性を持つた
めに大容量メモリとして注目されている。
Fourier transform holograms are attracting attention as large-capacity memories because of their high-density recording and redundancy.

マトリクス状にバイナリに表示されたパターンのフーリ
エ変換ホログラムはマトリクス状パターンを表示する空
間変調器とフーリエ変換パターンの急峻な強度ピークを
押さえるために上記表示パターンにランダムな光学的位
相差を与える位相板を用いて製作される。
A Fourier transform hologram with a pattern displayed in binary form in a matrix includes a spatial modulator that displays the matrix pattern and a phase plate that provides a random optical phase difference to the displayed pattern in order to suppress the steep intensity peak of the Fourier transform pattern. It is manufactured using.

マトリクス状パターンを表示する空間変調器は種々考案
されているが十分なS/N、書込み速度と大きさを有す
るのは液晶空間変調器である。
Although various spatial modulators for displaying matrix patterns have been devised, the liquid crystal spatial modulator has sufficient S/N, writing speed, and size.

液晶空間変調器に独立した位相板を重ねると、液晶セル
を構成しているガラス基板の厚みだけパターン表示部分
と位相板が離れてしまうため、光が斜め入射した場合位
相板のパターンと空間変調器のパターンがずれてしまう
ので位相板の効果を減じてしまう。
When an independent phase plate is stacked on a liquid crystal spatial modulator, the pattern display part and the phase plate are separated by the thickness of the glass substrate that makes up the liquid crystal cell, so if light is incident obliquely, the phase plate pattern and spatial modulation will be different. Since the pattern of the device is shifted, the effect of the phase plate is reduced.

これを解決するためには、液晶セルの内部に位相板が設
置されていなければならない。
To solve this problem, a phase plate must be installed inside the liquid crystal cell.

位相板は液晶に印加される電界の均一性を妨げないため
、及び液晶の光学的位相差に与える寄与を防ぎ設計され
た正確な光学的位相差を与えるために表面は光学的に平
担でなければならない。
The phase plate has an optically flat surface in order not to disturb the uniformity of the electric field applied to the liquid crystal, and to prevent contribution to the optical retardation of the liquid crystal and provide the designed precise optical retardation. There must be.

上記のように光学的に平担な表面を持ち部分的に異なる
光学的位相差を与える位相板は透明基板上に2種の屈折
率の異なった透明な薄膜を付着しパターン化して製作す
るのが簡単である。
As mentioned above, a phase plate that has an optically flat surface and provides partially different optical retardations is manufactured by depositing two kinds of transparent thin films with different refractive indexes on a transparent substrate and patterning them. is easy.

一般に透明基板と薄膜の材料はガラスや酸化物等の化学
的性質が似たものに限られる。
Generally, the materials for the transparent substrate and thin film are limited to those with similar chemical properties, such as glass and oxides.

そこで薄膜のパターン化を行なう場合レジストをマスク
として化学的に腐食する通常の方法は透明基板まで腐食
してしまう可能性があるので使用するのが難しい。
Therefore, when patterning a thin film, the usual method of chemically corroding using a resist as a mask is difficult to use because it may corrode the transparent substrate.

このような障害を避ける方法としてリフトオフ法が知ら
れている。
A lift-off method is known as a method for avoiding such obstacles.

この方法は、まず透明基板表面に所望パターンを有する
レジストマスクを形成し、かかるマスクの上から薄膜材
料を付着し、しかる後、上記レジストの剥離剤を用いて
レジストを不要薄膜と共に剥離するものである。
In this method, a resist mask having a desired pattern is first formed on the surface of a transparent substrate, a thin film material is deposited on top of the mask, and then the resist is peeled off along with the unnecessary thin film using the above-mentioned resist stripping agent. be.

この方法は薄膜の厚さが薄くパターンが比較的微細であ
る場合は簡便な方法であるが薄膜の厚さが厚く、パター
ンが粗い場合は薄膜の下のレジストが剥離できないとい
う欠点がある。
This method is a simple method when the thin film is thin and the pattern is relatively fine; however, when the thin film is thick and the pattern is rough, it has the disadvantage that the resist underneath the thin film cannot be removed.

位相板は十分な光学的位相差を与えるために薄膜材料を
かなり厚く付着する必要があり、また一般に粗く広い面
積にわたるパターンが使われる。
Retarder plates require fairly thick deposits of thin film material to provide sufficient optical retardation, and generally use rough, wide-area patterns.

従って上記のリフトオフ法は用いることができない。Therefore, the lift-off method described above cannot be used.

最近知られている新しいリフトオフ法では、透明基板上
に第1金属膜を蒸着し、この上にクロム(Cr)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)等の限られた種類の第2金属
膜から戒る所望のパターンを従来のリフトオフ法で形成
し、これをマスクとして前記第1金属膜を化学的に過剰
に腐食し、その結果、断面が暮秋である様な第1及び第
2金属膜から戊る積層マスクを形成する。
In a new lift-off method that has recently become known, a first metal film is deposited on a transparent substrate, and a second metal film of limited types such as chromium (Cr), titanium (Ti), platinum (Pt), etc. A desired pattern is formed by a conventional lift-off method, and using this as a mask, the first metal film is chemically etched excessively, so that the first and second metal films have a rough cross section. A laminated mask is formed.

その上から所望の薄膜材料を蒸着し、積層マスク上に堆
積した薄膜材料を積層マスクと共に剥離除去することに
より所望の薄膜パターンを作製するものである。
A desired thin film pattern is produced by depositing a desired thin film material thereon and peeling off the thin film material deposited on the laminated mask together with the laminated mask.

しかしこの新しいリフトオフ法では広い面積にわたって
厚く付着した薄膜材料を剥離することは積層マスクをか
なり厚くするか非常に腐食速度の速い剥離剤を選出しな
ければならないので困難である。
However, with this new lift-off method, it is difficult to remove a thickly deposited thin film material over a large area because the laminated mask must be made considerably thick or a removal agent with a very high corrosion rate must be selected.

本発明の目的は新しい粗合せの積層マスクを用いること
により従来よりも容易な光学的位相板の製造方法を与え
ることである。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical phase plate that is easier than the conventional method by using a new coarsely aligned laminated mask.

本発明によれ(f、透明基板の表面に酸化亜鉛(ZnO
)、硫f唖鉛(ZnS)、酸化カドミウム(dO)、硫
化カドミウムのいずれかの補助薄膜を製作する工程(a
)、この補助薄膜上に金属薄膜を作製する工程(b)、
この金属薄膜上に所望のパターンを有するレジストマス
クを形成する工程(cl前記金属薄膜だけを腐食する工
程(a前記補助薄膜だけを腐食する工程(e)、第一の
透明薄膜を付着する工程(f)、第一の透明薄膜のみを
残し前記金属薄膜及び補助薄膜を腐食して除去する工程
(g)を順次行ない、第一の透明薄膜のパターンを形威
し、さらに続けて前記の工程(a)、工程(b)、前記
工程(c)のレジストパターンとは逆のパターンを有す
るレジストマスクを金属薄膜上に形成する工程(C)′
、前記工程(d)、工程(e)、前記第一の透明薄膜と
は異なった屈折率を持ちほぼ等しい厚さを持った第二の
透明薄膜を付着する工程(f)’、前記第一および第二
の透明薄膜のみを残し、補助薄膜及び金属薄膜を腐食し
て除去する工程(g)′を順次行なう光学的位相板の製
造方法が得られる。
According to the present invention (f), zinc oxide (ZnO
), a process (a
), step (b) of producing a metal thin film on this auxiliary thin film,
A step of forming a resist mask having a desired pattern on this metal thin film (cl) a step of corroding only the metal thin film (a) a step of corroding only the auxiliary thin film (e), a step of attaching the first transparent thin film ( f), step (g) of corroding and removing the metal thin film and the auxiliary thin film, leaving only the first transparent thin film, is carried out sequentially to shape the pattern of the first transparent thin film, and then the step (g) is continued. a), step (b), and step (C)' of forming a resist mask having a pattern opposite to the resist pattern of step (c) on the metal thin film.
, the step (d), the step (e), the step (f)' of depositing a second transparent thin film having a different refractive index and approximately the same thickness as the first transparent thin film; A method for manufacturing an optical phase plate is obtained in which step (g)' of etching and removing the auxiliary thin film and the metal thin film, leaving only the second transparent thin film, is carried out in sequence.

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図乃至第8図は本発明の一実施例の工程概略図であ
る。
1 to 8 are process schematic diagrams of an embodiment of the present invention.

第1図において、光学研磨したガラス基板1の表面に高
周波スパッタリングにより酸化亜鉛薄膜2、金薄膜3を
連続的に設け、更にその上にAZ−1350のフォトレ
ジスト膜4を塗布する。
In FIG. 1, a zinc oxide thin film 2 and a gold thin film 3 are continuously provided on the surface of an optically polished glass substrate 1 by high frequency sputtering, and a photoresist film 4 of AZ-1350 is further applied thereon.

酸化亜鉛薄膜2、金薄膜3の厚さはそれぞれ約8000
人、2000人である。
The thickness of the zinc oxide thin film 2 and the gold thin film 3 is approximately 8000 mm each.
There are 2,000 people.

次に通常の露光、現象処理によってフォトレジスト膜4
に所望のパターンのフォトレジストマスク21を形成す
る。
Next, the photoresist film 4 is formed by normal exposure and phenomenon processing.
A photoresist mask 21 with a desired pattern is formed.

第2図はこの状態を示している。FIG. 2 shows this state.

パターンの幅は最小数ナミクロン、最大数センチメート
ルである。
The width of the pattern is a minimum of a few nanometers and a maximum of a few centimeters.

続いてヨウ謳1)とヨウ化カリ(KI)と水の混合溶液
により金薄膜3を腐食して第3図に示したようにフォト
レジストマスク21と同形の金薄膜パターン22を形成
する。
Subsequently, the gold thin film 3 is etched with a mixed solution of potassium iodide (KI), potassium iodide (KI), and water to form a gold thin film pattern 22 having the same shape as the photoresist mask 21, as shown in FIG.

次に濃度10%のリン酸溶液により酸化亜鉛薄膜2を腐
食して金薄膜パターン22とほぼ同形の酸化亜鉛薄膜パ
ターン23を得る。
Next, the zinc oxide thin film 2 is corroded with a 10% concentration phosphoric acid solution to obtain a zinc oxide thin film pattern 23 having substantially the same shape as the gold thin film pattern 22.

このとき酸化亜鉛薄膜パターン23の端部31は金薄膜
パターン22よりも数ミクロン位内側まで過剰に腐食す
る。
At this time, the end portion 31 of the zinc oxide thin film pattern 23 is corroded excessively to the inside of the gold thin film pattern 22 by several microns.

フォトレジストマスク21はこの工程において除去され
る。
Photoresist mask 21 is removed in this step.

第4図はこの状態を示している。FIG. 4 shows this state.

上述の如くして得られた積層パターン22.23の上か
ら透明薄膜材料の酸化シリコン(S i02 )を真空
蒸着により5363人付着する。
Silicon oxide (S i02 ), which is a transparent thin film material, is deposited by vacuum evaporation onto the laminated patterns 22 and 23 obtained as described above.

この工程によって、第5図に示したようにガラス基板1
に酸化シリコン薄膜24が堆積されるとともに、積層パ
ターン22゜23の上にも酸化シリコン薄膜25が堆積
されるが、これらは相互に連結されていない。
Through this step, as shown in FIG.
A silicon oxide thin film 24 is deposited on the stacked patterns 22 and 23, and a silicon oxide thin film 25 is also deposited on the laminated patterns 22 and 23, but these are not interconnected.

次に濃度50係のリン酸溶液中に浸し、酸化亜鉛薄膜2
3を完全に腐食し、その上に付着している金薄膜22及
び酸化シリコン薄膜25をも同時にガラス基板1から除
去すると、第6図に示したようにガラス基板1の表面に
は酸化シリコン薄膜24のパターンだけが残る。
Next, the zinc oxide thin film 2 was immersed in a phosphoric acid solution with a concentration of 50%.
3 is completely corroded and the gold thin film 22 and silicon oxide thin film 25 adhering thereto are also removed from the glass substrate 1 at the same time, as shown in FIG. Only 24 patterns remain.

前述の積層パターンとして2種の金属薄膜を用いること
もできるが、酸化シリコン薄膜25が厚く、広い面積に
わたるパターンを有している場合には第6図の工程で積
層パターンの端面からの腐食の速度が遅いので不要な酸
化シリコン薄膜25を完全に基板上から除去することが
困難になる。
Two types of metal thin films can be used as the laminated pattern described above, but if the silicon oxide thin film 25 is thick and has a pattern covering a wide area, corrosion from the end faces of the laminated pattern can be prevented in the process shown in FIG. The slow speed makes it difficult to completely remove the unnecessary silicon oxide thin film 25 from the substrate.

上記実施例では酸化亜鉛を用いた場合について説明した
が、硫化亜鉛、酸化カドミウム、硫化カドミウム等の薄
膜も特定の金属の腐食液に対しては耐えることができ、
低濃度のリン酸に対しては非常に速く溶解するので本発
明に用いることができる。
In the above example, a case was explained in which zinc oxide was used, but thin films of zinc sulfide, cadmium oxide, cadmium sulfide, etc. can also withstand corrosive liquids of specific metals.
It can be used in the present invention because it dissolves very quickly in low concentrations of phosphoric acid.

第7図は第6図の酸化シリコン薄膜24のパターンの上
に該パターンと同形の酸化亜鉛薄膜パターン23′と金
薄膜パターン22′から威る積層パターンを上記の第1
図から第4図に至る工程と同様な工程により形成した状
態を示している。
FIG. 7 shows a layered pattern consisting of a zinc oxide thin film pattern 23' and a gold thin film pattern 22' having the same shape as the silicon oxide thin film pattern 24 of FIG.
This figure shows a state formed by the same steps as those shown in FIG. 4.

続いて第7図で得られた積層パターン22’、23’の
上から透明薄膜材料の酸化ジルコン(Zr02)を真空
蒸着によって酸化シリコン薄膜24と同じ厚さの536
3人付着6、その後濃度50%のリン酸を用いて酸化亜
鉛薄膜23′と共に不要な薄膜を除去すると第8図に示
したような酸化シリコン薄膜24と酸化ジルコン薄膜2
6からなる光学的位相板が得られる。
Next, zirconium oxide (Zr02), which is a transparent thin film material, is vacuum-deposited onto the laminated patterns 22' and 23' obtained in FIG.
After three people adhered 6, unnecessary thin films were removed along with the zinc oxide thin film 23' using 50% phosphoric acid, and a silicon oxide thin film 24 and a zircon oxide thin film 2 were formed as shown in FIG.
An optical phase plate consisting of 6 is obtained.

酸化シリコン、酸化ジルコンの屈折率は、波長6328
人の光に対してはそれぞれ1.46 、2.05である
ので、それぞれの薄膜を通過する波長6328λの光は
π/2の位相差を生じる。
The refractive index of silicon oxide and zircon oxide is wavelength 6328
For human light, they are 1.46 and 2.05, respectively, so light with a wavelength of 6328λ passing through each thin film produces a phase difference of π/2.

以上説明したように、本発明の製法によれば光学的に平
担な表面を持ち、部分的に異なる光学的位相差を与える
薄膜を容易に得ることができる。
As explained above, according to the manufacturing method of the present invention, a thin film having an optically flat surface and giving partially different optical retardations can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第8図は本発明における製造工程の概略を示
す図である。 図において、1はガラス基板、2は酸化亜鉛薄膜、3は
金薄膜、4はフォトレジスト、24は酸化シリコン薄膜
、26は酸化ジルコン薄膜である。
1 to 8 are diagrams schematically showing the manufacturing process in the present invention. In the figure, 1 is a glass substrate, 2 is a zinc oxide thin film, 3 is a gold thin film, 4 is a photoresist, 24 is a silicon oxide thin film, and 26 is a zircon oxide thin film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 透明基板の表面に酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化カドミ
ウム、硫化カドミウムのいずれか一種類の補助薄膜を付
着する手植a入 この補助薄膜上に金属薄膜を付着す
る工程(b入 この金属薄膜の上に所望のパターンを
有するレジストマスクを形成する工程(c)、前記金属
薄膜だけを腐食する工程(d入前記補助薄膜だけを過剰
に腐食するとともに前記レジストマスクを除去する工程
(e)、第一の透明薄膜を付着する工程(f)、前記透
明基板面に付着された第一の透明薄膜の部分だけを残し
、それ以外の前前補助薄膜及び金属薄膜を腐食して除去
する工程(g)を順次行なうことにより前記透明基板の
表面に第一の透明薄膜のパターンを形成し、さらに続け
て前記工程(a′1 前記工程(b)、前記工程(c
)のレジストパターンとは逆のパターンを有するレジス
トマスクを金属薄膜上に形成する工程(c)′、前記工
程(d)。 前記工程(e)、前記第一の透明薄膜とは異なった屈折
率をもちほぼ等しい厚さの第二の透明薄膜を付着する工
程(f)、前記第一および第二の透明薄膜を残し、他の
補助薄膜および金属薄膜を腐食して除去する工程(g)
′を順次行なうことを特徴とする光学的位相板の製造方
法。 2 第一の透明薄膜は酸化シリコン薄膜である特許請求
の範囲第1項記載の光学的位相板の製造方法。 3 第二の透明薄膜は酸化ジルコン薄膜である特許請求
の範囲第1項または第2項記載の光学的位相板の製造方
法。
[Scope of Claims] 1. Step (a) of manually depositing an auxiliary thin film of any one of zinc oxide, zinc sulfide, cadmium oxide, and cadmium sulfide on the surface of a transparent substrate; step (b) of depositing a metal thin film on the auxiliary thin film; Step (c) of forming a resist mask having a desired pattern on this metal thin film; Step (d) of corroding only the metal thin film; (d) Step of excessively corroding only the auxiliary thin film and removing the resist mask; (e), step (f) of attaching a first transparent thin film, leaving only a portion of the first transparent thin film attached to the surface of the transparent substrate, and corroding the other pre-auxiliary thin film and metal thin film; By sequentially performing the removing step (g), a first transparent thin film pattern is formed on the surface of the transparent substrate, and then the step (a'1), the step (b), and the step (c)
step (c)' of forming a resist mask having a pattern opposite to the resist pattern in step (c)' on the metal thin film; and step (d). step (e), step (f) of depositing a second transparent thin film having a different refractive index and approximately the same thickness as the first transparent thin film, leaving the first and second transparent thin films; Step (g) of corroding and removing other auxiliary thin films and metal thin films
1. A method for manufacturing an optical phase plate, characterized by sequentially performing steps . 2. The method for manufacturing an optical phase plate according to claim 1, wherein the first transparent thin film is a silicon oxide thin film. 3. The method for manufacturing an optical phase plate according to claim 1 or 2, wherein the second transparent thin film is a zircon oxide thin film.
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