JPS58500264A - 並列荷電粒子ビ−ム露出システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 並列荷電粒子ビーム露出システム 発明の背景 この発明は電子ビーム式リトグラフィシステム、ソシて特に多重電子ビームリト グラフィシステムのだめの露出システムに関するものである。

最近の集積回路は比較的複雑になってきたため、半導体産業における一般的傾向 は、素子集積密度を高めることに注意が向けられてきた。本発明の概念はＩＣチ ップ、すなわちダイ素子のサイズをできるだけ小さくして装置適用度を高めよう とするものである。しかしながらチップサイズは現在用いられている写真平板処 理の固有の分解能に制限があるため、自由に小さくすることができないことが明 らかである。特に光の波長によって１μｍの範囲における詳細な再現性に制限が 付されることになる。

分解能の問題を解決するためにこれまで多くの解決策が提案されてきた。そして それらの解決策を元に半導体産業において現在種々の試みがなされている。これ らの解決法は分解能の制限を克服するだめに可視光線より短い波長の粒子を採用 するリトグラフ技術に基づくものである。一般に光に代わるものとして提案され た短い波長の粒子にハ高エネルギーホトン（Ｘ線）と電子との２つのクラスがあ る。

現在知られているリトグラフシステムはＸ線を用いるか、電子ビームを用いるか のいずれかである。電子ビームシステムにはさらに２つの基本形力する。電子ビ ームシステムの１つの型は変更走査（ｍｏｄｉｂｉｅｄ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　） 電子顕微鏡技術を用い、他の型は投影技術を用いるものである。

最適なリトグラフ露出システムはＩＣの製造において用いるだめの重大な要素と してのある種の属性を持たなければならない。これらの属性には分解能、適用範 囲、リトグラフ速度、再整合性及び安定性を含むものである。

現在至上命題としてＩＣ技術においては最小１μｍの線幅を再現し得ることが要 求され、さらに将来のＩＣ構造としてはおそらく４分の１μｍ以下まで分解能を 高めることが要求されている。露出システムは現在用いられている標準型の３　 ｉｎまたは４　ｉｎＯウェーハを覆うことができるとともに、より大きなサイズ のウェーハをも覆うだめに拡張可能なものでなければならない。明らかに数十分 から１時間以上も要したウェーハ露出時間の場合は、生産過程における露出シス テムにおいては受け容れられない。すなわち受容れ可能なスループット条件は３ 　ｉｎまたは４　ｉｎのウェーハ露出時間において最大で数分以内であることが 要求される。

ＩＣの多層構造は露出系の中に構成された再整合機構を必要とする。一般に再整 合能力は要求される最も精細なサイズの最小５倍の係数によらなければならない 。多層構造の別の要件は受容れ可能な再整合性の範囲において、リドグラ・フシ ステムが露出期間を通じて安定であ）、したがって整合性がウェーハの全面に亘 って正確に維持されなければならないということである。

上述した３種類の周知のリトグラフ技術を比較すると、Ｘ線システムは十二分な 分解能を有するが、露出時間が数十分にまで達するという欠点があシ、さらにそ の間のＸ線のだめの完全に使用可能な再整合方法が存在しないように考えられる 。

Ｘ線システムにおいてはまた安定性が問題となる。

これは使用されるマスクが温度または圧力に敏感な、本質的に薄膜として形成さ れる材料（マイラーまたはシリコン〕よ構成るからである。そして直径約２　ｉ ｎの適用範囲が形成されるとはいえ、その範囲をよ）犬きく拡張することはかな シ困難な要求である。

走査電子ビーム法は投影システムよりは制約が少ないものである。走査システム は必要な分解能。

適用範囲、安定性及び再整合性を得られることが証明されている。この場合の主 たる問題点は、露出時間にあると考えられる。たとえばいくつかの露出系は約６ ０分の間３　ｉｎウェーハを露出するものである。この時間はマスク生成のため には適当であるが、直接書込み式オンライン製造システム５ において好適に用いられるような速さではない。

最近の調査によれば、改良された電子銃及び比較的感度の高い電子レジストを用 いることにょシ露出時間を約１５分以下に短縮することが可能である。しかしな がら、露出時間を２ないし３分根度まで短縮することが製造システムにおいてや がて要求されることは明らかであろう。

最も有望なＩＪ）グラフ技術は露出時間が長いという制約を克服することができ るものとして、走査電子ビームシステムを適用することであると思われる。Ｘ線 技術及び電子投影技術の−ずれもが高分解能のマスクを要求し、このマスクが最 初に走査電子ビームシステムによって形成されなければならないことを想起すれ ば、走査電子ビーム技術の有用性は明らかである。さらにマスターマスクかテー プまたはディスクに記憶されたデータとして存在し、そのデータはテープまたは ディスクにおいて容易に、かつ迅速に更新され得るということは電子走査システ ムにおける付加的な利益となる。この能力は物理的なマスクの必要性を排除１狐 ：ｏ５８５００２６４　（６） し、したがってマスクを用いる場合の必然的な問題及びマスクの使用中の劣化等 の問題を排除するものである。

１つの多重イメージ電子ビーム露出システムは、米国特許第３，６１９．６０８ 号においてウェスターバーブによって示唆されている。この米国特許の技術にお いては物理的変位を要求することなしに標的面上に絞シ開日付マスクの微小間隔 の縮小像の配列を形成するために電子レンズの配列を用いるものである。パター ンの配列はレンズ数に直接関係する関数に応じた速さで書き込まれることになる 。しかしながらこの開示システムの固有の欠点は製造設備との関連においてその 効果的な使用が妨げられることである。特に使用可能なビーム偏向における小さ な視野が電子光学的な乱調の生ずる以前に実効的なＩＣチップサイズを集積回路 の目的において要求されるよシもはるかに小さい範囲に制限するという欠点があ る。

しだがって本発明の総括的な目的は、上述した既知システムに関する制約及び欠 点を克服するとともに、上述した所望の属性のすべてを有する荷電粒子ビームリ トグラフィシステムのだめの露出系を提供することによシ前述の要求を満足する ことである。

本発明の特定の目的は高いスループット特性を有する高分解能の露出系を提供す ることである。

他の目的は以下の詳細な記述及び本発明の実施例において明らかになるであろう 。

発明の要約 以下、詳細に述べる好ましい実施例において、また本発明の実施例において明確 になるであろうすべての目的及び利益はここに記載した発明により成就される。

すなわちこの発明は、ある通路に沿って導かれた露出ビームと、前記露出ビーム を選択的に消去するだめの手段と、前記露出ビームの通路において配置された多 数の開口を有するスクリーンレンズ手段とを備えたことにより、前記スクリーン レンズ手段の前記開口の各々が前記露出ビームの縮小像を前記スクリーンレンズ 手段に近接して配置された標的面上に結像するようにし、さらに前記露出ビーム の通路に沿って予め定められた態様において前記露出ビームを偏向させるだめの 偏向手段を備えたことを特徴とするものである。

図面の簡単な説明 本発明の典型的な実施例を図解するために、次の図が提供される。

第１図は本発明の多重イメージ露出システムのブロック線図、そして第２図は二 重８極型偏向システムの電極について一次信号に加算または減算すべき補償信号 を示す二重８極システムの略図である。

好ましい実施例の詳細な説明 第１図には並列式露出電子ビームリトグラフィシステムのブロック線図が示され ている。ここに示す通シ、中位電圧源０（ト）は与炭処理したトリウムタングス テンカソコド（１１０）と円形開口アノード（１２０）との間に接続され、これ らの電極は真空チャン／＜　−（１３０）内に位置している。これらの電極の中 間には円形開口を有する制御グリッド（１０５）が配置されている。真空チャン バー（１３０）はたとえば１０　Ｔｏｒｒに減圧排気されることができる周知の 真空包囲網であればよく、トリウムタングステンカソード（１１０）は典型的に は０．０２ｉｎ　の直径を有する。カソード（１１０）によって放出された電子 ビームはアノード（１２０）を通過して常套的な静電レンズ（１４０）により対 物絞り開口（１５０）上に結像されるっこの対物絞り開口（１５０）は再現され 、かつ縮小されるべき５０μｍ角の方形からなる所定の開ロバターンを有するも のである。対物絞シ開口（１５０）は静電レンズ（１４０）の焦点に位置してい る。このような位置決めは対物絞シ開口（１５０）を通過する電子コーン（円錐 状の軌跡）が多孔スクリーンレンズ（１６０）において重なり合うことにより、 均等な照明を生成することを保証するものである。

露出ビーム、すなわち電子ビーム流は対物絞シ開口（１５０）から発散して、好 ましくは照射法がり角（〜６°）及びきわめて均質な分散流（ビーム横断刃、向 において１０％以下の偏向）を持つべきでて、実際の開口を使用することにより 均一な強度で鮮明に縁取られた正方形のイメージを生成することができる。すな わち、このイメージは、電子ビーム交差の対称円形ガウス強度分布にはならない 。静電レンズ（１４０）と対物絞シ開口（１５０）との間に配置された４極ビー ムブランク素子（１７０）に電圧を加えることによ）電子ビームは所望の集積回 路パターンに従って選択的に消去される。

高圧電源（１８０Ｘ１０ｋｖ台）は多孔スクリーンレンズ（１６０）と基板（１ ９０）との間に接続される。基板（１９０）は電子感応材料からなる標的面とし てのコーティング（２００）を有する。

前述したウェスターバーブパテントにおいて比較的詳しく説明された通シ、多孔 スクリーンレンズ（１６０）は対物絞シ開口（１５０）から並列の多重ビームと して放出される電子ビームをそれらを電子感応膜（２００）　ｔたはその感応膜 がない場合には基板（１９０）の上に結像させる。多孔スクリーンレンズ（１６ ０）における多孔は標的面（′２！ｏｄ）に対しスクリーンレンズに関する正電 位が加えられたとき、微小開口レンズとして働くものである。そして標的面電位 が到着した電子ビームのエネルギーの８〜９倍になったとき、焦点が結ばれる。

正確な比率は直径などのレンズ特性に左右されるが、それは多孔スクリーンレン ズ（１６０）と標的面（２０’０）との間隔にはそれほど左右されない。この特 性はスクリーンレンズが比較的大きい焦点深度を有することを意味するため、有 効に利用される。

本発明において使用する多孔スクリーンレンズ（１６０）は、整列開口を有する ２枚のブレートカ１らなっている。この小さい方の開口は典型的には０．０５〜 ０．０７５ｃｍの直径を有し、電子ビームに対向して像収差を制御する絞シとし て作用する。また、大きい方の開口セット（典型的には直径ｏ、１５ｃＴＬ）は 多孔スクリーンレンズ（１６０）と基板（１９０）との間の電界に影響されて、 最も実用的なレンズ作用を形成するように働くものである。

多孔スクリーンレンズ（１６０）と基板保持ステージ（１図示せず）との間の領 域は、ガードリンク゛のセット（図示せず）によシ包囲されている。このガード リングはスクリーンレンズと基板との間の場を無限であるかのように、したがっ てスクリーンレンズの周辺における開口の作用がそれらの環境によって変更され ることのないように作用するものである。ガードリングの各々は典型的には８ｉ ｎ、の内径を有する導電性環状リングからなっている。多数のこのようなガード リングは互いに絶縁用スペーサを介して積み重ねられている。典型的に組み立て られた２ｃＩｒＬスクリーンレンズ及び基板のギャップの配置形状において１ｏ ｋｖの電圧を印加する場合、各々２絹の間隔を有する９個のガードリングが必要 となる。各リングには均等に類別された電圧が印加される。この電圧は上記の場 合。

１．２，３・・・・・・ｋｖのリング電圧となる。このようにして高い均等な電 界がスクリーンレンズと基板との間の領域において達せられる。二重８極偏向シ ステム（２１０）は上部８極素子（２２０）及び下部８極素子（２３０）とから なシ、対物絞シ開口（１５０）を通って多孔スクリーンレンズ（，１，６０’） に入射する電子ビームを所定の方向゛に所定量だけ偏向するために用いられる。

二重８極システム（２１０）の電極における印加電圧は、ドライバー回路におい て発生される。すなわち指令に従って２本の直角な方向Ｘ及びｙの各々における 結像点の必要な偏向量に対応した電圧Ｖｘ及びｖｙが発生される。これらの電圧 はドライバー回路において種々の方法により所定の倍率ａｌ　、　ａ２　及びｂ と結合され、二重８極システムにおける電極に第２図に示す通りの電圧として印 加される。これは常套的な電子回路方法を用いることによって達成される。係数 ａｌ　、ａ２　はスクリーンレンズの中心から縁端までの偏向位置誤差を補償す るために用いられる。すなわちａｌ及びａ２の値を調節することにより偏向シス テム−スクリーンレンズ結合の収差を補正して±０．１μｍの精度による均等長 さの走査が基板（１９０）の全面を通じて達せられるようにするものである。ａ ｌ及びａ２の最適値はそれらの値の関数としての基板を横切るパターン追跡誤差 を測定することによシ経験的に決定することができる。この条件は標的面（２０ ０）における像が間隔やダブリを生ずることなく正確にライティングされること を保証するものである。

好ましい実施例においては上部８極素子（２２０）については０．２７５（ａｘ 　（０，３７５の範囲で、また下部８極板（２３０）については０．３５　（ａ ２（０，４５の範囲で最適値を得ることができた。

第１図を再び参照すると、２個の８極偏向素子（２２０）、　（２３０）は電子 ビームを互いに反対向けの角度に偏向させて、入射する角度を電子的に制御する ものである。これはまた、各スクリーンレンズの下側における像の偏向を制御す るものである。

したがって２個の８極偏向素子（２２０）　、　（２３０）の偏向感度を相対的 に調整することにょフ多孔スクリーンレンズ（１６０）の面における露出ビーム 位置をそのスクリーンレンズ像の偏向状態から独立したものにさせることができ る。これは上述したドライバー回路において用いられる係数すの値を決定するも のである。

電子ビームは５０μｍ角の対物絞シ開口（１５０）がら放出されて、それが基板 （１９０）の上方に位置する多孔スクリーンレンズ（１６０）に入射するまで約 １００ｃｒｒＬの距離を１ｋｅｙのエネルギーで飛行する。

電子ビームは多孔スクリーンレンズ（１６０）に到達したときに約１００ｆｆの 直径を有し、かつその全領域において±１０％以下の均一電流分布を有する。

この電流分布はカソード（１１０）の条件及びその前処理によシ基本的に決定さ れる。たとえばカソードチップが幾何学的になめらかでなく、かつ対称的な円筒 形でない場合、あるいはカソードチップからの電子放出が不均一である場合には 、電子ビームの均等性が悪影響を受けることになる。

大部分の電子ビームエネルギーはレンズプレートカバー（２４０）によって吸収 される。このプレートカバー（２４０）は多孔スクリーンレンズ（１６０）に入 射し、あるいはそのいくつかの開口を通過する入射露出ビームについて小さなフ ラクションのみを許容するものである。これによシ多孔スクリーンレンズ（１６ ０）の熱膨張はライティング中において極小化される。またこのレンズプレート カバーの開口のみを分離したテストパターンの形成及び再整合のために開放させ るべく用いることができる。

電子ビームをその横断中において磁気シールドすることは、内側に０．５　ｉｎ 厚さのメッキ鋼壁を有する真空室を形成した２枚のμ金属層によシ達せられる。

このμ金属層は円筒状の真空室内に対称的に取っ付けられた同軸シリンダを形成 するものであシ、非磁性体のビンによシ互いに分離して支持されている。鋼壁を 有する真空室は実際に使用するまでに排気され、電子ビームに有害な効果を持つ 残留磁界を極小化するものである。

所望のチップ領域に及ぶ基板の動作は真空室（１３０）の外側に配置された干渉 計制御ステージによって達せられる。運動は、モータ駆動式空気ベアリングによ って生じ、ベロー供給路を介して真空室（１３０）内の基板ホルダ（図示せず） に伝達される。Ｙ軸及びＹ軸に沿ったステージ動作はダイをカバーするに十分な 範囲、典型的には±０．３７５ｉｎ程度のみの範囲に及ぶことが必要である。す なわち基板（１９０）上のすべてのチップはテストノくターン作成の場合の例外 を除いて同時に露出されるからである。ステージの回転運動及びＺ軸運動は再整 合のために用いられる。

ステージは空気ベアリング（図示せず）上で動作し、２個の常套的なリニアボイ スコイルモータ（２５０）によって駆動される。これらのモータはサーボ制御シ ステム（図示せず）よシ給電制御される。全ステージ及び真空システムは花崗岩 プロ゛ンク（図示せず）上に取シ付けられる。この花崗岩のブロックは空気パッ ド上に載置されることによシ機械振動を減衰及び極小化させるものである。

ステージの位置はたとえばＨ−Ｐ５５０に軸し−ザー干渉計などの干渉計（２６ ０）を用いることにより追跡される。この技術により０．１μｍよシ小さい位置 精度を達することができる。レーザー干渉計は、ビームスプリッタといくつかの 反射鏡ト、２つの受光素子及び関連電子回路からなり、ステージが移動するとき 、レーザーから受光素子に至る光路長をＹ軸及びＹ軸に沿って移動するステージ 、とともに直線的に変換させるようにしたものである。ステージは所望のステー ジ位置から現在ステージ位置を差し引くことによシ誤差信号を発生させ、その誤 差信号に基づく位置へ移動させられる。

誤差信号を用いることによシステージは機械及び電気システムによって制限され る精度内において所望の位置に駆動されることができる。すなわちレーザーの分 解能は２０ｎｍ程度である。回転及びＸ軸運動は常套的な手段により達せられる 。

多孔スクリーンレンズ（１６０）における各開口は電子レンズとして機能し、電 子ビームをステージにおける電子感応基板（１９０）上に結像させる。ビームは ４極ビーム消去素子（１７０）によシ同期的に消去される。これらの消去素子は ビームと同軸であって、対物絞り開口（１５Ｃ１）の上方に位置するように取シ 付けられた４個の対称円筒状電極からなっている。これらの電極プレートに適当 に調節自在のＤ　Ｃ／＜　ＩＶス電圧を印加することによシビームは選択的に処 理されて、対物絞シ開口から除去（消去）される。

８極偏向素子（２２０Ｘ２３０）はすべての電子ビームを一方向に直線的に偏向 させるべく用いられ、他方、干渉計ステージは直交方向に移動し、したがって多 孔スクリーンレンズ（１６０）の各開口の下側における所定の領域を効果的に走 査するものである。

０ ステージはまず基板（１９０）上に配列された基準マークのセット（図示せず） を監視することによシゼロ状態にされる。これによシミ子光学像は”−０，１μ ｍの精度でパターンに関し整合することになる。

基板の整合性は基板上の整合マークの上にスクリーンレンズをもって形成された ２本またはそれ以上の電子ビームを走査することにより実現することができる。

これらの整せマークは高位の原子番号を有する金属よシ形成することができる。

これらのマークから散乱した一次電子は電子信号として検出及び変換される。、 この検出手段は各整合マークの上方に位置するシンチレーション物質からなシ、 これらのシンチレーション物質から発生する光学信号はホトマルチプライヤ間に 電気信号に変換される。走査ビーム及びそれによる電気信号の間の一時的な関係 は基板位置を決定すべく用いることができる。

ステージをＸ、Ｙ、Ｚ軸及びＱ軸に沿って線返し移動させることにより基板は入 射するビームと２１ きわめて正確に整合した位置へもたらせることができる。

所望の集＠回路パターンのライティングはチップにおける１本の軸の全長に沿っ て形成され。

その間ステージは連続的に移動する。ステージがその通路に沿ったある１点に達 すると、そこでライティングが所望に従って開始され、干渉計はビームの消去を 解除するとともに偏向操作を開始するための＠号を発生する。偏向されたビーム は典型的には１００μｍの長さのラインを横切シ、その間４極消去素子に送られ るパターンデータに従って電子ビームの消去及び解除か行なわれる。このライン はステージ動作に平行した偏向軸に加えられる小さな補正偏向ランプ操作により ステージ動作に直交したものとなる。レーザー干渉計によって決定されたステー ジ位置の所定の間隔において、このプロセスは回路パターンのすべてのＪｌ様を 形成する平行線の列が完成するまで繰シ返される。ここでステージはその出発位 置へ向かって逆戻りする。

１み表−８５８５００２６４（１０） そしてこの間に新たなｎ路パタニンのデータがコンピュータメモリーにロードさ れる。同時にステージはライン嘔に寺しい間隔だけステップオーパージ、別のパ ターン線ヲライティングするプロセスが繰シ返される。これらのステップはすべ ての回路パターンが完成するまで続行する。Ｘ軸及びＹ軸における近似偏向補正 はライティング中のステージ動作を補正すべく継続して行なわれる。

ステージ動作についてはそれが開始されるまでに所望のステージ加速度、減速度 、速度及び目的位置が特定されなければならない。電気機械的速度変換器（図示 せず）は速度制御サーポルーグ（口承せず）に０．５〜１．０％の速度均−注を 維持するための情報を提供する。

レーザー制御干渉計ステージはたとえばデータジェネラルＭ／６００のような汎 用コンピュータ（図示せず）により制御される。

各ダイ上において同時的にパターンを発生させるためのいくつかの選択的な方法 は、第１肉に示したものと同一の装置を用いることによシ達成することができる が、電子ビーム及びステージのための制御シーケンスはそれらの方法に応じて異 なったものでなければならない。これらの選択的な方法の１つにおいて各電子ビ ームが、いわゆるラスター走査モードにおいて２つの互いに直交した方向に逐次 的に偏向されることによシ平行線の列を記運する闇は標的全正確に維持しなけれ ばならない。この態様において１本の線の畏さに等しい辺を有する小矩形範囲が 均等に隔った線群によって示されることになる。パターンはすでに運べた通シの 消去動作により発生する。次に標的はレーザー制御ステージによシ別の位置に移 動させられる。この位置ｉ次の小矩形が最初の／Ｊ＼矩形の一辺に隣接した辺を 持つようにするものである。この工程は各ダイの全領域が所定のパターンをライ 、ティン久されるまで繰り返される。選択的に標的を静止位置に維持する１１ｊ ｊに各非消去ビームを同時に２つの直交方向に偏向させて、各電子ビームの焦４ 点がいわゆるベクトルスキャニンクーＥニー）”において小矩形に及ぶ所定のパ ターンをライティングするようにしてもよい。標的は前のように移動させられ、 第２の小矩形が電子ビームによってライティングされる別の位置に関する。この 工程は各ダイが所定の完全なパターンをライティングされるまで繰り返される。

第１１］のシステムにおいては他の機構を採用することも可能である。たとえば カソード（１１０）が電子ビーム源でなくイオン源として構成され、コーティン グ（２００）がイオン感応嘆であるときは対物佼シ開口（１５０）におけるパタ ーンの多重イオンイメージが多孔スクリーンレンズ（１６０）にょシコーティン グ（２００）上に生成される。第Ｉｌｌのシステムが全体として静電システムと なるので、イオンが辿る通路Ｉｒｉ電子が辿った通路と同じになシ、イオンは電 子よシ低速でそれらの軌道全通過するものである。当然乍ら陽イオンは中位電圧 源（１００）及び品篭圧源（１８０）によって印加される電圧の符号が逆になる こと全要求する。パ２５ ターンは所望に応じて感応材料を露出させ、かつそれを現象することなく基板（ １９０）に直接食刻形成することができる。これは基板材料全蒸発飛散させるよ うにイオンビームを用いることにより達せられる。したがって薄膜の超精密加工 を直接に行ない、目的素子の配列金車−の対物佼り開口（１５０）に関連して制 御することができる。重要なことは基板内への深いイオン注入を達成するために 高圧電＃ｔ（１８０）よ＃）２０〜１００ＫＶ程度の電圧を印加し、かつビーム の焦点を維持するために中位電圧源（１００）を適当に調整することにより前述 の機構全イオン注入による半導体装置の配列を制御すべく用い得ることである。

以上、好ましい実施例について説明したが。

これらの説明は本発明の範囲を制限するものではなく、本元明は特、ｆｌ：請求 の範囲によってのみ規定されるものである。

浄書（内容に変更なし） 手続補正書（方よ） 昭和５７年１１月２５噸 特許庁Ｋ１・　殿 ｌ事件の表示　ＰＣＴ／［ＪＳ８１１００４８８２、発明の８罫　並列荷、五粒 子ビーム露畠システム３補正をする者 ’Ｉｉ　Ｉ″１との関イＸ　持許出願人４代理人　〒６０４ ６　補正により増加する発明の数 （１）持、、′ｆ協力条そ′ノに基づく国際出願願書の翻訳文全別紙［国際調査 報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌａ）通路に沿って導かれる露出ビームとｂ）前記露出ビームを選択的に消去す るための手段と。 Ｃ）前記露出ビームの通路内に配置された多数ノ開口を有するスクリーンレンズ 手Ｓであって、前記開口の各々が前記スクリーンレンズ手段に近接して配置され た標的面上に前記露出ビームの縮小像を結像するためのレンズとして作用するよ うにした前記スクリーンレンズ手段、及び ｄ）前記露出ビームを予め定められた態様において偏向させる前記露出ビーム通 路に沿って配置された手段 を備えたことを特徴とする多像露出システム。 ２ａ）通路に沿って導かれる露出ビームとｂ）前記露出ビームを選択的に消去す るための手段と。 Ｃ）前記蕗畠ビームの通路内に配置されたスクリーンレンズ手段であって、多数 の開口を有することによシ前記開口の各々が前記露出ビーｆｇＢ小象を前記スク リーンレンズ手段に近接して配置された標的面上に結像させるだめのレンズとし て作用するようにした前記スクリーンレンズ手段、及ヒ ｄ）前記露出ビームを予め定められた態様において変更させるために、前記露出 ビームの通路に沿って配置された８顆調向手段を備えたことを特徴とする多像露 出システム。 ３　前記露出ビームが電子ビームからなシ前記標的面が基板上に電子感応材料を 被覆したものからなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のシステム。 ４　前記露出ビームがイオンビームからなり。 前記標的面が基板上にイオン感応材料を被覆したものからなることを特徴とする 特許請求の範囲第２項記載のシステム。 ５　前記露出ビームがイオンビームかラナ＃）。 前記標的面が前記イオンビームによってビー１形成されるべき半導体材料からな ることを２８ 特徴とする特許請求の範囲第２項記載のシステム。 ６　前記％高ビームがイオンビームからなり。 前記標的面が前記イオンビームによっテ蒸発。 飛散されるべき表面を持った基板から＆’＆２ｊることを特徴とする特許請求の 範囲第２項記載のシステム。 ７ａ）通路に沿って導かれる露出ビームとｂ）前記露出ビームを選択的に消去す るだめの手段と。 Ｃ）前記露出ビームと通路内に配置されたスクリーンとレンズ手段であって、多 数の開口を有することによシ前記開口の各々が前記スクリーンレンズ手段に近接 して配置された標的面上に前記露出ビームの縮小像を結像させるだめのレンズと して作用するようにした前記スクリーンレンズ手段と。 ｄ）前記ぽ出ビームを偏向させるために前記露出ビームの通路に沿って配置され た偏向手段、及び −１積和５８５００２６４　（２） ｅ）前記標的面を移動させるだめの手段を備えたことを特徴とする多像露出シス テム。 ８　前記露出ビームが電子ビームからなシ、前記標的面が基板上に形成された電 子感応材料の被覆からなることを特徴とする特ｆＦ請求の範囲第７項記載のシス テム。 ９　前記露出ビームがイオンビームかラナシ。 前記標的面が基板上に形成されたイオン感応材料の被覆からなることを特徴とす る特許請求の範囲第７項記載のシステム。 １０　前記露出ビームがイオンビームからなシ。 前記標的面が前記イオンビームによシドープ形成されるべき半導体材料からなる ことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のシステム。 １１　前記露出ビームがイオンビームかラナシ。 前記標的面が前記イオンビームによシ蒸発。 飛散されるべき表面を有する基板からなることを特徴とする特許請求の範囲第７ 項記載のシステム。 ０ １２　ａ　）通路に沿って−導かれる露出ビ゛−ムとｂ）前記露出ビームを選択 的に消去するだめの手段と、 Ｃ）前記露出ビームの通路内に配置された所定の開ロバターンを有するビーム素 描手段と、 ｄ）前記ビーム素描手段から間隔して配置されたスクリーンレンズ手段であって 、多数の開口を有することによシ前記開口の各４が前記スクリーンレンズ手段に 近接して配置された標的面上に前記所定の開ロバター′ンの縮小像を結像させる ためのレンズとして作用するようにした前記スクリーンレンズ手段と、 ｅ）前記露出ビームを第１の方向にのびる直線に沿って偏向させるために前記ビ ーム素描手段と前記スクリーンレンズ手段との闇における前記露出ビーム通路に 沿って配置された偏向手段及び ｆ）前記標的面を第２の方向において移動させるだめの手段 を備えたことを特徴とする多像露出システム。 １３　前記露出ビームが電子ビームからなり、前記標的面が基板上に形成された 電子感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載のシ ステム。 １４　前記露出ビームがイオンビームから７ｋＤ、前記標的面が基板上に形成さ れたイオン感応材料のＭ潰からなることを特徴とする特許請求の範囲第１２項記 載のシステム。 １５　前記露出ビームがイオンビームかラナシ、前記標的面が前記イオンビーム によシドーグ形成されるべき半導体材料からなることを特徴とする特許請求の範 囲第１２項記載のシステム。 ■６　前記露出ビームがイオンビームからなり、前記標的面が前記イオンビーム によって蒸発。 飛散されるべき表面を有する基板からなることを特徴とする請求 のシステム。 １７ａ）通路に沿って導かれる露出ビームと、ｂ）前記露出ビームを選択的に消 去するだめの手段と、 Ｃ）前記蔭出ビームと通路内に配置された所定の開ロバターンを有するビーム素 描手段と、 ｄ）前記ビーム素描手段から隔たって配置されたスクリーンレンズ手段であって 、多数の開口を有することによシ前記開口の各４が前記スクリーンレンズ手段に 近接して配置された標的面上に、前記所定の開ロバターンの縮小像を結像させる だめのレンズとして作用するようにした前記ヌクリーンレンズ手段と、 ｅ）前記露出ビームを第１の方向にのびる直線に沿って偏向させるために、前記 ビーム素描手段と前記スクリーンレンズ手段との間の前記露出ビーム通路に沿っ て配置された８極偏向手段、及び ｆ）前記標的面を第２の方向において移動さ持ＫＨ５８５００２Ｇ４　（３） せるための手段 を備えたことを特徴とする多像露出システム。 １８　前記露出ビームが電子ビームがらなシ、前記標的面が基板上に形成された 電子感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載のシ ステム。 １９　前記露出ビームがイオンビームからなシ、前記標的面が基板上に浸酸され たイオン感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第１７項記載 のシステム。 ２０　前記露出ビームがイオンビームか”＞ＩＤ、前記標的面が前記イオンビー ムによ、Ｃ）−−７’形成されるべき半導体材料からなることを特徴とする特許 請求の範囲第１７項記載のシステム。 ２１　前記露出ビームがイオンビームかラナシ、前記標的面が前記イオンビーム によって蒸発・飛散されるべき表面を有する基板からなることを特徴とする特許 請求の範囲第１７項記載のシステム。 ２２ａ）通路に沿って導かれる露出ビームと、ｂ）前記露出ビームを選択的に消 去するだめの手段と、 Ｃ）前記露出ビームの通路内に配置された所定の開ロバターンを有するビーム素 描手段と、 ｄ）前記ビーム素描手段から隔たって配置されたスクリーンレンズ手段であって 、多数の開口を有することによシ前記開口の各々か前記スクリーンレンズ手段に 近接して配置された標的面上に前記所定の開ロバターンの縮小像を結像させるだ めのレンズとして作用するようにした前記スクリーンレンズ手段と、 ｅ）前記４出ビームを前記スクリーンレンズ手段上に結像させるための手段であ って、その手段による焦点位置に前記ヱー人素描手段を位置させるようにした結 像手段と、ｆ）前記露出ビームを第１の方向にのびる直線に沿って閥向させるた めに前記ビーム素描手段と前記スクリーンレンズ手段との間の前記露出ビームの 通路に沿って配置された８極−向手段、及び ｇ）前記標的面を第２の方向において移動させるだめの手段、 を備えたことを特徴とする多像露出システム。 ２３　前記心高ビームが電子ビームからなシ、前記標的面が基板上に形成された 電子感応材料の被覆からなること全特徴とする特許請求の範囲第２２項記載のシ ステム。 ２４　前記露出ビームがイオンビームか６１．？、前記標的面が基板上に形成さ れたイオン感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第２２項記 載のシステム。 ２５　前記露出ビームがイオンビームからな９、前記標的面が前記イオンビーム によシドープ形成されるべき半導体材料からなることを特徴とする特許請求の範 囲第２２項記載のシステム。 ２６　前記露出ビームがイオンビームからな９、３６ 前記標的面が前記イオンビームによシ蒸発・飛散されるべき表面を有する基板か らなることを特徴とする特許請求の範囲第２２項記載のシステム。 ２７ａ）通路に沿って導かれる露出ビームと、ｂ）前記露出ビームを選択的に消 去するだめの手段と、 Ｃ）前記露出ビームの通路内に配置された前記開ロバターンを有するビーム素描 手段とｄ）前記ビーム素描手段から隔たって配置さレタスクリーンレンズ手段で あって、多数の開口を有することによシ、前記開口の各々が前記スクリーンレン ズ手段に近接配置された標的面上に前記矩形開ロバターンの縮小像を結像させる ためのレンズとして作用するようにした前記スクリーンレンズ手段と、 ｅ）前記スクリーンレンズ手段上に前記露出ビームを結像させるだめのレンズ手 段であって、前記ビーム素描手段が前記レンズ手符表昭５８５００２［；４　（ ４） 段の焦点に位置するようにした手段と、ｆ）前記露出ビームを第１の方向にのび る直線に沿って偏向させるために、前記ビーム素描手段と前記スクリーンレンズ 手段との間の前記露出ビーム通路に沿って配置された８極偏向手段、及び ｇ）前記標的面を前記第１の方向と実質的に直交した方向において移動さ′せる ための手段 を備えたことを特徴とする多像露出システム。 ２８　前記露出ビームが電子ビームからなシ、前記標的面が基板上に形成された 電子感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第２７項記載のシ ステム。 ２９　前記露出システムがイオンビームがらなり、前記標的面が基板上に形成さ れたイオン感応材料の被覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第２７項記 載のシステム。 Ｂｏ　ｍＪ記露出ビームがイオンビームからなシ、前記標的面が前記イオンビー ムによってドーグ形成されるべき半導体材料からなることを特徴とする特許請求 の範囲第２７項記載のシステム。 ａｌ前記露出ビームがイオンビームからなシ、前記標的面が前記イオンビームに よシ蒸発・飛散されるべき表面を有する基板からなることを特徴とする特許請求 の範囲第２７項記載のシステム。 ３２ａ）通路に沿って導かれる電子ビームと、ｂ）前記電子ビームを選択的に消 去するだめの４極消去手段と、 Ｃ）前記電子ビームの通路内に配置された矩形開ロバターンを有するビーム素描 手段と、ｄ）前記ビーム素描手段から隔たって配置されたスクリーンレンズ手段 であって、多数の開口を有することによシ前記弱口の各々が、前記ヌクリーンレ ンズ手段に近接配置された基板上の電子感応材料の被覆からなる標的面上に前記 矩形開ロバターンの絹小９ 像を結像させるためのレンズとして作用するようにした前記スクリーンレンズ手 段と、ｅ）前記電子ビームを前記スクリーンレンズ手段上に結像させるだめの手 段であって、その手段による焦点位置に前記ビーム素描手段を位置させるように したレンズ手段と、ｆ）前記電子ビームを第１の方向にのびる直線に沿って偏向 させるために、前記ビーム素描手段と前記スクリーンレンズ手段との間の前記電 子ビーム通路に沿って上置された８極偏向手段、及び ｇ）　前記標的面を前記第１の方向と実質的に直交する方向に移動させるための 手段を備えたことを特徴とする多像露出システム。