JPS5849841B2 - フレネルゾ−ンプレ−トの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フレネルゾーンフレートの製造方法に関する
。

近時、遠紫外線領域（１０００人程度以下）および軟Ｘ
線領域（１ｏｏＡ程度以下）で有効なレンス作用を有す
るものとしてフレネルゾーンプレートカ注目されている
。

このフレネノレソ゛−ンフレートはフレネル回折現象を
利用したもので、第１図に示す如く構威されている。

すなわち、使用光に対し極めて犬なる吸収係数を有する
遮光部（輪帯）１と使用光に対し極めて小なる吸収係数
を有する透光部（輪帯）２とを同心円的に、かつ交互に
配夕１ルでフレネルゾーンプレート３が構成されている
。

ここで、フレネルゾーンプレート３の中心からｎ番目の
輪帯の半径Ｒｎおよび幅Ｂｎはなる関係を有する。

ただし、λは使用する光の波長、ｆは定数である。

このようにフレネルゾーンプレート３を第２図に示す如
く配設すると、Ａ点より発した光はＢ点に収束する。

フレネルゾーンプレート３からＡ点およびＢ点までの各
距離をそれぞれａ，ｂとすると、距離ａ，ｂ間には次式
の関係が戒立する。

この第２式で示される関係は通常の凸レンズの結像公式
と同様である。

すなわち、フレネルゾーンプレート３は凸レンズ的作用
を有する。

したがって、結像条件における実効ＦナンバーＦｏを用
いれば、この結像系の解像幅Ｗ、波長λおよび実効Ｆナ
ンバーＦ８の間には、レンズの場合と同様に なる関係が戒立する。

ところで、フレネルゾーンプレートは前述した如く遠紫
外光領域および軟Ｘ線領域において、有効なレンズ作用
を有することがら各種の分野に用いられており、最近で
はより短波長Ｘ線領域（３Ａ程度以下）に適用できるも
のが要望されている。

フレネルゾーンプレートの代表的な適用分野としては次
の（ａ）〜（ｄ）のようなものがある。

（ａ） 生物学分野 （ｂ） 結晶学分野 （Ｃ） 地質・鉱物学分野および窒業分野（ｄ）
半導体工業分野 （ａ）〜（ｃ）の分野における使用は主にＸ線顕微鏡で
ある。

また、（ｄ）の分野では超大規模集積回路、超高速集積
回路および超高周波集積回路等に必要とされる微細蝕刻
技術における超微細パターン転写に使用される。

次に、前記各分野におけるフレネルゾーンプレートの使
用例について説明する。

細胞中の核、細胞膜等の主要成分は炭素、窒素、酸素お
よび水素等であるが、微量不純物としての無機金属の細
胞内各部における分布が必要な情報とされる場合、現在
の分析技術では極めて困難若しくは不可能とされている
。

また、結晶の欠陥には不必要な重金属が集積する傾向が
あるが、分布分析を行う技術の解像度が小さく、重要性
が認識されているにも拘らず進展をみていない。

地質・鉱物学分野では、結晶粒界における不純物の作用
、天然ガラス質物体中での結晶化および核の不純物等に
ついての分布分析が要望されている。

この問題解決は窒業分野に対しても直ちに適用できるの
である。

これ等の場合、拡大倍率として数倍〜数１０００倍が必
要とされ、さらにサブミクロンオーダ以下ノ分解能が必
要とされている。

いま、ＸＩＯＯ倍の顕微分布分析方法が開発され、０．
５〔μｍ〕の解像度を有する、例えば原子核用の写真乾
板上に像化し得たとすると、１００倍の光学的拡大を組
み合わせることにより、１００００倍で少なくともｘｏ
ｏ（Ａ）以下の分布分析が可能になる。

しかしながら、従来の光学的手法では使用波長（４００
０〜７ｏｏｏＡ）により限定されて解像度は使用波長程
度となり、前述したｘｏｏ（Ａ）以下の解像度を得るこ
とはできなかった。

また、Ｘ線或いは放射線同位元素を用いたラジオグラフ
では１：１の密着であったため、使用感剤の解像度は望
むべくもなかったのである。

エレクトロンプルーブマイクロアナリシス法による分析
では試料入射後の広がり、イオンビームマスマイクロア
ナリシス法ではイオンビームの高密度微細イオンビーム
形成の困難さのために、やはり１〜５〔μｍ〕程度の分
布分析が行われているにすぎない。

したがって、このような分布分析に使用できるフレネル
ゾーンプレートの実現が要望されている。

第３図はフレネルゾーンプレートを用いた分布分析装置
の概略構成を示す模式図である。

図中４は試料で５は不純物集合体である。

この試料４には上記不純物集合体５かも２次螢光Ｘ線Ｘ
２を発生させるための１次放射Ｘ線Ｘ１ が照射される
。

不純物集合体５で発生した２次螢光Ｘ線Ｘ２はフレネル
ゾーンプレート３を介して感光剤６上に拡大結像される
。

いま、フレネルゾーンプレート３から試料４および感光
剤６までの各距離をそれぞれａ，ｂとし、フレネルゾー
ンプレート３の焦点距離をｆとすれば となる。

したがって、ｆ＝３（ｍｍ′″Ｊとすればａ＝３．０３
（ｍｍ）、ｂ＝３０３（ｍｍ）となり通常使用可能な大
きさとなる。

ここで、２次螢光ＸＭＸの波長を８〔人〕と仮定すれば
、フレネルゾーンプレート３に必要なＦ値は前記第３式
からＦ中１０となる。

また、波長を２〔人〕と仮定すればＦｆ：４１となる。

これにより、必要とするフレネルゾーンプレート３の大
要が見当づゆられる。

また、前記半導体分野で使用される蝕刻技術では、０．
１〜０．２〔μｍ〕程度の像が分解転写されることがま
ず必要である。

現在の装置としては第４図に示す如く構或される。

図中７はＸ線源で、８はＸ線を遮ぎる部材からなるマス
クパターン９およびこのマスクパターン９を保持する保
持体１０で形成されたマスク基板である。

Ｘ線源７かものＸ線はマスク基板８を介してｓｉ基板（
試料）１１上のレジスト（感Ｘ線剤）１２に照射される
。

この場合、分解能はマスクパターン９の製作限界とＳｉ
基板１１の平坦性にまず作用される。

原理的には使用波長が短いため微細なパターン転写が可
能であるが、マスクパターン９を形成する電子ビーム描
画装置等に制約されて０．２〜０．３〔μ扉〕オーダの
線幅で描画することは極めて困難である。

現在の描画装置では１〜２〔μ扉〕オーダであれば高速
かつ微細マスクの描画製作が容易である。

したがって、半導体分野の蝕刻技術では第５図に示す如
く縮小転写が望ましい形式となる。

すなわちマスク基板８と試料１１との間にフレネルゾー
ンプレート３が配置されマスクパターン９は試料１１上
のレジストに縮小結像されるものとなっている。

この場合、フレネルゾーンプレート３からマスク基板８
および試料１１までの各距離をそれぞれａ，ｂとすれば ☆となる。

したがって、ｆ＝１０（ｍ，：］とすればｂ４０〜２１
０ＣＣＴＬ〕、ａ＝ １ ３ 〜１ ０．５ （ｃｍ）
となり、通常使用可能な大きさとなる。

ここで、使用波長を８〔人〕とし、必要分解能を１００
〔人〕とすればＦ値は前記第３式からＦ−１０、分解能
をｓｏｏ（Ａ）とすればＦ値はＦ−８２となる。

これにより必要とするフレネルゾーンプレート３０大要
が見当づゆられる。

このようにして、現在の要求をもとに必要なフレネルゾ
ーンプレート３０大要が見当づげられた。

以下、大要の設計について説明する。

フレネルゾーンプレートの要目は必要焦点距離をｆ、使
用波長をλとすると最内輪帯半径Ｒ１ は また、 ｎが十分大きい場合の最外輪帯幅Ｂｎは なる関係を有する。

このような関係を用いてフレネルゾーンプレートの要目
を計算した結果次表のようになった。

さて、上述したフレネルゾーンプレートを製造するには
、従来次のようにしている。

すなわち、前記表に示す設計値をもとに最内輪帯半径Ｒ
１、輪帯数ｎ、最外輪帯半径Ｒｎを計算し前記第１図に
示すような拡大像を描き、この拡大像をマスクとして光
学的縮小投影を繰り返し、必要な大きさのフレネルゾー
ンパターンを形成している。

しかしながら、このような製造方法にあっては次のよう
な問題があった。

すなわち、使用光学系および乳剤分解能等の限界により
最外輪帯幅Ｂｎとしては０．５〔μ扉〕が限界である。

このため、解像幅Ｗとしては第１０式から と与えられる。

また、最近の最も進歩した電子ビーム描画装置を用いて
も最外輪帯幅Ｂｎとしては０．２〔μｍ〕が限界である
。

この場合の解像幅ｎは同様にして と与えられる。

しかも、このような値は現在の電子ビーム描画装置にあ
る程度の改良変更を加えて始めて得られるのである。

すなわち、現在の電子ビーム描画装置では四角形に分割
描画するため、γ−θ関係を満足する曲線描画を高精度
に行い得ない。

このため、フレネル輪帯を精度良く直接描画するには新
たなる函数発生描画機能を与えるか、被描画試料の回転
機構を新たに設ける等の必要があり、実質的に困難であ
った。

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、必要な解像幅として０． Ｉ Ｃ ｔ
ｔ ｍ ） 程度以下、必要があればｌｏｏＣＡ〕程度
をも容易に達戒することができ、分布分析技術および半
導体の蝕刻技術等に適用して絶大なる効果を発揮するフ
レネルゾーンプレートを製造する方法を提供することに
ある。

まず、本発明の概要を説明する。

解像幅として０．１（μｍ）以下、要すれば１００（穴
〕をも達或するには最外輪帯幅Ｂｎの値は となる。

これらの値を現在の技術で得るには高真空中で、例えば
スペクトル法で飛来原子或いは分子をモニタしつつ蒸着
する手法が考えられる。

また、酸化や蝕刻も溝を形成していない開かれた面であ
れば可能である。

本発明はこのような点に着目し、フレネルゾーンプレー
トを製造するに際し、所望径の棒状体の周面に所望波長
の光に対する吸収係数が犬なる遮光部材と上記光に対す
る吸収係数が小なる透光部材とを交互に、かつ所定厚み
被着したのち、これを上記棒状体の軸心と垂直な面で切
断し薄片化すルヨうにして、前記目的を達戒せんとした
ものである。

以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第６図は本発明の一実施例方法に用いるフレネルゾーン
プレート製造装置を模式的に示す概略構成図である。

図中２０は高真空容器、２１は高真空排気系、２２は第
１蒸着物質源、２３は第２蒸着物質源、２４はセパレー
タ、２５，２６はそれぞれ第１および第２の蒸着物質源
２２，２３を交互に切換える時に使用するシャッターで
ある。

２７は被着試料回転装置であって、外部の制御装置２８
により回転速度が調整されるものとなっている。

２９は棒状の試料であり、上記回転装置２７によりその
軸心を中心として回転せられるものとなっている。

３０は被着厚モニタ用質量分析計、３１，３２はそれぞ
れ第１および第２の蒸着物質源２２ ，２３より発する
蒸着物質による被着厚をモニタする膜厚計であって、シ
ャッタ２５，２６に連動して交互に作動するシャッタ３
３，３４を有する。

３５は、試料軸径をモニタする測微顕微鏡であって、軸
径か細い場合にはＳＥＭ型電子顕微鏡がよく、その使用
境界は２〜５〔μｍ〕と考えればよい。

３６は、試料軸径を調整するたメノイオンビーム蝕刻用
イオン源である。

３７は被着試料軸を輻射冷却するための冷却フィンであ
る。

また、３８は全体を制御するためのマイクロコンピュー
ターで実際製作に附加することが望まれる。

実験の結果からすると、高真空容器２０内は１ ０−７
（ Ｔｏｒｒ ）以下、要すれば’ Ｏ −８（ Ｔｏ
ｒｒ）以下に排気されることが望ましい。

また、蝕刻用イオンビーム用ガスとしては、Ａｒ，Ｎ２
よりも酸素が適切であることが判明した。

したがって、以下述べる実験に於いて、高真空容器２０
内は３×１０ ’（Ｔｏｒｒ）に到着し、蝕刻用には
酸素を用いるものとする。

軸径を一様に、一様蒸着源より飛来する蒸着物質によっ
て増加せしめるためには、軸を回転せしめる必要がある
。

その場合の回転速度は高速であることが望ましいが高真
空中での高速回転は望ましい事ではなく、かつ、技術的
にも困難である。

実験の結果ではＢｎの１／１ ０ ０以下が一回転で被
着せしめるように配慮することが望ましいととが判明し
た。

したがって、Ｂｎが１〔μｍ〕被着厚速度が２０ （
Ａ／ ｓｅｃ ）であれば、１ ２ （ ｒｐｍ）以上
、要すれば２ ０ （ ｒｐｍ ）以上が望ましい結果
を与えた。

また、Ｂｎが小さい場合には被着速度を下げるか回転速
度を上げるかが必要となる。

蒸着源と試料間の距離ｌに比して試料径Ｒは極めて小さ
い、その比を１０−３以下にとることは極めて容易であ
る。

従って、被着に伴なう径増加による飛来ビームの見込角
変化の影響を大きく見積る必要はなく常に平行ビーム下
の円筒の被着による径増加と考えればよい。

この事実は第７図に示すように、前記試料２９に相当す
る被着軸４１前に軸径に比し極めて小なるスリット４２
を設置シ、蒸着物質流４３を制限してやる事の利点は殆
んどない事を意味する。

むしろ必要厚みを得るための全時間内の回転総数が多い
方が望ましいのである。

さらに、膜厚モニタを例えば水晶振動子型等で行なうと
きは、モニタ厚みと軸径増加量は一致せず、約１／２に
なることに留意する必要があった。

蒸着にあたって、蒸着源、スリット、軸回転速度変更、
等の制御および多数層の交互被着は極めて煩繁である。

従ってマイクロコンピュータ等を用いることが、作業者
の錯誤による失敗を防ぐために極めて有効である。

被着物質は使用光に対し透明、不透明が選定に当っての
第１の基準である。

第２の基準は被着にあたって犬なる多結晶を形或しない
ことであり、本基準は被着試料温度にも関連する。

通常、所謂シ※エピタキシャル温度よりかなり以下であ
ることが望ましい。

さらに、非晶質状態が得られれば望ましいが、非晶質状
態で被着せしめるために低温度、（例えば■では３〜４
°Ｋ，Ｂｉでは１５〜２５０Ｋが必要）を要する時は、
製造装置が複雑になる事をまぬがれ得ない。

更に第３の基準は、ゾーンプレートを保持体上に保持し
て利用できる場合に関するものである。

すなわち薄片状で保持する場合、使要光に対し不透明物
質であっても適切なる蝕刻方法に対する抵抗差が犬なれ
ばよい。

この場合、第２の基準で述べた非晶質、結晶質による差
を用いることも可能であって、その代表例としてＧｅ，
Ｓｉ、が上げられる。

次に、上記装置を用いたフレネルゾーンプレートの製造
方法の一例について説明する。

不透明物質としてＡｕ （第１蒸着物質源２２）、透明
物質としてＢｅ （第２蒸着物質源２３）を用いた。

まず、試料２９としてのＷ １ （ ｍｍ・φ〕線を機
械加工ならびに化学蝕刻により第８図に示す如く先端部
のみ長さ０．５（ｍｍ）程度を約１０〔μ扉・φ〕とす
る。

この試料２９を回転装置２７０回転軸に取り付け容器２
０内を高真空とする。

次いで、顕微鏡３５によって試料２９の径を測定しなが
ら、試料２９を３ ０ ０ （ ｒｐｍ〕にて回転しつ
つ酸素イオンを用いて蝕刻し必要径とする。

ＡＩＫα線用で焦点距離１ （ ｅｍ ）を考えたから
最内輪帯半径Ｒ１ として を選定した。

試料２９の蝕刻後試料２９を１００（ｒｐｍ）で回転し
つつＢｅを１．１９６（μｍ’ｌ被着した。

次いでＡｕを０．９１８μｍ被着後、Ｂｅ：０．７７３
８、０．６１６３、０．４ ９ ５ ５ （ ｔｔｍ〕
−・・・・・・、Ａｕ：０．６８１７、０．５６６８、
０．４９５５〔μｍ〕・・・・・・・・・と交互に被着
し、１０００層目としてＡｕを０．０４５６Ｃμ扉〕被
着した。

その最外径は９１．３１８１（μｍ〕である。

次いで回転軸より取り外した試料２９を直径５（ｉｎφ
〕のガラス又は金属円筒中央に設置し、金一Ｓｉ合金、
鉛一錫合金等低融点合金或いはエポキシ樹脂、ハンダガ
ラスで埋設する。

次いで、蒸着先端部を含んで円板状に切断し片面を鏡面
研磨し有機接着剤にて硝子板に接着する。

次いで、２０（μｍ〕まで研磨し、第９図に示す如く、
保持具５１を接着する。

保持具中央部５２は、後に容易に溶出し得る如き材料を
用いる。

例えば石骨、硫黄、ウッド合金等がよい。

保持具５１は、中央部異種充填物を含め、鏡面に磨いて
おくことが望ましい。

なお、５３は硝子又は金属等の筒、５４は埋設剤、そし
て、５５がゾーングレートである。

ついで硝子板を取り去り、１０（μｍ〕以下望ましくは
５〔μｍ〕程度に鏡面研磨する。

次いで裏面中央部充填剤５２を取り去った後、必要部に
酸素イオンビームにより平滑に蝕刻し１〜０．５〔μｍ
〕にレンズ部を薄膜化した。

かくして、得られたフレネルゾーンプレートの要目は次
の通りである。

１． ｆ＝１０（ｍｍ：ｌ使用波長 ８．３３９（人
〕ＡＩＫα用 ２．Ｆ＝１１０ ３． Ｗ＝０．１ １ Ｃ μｍ〕 したがってａ＝１０．１０（ｍｍ）で対象物にレンズを
対向せしめ、軌道放射Ｘ線を分光して８．４〔人〕単色
光で照明した所１．０１０（ｍｍ，ｌレンズより離れた
乾板上にＸＩＯＯ倍の対象物像を得ることができた。

この乾板の解像力は１〔μｍ〕であったから、充分に対
象物体の詳細を知ることが出来た。

本レンズをＳｉＫα ７．１２６Ｃ人〕のＸ線に使用し
た。

焦点距離は１１．７０（ｍｍ）となる。２０倍に拡大製
作した極高周波用集積回路用マスクを２〔μｍ〕Ｓｉ基
板上にＡｕで製作し、ＳｉＫα回転対陰極より発するＸ
線にて照明しマスクレンズ間２４５．７（關〕レンズレ
ジスト間１２．２８５〔μ胤〕にて露光を行なった。

その後改像をした所０．２５（μｍ〕の線幅を充分に解
像していた。

すなわち、０．２５１：μ胤〕の線幅を与えたマスク像
は、５．０〔μｍ〕であるから、マスクの製作は極めて
容易であった。

このように本実施例方法では、所望径の棒状の試料２９
を回転装置２７０回転軸に取り付け、試料を軸心な中心
として回転せしめると共、、第１および第２の蒸着物質
源２２ ，２３、シャツタ２５ ，２６ ，３３ ，３
４、膜厚計３１，３２等にイＹより試料２９の周面に使
用光に対する吸収係数の犬なる物質と吸収係数の小なる
物質とを交互に、かつ所定の厚みに蒸着し、しかるのち
これを前記軸心と垂直な面で切断し薄片化するようにし
ている。

したがって、最外輪帯幅Ｂｎの１００〔人〕程度の膜厚
をも容易かつ精度良く形成することができる。

このため、従来不可能とされていた解像幅０．１〔μｍ
）以下、要すれば１ｏｏ（Ａ）をも達或することのでき
るフレネルゾーンプレートを実現し得る。

このことは前述した各種の分野への適用において絶大な
る効果を発揮することになる。

また、製造装置として特殊なものを用いることなく、通
常の蒸着装置、回転装置等を組み合わせることによって
、容易に実現可能である。

さらに、前記薄片化した全てのものがフレネルゾーンプ
レートとなるので、１枚のフレネルゾーンプレートに対
する製造時間の短縮化および製造コストの低減化をはか
り得る等の効果を奏する。

次に、本発明の第２の実施例について説明する。

この実施例は生物学用並びにＸ線蝕刻技術研究用として
４４〔人〕ＣＫα軟Ｘ線用１０（ｉｆｆ焦点距離を有す
るゾーンプレートの製作例である。

なお、製造装置は第６図と同様のものを用いる。

４ ４ （ 大，） ＣＫαに対して透明且つ安定な固
体としては、Ｂｅ，Ｃ，Ｂ及びその相互化合物等がある
から透明部としてはこれ等物質を使用するか、或いは全
く何も使用しなくてもよい。

中心輪帯径Ｒ１は となる。

前記実施例と同様に１〔關φ〕Ｓｉロツド先端に機械加
工と化学蝕刻によリ０． ０ ５ ［： ｖｔｍφ〕Ｘ
Ｏ． ５ （ ｍｕ”：）部を製作、第６図の装置内
回転軸に設置し、酸素イオンビームにて１３．２７〔μ
扉〕径細柱とした。

次いで第１蒸発源としてＳｉ、第２蒸発源としてＧｅを
室温にて第１層にまづＧｅを、第２層にＳｉを蒸着し、
第（２ｎ＋１）層にＧｅ、第（２ｎ＋２）層にＳｉを蒸
着した。

そのミ※際の蒸着厚みは前記Ｒ１＝６．６３３３μｍを
使用して各層厚みに対して なる如く自動的にマイクロコンピュータ装置により制御
し、１６３８層で停止せしめた。

次いで前記実施例と同様に保持具に固定し、０．５（ｍ
ｍ）板に切断し、片面を鏡面研磨した後、硝子板に有機
接着剤にて固定し、０．１（ｍ耐に他面を鏡面研磨した
。

次いでレジストをその表面に塗布した後、通常の写真蝕
刻技術にて輪帯保持用口ジュウムを５ｏｏｏ（Ａ）蒸着
後、さらに電解メッキ法で１０〔μｍ〕被着させた。

この面を、後に取り去るために硫黄を中心２〔關〕径孔
に充填した白金板上に周辺金属保持部を接着固定した。

ついで約２０〔μ扉〕厚まで先に仮固定した硝子板を取
外して鏡面研磨した後、ｓｉ，Ｇｅ互層部を化学蝕刻で
２〔μｍ〕厚みとした。

この際ＨＦとＨＮＯ及びＣＨ３ＣＯＯＨの量比を変更す
ることにより、優先的にＧｅのエッチングを追行せしめ
得る。

更にエッチング速度は〔μｍ／ｍｉｎ）以下になる様に
希釈して行なう必要がある。

部分的に残存してぃるＧｅは、場合によっては酸素イオ
ンビームにて蝕刻してやればよい。

この際はＧｅばかりでなくＳｉも蝕刻されることに注意
しなげればならない。

ついで裏面より二硫化炭素にて、硫黄を溶出せしめれば
ロジュウム薄板にて支持されたＸ線透過部が中空である
ゾーンプレートが製作し得た。

この場合ＧｅとＳｉを用いたのは機械加工時に両者の硬
度及び胞性に他の金属に比し大きな差がなく加工がし易
い点からである。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるもノテハな
い。

例えば、実施例では適用光線としてＸ線の例を上げたが
、本ゾーンプレートの製造方法は、より波長の長い遠紫
外、紫外、可視、赤外光にも適用し得るものである。

可視、赤外光等長波長領域に於いてはフレネル輪帯中Ｂ
ｎが増大する。

従って、超高真空下の蒸着を行なうよりも減圧下或いは
常圧下の化学蒸気沈積技術（ＣＶＤ法）による蒸着、又
はスプレイ技術或いは電界沈積技術等も使用し得るもの
である。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はフレネルゾーンプレートを拡大して示す平面図
、第２図はフレネルゾーンプレートの作用を説明するた
めの模式図、第３図はフレネルゾーンプレートを用いた
分布分析装置の概略を示す模式図、第４図は従来のＸ線
等倍転写装置の概略を示す模式図、第５図はフレネルゾ
ーングレートを用いたＸ線縮小転写装置の概略を示す模
式図、第６図は本発明方法を実施する装置を模式的に示
す概略構戒図、第７図ないし第９図はそれぞれ本発明の
一実施例を説明するための模式図である。 １・・・・・・遮光部（輪帯）、２・・・・・・透光部
（輪帯）、３・・・・・・フレネルゾーンプレート、２
０・・・・・・高真空容器、２２，２３・・・・・・蒸
着物質源、２５，２６，３３，３４゜゜゜′・・シャツ
タ、２７・・・・・・回転装置、２９・・・・・・試料
、３ｏ・・・・・・質量分析計、３１，３２・・・・・
・膜厚計、３５・・・・・・顕微鏡、３６・叩・イオン
源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 同軸多層構造を有するフレネルゾーンプレートを製
   造するに際し、所望径の棒状体の局面に所望波長の光に
   対する吸収係数の犬なる物質と上記光に対する吸収係数
   の小なる物質とを交互に、かつ所定の厚さに被着したの
   ち、これを上記棒状体の軸心と垂直な面で切断し薄片化
   するようにしたことを特徴とするフレネルゾーンプレー
   トの製造方法。 ２ 前記棒状体をその軸心を中心として回転せしめると
   共に、棒状体の局面に前記各物質を交互に被着するよう
   にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフ
   レネルゾーンプレートの製造方法。 ３ 前記棒状体の周面への各物質の被着は、真空蒸着で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
   記載のフレネルゾーンプレートの製造方法。