JPS5846172U - 飽和電圧検出回路 - Google Patents

飽和電圧検出回路

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JPS5846172U
JPS5846172U JP14157281U JP14157281U JPS5846172U JP S5846172 U JPS5846172 U JP S5846172U JP 14157281 U JP14157281 U JP 14157281U JP 14157281 U JP14157281 U JP 14157281U JP S5846172 U JPS5846172 U JP S5846172U
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JP
Japan
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saturation voltage
voltage detection
detection circuit
diode
resistor
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Pending
Application number
JP14157281U
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English (en)
Inventor
佐藤　光勇
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例、第２図１ま本発明の詳細な説明する図
、第３図は本発明の実施例、第４図はＦＥＴのゲート電
圧、飽和電圧を示す。 図中、１は直流電源、２．１４は負荷、３はＦＥＴ、４
．７は抵抗、５はダイオード、６はコンデンサ、８はピ
ーク検出回路、９は電圧比較回路、１０はパルス幅制御
回路、１０′は三角波電圧発生器、１０″は駆動パルス
回路、１１はトランジスタ、１２はトランス、１３は整
流器、１５は飽和電圧検出回路、１６は基準電源を示す
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電源に直列接続されてスイッチ動作をしているトランジ
    スタの飽和電圧の検出において、抵抗Ｒ１とダイオード
    Ｄ１の直列回路が該トランジスタのドレイン（またはコ
    レクタ）とゲート（またはベース）間接続され、前記抵
    抗Ｒ１とダイオードＤ工の接続点からダイオードＤ２を
    介して飽和電圧検出用抵抗Ｒ２が接続されてな乞ことを
    特徴とした飽和電圧検出回路。
JP14157281U 1981-09-24 1981-09-24 飽和電圧検出回路 Pending JPS5846172U (ja)

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JPS5846172U true JPS5846172U (ja) 1983-03-28

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JP14157281U Pending JPS5846172U (ja) 1981-09-24 1981-09-24 飽和電圧検出回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015206792A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ 半導体スイッチング素子における電圧降下の正確な測定

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015206792A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ 半導体スイッチング素子における電圧降下の正確な測定

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