JPS584321B2 - セキガイセンヘンチヨウキ - Google Patents

セキガイセンヘンチヨウキ

Info

Publication number
JPS584321B2
JPS584321B2 JP49082754A JP8275474A JPS584321B2 JP S584321 B2 JPS584321 B2 JP S584321B2 JP 49082754 A JP49082754 A JP 49082754A JP 8275474 A JP8275474 A JP 8275474A JP S584321 B2 JPS584321 B2 JP S584321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
interferometer
infrared
modulator
plate
plates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP49082754A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5055349A (ja
Inventor
エルンストーグンテル・リールケ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ORUGANIZASHION UUROPEENNU DO RUSHERUSHU SUPAISHIIARU
Original Assignee
ORUGANIZASHION UUROPEENNU DO RUSHERUSHU SUPAISHIIARU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ORUGANIZASHION UUROPEENNU DO RUSHERUSHU SUPAISHIIARU filed Critical ORUGANIZASHION UUROPEENNU DO RUSHERUSHU SUPAISHIIARU
Publication of JPS5055349A publication Critical patent/JPS5055349A/ja
Publication of JPS584321B2 publication Critical patent/JPS584321B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はファブリー・ペローの干渉計の原理に基づく赤
外線変調器に関するものである。
最も簡単な変調器は回転円板又は振動叉を用いた機械的
な型式の変調器である。
この型式の変調器は100パーセント変調を与えるけれ
ども比較的に大きな駆動電力が必要であり、比較的損耗
が早いという欠点がある。
他に欠点として回転円板ではその大きさと重さであり、
振動叉では受信地域が限られるということである。
今1つの提案されている変調器としてファブリ・ペロー
の干渉計を使用したものがある。
ファブリ・ペロー干渉計は、原理的に、2枚の平らな反
射板を平行に並べた構成から成る。
ある与えられた波長において、ファブリ・ペロー干渉計
を通過する光波の伝播は、反射板間の距離に依存する。
伝播するビームは、機械的共振周波数において、板の間
隔を変化することによって変調される。
このようなファブリ・ぺロー干渉計を利用した変調器の
構成要素としての反射板を以下干渉計板という。
2枚の干渉計板を前記機械的共振周波数で振動させるた
めに駆動手段が与えられる。
そのような変調器が欧洲宇宙研究機構(Europea
n SpaceResearch Organiqat
ion)から1970年10月に出版された「赤外輻射
の非機械的変調の可能性の調査及びその衛星への応用の
有用性に関する考察( Survey of poss
ibilities ofnonmechanical
modulation of infra−red
radiation and considerati
on oftheir usefulness for
satellite app−1 ication)
」に開示されている。
これらの干渉計に適した材質は2乃至6ミクロンの波長
帯域にわたって比較的赤外線に適した伝達率と収束する
単色光の変調に最適効果を生ずる屈折率とを有するゲル
マニウムである。
しかし応用例のなかには、動作温度が比較的高い場合ま
たは干渉計板の厚さが大きい場合には、ゲルマニウムの
吸収値が許容できないレベル(10〜20%/cm2
)に達するので、赤外線に対する良好な透明度を有する
材質を選定しなければならない。
しかしこの選択が容易でないのは、赤外線に対してゲル
マニウム以上の大きな伝達率を有する材質は屈折率が比
較的低く、ファブリー・ペローの干渉計では比較的不十
分な変調しか行なわないことがわかっているからである
本発明の目的は、赤外線の屈折率および吸収能力がゲル
マニウムと比べて低い素材から干渉計板を製造し、これ
によって高い動作温度においても入射光に高い変調度を
与えることができることである。
本発明によれば変調器は3枚の平行に配置した干渉計板
を有し、その間に2つの連続的な間隙ないしは空胴を形
成して被変調赤外線を通過させる前記間隙の幅は2枚の
外側の干渉計板を固定したままで中央の干渉分光板を振
動させることによって周期的に変化し、一方の間隙幅の
正の変化は常に他方の間隙幅の負の変化に相当する。
干渉計板にとくに適した材質は高抵抗と赤外線に対する
低い吸収率を有する単結晶ドープのテルル化カドミウム
である。
干渉計板を高精度で配置しその間の間隙幅を正確に調整
することは、角度120度で配置した半径方向に可動な
3個のくさびを有するくさび機構を使用して干渉計板が
基準(休止)位置にあるときの干渉計板の平行度および
中央の干渉計板と外側の2枚の分光板との間に形成され
る間隙の幅を調整し、この調整を各間隙ごとに独立して
おこなうことによって、可能である。
本発明の他の特徴は、干渉計板が高抵抗を有する材質か
らなり、各間隙内に3個の均等に配置されたコンデンサ
を形成する金属層を周縁部に被着させることである。
前記コンデンサの容量を変えることによって間隙の幅お
よび干渉計板の平行度を調整することができる。
技術的には、周縁部に蒸着した金属層を高精度で一連の
等面積に分割し、干渉板の平行度および間隙幅の最適値
の調整は前記金属層によって形成されるコンデンサを正
確に等容量に調整することによって可能なので、困難で
はない。
このような調整に要する時間は、レーザ装置のような通
常の装置に必要な時間の何分の一にすぎない。
これらを相互に組み合わせると、調整コンデンサの電極
として動作する金属層を使用して中間の干渉計板の共振
を励起し、帰還回路を完成することができる。
さらに本発明は、干渉計板の外表面の一方または両方に
被変調光の波長帯域について形成されたフィルタ層を提
供する。
従来このようなフィルタは赤外線の光束路に別個に挿入
しなければならず、これがため反射と吸収による不要な
損失を誘発した。
第1図に本発明の赤外線変調器の基本構成を示す。
それは3枚の干渉計板1,1′および2を含み、それら
の干渉計板のうち外側の2枚1および1′は固定され、
中央の1枚2は振動できるような方法で箱6に装着され
ている。
板の間に形成される間隙を4および4′で示し、また入
射赤外線の方向を矢印3で示す赤外線変調器において、
間隙4および4′はそれぞれの正常位置(即ち休止位置
)を3/8λ*および5/8λ*に調節される。
ここでλ*は被変調赤外線の帯域の平均波長である。
これ等の帯域幅値は、第2図の動作曲線における2つの
動作点(○印)を定義する。
この2つの動作点での伝達量が赤外線の平均伝達量にな
る。
いま外側の干渉計板1および1′を固定したままで、中
央の干渉計板2をその正常位置の両側に周期的に振動さ
せたとすると、この振動により間隙4および4′の巾が
変調を受ける。
これにより、平均波長λ*に対する間隙4および4′の
伝達係数が、第2図に示すようにある最大および最小値
の間で変化し、このことは干渉効果を2乗に増大する。
最適な変調は平行な単色光赤外線で得られる。
この場合、動作値(第2図参照)として、間隙のうち大
きい方の幅を近似点(2n−1)λ*/8(n=1、2
、・・・・・・)に調節する。
第3図のグラフから明らかなように、平均波長λ^*を
有する非単色光の場合、変調効果2A′T・Iは帯域幅
△λの増加とともに段々減少する。
変調効果の減少は間隙が広い方かやゝ大きいので、伝達
曲線の第2および第2の波に表示されている動作領域だ
けが好結果を与える。
第4a図および第4b図は、中央の干渉計板2を3本足
の可撓性振動子5によって変調器の固定外枠6に支持す
る例を示す。
中央の干渉計板2が基準(休止)位置を中心として約λ
^*の振幅で振動していても、干渉計板自体は剛性であ
り可撓素子5のみがたわむことができる。
第5図は、干渉計板1,1’,2の周縁部における金属
層7,7’,8の配置および形状を示す。
干渉計板1,1’,2は高抵抗を有する材質からなり、
単結晶性ドープのテルル化カドミウムが望ましい。
真空蒸着による金属層7,7’,8によって間隙幅の容
量調整を容易に行ない、容量性の励振を容量性帰還路に
生ずることができる。
外側の干渉計板1,1′上にある金属層7,7′を接地
する場合は、外側の金属層7,7′および等面積を有す
る3個のセグメントに分割された中央の干渉計板2の金
属層8によって構成される平板コンデンサによって間隙
幅を調節することができる。
干渉計板1,1′,2の最適調整は、各間隙の3部分の
容量が等しくかつ基準値に相当するときに実現する。
そこで金属層8の各セグメントを相互に接続して接地し
、第6図の回路装置により外側の干渉計板1を通り外側
干渉計板1′を通る容量性帰還路によって容量性共振を
励起することができる。
この装置では、差動増幅器の入力側で正負の帰還を結合
することによって、間隙幅の振動振幅を約λ*/7の最
極値に調整することができる。
第7図は本発明による赤外線変調器の1実施例を示す。
この変調器の基本部は干渉計板1,1′,2を有し、そ
の間に調整可能な間隙4および4′を形成する。
中央の干渉計板2を変調器の固定外枠6に3本のロツド
状の可撓性共振素子5によって固定する。
外側の干渉計板1および1′の中央の干渉計板2に対す
る位置の粗調整は、角度120度間隔に配置された3本
の細かくねじを切ったねじ7によっておこなう。
干渉計板1,1′のクランプ用チャック17を環9,9
’上に保持し、この環は、約1度の円錐度を有し半径方
向の溝10内を移動する3個のくさび11によって外枠
6に対して軸を傾けることができる。
間隙4,4′の軸の微調整は3個の細かくねじを切った
ねじ12によっておこなわれ、このねじによって3個の
くさび11を半径方向の溝10内で移動させ、支持環9
,9’の軸を傾けて3点調整をおこなう。
高度に均質な共振を保証するには、変調器内部の気体を
排気孔13を通してほぼ10−4トル(10−4mmH
g)まで排気する。
変調器の内部空間は2個の絶縁ゴム部材14で気密封鎖
する。
変調器の励振は第5図および第6図について記載したよ
うにおこなう。
説明したこの実施例は収束レンズ15を有し、入射赤外
線16は矢印16′に示すように変調器を通過後、赤外
線検出器(図示せず)に焦点を合わせる。
本発明を要約すると次のとおりである。
(1)被変調光の波長帯域において低い吸収率を有する
材質からなる3枚の平行に配置された干渉計板を有し、
前記分光板の間に2つの連続的な間隙を形成して被変調
光を通過させ、前記3枚の干渉計板のうち外側の2枚の
干渉計板は固定し、中央の干渉計板を可撓性の共振素子
へ保持して前記間隙の幅を周期的に変化させる赤外線変
調器。
(2)前記第(1)項記載の赤外線変調器において、干
渉計板は、高抵抗および赤外線の低吸収率を有する単結
晶ドープのテルル化カドミウム(CdTe)からなる。
(3)前記第(1)項記載の赤外線変調器において、干
渉計板は円盤形状を有し、変調器は角度120度に配置
された3個の半径方向に移動可能なくさびを有して干渉
計板が基準(休止)位置にあるときの干渉計板の平行度
および中央の干渉計板と2枚の外側の分光板との間に形
成される間隙の幅を調整し、前記調整を各間隙ごとに独
立に行なえるようにする。
(4)前記第(1)項記載の赤外線変調器において、干
渉計板は円盤形状を有し、高抵抗を有する材質からなり
、前記干渉計板は入射光路からはずれた周縁部を有し、
前記周縁部に金属層を被着して各間隙に3つの均等に配
置されたコンデンサを形成し、前記コンデンサの容量を
変化させて前記間隙の幅または前記干渉計板の平行度を
調整する。
(5)前記第(3)項記載の赤外線変調器において、前
記干渉計板の内側表面の周縁部には真空蒸着によって導
電性物質を被着させ、静電圧および交番電圧を前記間隙
の一方の導電層に印加し、前記可撓性の共振素子の共振
を容量性によって励起する手段と、静的バイアス電圧を
他方の干渉計板の前記の層に印加して帰還電圧を与える
手段とを提供する。
(6)前記第(5)項記載の赤外線変調器において、前
記中央の干渉計板の周縁部にあって各間隙に面している
前記導電層のうち少なくとも1つを等面積を有する3つ
のセグメントに分割し、前記セグメントは角度120度
に配置してコンデンサとして使用し干渉計板の位置を調
整する。
(7)前記第(1)項記載の赤外線変調器において、干
渉計板の外側の表面の一方または両方の上に被変調光の
波長帯域用蒸着したフィルタを有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による赤外線変調器の概要を示す断面図
、第2図は、公知のファブリー・ペローの干渉計におけ
る赤外線の伝達率と干渉計板間隔との間の相関性を示す
グラフ、第3図は、波長15ミクロンにおいて干渉計板
を最適調整するための入射光帯域幅の関数である変調振
幅を示すグラフ、第4a図は、第4b図の線A−Aに沿
った断面の概要を示し、第1図の変調器の共振励起部を
示し、第4b図は第4a図の共振励起部の平面図、第5
図は、赤外線変調器において振動を調整し発生するのに
用いられる金属層の配置の概要を示す断面図(左)およ
び平面図(右)、第6図は、第1図乃至第5図の変調器
において容量性帰還による容量性の振動を発生する回路
接続を示し、第7図は、本発明の赤外線変調器全体の側
面図および半径方向の部分断面図である。 主要部分の符号の説明 用 語 符 号干渉計板
1,1’,2間 隙
4,4′可撓性の共振素子 5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被変調赤外線の波長帯域において限定された吸収率
    を有する材料で作られた3枚の平行に配置された干渉計
    板を含む赤外線変調器において、前記干渉計板は前記被
    変調赤外線を通過させるべく、それ等の間に2つの相続
    く間隙を形成し、前記3枚の干渉計板のうち外側の2枚
    は固定され、中央の干渉計板は前記間隙の巾を周期的に
    変化させ得るように可撓性の共振素子に懸架されている
    ことを特徴とする赤外線変調器。
JP49082754A 1973-07-20 1974-07-20 セキガイセンヘンチヨウキ Expired JPS584321B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732336930 DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1973-07-20 Infrarot-modulator (ii.)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5055349A JPS5055349A (ja) 1975-05-15
JPS584321B2 true JPS584321B2 (ja) 1983-01-26

Family

ID=5887506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP49082754A Expired JPS584321B2 (ja) 1973-07-20 1974-07-20 セキガイセンヘンチヨウキ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3955880A (ja)
JP (1) JPS584321B2 (ja)
CA (1) CA1018275A (ja)
DE (1) DE2336930A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10744357B2 (en) 2014-06-27 2020-08-18 Anvil International, Llc Adjustable bracket and hub for flexible hose support

Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8001281A (nl) * 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
NL8201222A (nl) * 1982-03-24 1983-10-17 Philips Nv Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer.
SE452428B (sv) * 1983-07-11 1987-11-30 Asea Ab Robotinstallation for montering
DD234208A3 (de) * 1984-06-08 1986-03-26 Halle Feinmech Werke Veb Anordnung zur externen modulation von ir-laser-strahlung hoher leistung
US5835255A (en) * 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US8014059B2 (en) * 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7619810B2 (en) * 1994-05-05 2009-11-17 Idc, Llc Systems and methods of testing micro-electromechanical devices
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7907319B2 (en) 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6836366B1 (en) * 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6373632B1 (en) * 2000-03-03 2002-04-16 Axsun Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filter
JP3768789B2 (ja) * 2000-09-07 2006-04-19 アルプス電気株式会社 超音波振動子及びウエット処理用ノズル並びにウエット処理装置
FR2824643B1 (fr) * 2001-05-10 2003-10-31 Jean Pierre Lazzari Dispositif de modulation de lumiere
US6589625B1 (en) 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
WO2003052431A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-26 Pirelli & C. S.P.A. Electro-optic semiconductor modulators
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US7012726B1 (en) 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7532194B2 (en) * 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7119945B2 (en) * 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7706050B2 (en) 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7060895B2 (en) 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7164520B2 (en) * 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7256922B2 (en) 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
KR101255691B1 (ko) 2004-07-29 2013-04-17 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7417783B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7259449B2 (en) * 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7289256B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7710629B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7916103B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7317568B2 (en) 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7405924B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US7369294B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7553684B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7299681B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7612932B2 (en) * 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7359066B2 (en) 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7405861B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US20060176487A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7161730B2 (en) 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7653371B2 (en) 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7417735B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7349136B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7415186B2 (en) 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7373026B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7813026B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US20060077126A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Manish Kothari Apparatus and method for arranging devices into an interconnected array
US7492502B2 (en) 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7368803B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7429334B2 (en) 2004-09-27 2008-09-30 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
TW200628877A (en) 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
EP1910216A1 (en) 2005-07-22 2008-04-16 QUALCOMM Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
WO2007014022A1 (en) 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US8643532B1 (en) 2005-12-12 2014-02-04 Nomadics, Inc. Thin film emitter-absorber apparatus and methods
US7973696B2 (en) * 2005-12-12 2011-07-05 Nomadics, Inc. Thin film emitter-absorber apparatus and methods
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7636151B2 (en) 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7582952B2 (en) 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7643203B2 (en) 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7527996B2 (en) 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7369292B2 (en) 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7471442B2 (en) * 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7388704B2 (en) 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
EP1943551A2 (en) 2006-10-06 2008-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
KR101535805B1 (ko) 2006-10-06 2015-07-09 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 디스플레이 장치 및 디스플레이 형성방법
US7545552B2 (en) 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
US7468828B2 (en) * 2006-10-19 2008-12-23 Alcatel-Lucent Usa Inc. Spot array generation using a MEMS light modulator
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7625825B2 (en) * 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
JP5209727B2 (ja) 2007-10-19 2013-06-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力デバイスを有するディスプレイ
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
US8670171B2 (en) 2010-10-18 2014-03-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display having an embedded microlens array
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US10983372B2 (en) * 2017-07-14 2021-04-20 Redlen Technologies, Inc. Fast-switching electro-optic modulators and method of making the same
CN108180991B (zh) * 2018-03-05 2024-07-16 清华大学 一种红外窄带热辐射器及制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3659919A (en) * 1968-12-12 1972-05-02 Texas Instruments Inc Tri-level interferometer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10744357B2 (en) 2014-06-27 2020-08-18 Anvil International, Llc Adjustable bracket and hub for flexible hose support
US10792526B2 (en) 2014-06-27 2020-10-06 Anvil International, Llc Adjustable bracket and hub for flexible hose support

Also Published As

Publication number Publication date
US3955880A (en) 1976-05-11
JPS5055349A (ja) 1975-05-15
DE2336930A1 (de) 1975-02-06
CA1018275A (en) 1977-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS584321B2 (ja) セキガイセンヘンチヨウキ
US6556338B2 (en) MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
EP0668490B1 (en) Electrically tunable fabry-perot interferometer produced by surface micromechanical techniques for use in optical material analysis
US3302027A (en) Interferometric method and apparatus for modulation and control of light
US4553816A (en) Tunable Fabry-Perot filter
US5128798A (en) Addressable wedge etalon filter
CA2084946C (en) Resonant mirror and method of manufacture
JP2008537609A (ja) 音響光学装置
JPS63501600A (ja) ファブリペロ−干渉計
EA036466B1 (ru) Модулированный интерферометр фабри-перо
US5262889A (en) Optical frequency shifter
JPH041890B2 (ja)
US7061681B2 (en) Fabry-Perot interferometer
EP0637123B1 (fr) Moteur à ondes acoustiques de surface
US20140198388A1 (en) Fabry-perot device with a movable mirror
BE898703A (fr) Gyroscope ou gyrometre laser a miroirs et courant vacillants
US3935472A (en) Thin film liquid waveguide optical converter
US4152674A (en) Air spaced etalon with mechanism for adjusting parallelism of reflecting surfaces
JP2004109651A (ja) 光走査装置、光書き込み装置及び画像形成装置
US3201709A (en) Tunable optical resonator for harmonic generation and parametric amplification
CN207834541U (zh) 一种基于机械调节的可调超材料滤波器
EP0312552B1 (fr) Gyrometre laser, dispositif de suppression des rotations parasites des miroirs mobiles
RU2518366C1 (ru) Сканирующее интерференционное устройство в виде двухзеркального интерферометра фабри-перо
TW200404406A (en) Piezoelectric tunable filter
JPH086082A (ja) 波長変換装置、波長変換方法及び波長変換用bbo結晶