JPS5842263A - Multichip package - Google Patents
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- JPS5842263A JPS5842263A JP13958081A JP13958081A JPS5842263A JP S5842263 A JPS5842263 A JP S5842263A JP 13958081 A JP13958081 A JP 13958081A JP 13958081 A JP13958081 A JP 13958081A JP S5842263 A JPS5842263 A JP S5842263A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数個のL8Iチップを搭載するマルチチップ
パッケージの構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the structure of a multi-chip package mounting a plurality of L8I chips.
近年、システムの価格性能比を向上させる手段としてシ
ステ^のLSI化が進んでいる。このLSIの性能を十
分にシステムに反映させるためには「L8Iをいかにシ
ステムとして組みあげていくか」と−うL8I化実装技
術が必要となる。マルチチップパッケージはこのための
重要な技術であり、L8Iの集積化、高速化が進むにつ
れ、この種のパッケージに対しても、高密度微細な配線
パターンや多数の外部接続ビンの形成を要求してきてい
る。In recent years, LSI systems have been increasingly used as a means to improve the price/performance ratio of systems. In order to fully reflect the performance of this LSI in a system, L8I implementation technology is required, which involves determining how to assemble L8I into a system. Multi-chip packaging is an important technology for this purpose, and as the integration and speed of L8I progress, this type of package will also require the formation of high-density, fine wiring patterns and a large number of external connection bins. ing.
従来、この種のマルチチップパッケージとしては8電の
ムC08800/90Gコンピユータに用いられたもの
とIBMの43@シリーズや3081プロセツサに用−
られたものが著名である。前者のマルチチップパッケー
ジは、アルミナセラミック基板上に厚膜および薄膜技術
で多層回路が形成されており、信号線幅は1100j1
以下で高密度微細パターンの形成には成功して−るが、
アルミナセラミック基板にスルーホールを形成すること
が困難なため、外部接続ビンはLSIチップ搭載面と同
一面に形成する必要がある。そのために、外部接続ビン
を形成する領域の大きさが限定され多数の外部接続ビン
の形成は困難であった。一方、後者にやFiやアルミナ
セランツク基板を用いているが、七ラミックとして焼結
させる以前の段階、−わゆるグリーンシート時にスルー
ホール形成や導体配線パターンの印刷を行なっている。Conventionally, this type of multi-chip package was used in the 8-electronic C08800/90G computer, and the one used in IBM's 43@ series and 3081 processors.
Those that have been mentioned are famous. The former multi-chip package has a multilayer circuit formed on an alumina ceramic substrate using thick film and thin film technology, and the signal line width is 1100J1.
Although we succeeded in forming a high-density fine pattern using the following method,
Since it is difficult to form through holes in an alumina ceramic substrate, the external connection bins must be formed on the same surface as the LSI chip mounting surface. Therefore, the size of the area in which the external connection bins are formed is limited, making it difficult to form a large number of external connection bins. On the other hand, although YaFi or alumina ceramic substrates are used for the latter, through-holes are formed and conductor wiring patterns are printed at a stage before sintering into a hexalamic, i.e., during the so-called green sheet stage.
このために外部接続ビンの多数形成には(基板裏面に全
1iK形成す為ことによシ)成功しているが、配線パタ
ーンの微細化が困難になる。これは、配線パターンの材
料がアルンナ焼結温度に耐えられるタングステンやモリ
ブデンに@られてしまい電気抵抗が高く、印刷性も良く
ないために、パターンの微細化ができないからである。For this reason, although it has been successful in forming a large number of external connection vias (particularly because they are all 1iK formed on the back surface of the substrate), it becomes difficult to miniaturize the wiring pattern. This is because the material of the wiring pattern is made of tungsten or molybdenum, which can withstand the Aluna sintering temperature, and has high electrical resistance and poor printability, making it impossible to miniaturize the pattern.
本発明の目的は、高密度微細な配線パターンと、多数の
外部接続ビンを有するマルチチップパッケージを提供す
ることKToる。An object of the present invention is to provide a multi-chip package having a high-density, fine wiring pattern and a large number of external connection bins.
前記目的を達成するために本発明によるマルチチップパ
ッケージは導電体を内部シよび表面に有するセラミック
多層回路基板と、前記セラミック多層回路基板の表面に
搭載され、前記導電体と電気的に接続してiる複数のL
8IチップもしくflL8Iチップを有する複数のL8
Iチップキャリアと、前記セラミック多層回路基板の裏
面に形成され、前記導電体と電気的に接続している導体
配線層および有機樹脂または低融点無機ガラスまた1l
N2焼結可能な無機ガラスの絶縁層からなる多層回路と
、前記多層回路の表面に固着して形成され、前記導体配
線層と電気的に接続している外部接続用ビンとがら構成
しである。To achieve the above object, a multi-chip package according to the present invention includes a ceramic multilayer circuit board having a conductor inside and on the surface, and a ceramic multilayer circuit board mounted on the surface of the ceramic multilayer circuit board and electrically connected to the conductor. iru multiple L
Multiple L8s with 8I chip or flL8I chip
an I-chip carrier, a conductor wiring layer formed on the back surface of the ceramic multilayer circuit board and electrically connected to the conductor, and an organic resin or a low melting point inorganic glass;
It consists of a multilayer circuit made of an insulating layer of inorganic glass that can be sintered with N2, and an external connection via which is fixedly formed on the surface of the multilayer circuit and electrically connected to the conductor wiring layer.
以下、図面等により本発明をさらに詳しく説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings and the like.
第1図は、本発明の第1の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.
第1図にシいてセラミック多層回路基板11の第1の表
面には、チップキャリア12を取プ付けるためのポンデ
ィングパッドl1mカ形成されている。tた、内層に轢
電源層11bおよびスルーホールllcが形成されてい
る。さらにセラミック多層回路基板11の第2の表面す
なわち裏面には、多層回路13と接続されるためのパッ
ドlidが形成されている。これらのポンディングパッ
ド11a、電源層11b、スルーホール11C。As shown in FIG. 1, on the first surface of the ceramic multilayer circuit board 11, a bonding pad l1m for mounting the chip carrier 12 is formed. In addition, a power supply layer 11b and a through hole llc are formed in the inner layer. Furthermore, a pad lid for connection to the multilayer circuit 13 is formed on the second surface, that is, the back surface, of the ceramic multilayer circuit board 11. These bonding pads 11a, power supply layer 11b, and through holes 11C.
パッドlidの導電体はタングステンが用いられ、ポン
ディングパッド111およびパッドlidの表面Kti
タングステンの酸化や腐蝕を防ぐため金メッキがほどこ
されている。L8Iチップ12bをセラミツク回路基板
12aに搭載した構造のチップキャリア12d、接続端
子121によってポンディングパッドIIJIと接続さ
れている。tたセラミック回路基板12暑にヒートシン
ク12cが取り付けられており、L8Iチップ12bか
ら発生する熱の放散を助けている。セラ2ツク多層回路
基板11とチップキャリアのセラばツク囲路基板12a
とは同一の熱膨張係数を有する材質に71つており、ス
トレスによる接続の劣化を防止している。セラミック多
層回路基板11のチップキャリア12を搭載している面
の反対側には有機絶縁jli 13bおよび導体配線1
3aよりなる多層回路13が・形成されている。導体配
線パターン13at!セラミツク多層回路基板11のパ
ッドlidと電気的に接続している。また多層回路13
の表面にはピン立て用パッド13cが形成されており、
ここに外部接続用ビン14が取り付けられている。Tungsten is used as the conductor of the pad lid, and the surface Kti of the bonding pad 111 and the pad lid is
Gold plating is applied to prevent tungsten from oxidizing and corroding. A chip carrier 12d having a structure in which an L8I chip 12b is mounted on a ceramic circuit board 12a is connected to a bonding pad IIJI by a connecting terminal 121. A heat sink 12c is attached to the ceramic circuit board 12, which helps dissipate heat generated from the L8I chip 12b. Ceramics multilayer circuit board 11 and chip carrier ceramic circuit board 12a
It is made of a material with the same coefficient of thermal expansion as the 71 to prevent deterioration of the connection due to stress. On the opposite side of the ceramic multilayer circuit board 11 to the surface on which the chip carrier 12 is mounted, an organic insulating layer 13b and a conductor wiring 1 are provided.
A multilayer circuit 13 consisting of 3a is formed. Conductor wiring pattern 13at! It is electrically connected to the pad lid of the ceramic multilayer circuit board 11. Also, the multilayer circuit 13
A pin stand pad 13c is formed on the surface of the
An external connection bin 14 is attached here.
本実施例の場合、セラミック多層回路基板11の内部に
形成されている導電体は電源層11bおよびポンディン
グパッド111と、パッドlidを結ぶスルーホールl
ieである。このようなパターンは回路上、微細パター
ンにする必要はなく、また搭載するI8Iチップの種類
に関係なく共通パターン化ができるので、込わゆるグリ
ーンシート法と呼ばれる技術の特長を生かして容易に形
成することができる。またこのセラミツク多層回路基板
11裏
ている信号導体配線の材質は金(Au)、有機絶縁13
bの材質はポリイミドであり、仁れらによって高信頼性
を得ている。In the case of this embodiment, the conductor formed inside the ceramic multilayer circuit board 11 is a through hole l connecting the power supply layer 11b and the bonding pad 111 with the pad lid.
It is ie. Such a pattern does not need to be a fine pattern due to the circuit, and can be made into a common pattern regardless of the type of I8I chip mounted, so it can be easily formed by taking advantage of the features of the technology called the so-called green sheet method. can do. Further, the material of the signal conductor wiring on the back side of this ceramic multilayer circuit board 11 is gold (Au), and the material of the organic insulation 13
The material b is polyimide, and has achieved high reliability by Nire et al.
セラミック多層回路基板11に用いられる導電体材料は
タングステンであり、この金属は空気中で高温にすると
酸化してしまい導電体でなくなってしまう。したがって
回路基板11に多層回路13を形成する場合、従来のよ
うな厚膜材料は使うことができない。本実施例の場合、
金は選択メッキ法で形成し、有機絶縁はポリイミドを用
いているので、高々350Cの温度にさらされるだけで
あり、内部のタングステン(llb、IIC) Flそ
のままで、表面のタングステン(lla、lid )も
金メッキをすることによって酸化せずに多層回路13を
形成できる。また配線および絶縁スルーホールのパター
ン化ハ、フォトリソグラフィを用いて行なっており、高
密度微細化を達成している。ピン立て用パッド13ci
j、銅メッキで形成されており、ビン14がハンダ付は
サレテvhる。ビン14は多層回路13の表面全面にわ
たって取り付けることができるため多数形成することが
できる。LSIチップ12bt;!チップキャリア12
によって基板11と接続されており、不良チップが発生
してもチップキャリア単位で交換がおこなえるため、作
業が容易になる。The conductor material used in the ceramic multilayer circuit board 11 is tungsten, and this metal oxidizes and ceases to be a conductor when exposed to high temperatures in the air. Therefore, when forming the multilayer circuit 13 on the circuit board 11, conventional thick film materials cannot be used. In the case of this example,
Since the gold is formed by selective plating and the organic insulation is made of polyimide, it is exposed to a temperature of at most 350C, and the tungsten (lla, lid) on the surface remains intact while the internal tungsten (llb, IIC) Fl remains as is. By plating with gold, the multilayer circuit 13 can be formed without oxidation. Furthermore, patterning of wiring and insulating through holes is carried out using photolithography, achieving high density and miniaturization. Pin stand pad 13ci
It is made of copper plating, and the bottle 14 is not soldered. Since the bins 14 can be attached over the entire surface of the multilayer circuit 13, a large number of them can be formed. LSI chip 12b;! Chip carrier 12
The chip carrier is connected to the substrate 11 by the chip carrier, and even if a defective chip occurs, it can be replaced in chip carrier units, making the work easier.
12図は本発明の第2の実施例を示す断面図である。セ
ラミック多層回路基板21の構造材質に第1図のものと
ほぼ同じである。本図の場合にポンディングパッド21
aと、パッド21dを結ぶスルーホール21cが内部ニ
おいてストレートニ貫通していることが第1図との相違
であるがこれは本質的なことではない。本実施例が第1
の実施例と比べて大きく異なっている点は多層回路23
の絶縁層23bの材質が低融点無機ガラスであることお
よびL8Iチップ228をチップキャリアを用いずに、
チップのまま直接ポンディングしていることである。FIG. 12 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention. The structural material of the ceramic multilayer circuit board 21 is almost the same as that shown in FIG. In the case of this figure, the bonding pad 21
The difference from FIG. 1 is that the through hole 21c connecting the pad 21d and the pad 21d passes straight through the inside, but this is not essential. This example is the first
The major difference from the embodiment is that the multilayer circuit 23
The material of the insulating layer 23b is low melting point inorganic glass, and the L8I chip 228 is mounted without using a chip carrier.
This means that the chips are directly pounded.
絶縁層23bに低融点無機ガラスを用いるととKよって
多層回路基板21の導電体であるタングステンを酸化さ
せずに、多層回路23を形成することができる。導体配
線層23aの材質にも低温焼成可能な厚膜導体材料を用
いることによって、スクリーン印刷技術だけで多層回路
23が形成できる。これは信号線幅がフォトリソグラフ
ィ技術を用いるほどは微細ではないが、タングステンや
モリブデンペーストの印刷では難かしい値、具体的にt
!100μm〜300j1mの場合に有効な手段となる
。L8Iチップ221を直接搭載することによりチップ
キャリアを用いた場合と比べてより高密度にL8Iチッ
プを並べることができる。本実施例ではいわゆるTAB
チップを用いており、これをフェースダウンの構造にし
てり一ド22bをポンディングパッド21aK熱圧着し
ている。チップ22mはヒートシンク22clC固着さ
れて訃り、このために熱の放散は良好である。When low melting point inorganic glass is used for the insulating layer 23b, the multilayer circuit 23 can be formed without oxidizing tungsten, which is the conductor of the multilayer circuit board 21. By using a thick film conductor material that can be fired at a low temperature for the material of the conductor wiring layer 23a, the multilayer circuit 23 can be formed using only screen printing technology. Although the signal line width is not as fine as using photolithography, it is a value that is difficult to achieve when printing with tungsten or molybdenum paste.
! This is an effective means in the case of 100 μm to 300 μm. By directly mounting the L8I chips 221, it is possible to arrange the L8I chips at a higher density than when using a chip carrier. In this example, the so-called TAB
A chip is used, which has a face-down structure, and the pad 22b is bonded to the bonding pad 21aK by thermocompression. The chip 22m is fixed to the heat sink 22clC, so that heat dissipation is good.
第3図は本発明の第3の実施例を示す断面図である。本
図においてセラミック多層回路基板31の表面Kt!L
SIチップ32畠を取りつけるためのくぼみがあり、こ
こにI、8Iチップ32mが搭載されチップリード32
bがポンディングパッド31aK熱圧着によってポンデ
ィングされている。FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention. In this figure, the surface Kt! of the ceramic multilayer circuit board 31! L
There is a recess for attaching the SI chip 32, and the I and 8I chips 32m are mounted here and the chip lead 32 is mounted.
b is bonded by a bonding pad 31aK by thermocompression bonding.
くぼみとくぼみの間および基板周辺部の高くなったとこ
ろにコールドプレート35が接着されている。このコー
ルドプレートは内部のLSIを機械的に保護すると同時
にチップから発生する熱の伝導路Ktつている。A cold plate 35 is bonded between the depressions and at a raised area around the substrate. This cold plate mechanically protects the internal LSI and at the same time provides a conduction path Kt for heat generated from the chip.
このコールドプレートを水のような液体で冷やすかフィ
ンをつけて空冷することによって良好な熱放散が可能に
なる。多層回路33の絶縁層33bの材質は、チッ素雰
囲気中で焼結可能な無機ガラス材料を用いている。Good heat dissipation can be achieved by cooling the cold plate with a liquid such as water or by attaching fins to air cooling. The insulating layer 33b of the multilayer circuit 33 is made of an inorganic glass material that can be sintered in a nitrogen atmosphere.
チッ素雰囲気で焼成するために1.この場合は、900
℃前後まで温度をあげることが出来、第2の実施例のよ
うな低融点無機ガラスに材質を限定されない。また信号
導体配線33mの材質としては、銅(Cu)を用いてい
る。これKよって低い電気抵抗値を有すること、パター
ン化が容易であるとと、価格が安いことなどいろいろな
点で有利となって−る。For firing in a nitrogen atmosphere 1. In this case, 900
The temperature can be raised to around 0.degree. C., and the material is not limited to low melting point inorganic glass as in the second embodiment. Copper (Cu) is used as the material for the signal conductor wiring 33m. K has various advantages such as low electrical resistance, easy patterning, and low cost.
本発明は以上詳しく説明したように、セラミック多層回
路基板の表面KL8Iチップを搭載し、反対画に多層回
路を形成し、その表面にビンを取りつける構造をとるこ
とにより高密屓微細な配線パターンを有し、かつ外部接
続用のビンを多数有するマルチチップパッケージを提供
できる。As explained in detail above, the present invention has a structure in which a KL8I chip is mounted on the surface of a ceramic multilayer circuit board, a multilayer circuit is formed on the opposite side, and a bottle is attached to the surface, thereby creating a highly dense and fine wiring pattern. In addition, it is possible to provide a multi-chip package having a large number of external connection bins.
第1図は本発明の第1の実施例を示す断面図第2図は本
発明の第2の実施例を示す断面図、第3図は本発明の第
3の実施例、を示す断面図である。
11、21 、31−・・セラζツク多層回路基板11
m、21m、31畠・−ボンデインダパッド11b、2
11e、31b、−電源層
11c、21c、31cmスルーホール11d、21d
、31d・・・パッド
12−L8Iチップキャリア
121−セラ2ツク回路基板
12b、22a、32a−L81fツーj12c、22
c・−ヒートシンク
12d−接続端子
22b、32b−チップリード
13.23,33−・・多層回路
13m、23m、33m−信号導体配線13b、23b
、3:Th−絶縁層
13c、!3c、33cmビン取りつけ用ノ(ラド14
、24 、34・−・外部接続用ビン3s−・コール
ドブV−゛ト
特許出願人 H本電気株式会社
代理人 弁理士 井) ロ 壽FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the invention. FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the invention. It is. 11, 21, 31-... Ceramic multilayer circuit board 11
m, 21m, 31 Hatake - bonder pad 11b, 2
11e, 31b, - power supply layer 11c, 21c, 31cm through hole 11d, 21d
, 31d...Pad 12-L8I chip carrier 121-Cera2 circuit board 12b, 22a, 32a-L81f to j12c, 22
c.-Heat sink 12d-Connection terminals 22b, 32b-Chip leads 13.23, 33--Multilayer circuits 13m, 23m, 33m-Signal conductor wiring 13b, 23b
, 3: Th-insulating layer 13c, ! For attaching 3c and 33cm bottles (RAD 14
, 24 , 34...External connection bottle 3s-/cold bar V-tot Patent applicant H Hon Electric Co., Ltd. Agent Patent attorney I) Ro Hisashi
Claims (1)
板と前記セラミック多層回路基板の!J1の表面に搭載
され、前記導電体と電気的に接続している複数のLSI
チップもしく11、LSIチップを有する複数のLSI
チップキャリアと、前記セラミック多層回路基板の前記
第1の表面の反対側の第2の表面に形成され前記導電体
と電気的に接続している導体配線層および有機樹脂また
は低融点無機ガラスまたはN2焼結可能な無機ガラスの
絶縁層からなる多層回路と、前記多層回路の表面に固着
して形成され、前記導体配線層と電気的に接続して−る
外部接続用ピンとから構成したことを特徴とするマルチ
チップパッケージ。A ceramic multilayer circuit board having a conductor inside and on the surface, and the ceramic multilayer circuit board! A plurality of LSIs mounted on the surface of J1 and electrically connected to the conductor
Chip or 11, multiple LSIs having LSI chips
a chip carrier, a conductor wiring layer formed on a second surface opposite to the first surface of the ceramic multilayer circuit board and electrically connected to the conductor, and an organic resin, a low melting point inorganic glass, or N2. It is characterized by comprising a multilayer circuit made of an insulating layer of sinterable inorganic glass, and external connection pins fixedly formed on the surface of the multilayer circuit and electrically connected to the conductor wiring layer. Multi-chip package.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13958081A JPS5842263A (en) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | Multichip package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13958081A JPS5842263A (en) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | Multichip package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5842263A true JPS5842263A (en) | 1983-03-11 |
Family
ID=15248563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13958081A Pending JPS5842263A (en) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | Multichip package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5842263A (en) |
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