JPS5841683B2 - current amplification circuit - Google Patents

current amplification circuit

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JPS5841683B2
JPS5841683B2 JP53025135A JP2513578A JPS5841683B2 JP S5841683 B2 JPS5841683 B2 JP S5841683B2 JP 53025135 A JP53025135 A JP 53025135A JP 2513578 A JP2513578 A JP 2513578A JP S5841683 B2 JPS5841683 B2 JP S5841683B2
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JP
Japan
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transistor
base
current
collector
emitter
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JP53025135A
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JPS53105163A (en
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良夫 石垣
登史 岡田
正之 本宮
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
    • H03F3/343Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路に好適な電流増幅回路に関し、特に入
力電流に正確に比例した出力電流を得るようにしたもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a current amplification circuit suitable for integrated circuits, and in particular to one that obtains an output current that is exactly proportional to an input current.

第1図は従来の電流増幅回路を示し、Eは直流バイアス
源、V’tは入力電圧源、Qlはダイオードでトランジ
スタのベースとコレクタを共通接続してダイオードとし
て使用する様にしている。
FIG. 1 shows a conventional current amplification circuit, in which E is a DC bias source, V't is an input voltage source, Ql is a diode, and the base and collector of the transistor are commonly connected to be used as a diode.

Q2は増幅用トランジスタである。Q2 is an amplification transistor.

尚、R1は入力電圧源viを電流源に変換するための比
較的大きな抵抗器である。
Note that R1 is a relatively large resistor for converting the input voltage source vi into a current source.

この回路に依ればトランジスタQ1のコレクタ電位は大
略0.7 Vとなっており、このためトランジスタQ2
のベース電位も大略0.7Vとなっている。
According to this circuit, the collector potential of transistor Q1 is approximately 0.7 V, so transistor Q2
The base potential of is also approximately 0.7V.

この状態でトランジスタQ2のベースに抵抗器R1を通
じて信号電流■。
In this state, a signal current ■ flows through the resistor R1 to the base of the transistor Q2.

+11n(■oは直流バイアス電流、11’Hは交流信
号電流)を印加すると、トランジスタQ2のコレクタを
大略1:1に対応する出力電流工。
When +11n (■o is a DC bias current and 11'H is an AC signal current) is applied, an output current ratio of approximately 1:1 is applied to the collector of the transistor Q2.

2+i0が流れる。従ってトランジスタQ2とダイオー
ドQ1の複合i の増幅度βはβ−02−↓言1となるのである。
2+i0 flows. Therefore, the amplification degree β of the composite i of the transistor Q2 and the diode Q1 becomes β-02-↓1.

IOtIH 然し、この増幅回路では複合の増幅度βの値が大きくば
らつく欠点がある。
IOtIH However, this amplifier circuit has a drawback that the value of the composite amplification degree β varies widely.

この事は集積回路の外付は回路で補正を要求され、工程
が増すと共に不良の集積回路が多くなる大きな欠点があ
る。
This has a major disadvantage in that external circuits for integrated circuits require correction in the circuit, which increases the number of manufacturing steps and increases the number of defective integrated circuits.

従来回路での複合の増幅度βが大きくばらつくaは増幅
トランジスタQ2のベース、エミッタ間電圧VBE2対
エミッタ電流特性とトランジスタQlのベース・エミッ
タ間電圧VBE1対エミッタ電流特性とが一致しない為
である。
The large variation a in the composite amplification degree β in the conventional circuit is due to the fact that the base-emitter voltage VBE2 versus emitter current characteristic of the amplifying transistor Q2 does not match the base-emitter voltage VBE1 versus emitter current characteristic of the transistor Ql.

即ちトランジスタQ1のコレクターエミッタ間電圧VC
EIは実質、そのベース−エミッタ間電圧■BE1に固
定されているにもかかわらず、トランジスタQ2のコレ
クターエミッタ間電圧VCE2はそこを流れる電流に応
じて変動し、各トランジスタのコレクタ電位を実質的に
同一に保持することが出来なかった為である。
That is, the collector-emitter voltage VC of transistor Q1
Although EI is substantially fixed at its base-emitter voltage ■BE1, the collector-emitter voltage VCE2 of transistor Q2 fluctuates depending on the current flowing therethrough, effectively changing the collector potential of each transistor. This is because it was not possible to keep them the same.

このような欠点を除去する為に、第2図に示すような回
路が提案されているのでまず、それについて詳細に説明
する。
In order to eliminate these drawbacks, a circuit as shown in FIG. 2 has been proposed, which will first be described in detail.

第2図に於ては増幅用の第1のトランジスタQ2のコレ
クタに接続された出力電流経路に第2のトランジスタQ
3を挿入し、第1のトランジスタQ2のベースとエミッ
タ電極間に整流接合素子、即ちトランジスタQ1 より
なるダイオードを接続すると共に、この第1のトランジ
スタQ2のベース電極に信号電圧源Viとバイアス源E
とを抵抗器R1を通じて接続し、コレクタ電極に第2の
トランジスタQ3のエミッタ電極を接続し、この第2の
トランジスタQ3のベース電極に第1のトランジスタQ
2のコレクタ・エミッタ間電圧VCE2が整流接合素子
(トランジスタQ、) の順方向導通電圧に大略等し
くなる様なバイアス電圧を供給し、第2のトランジスタ
Q3のコレクタ電極より出力電流を取り出す様にしたも
のである。
In Figure 2, a second transistor Q is connected to the output current path connected to the collector of the first transistor Q2 for amplification.
A rectifying junction element, that is, a diode made of the transistor Q1, is connected between the base and emitter electrodes of the first transistor Q2, and a signal voltage source Vi and a bias source E are connected to the base electrode of the first transistor Q2.
are connected through a resistor R1, the emitter electrode of the second transistor Q3 is connected to the collector electrode, and the first transistor Q is connected to the base electrode of the second transistor Q3.
A bias voltage was supplied such that the collector-emitter voltage VCE2 of the second transistor Q3 was approximately equal to the forward conduction voltage of the rectifying junction element (transistor Q), and the output current was taken out from the collector electrode of the second transistor Q3. It is something.

第2のトランジスタQ3のベースに供給するバイアス電
圧を供給するには2本のダイオードQ4゜Q5の直列回
路と抵抗器R3との接続中点より供給する。
The bias voltage to be supplied to the base of the second transistor Q3 is supplied from the midpoint of the connection between the series circuit of two diodes Q4 and Q5 and the resistor R3.

斯く構成する事に依り第1のトランジスタQ2のコレク
タ・エミッタ電圧間VCE2は大略ダイオードQ5の閾
値vBE=o、7vになっており、又更にトランジスタ
Q1のコレクタ・エミッタ間電圧VCEIも大略v(、
E、=o、7vとなっており、第1のトランジスタQ2
とトランジスタQ1のベース・エミッタ電圧対エミッタ
電流は略々完全に1:1に対応し、この状態に於て第2
のトランジスタQ3のコレクタ出力電流はそのエミッタ
電流に1:1で対応する。
With this configuration, the collector-emitter voltage VCE2 of the first transistor Q2 is approximately the threshold value of the diode Q5, vBE=o, 7v, and the collector-emitter voltage VCEI of the transistor Q1 is also approximately v(,
E, = o, 7v, and the first transistor Q2
The base-emitter voltage to emitter current of transistor Q1 corresponds almost completely to 1:1, and in this state, the second
The collector output current of transistor Q3 corresponds to its emitter current in a 1:1 ratio.

従ってこの回路では第1のトランジスタQ2のコレクタ
電圧をそのベース電圧と同一にしたから第1のトランジ
スタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE対エミッタ電
流■E特性をトランジスタQ1のVBE対■E特性と一
致させる事ができ、複合増幅度βがばらつくことを防止
し得る。
Therefore, in this circuit, the collector voltage of the first transistor Q2 is made the same as its base voltage, so the base-emitter voltage VBE vs. emitter current ■E characteristic of the first transistor Q2 matches the VBE vs. ■E characteristic of the transistor Q1. Therefore, variations in the composite amplification degree β can be prevented.

ところで、第2図に示された実施例では、トランジスタ
Q2のコレクターエミッタ間電圧VCE2が実質VBE
に固定されているため、入力電流すなわちトランジスタ
Q1のコレクタ電流と出力電流すなわちトランジスタQ
2のコレクタ電流は実質上等しくなるものであるが、厳
密には若干の違いが生ずるものである。
By the way, in the embodiment shown in FIG. 2, the collector-emitter voltage VCE2 of the transistor Q2 is substantially equal to VBE.
Since the input current, that is, the collector current of transistor Q1, and the output current, that is, the collector current of transistor Q
Although the two collector currents are substantially the same, strictly speaking, there is a slight difference.

すなわち、信号電流に応じて入力電流が変化するので、
これによりトランジスタQlのベース・エミッタ間電圧
VBE1 も変化する。
In other words, since the input current changes according to the signal current,
As a result, the base-emitter voltage VBE1 of the transistor Ql also changes.

この電圧変動はトランジスタQ1のコレクタ・エミッタ
間電圧VCEI及びトランジスタQ2のベース・エミッ
タ間電圧VBE2に伝えられるが、トランジスタQ2の
コレクタ・エミッタ間電圧VCE2はダイオードQ4と
Q5とによる固定バイアス電源より与えられている為、
これに追従することは出来ない。
This voltage fluctuation is transmitted to the collector-emitter voltage VCEI of the transistor Q1 and the base-emitter voltage VBE2 of the transistor Q2, but the collector-emitter voltage VCE2 of the transistor Q2 is given by a fixed bias power supply formed by diodes Q4 and Q5. Because it is
It is not possible to follow this.

本発明は上述したような欠点を更に改善した電流増幅器
を提供するものであり、以下第3図を参照し詳細に説明
する。
The present invention provides a current amplifier that further improves the above-mentioned drawbacks, and will be described in detail below with reference to FIG. 3.

なお、第3図において、第2図と対応する部分には同一
符号を付しその詳細説明は省略する。
In FIG. 3, parts corresponding to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

第3図において、舘1のトランジスタQ2のベース−エ
ミッタ間に接続したトランジスタQ1よりなる第1のダ
イオードに対して入力電流を供給する経路とトランジス
タQ4よりなる第2のダイオードを接続し、そしてダイ
オードQ1とQ4とによる電圧を第2のトランジスタQ
3のベースに供給するようになすものである。
In FIG. 3, a path for supplying input current to a first diode made of transistor Q1 connected between the base and emitter of transistor Q2 of Tate 1 is connected to a second diode made of transistor Q4, and the diode The voltage across Q1 and Q4 is transferred to the second transistor Q.
It is designed to be supplied to the base of No. 3.

このように構成することにより、ダイオードQ、を第2
図に示されたダイオードQ5 として兼用することが出
来ると共に、たとえ入力電流が変動してトランジスタよ
りなるダイオードQ1のベース・エミッタ間電圧が変化
したとしても、トランジスタよりなるダイオードQ4の
ベース・エミッタ間電圧及びトランジスタQ3のベース
−エミッタ間電圧も同様に変化するため、トランジスタ
Q2のコレクタ・エミッタ間電圧VCE2もそれに追従
することが出来る。
By configuring in this way, the diode Q is
It can also be used as diode Q5 shown in the figure, and even if the input current fluctuates and the base-emitter voltage of diode Q1, which is a transistor, changes, the base-emitter voltage of diode Q4, which is a transistor, changes. Since the base-emitter voltage of the transistor Q3 changes similarly, the collector-emitter voltage VCE2 of the transistor Q2 can also follow it.

こうして、トランジスタQ、とQ2のコレクタ電位は実
質的にその動作状態において等しくなり、入力電流と出
力電流とを等しくすることが出来るものである。
In this way, the collector potentials of transistors Q and Q2 become substantially equal in their operating states, making it possible to equalize the input current and the output current.

ここで、トランジスタQ6は入力電圧源Vtに対しエミ
ッタフォロワを構成し、比較的大きな抵抗器R1と共に
入力電圧源Vlの出力を等価的に入力電流源に変換する
回路を構成する。
Here, the transistor Q6 forms an emitter follower for the input voltage source Vt, and together with a relatively large resistor R1 forms a circuit that equivalently converts the output of the input voltage source Vl into an input current source.

尚、上述の実施例ではトランジスタQ1とQ2とのベー
ス−エミッタ接合面積が等しいものとしたので、入力電
流と出力電流とは互いに等しくなり電流利得が1となる
ものであるが、トランジスタQ1とQ2とのベース−エ
ミッタ接合面積が異なれば、それに比例した電流利得が
得られるのは明らかである。
In the above embodiment, the base-emitter junction areas of the transistors Q1 and Q2 are equal, so the input current and the output current are equal to each other, and the current gain is 1. It is clear that if the base-emitter junction area is different, a proportional current gain can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電流増幅回路の例を示す接続図、第2図
は電流増幅回路の例を示す接続図、第3図は本発明電流
増幅回路の一実施例を示す接続図である。 Qlは整流接合素子、Q2は第1のトランジスタ、Q3
は第2のトランジスタ、Q4及びQ5は夫々ダイオード
である。
FIG. 1 is a connection diagram showing an example of a conventional current amplification circuit, FIG. 2 is a connection diagram showing an example of a current amplification circuit, and FIG. 3 is a connection diagram showing an embodiment of the current amplification circuit of the present invention. Ql is a rectifying junction element, Q2 is a first transistor, Q3
is the second transistor, and Q4 and Q5 are each a diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1のトランジスタのベースに第1のダイオードを
上記第1のトランジスタのベース・エミッタ極性と同方
向に接続し、上記第1のトランジスタのエミッタと上記
第1のダイオードの他端部とを基準電位に接続し、上記
第1のトランジスタのコレクターエミッタと直列に第2
のトランジスタを接続して上記第1及び第2のトランジ
スタのコレクターエミッタを流れる電流をほぼ同一にな
すと共に、この第2のトランジスタのコレクタより出力
電流を得るようになし、上記第1のトランジスタのベー
スと上記第2のトランジスタのベーストの間には、上記
第1のダイオードと同方向に第2のダイオードを接続し
、上記第2のトランジスタのベースに入力電流を供給す
るようになし、上記第1のトランジスタのベース電位と
コレクタ電位とを実質的に等しくなるようにして上記入
力電流と出力電流とが比例するようになした電流増幅回
路。
1. A first diode is connected to the base of the first transistor in the same direction as the base-emitter polarity of the first transistor, and the emitter of the first transistor and the other end of the first diode are referenced. a second transistor in series with the collector-emitter of the first transistor;
The transistors are connected so that the currents flowing through the collector emitters of the first and second transistors are almost the same, and the output current is obtained from the collector of the second transistor, and the base of the first transistor is connected. and the base of the second transistor, a second diode is connected in the same direction as the first diode so as to supply an input current to the base of the second transistor, and A current amplification circuit in which the base potential and the collector potential of the transistor are made substantially equal so that the input current and the output current are proportional to each other.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3614645A (en) * 1968-09-27 1971-10-19 Rca Corp Differential amplifier

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