JPS5838997A - Driving circuit for thin film el display - Google Patents
Driving circuit for thin film el displayInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依ってEL(Electr。[Detailed description of the invention] The present invention uses EL (Electr) by applying an alternating electric field.
Lum1nescence)発光を呈する薄膜EL表示
装置の駆動回路に関するものである。The present invention relates to a drive circuit for a thin film EL display device that emits light (luminescence).
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜EL素子
に関して、発光層に規則的に高い交流型のMn(あるい
はCu、A、/、Br等)をドープしたZnS、Zn5
e等の半導体発光層をY2O3,TiO2等の誘電体薄
膜でサンドイッチした三層構造ZnS:Mn (又はZ
n5e :Mn) E L素子が開発され、発光諸特性
の向上が確かめられている。この薄膜EL素子は数KH
zの交流電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命
であるという特徴を有している。Conventionally, with regard to thin film EL elements used as display bodies of display devices, ZnS, Zn5, etc., in which the light emitting layer is regularly doped with high AC type Mn (or Cu, A, /, Br, etc.)
Three-layer structure ZnS:Mn (or Z
n5e:Mn) EL elements have been developed, and improvements in various light-emitting characteristics have been confirmed. This thin film EL element is several KH
It emits light with high brightness when an alternating current electric field of z is applied, and has a long lifespan.
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。FIG. 1 shows the basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device as an example of a thin film EL device.
第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上にIn20B 、5n02等の透明
電極2、さらにその上に積層してY20B+TiO2、
Al2O3,5iBN4.5i02等からなる第1の誘
電体層8がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第1の誘電体層3上にはZnS:
Mn 焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得
られるZnS発光層4が形成されている。この時蒸着用
のZnS:Mn焼結ペレットには活性物質となるMnが
目的に応じた濃4゜
度に没、定されたペレットが使用される。ZnS発光層
4には第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘
電体層5が積層され、更にその上にA/等から成る背面
電極6が蒸着形成されている。透明電極2と背面電極6
は交流電源7に接続され、薄膜EL素子が駆動される。The structure of the thin film EL element will be explained in detail based on FIG.
A first dielectric layer 8 made of Al2O3, 5iBN4.5i02, etc. is formed in an overlapping manner by sputtering, electron beam evaporation, or the like. ZnS on the first dielectric layer 3:
A ZnS light emitting layer 4 obtained by electron beam evaporation of Mn sintered pellets is formed. At this time, the ZnS:Mn sintered pellets used for vapor deposition are pellets in which Mn, which is an active substance, is immersed and fixed at a concentration of 4° depending on the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and a back electrode 6 made of A/ or the like is further deposited thereon. Transparent electrode 2 and back electrode 6
is connected to an AC power source 7, and the thin film EL element is driven.
電極2,6間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4
の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧が誘起される
ことになり、従ってZn≦発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘、引
され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。この
時に高速移動する自由電子が直接Mn発光センターを励
起し、励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加速され
た自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動する過
程でZnS発光層4中の発光センターであるZnサイト
に入ったMn原子の電子射する。活性物質としてMn以
外に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有
の緑色その他の発光色が得られる。When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the ZnS light emitting layer 4
The above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the layer 4, so that Zn≦electrons are excited and accelerated to the conduction band by the electric field generated in the light-emitting layer 4 and have sufficient energy. The electrons become free electrons and are attracted to the interface of the light-emitting layer, where they are accumulated and form internal polarization. At this time, the free electrons moving at high speed directly excite the Mn luminescent center, and when the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow-orange light. That is, in the process of free electrons accelerated by a high alternating current electric field moving from one interface of the light emitting layer to the other interface, electrons of Mn atoms entering the Zn site, which is a light emitting center in the ZnS light emitting layer 4, are ejected. When a rare earth fluoride other than Mn is used as the active substance, green and other luminescent colors characteristic of this rare earth element can be obtained.
上記の、如き構造を有する薄膜EL素子はスペース・フ
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピューターの出力表
示端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画
像、動画像等の表示手段として利用することができる。The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, still images, etc. in computer output display terminal equipment and various other display devices containing characters and figures. It can be used as a means of displaying moving images, etc.
平面薄型表示装置としての薄膜ELパネルは従来のブラ
ウン管(CRT)と比較して動作電圧が低く、同じ平面
型ディスプレイ・デバイスであるプラズマディスプレイ
パネル(FDP)と比較すれば重量や強度面で優れてお
り、液晶(LCD)に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さととも□にコンピューター
等の人出方表示手段として非常に有効なものである。Thin-film EL panels as flat flat display devices have a lower operating voltage than conventional cathode ray tubes (CRTs), and are superior in terms of weight and strength compared to plasma display panels (FDPs), which are also flat display devices. It has a wider operating temperature range than liquid crystal display (LCD).
It has many advantages such as fast response speed. In addition, since it can be used as a pure solid matrix type panel, it has a long operating life, and its address accuracy makes it very effective as a means of displaying the number of people in computers, etc.
fJ従来の薄膜EL素子は、これを−ンデンサーの如き
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜EL素子は駆動電圧が200v程度と非常
に高くまたその容量も約6nF/ai程度と大きい値を
呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力を求め
るに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコンデン
サーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消
費される電力と大差はない。従って、上記薄膜EL素子
を単なるコンデンサーCと考え電圧vOを1回充放電す
るのに必要な電力量を求める。まず、従来から行なわれ
ている駆動力、法に於ける充放電動作を簡略化して第2
図に示す。スイッチS2をOFF 、スイッチSlをO
Nすることによって容量Cを抵抗Rを通して電圧vOで
充電する場合次式が成立する。The conventional thin film EL element can be viewed as a capacitive element that operates like a capacitor. By the way, this thin film EL element has a very high driving voltage of about 200 V and a large capacitance of about 6 nF/ai. Therefore, when calculating the power consumption in driving a light emitting display, even if the power involved in light emission is omitted and the power used to simply charge and discharge a capacitor is regarded as the amount of power consumed, there is not much difference from the power actually consumed. Therefore, considering the thin film EL element as a simple capacitor C, the amount of power required to charge and discharge the voltage vO once is determined. First, we will simplify the charging and discharging operation in the conventional driving force and method.
As shown in the figure. Turn off switch S2, turn off switch Sl
When the capacitor C is charged with the voltage vO through the resistor R by setting the capacitance C to N, the following equation holds true.
(1)式を電荷qで書き改めると
R土+1q−E ・・・・・・・・・(2)
di に
〆式の一般解はよく知られている。(但し、1=0にお
いてq=Oと考える。)
即ち
抵抗Rおよび容量Cにおける電力量WR,WCは各々次
式から算出される。Rewriting equation (1) using charge q, we get R+1q-E (2)
The general solution to the equation for di is well known. (However, it is assumed that q=O when 1=0.) That is, the electric power amounts WR and WC in the resistance R and the capacitance C are respectively calculated from the following equations.
を−のにおいて、(6)式(6)式は次の値を示す。where -, Equation (6) and Equation (6) indicate the following values.
l 2 ・・・・・・・・・(7)WR=
Wc−TCV。l 2 ・・・・・・・・・(7) WR=
Wc-TCV.
R中で消費し残り上が容量Cに蓄積されたことを示して
いる。また、容量Cに蓄積されたエネルギーはスイッチ
S1をOFF 、スイッチS2をONすることによって
放電される時抵抗Rで全て消費されへ、従って、従来の
方法において容量Cに電圧VOを充放電するのに必要な
消費電力は合計Cvoとなることは明らかである。This shows that the remaining amount was consumed in R and stored in capacitor C. Furthermore, when the energy stored in the capacitor C is discharged by turning off the switch S1 and turning on the switch S2, it is completely consumed in the resistor R. Therefore, it is difficult to charge and discharge the voltage VO to the capacitor C in the conventional method. It is clear that the total power consumption required for is Cvo.
第3図は従来の薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。また第4図は第3図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜EL素子8に入力される電圧波形
図である。電源電圧vOが供給されている駆動回路の各
端子INI 、 IN2 。FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit in a conventional thin film EL display device. 4 is a diagram of voltage waveforms input to each terminal of the drive circuit and the thin film EL element 8 shown in FIG. 3. Each terminal INI, IN2 of the drive circuit is supplied with the power supply voltage vO.
IN8.IN4に第4図で示すタイミングでパルス電圧
を印加することによりトランジスタのベース電位が切換
えられてスイッチングが行なわれ薄膜EL素子8には交
番パルス電界が印−加されてシーソー駆動さることにな
り、El、発光が得られる。即ち、端子INI及びIN
4にパルスが印加されるとトランジスタTrl及びTr
4が導通状態となり、トランジスタT目より薄膜EL
素子8を介してトランジスタTr4方向へ電流が流れ、
薄膜EL素子8は充電状態となる。次の期間で端子IN
2のみにパルスを印加するとトランジスタTR2が導通
状態となり、薄膜EL素子8の電荷は゛放電される。次
に端子(、p’、2.及びINKにパルスが印加される
とトランジスタTr2及びTrBが導通状態となり、ト
ランジスタTrgより薄膜EL素子8を介してトランジ
スタTr2方向へ電流が流れ、薄膜EL素子8は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子IN4のみ
にパルスを印加するとトランジスタTr4が導通状態と
なり、薄膜EL素子8の電荷は放電される。IN8. By applying a pulse voltage to IN4 at the timing shown in FIG. 4, the base potential of the transistor is changed and switching is performed, and an alternating pulse electric field is applied to the thin film EL element 8, causing it to see-saw. El, luminescence is obtained. That is, terminals INI and IN
When a pulse is applied to transistors Trl and Tr
4 becomes conductive, and the thin film EL from the T-th transistor
A current flows in the direction of transistor Tr4 through element 8,
The thin film EL element 8 enters a charged state. Terminal IN in the next period
When a pulse is applied only to transistor TR2, the transistor TR2 becomes conductive, and the charge in the thin film EL element 8 is discharged. Next, when a pulse is applied to the terminals (,p',2. is in a charged state with a polarity opposite to that described above. In the next period, when a pulse is applied only to the terminal IN4, the transistor Tr4 becomes conductive, and the charge in the thin film EL element 8 is discharged.
上記パルス電圧の印加により薄膜EL素子8は交流駆動
され、EL発光パターンが得られる。The thin film EL element 8 is driven with alternating current by applying the above-mentioned pulse voltage, and an EL light emission pattern is obtained.
本発明は技術的手段を駆使することにより表示駆動のた
めの上記消費電力を低減し得る新規有用な薄膜EL表示
装置の駆動方法を確立し、その駆動回路を提供すること
を目的とするものである。The object of the present invention is to establish a new and useful method for driving a thin film EL display device that can reduce the power consumption for display driving by making full use of technical means, and to provide a driving circuit for the method. be.
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to embodiments with reference to the drawings.
第5図は本発明の基本的動作の1実施例を説明する回路
の簡略構成図である。FIG. 5 is a simplified configuration diagram of a circuit explaining one embodiment of the basic operation of the present invention.
以下、第5図に基いて本発明の1実施例を説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on FIG.
スインfs、、S2をOFF、スイッチS8をONとし
、電源KV、(0<K<1)で抵抗Rを介し容量C(薄
膜EL素子)を充電する。次にスイッチs2.s8 を
OFF、スイッチSt をONにし、電源Voで容量C
を充電する。以後この充電方法をステップ駆動法と呼ぶ
。放電時においては従来の方法と同様スイッチS2のみ
ONL放電する。The switches fs, , S2 are turned off, the switch S8 is turned on, and the capacitor C (thin film EL element) is charged via the resistor R with the power source KV, (0<K<1). Next, switch s2. Turn off s8, turn on switch St, and set capacitance C with power source Vo.
to charge. Hereinafter, this charging method will be referred to as a step drive method. At the time of discharging, only the switch S2 is ONL discharged as in the conventional method.
次にこのステップ駆動法による充放電に必要な電力量を
求めると次の如くとなる。Next, the amount of power required for charging and discharging using this step drive method is determined as follows.
電源KVQからの充電によって抵抗Rおよび容量Cにお
ける電力量は(7)式より次の値が求まる。The amount of electric power in the resistor R and capacitor C due to charging from the power source KVQ can be determined from equation (7) as follows.
tt’j 2 ・・・・・・・・・(
8)WR= Wc =T C(KVo)
次に電源Voから容量Cを充電する場合の電力量は(2
)式およびt=0のときq。=CKVoであることから
・・・・・・・・・ (10)
となる。tt'j 2 ・・・・・・・・・(
8) WR = Wc = T C (KVo) Next, the amount of electricity when charging the capacitor C from the power source Vo is (2
) and q when t=0. Since = CKVo, it becomes... (10).
を−ωにおいて(9)式(10)式は次の値を示す。When -ω, equations (9) and (10) show the following values.
W’R=−LC(]−K)2VO’ −−−−
−−−−・+Il1wlc= C(1−K)VO2−ユ
C(1−K )”Vo’ 02)従ってステップ駆動法
による充電時の抵抗R2容 1量Cにおける電力量の各
々の合計WR5+ wcsは(8)弐〇l)弐〇2)式
より次の値を示す。W'R=-LC(]-K)2VO' ---
----・+Il1wlc=C(1-K)VO2-UC(1-K)"Vo' 02) Therefore, the resistance R2 capacity during charging by the step drive method. The total of each electric energy in one amount C WR5+ wcs shows the following value from equation (8) 2〇l) 2〇2).
WR5=−LCK2VO”+−LC(1−K)2VO’
−・−・−・H2
2
Wcs=iCVo・・・・・・・・・04)なお、(1
4)式で示される容量Cに蓄積されたエネルギーは放電
時に抵抗Rで全て消費される。従って、ステップ駆動法
において容量Cに電圧vo を充放電するのに必要な消
費電力Wsは(131式04)式より次の値をとる。WR5=-LCK2VO"+-LC(1-K)2VO'
−・−・−・H2 2 Wcs=iCVo・・・・・・・・・04) Furthermore, (1
4) The energy stored in the capacitor C shown by the formula is completely consumed by the resistor R during discharge. Therefore, in the step drive method, the power consumption Ws required to charge and discharge the voltage vo to the capacitor C takes the following value from equation (131 equation 04).
WS ”WR8+w(5
05)式の消費電力Wsとパラメータにとの関係を第6
図に示す。WS "WR8 + w (5 05) The relationship between the power consumption Ws and the parameter is the sixth
As shown in the figure.
図中の一点鎖線P1 は従来の駆動法であり、曲線P
2は本実施例のステップ駆動法に対応する。The dashed line P1 in the figure is the conventional driving method, and the curve P1
2 corresponds to the step driving method of this embodiment.
第6図から明らかなようにに=Tでは消費電力Wsは最
小値をとり、従来の方法と比較して消費電力は7になる
ことが分る。As is clear from FIG. 6, when =T, the power consumption Ws takes the minimum value, and compared to the conventional method, the power consumption becomes 7.
またステップ駆動法により薄膜EL表示装置を駆動した
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得てしYる。Furthermore, when a thin film EL display device is driven by the step driving method, experimental results are obtained that are in good agreement with the above principle.
第7図は上記ステップ駆動法を実現するための駆動回路
を第3図の回路構成に基いて構成した回路構成図である
。第8図は第72図に示す駆動回路の各端子及び薄膜E
L素子8に入力されるパルス電圧の電圧波形図である。FIG. 7 is a circuit configuration diagram in which a drive circuit for realizing the step drive method is constructed based on the circuit configuration of FIG. 3. Figure 8 shows each terminal and thin film E of the drive circuit shown in Figure 72.
3 is a voltage waveform diagram of a pulse voltage input to the L element 8. FIG.
端子INI’、IN2.IN3及びIN4には第4図同
様にパルス電圧が印加される。ステップ駆動法は端子I
N5に印加されるパルスによって行なわれ、薄膜EL素
子8に印加される駆動パルスの立ち上りは端子IN5に
印加されるパルスの立ち上りに同期して2段階に上昇す
る。また薄膜”E L素子8に充電屯;、% i=重電
荷端子IN2’、IN4’を選択してパルス電圧を印加
することにより従来と同様に放電される。トランジスタ
T目とTr4及びTr2とTrBを交互に導通させるこ
とにより薄膜EL素子8が交流駆動され薄膜EL素子8
へ印加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジスタ
Tr5を導通させることによりシーソー駆動法にステッ
プ駆動法が重畳された駆動方式が確立される。Terminals INI', IN2. A pulse voltage is applied to IN3 and IN4 as in FIG. 4. The step drive method uses terminal I
This is done by a pulse applied to the terminal N5, and the rise of the drive pulse applied to the thin film EL element 8 rises in two steps in synchronization with the rise of the pulse applied to the terminal IN5. In addition, the thin film EL element 8 is charged and discharged in the same manner as before by selecting the heavy charge terminals IN2' and IN4' and applying a pulse voltage. By alternately conducting TrB, the thin film EL element 8 is driven with alternating current, and the thin film EL element 8
By making the transistor Tr5 conductive in the middle of the rise of the forward and reverse pulses applied to, a drive method in which a step drive method is superimposed on a seesaw drive method is established.
ところでこのステップ駆動法の欠点として外部電源がK
VQとV□の2電源必要となり、装置の利便性が損なわ
れる。By the way, the drawback of this step drive method is that the external power supply is
Two power supplies, VQ and V□, are required, which impairs the convenience of the device.
尚、外部電源としての電圧voの単電源を用いている第
2図に、おいてスイッチS2を0FFL、、スイッチS
1をONL容量Cの両端電圧がKV、に達した時スイッ
チS1を0FFL、、その後再びスイッチSlをONし
容量Cの両端電圧がVoになるまで充電した場合には容
量Cの印加波形としてステップ状のものを得ることがで
きる。しかしながら、この場合には抵抗Rおよび容量C
における充電時の合計の電力量は(7)式で示した値と
同じになることは次のことから明かである。単純化の為
vo に達した時の抵抗R及び容量Cにおける電気量W
R、Wcを求めると、(3)式より(1B1式を(5)
式(6)式に代入して3 2 ・・・・
・・・・・(17)wR−百CVO
−12・・・・・・・・・(18)
Wc−8Cv。In addition, in FIG. 2 where a single power supply with voltage vo is used as an external power supply, switch S2 is set to 0FFL, switch S
When the voltage across the capacitor C reaches KV, the switch S1 is set to 0FFL, and then the switch Sl is turned on again to charge the capacitor C until the voltage across the capacitor C reaches Vo.The applied waveform of the capacitor C is a step. You can get something like this. However, in this case the resistance R and the capacitance C
It is clear from the following that the total amount of electric power during charging is the same as the value shown in equation (7). For simplicity, the amount of electricity W at the resistance R and capacitance C when vo is reached is
To find R and Wc, from equation (3), (1B1 equation (5)
Substitute into equation (6) and get 3 2...
...... (17) wR-100 CVO -12... (18) Wc-8Cv.
て求まる。Find out.
′ 1 2 ・・・・・・・・・ (
19)WR=HCVO
′ 32 ・・・・・・・・・ シ0
)Wc−TCv。' 1 2 ・・・・・・・・・ (
19) WR=HCVO' 32 ・・・・・・・・・ Shi0
) Wc-TCv.
(1?) 、 (+8+ 、 (19) 、 (20j
式より合計Cvoとなり消費電力は低減されない。(1?), (+8+, (19), (20j
From the formula, the total Cvo is obtained, and the power consumption is not reduced.
従って、本実施例はこの点を改良して駆動回路を構成し
ている。Therefore, in this embodiment, the driving circuit is constructed by improving this point.
第9図は杢P明の1実施例を示す薄膜EL表示装置の駆
動回路の構成図である。第10図は第9図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a drive circuit for a thin film EL display device showing one embodiment of the present invention. FIG. 10 is a timing waveform diagram of the voltage waveform input to FIG. 9.
外部電源として電圧値KVQのK −/2に相当する1
/2■oの電圧値を有する電源を使用する。端子INA
及びINDにパルスを印加してそれぞれにペース端が接
続されているトランジスタTrA及びTrDを導通させ
、薄膜EL素子8に/2■0の電圧を印加する。引き続
いて端子INHにパルスを印加してトランジスタTrE
を導通させ、コンデンサCo との結合による2倍電圧
電源を形成してvOの電圧を薄膜EL素子8に印加する
。これにより薄膜EL素子8には2段階に1/2vO9
VOの電圧が連続して印加され、EL発光が得られる。1 corresponding to K −/2 of the voltage value KVQ as an external power supply
A power supply having a voltage value of /2■o is used. terminal INA
A pulse is applied to and IND to make the transistors TrA and TrD, whose paste ends are connected to each other, conductive, and a voltage of /2×0 is applied to the thin film EL element 8. Subsequently, by applying a pulse to the terminal INH, the transistor TrE
is made conductive, a double voltage power source is formed by coupling with the capacitor Co, and a voltage of vO is applied to the thin film EL element 8. As a result, the thin film EL element 8 has 1/2vO9 in two stages.
A voltage of VO is continuously applied to obtain EL light emission.
次に端子INBにパルスを印加してトランジスタT r
Bヲ導通させ、薄膜EL素子8の充電電荷を放電させる
。また端子INFにパルスを印加してコンデンサCoを
接地するトランジスタTrpを導通させる。Next, a pulse is applied to the terminal INB, and the transistor T r
B is made conductive, and the charge in the thin film EL element 8 is discharged. Further, a pulse is applied to the terminal INF to make the transistor Trp, which grounds the capacitor Co, conductive.
更に端子INB及びINCに)句レスを印加してトラン
ジスタTrB及びTrcG−通させ、薄膜EL素子8に
上記とは逆極性の電圧’/2Voを印加し、引き続いて
端子INEにパルスを印加してトランジスタTrEを導
通させ、コンデンサCOの充電電荷を重畳した2倍電圧
vOを印加する。従って薄膜EL素子8はこの逆極性パ
ルス電圧の印加により再び発光する。次に端子INDに
パルスを印加してトランジスタTrDを導通させ、薄膜
EL素子8を放電させまた端子INFにパルスを印加し
−てトランジスタTrpを導通させ、コンデンサCOを
接地する。以上の動作を反復することにより薄膜EL素
子8は単一電源でシーソー駆動にステップ駆動が重畳さ
れた発光表示駆動されることになる。Further, a voltage () is applied to the terminals INB and INC to pass the transistors TrB and TrcG-, a voltage '/2Vo of the opposite polarity to the above is applied to the thin film EL element 8, and a pulse is subsequently applied to the terminal INE. The transistor TrE is made conductive, and a double voltage vO superimposed on the charge charged in the capacitor CO is applied. Therefore, the thin film EL element 8 emits light again upon application of this reverse polarity pulse voltage. Next, a pulse is applied to the terminal IND to make the transistor TrD conductive and the thin film EL element 8 discharged, and a pulse is applied to the terminal INF to make the transistor Trp conductive and the capacitor CO is grounded. By repeating the above operations, the thin film EL element 8 is driven for light emitting display by superimposing seesaw drive and step drive using a single power source.
以上詳説した如く本発明は薄膜EL素子が容量性素子で
あることを利用して表示に際しての駆動電力を低減した
ものであり、薄膜EL表示装置の駆動回路として非常に
有効な技術である。As explained in detail above, the present invention utilizes the fact that the thin film EL element is a capacitive element to reduce the driving power during display, and is a very effective technique as a drive circuit for a thin film EL display device.
第1図は薄膜EL素子の基本的構造を示す構成図である
。
第2図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。
第3図は従来の薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第4図は第3図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である。
第5図は本発明の基本的動作のl実施例を説明する回路
の簡略構成図である。
第6図は従来の駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。
第7図はステップ駆動を実現するための薄膜EL表示装
置の駆動回路の構成図である。第8図は第7図に示す駆
動回路に入力される電圧波形を示すタイミング波形図で
ある。
第9図は本発明の1実施例を示す薄膜EL表示装置の駆
動回路の構成図である。第10図は第9図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。
8・・・薄膜EL素子、Co・・・コンデンサ、INA
。
INB、INC,IND、INE、INF−・・端子、
Tr A + TrB ITrc、 Trp 、 Tr
E、 Trp−トランジスタ。
第1図
ρ
第3図
N1
八“タメータ K
第7図
第8図
第9図FIG. 1 is a block diagram showing the basic structure of a thin film EL element. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating charging and discharging operations in a conventional driving method. FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit in a conventional thin film EL display device. FIG. 4 is a timing waveform diagram showing voltage waveforms input to the drive circuit shown in FIG. 3. FIG. FIG. 5 is a simplified configuration diagram of a circuit illustrating an embodiment of the basic operation of the present invention. FIG. 6 is an explanatory diagram for comparing and explaining the power consumption in the conventional driving method and the driving method of the present invention. FIG. 7 is a configuration diagram of a drive circuit of a thin film EL display device for realizing step drive. FIG. 8 is a timing waveform diagram showing voltage waveforms input to the drive circuit shown in FIG. 7. FIG. 9 is a configuration diagram of a drive circuit for a thin film EL display device showing one embodiment of the present invention. FIG. 10 is a timing waveform diagram of the voltage waveform input to FIG. 9. 8... Thin film EL element, Co... Capacitor, INA
. INB, INC, IND, INE, INF-... terminal,
Tr A + TrB ITrc, Trp, Tr
E, Trp-transistor. Figure 1 ρ Figure 3 N1 Eight meter K Figure 7 Figure 8 Figure 9
Claims (1)
表示装置の駆動回路に於いて、EL発光を得る駆動電圧
値Voのに倍(0<K<1)の値を有するKVQの電圧
値を有する電源よ6前記薄膜EL表示装置へ電源電圧と
該電源電圧の充電電荷が電源電圧に付加された重畳電圧
を継続して支テップ状に印加するスイッチ回路を構成し
たことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動回路。1. Thin film EL that emits EL light in response to voltage application
In the drive circuit of the display device, a power supply having a voltage value of KVQ, which is twice (0<K<1) as the drive voltage value Vo for obtaining EL light emission, is connected to the power supply voltage to the thin film EL display device. 1. A drive circuit for a thin film EL display device, comprising a switch circuit that continuously applies a superimposed voltage in which charged charges of a power supply voltage are added to the power supply voltage in a step-like manner.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13793081A JPS5838997A (en) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Driving circuit for thin film el display |
US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
DE19823232389 DE3232389A1 (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | METHOD AND DRIVER CIRCUIT FOR EXCITING THICK-LAYER ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY BOARDS |
GB08224801A GB2105085B (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Drive for thin-film electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13793081A JPS5838997A (en) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Driving circuit for thin film el display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5838997A true JPS5838997A (en) | 1983-03-07 |
JPS648828B2 JPS648828B2 (en) | 1989-02-15 |
Family
ID=15210004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13793081A Granted JPS5838997A (en) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Driving circuit for thin film el display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5838997A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156327A (en) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13793081A patent/JPS5838997A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156327A (en) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS648828B2 (en) | 1989-02-15 |
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