JPS5837488B2 - Sotsukousouchi - Google Patents

Sotsukousouchi

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JPS5837488B2
JPS5837488B2 JP9452275A JP9452275A JPS5837488B2 JP S5837488 B2 JPS5837488 B2 JP S5837488B2 JP 9452275 A JP9452275 A JP 9452275A JP 9452275 A JP9452275 A JP 9452275A JP S5837488 B2 JPS5837488 B2 JP S5837488B2
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JP
Japan
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photocurrent
current limiting
current
common
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Prior art date
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Application number
JP9452275A
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Japanese (ja)
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JPS5218384A (en
Inventor
靖弘 灘波
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は被写界の最大輝度、最低輝度を測定する測光装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photometric device that measures the maximum brightness and minimum brightness of a field.

カメラ撮影においては被写界の最大輝度或は最低輝度の
部分に合せて露出量を設定し撮影をした(・場合があり
、従来は中央重点測光方式の露出計を用も・、その視点
を最大輝度或は最低輝度の部分に向けて測光を行い、そ
れに基いて露出量を設定し、その後カメラを本来の被写
体に向けると云う繁雑な操作を行わねばならなかった。
When shooting with a camera, the exposure amount was set to match the maximum or minimum brightness of the subject. It was necessary to carry out complicated operations such as measuring light toward the area of maximum or minimum brightness, setting the exposure amount based on that, and then pointing the camera at the intended subject.

本発明は測光装置をその方に向けなくても、被写界の不
特定の位置にある最大或は最低の輝度の部分を検知し測
光できる測光装置を提供し、撮影をする者が測光操作に
わずらわされることなく自分の作画意図の実現にのみ専
念できるようにしようとするものである。
The present invention provides a photometry device that can detect and measure the maximum or minimum brightness at an unspecified position in a subject without having to point the photometer in that direction, and allows the photographer to perform photometry operations. The aim is to allow the user to concentrate solely on realizing his/her own drawing intentions without being bothered by the other factors.

本発明は画面に複数個の光電流素子を配夕1ル、各光電
流素子に電流制限素子を直列接続し、これらの電流制限
素子の電流を共通の制御信号で制御するようにして、そ
の制御信号として、上記光電流素子と電流制限素子との
各接続点の電位から最低或は最高のものを検出するゲー
ト回路を最低輝度の検知或は最高輝度の検知に応じて切
換えて用いこれを通して得られる信号を用い、かつこの
ゲート回路の出力電圧を以って測光値とした測光装置で
ある。
In the present invention, a plurality of photocurrent elements are arranged on a screen, a current limiting element is connected in series to each photocurrent element, and the current of these current limiting elements is controlled by a common control signal. As a control signal, a gate circuit that detects the lowest or highest potential of each connection point between the photocurrent element and the current limiting element is switched depending on the detection of the lowest luminance or the highest luminance, and is passed through this gate circuit. This is a photometric device that uses the obtained signal and uses the output voltage of this gate circuit as a photometric value.

こ工で光電流素子と云うのは入射光によって電流が変化
する素子で、ホトダイオード、ホトトランジスタ等が適
している。
In this process, the photocurrent element is an element whose current changes depending on incident light, and photodiodes, phototransistors, etc. are suitable.

また電流制限素子は抵抗であるが、電流制御が可能なも
のであり、トランジスタが実用的である。
Although the current limiting element is a resistor, it is possible to control the current, and a transistor is more practical.

また最大値、最小値を取出すゲート回路としては、ダイ
オードを用いたオア回路があるが、本発明においては光
電流素子と電流制限素子との接続点の電圧のうち最高、
最低を検出するので、ゲートの方に多量の電流が流れる
とそのことによって最高、最低の電位の部分の電位が他
の部分と平均化され感度が低下するので、格別な工夫が
なされている。
In addition, as a gate circuit for extracting the maximum value and the minimum value, there is an OR circuit using a diode, but in the present invention, the highest value of the voltage at the connection point between the photocurrent element and the current limiting element,
Since the lowest voltage is detected, if a large amount of current flows toward the gate, the potential of the highest and lowest potential parts will be averaged with other parts, reducing sensitivity, so special measures have been taken.

以下実施例によって本発明を説明する。The present invention will be explained below with reference to Examples.

第1図でP1〜P4は光電流素子としてのホトダイオー
ドで第3図に示すように画面■3に配列されている。
In FIG. 1, P1 to P4 are photodiodes as photocurrent elements, which are arranged on the screen 3 as shown in FIG.

第1図では4個しか示してないが実際はもつと多数であ
る。
Although only four are shown in FIG. 1, there are actually many.

画面■3は第2図に示すようにカメラのファインダーに
おいて、撮影レンズL1を通し、ミラーMによって反射
されてペンタプリズムPPO下の結像面■2に形成され
た像をレンズL2で更に縮少して結像させたものである
As shown in Fig. 2, the screen 3 is an image formed in the camera's viewfinder through the photographing lens L1, reflected by the mirror M, and formed on the imaging surface 2 below the pentaprism PPO, which is further reduced by the lens L2. The image was formed by

ホトダイオードP1〜P4には夫々電流制限素子とし’
C(7)}ランジスタTO1〜TO4が直列に接続して
ある。
Each of photodiodes P1 to P4 has a current limiting element.
C(7)} Transistors TO1 to TO4 are connected in series.

TOI〜TO4はエミソタが共通にスイッチS3を通し
て電源Eの負極に接続してあり、ベースが共通に接続さ
れて本発明の切換スイッチとしてのスイッチS2により
接点a側或はb側に接続されるようになっている。
The emitters of TOI to TO4 are commonly connected to the negative pole of the power source E through switch S3, and the bases are commonly connected so that they can be connected to contact a side or b side by switch S2 as a changeover switch of the present invention. It has become.

これらのベースの共通ラインに測光出力端子OUTが設
けてある。
A photometric output terminal OUT is provided on a common line of these bases.

スイッチsi,s2,s3は最大輝度、最低輝度、平均
輝度の三種測光をするための切換スイッチである。
Switches si, s2, and s3 are changeover switches for performing three types of photometry: maximum brightness, minimum brightness, and average brightness.

まず最大輝度測定の場合について回路の説明をする。First, the circuit for maximum brightness measurement will be explained.

この場合スイッチ81オン、スイッチS2,S3は接点
a側に倒す。
In this case, the switch 81 is turned on and the switches S2 and S3 are turned to the contact a side.

即ち第1図の状態にする。今ホトダイオードP2の位置
が最大輝度の位置とする。
That is, the state shown in FIG. 1 is established. It is now assumed that the position of photodiode P2 is the position of maximum brightness.

P2の光電流が最大で、その電流はそのままトランジス
タTO2を流れようとする。
The photocurrent of P2 is the maximum, and that current tends to flow through the transistor TO2 as it is.

そのためホトダイオードP1〜P4とトランジスタTO
I〜TO4との接続点にベースが接続されているトラン
ジスタT11〜T14のうちT120ベース電位が最も
高くなり、T11〜T14の共通エミツタはT12のペ
ースエミツタ間電圧分だけT120ベースより低い電圧
になるが、他のT11,T13,T14のベース電位は
これより低いから、結局T11〜T14の共通エミツタ
の電圧は最大輝度の部分にあるホトダイオードの光電流
に支配されて定まる。
Therefore, photodiodes P1 to P4 and transistor TO
Among the transistors T11 to T14 whose bases are connected to the connection points with I to TO4, the T120 base potential is the highest, and the common emitter of T11 to T14 has a voltage lower than the T120 base by the pace emitter voltage of T12. , the base potentials of the other T11, T13, and T14 are lower than this, so the voltage at the common emitter of T11 to T14 is ultimately determined by the photocurrent of the photodiode in the portion of maximum brightness.

この電圧はスイッチS2の接点3を介してトランジスタ
TO1〜TO4の共通ベースに印加されTOI〜TO4
の電流を制御し、TO2の電流がホトダイオードP2の
光電流と等しくなる。
This voltage is applied to the common base of transistors TO1-TO4 via contact 3 of switch S2.
The current of TO2 becomes equal to the photocurrent of photodiode P2.

このような結果に到達するので、TO1〜TO4の共通
ヘースと共通エミツタ間の電圧はトランジスタTO2に
P2の光電流を流したときのTO2のペースエミツタ間
電圧でこれはP2の光電的出力をトランジスタのペース
エミツタ間特性によって対数変換したものであり、これ
が出力端子OUTに出力される。
To arrive at such a result, the voltage between the common base and the common emitter of TO1 to TO4 is the voltage between the base emitter of TO2 when the photocurrent of P2 flows through the transistor TO2, which is the voltage between the photoelectric output of P2 and the common emitter of the transistor TO2. This is logarithmically transformed according to the pace-emitter characteristics, and is output to the output terminal OUT.

この場合トランジスタTOI〜TO4はベースが共通な
ので全て同じコレクタ電流が流れねばならぬが、P2以
外はそれだけの電流を流すことができず、不足分はダイ
オードD11等を介し、トランジスタT 1 tT2を
経て電源Eから供給される。
In this case, the transistors TOI to TO4 have a common base, so the same collector current must flow through all of them, but the transistors other than P2 cannot allow that much current to flow, and the insufficient current is passed through the diode D11, etc., and the transistor T1 tT2. It is supplied from power source E.

次に最低輝度を測定する場合について説明する。Next, the case of measuring the minimum luminance will be explained.

このときはスイッチS2を接点b側に切換える。At this time, the switch S2 is switched to the contact b side.

他のスイッチは図のまムである。The other switches are shown in the figure.

S2を接点b側にするとトランジスタT11〜T14の
エミッタが回路から浮くので、これらは回路から除外さ
れたことになる。
When S2 is placed on the contact b side, the emitters of the transistors T11 to T14 are lifted from the circuit, so they are excluded from the circuit.

今度はP2が最低輝度の位置にあるとする。This time, assume that P2 is at the lowest brightness position.

P2の光電流が一番少いのでP1〜P4のアノードのう
ちP2のアノードが一番低電位となり、P1〜P4とT
OI〜TO4の各接続点に接続されたダイオードDIl
〜D14のうちD12のみが導通し他は逆方向にバイア
スされる。
Since the photocurrent of P2 is the smallest, the anode of P2 has the lowest potential among the anodes of P1 to P4, and the potential of the anode of P2 is the lowest among the anodes of P1 to P4.
Diode DIl connected to each connection point of OI to TO4
~ Among D14, only D12 is conductive and the others are biased in the opposite direction.

そのためD11〜D14の共通アノードに接続されたト
ランジスタT2のエミツタ電位はTO2のコレクタと略
同電位になり、トランジスタTI,T2、ダイオードD
12、トランジスタTO2と電流が流れ、T2のコレク
タ電位が低下し、T2のコレクタはFET}ランジスタ
Fのゲートに接続されているので、Fのソース電位が下
り、この電位がスイッチS2の接点bを通してトランジ
スタTOI〜TO4の共通ベースに与えられる。
Therefore, the emitter potential of transistor T2 connected to the common anode of D11 to D14 becomes approximately the same potential as the collector of TO2, and transistors TI, T2, and diode D
12. Current flows through transistor TO2, and the collector potential of T2 decreases. Since the collector of T2 is connected to the gate of transistor F (FET), the source potential of F decreases, and this potential flows through contact b of switch S2. Provided to the common base of transistors TOI-TO4.

代にTOI〜TO4の共通ベースの電位によってTO2
に流れるコレクタ電流がP2の光電流より少い場合、P
2のアノード電位は上昇しようとするからその上昇はT
2,Fを通してTOI〜TO4の共通ベースに伝わり、
TO2のコレクタ電流を増すように作用する。
TO2 is determined by the common base potential of TOI to TO4.
If the collector current flowing through P is less than the photocurrent of P2, then P
Since the anode potential of 2 tries to rise, the rise is T
2. It is transmitted to the common base of TOI to TO4 through F,
It acts to increase the collector current of TO2.

逆にTOI〜TO4の共通ベース電位が高くてTO2の
コレクタ電流がP2の光電流より多いときはD12を通
してより多くの電流がT2より流れて来てT2のコレク
タ電位が下り、この電位低下がTO1〜TO4のベース
に伝わってTO2のコレクタ電流を減少させるように作
用する。
On the other hand, when the common base potential of TOI to TO4 is high and the collector current of TO2 is larger than the photocurrent of P2, more current flows from T2 through D12, the collector potential of T2 decreases, and this potential drop becomes TO1. ~ It is transmitted to the base of TO4 and acts to reduce the collector current of TO2.

従ってトランジスタTO2のコレクタ電流はP2の光電
流と等しくなり、TOI〜TO4の共通ベースとエミツ
タとの間の電圧は最低輝度の位置にあるP2の光電流を
対数変換したものとなっていて、これが出力端子OUT
を通して出力される。
Therefore, the collector current of transistor TO2 is equal to the photocurrent of P2, and the voltage between the common base and emitter of TOI to TO4 is the logarithmically transformed photocurrent of P2 at the lowest brightness position. Output terminal OUT
is output through.

この間P2より明るい光を受けている他のホトダイオー
ドpLp3tp4等は光電流がトランジスタTO1 ,
TO3 ,TO4等により制限されているので光起電力
を発生しており、トランジスタTO1等のコレクタ電位
を電源Eの陽極以上に高めるように作用しており、グイ
オードD11等の逆方向バイアスを深くしているだけで
、P2,TO2を流れている最低輝度に対応する電流に
は全く干渉しない。
During this time, the photocurrent of other photodiodes pLp3tp4 etc. receiving brighter light than P2 is transferred to transistors TO1,
Since it is limited by TO3, TO4, etc., it generates a photovoltaic force, which acts to raise the collector potential of the transistor TO1, etc. to a level higher than the anode of the power supply E, and deepens the reverse bias of the diode D11, etc. It does not interfere at all with the current corresponding to the lowest brightness flowing through P2 and TO2.

最後に全面平均測光の場合について説明する。Finally, the case of full-plane average photometry will be explained.

この場合はスイッチS1を開き、S2を接点a側にし、
S3を接点b側にする。
In this case, open switch S1, set S2 to contact a side,
Set S3 to contact b side.

このようにすると、トランジスタTO1〜TO4はエミ
ツタが浮いてしまうので回路から外されたことになり、
トランジスタT11〜T14はコレクタが電源Eかも切
離されるのでベースとエミツタとでダイオードとして働
くことになり、P1〜P4の光電流はT11〜T14を
通して全てトランジスタTOOに流れる。
If you do this, the emitters of transistors TO1 to TO4 will float, so they will be removed from the circuit.
Since the collectors of the transistors T11 to T14 are also disconnected from the power supply E, the base and emitter of the transistors T11 to T14 function as diodes, and the photocurrents of P1 to P4 all flow to the transistor TOO through T11 to T14.

TOOはP1〜P4の光電流の総和が流れるから、その
ペースエミツタ間電圧はP1〜P4の全光電流の和の対
数変換となっていて、これが対数変換された平均測光出
力として出力端子OUTに出力される。
Since the sum of the photocurrents of P1 to P4 flows through TOO, its pace-emitter voltage is a logarithmic conversion of the sum of the total photocurrents of P1 to P4, and this is output to the output terminal OUT as the logarithmically converted average photometric output. be done.

ホトダイオードは第3図に示すように画電に配列される
が、各ダイオードが夫々余りに画面の微小な範囲のみの
光を受けていると却って画面構成上重要でない徴小点の
ハイライトとか微小な陰影に応答するので、これらの素
子の配列面を第2図における画像面■3より少しずらせ
て各素子が画面の或る広さの部分を受光するようにする
とよい。
The photodiodes are arranged in a picture panel as shown in Figure 3, but if each diode receives light from only a very small area of the screen, it may actually highlight tiny points that are not important in the screen composition. Since it responds to shadows, it is recommended that the array plane of these elements be slightly shifted from the image plane (3) in FIG. 2 so that each element receives light from a certain area of the screen.

また平均輝度の測定のために上述実施例では回路の切換
え方式を用いたが、ホトダイオードの配列面を第2図の
レンズL2の結像面■3から任意量だけずらせるように
してもよく、或はレンズL2の他に更に他のレンズを挿
入するようにしてもよい。
Further, although a circuit switching method was used in the above embodiment to measure the average brightness, the array plane of the photodiodes may be shifted by an arbitrary amount from the imaging plane (3) of the lens L2 in FIG. Alternatively, other lenses may be inserted in addition to the lens L2.

本発明は上述したような構或で、画面に配列された複数
個の光電流素子ごとに電流制限素子とトランジスタとダ
イオードからなる回路を形成七て、上記トランジスタの
共通エミツタ電圧或は上記ダイオードの共通アノード電
圧を上記電流制限素子への電流制御信号として与えるよ
うに構或することにより最低輝度或は最高輝度を検出す
るようにしたので、カメラを被写界の中心に向げたま〜
で被写界中の最大輝度或は最少輝度の部分の明るさによ
って露出を設定することができ、カメラの使用者は特殊
な測光操作にわずらわされることなく自分の作画意図に
専念できる。
The present invention has the above-described structure, and forms a circuit consisting of a current limiting element, a transistor, and a diode for each of a plurality of photocurrent elements arranged on a screen, and controls the common emitter voltage of the transistor or the diode. By providing the common anode voltage as a current control signal to the current limiting element, the minimum or maximum brightness can be detected.
The exposure can be set according to the brightness of the maximum or minimum brightness in the subject, allowing the camera user to concentrate on his or her own photographic intent without having to worry about special metering operations. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は同じく測
光素子のカメラ内での配置位置を示す図、第3図は画面
内での測光素子の配列の一例を示す図である。 P1〜P4:光電益素子、To1〜To4:電流制限素
子、T11〜T14二}ランジスタ、DI1〜D14:
ダイオード、S2:切換スイッチ、OUT :測光出力
端子。
Fig. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the arrangement position of the photometric element within the camera, and Fig. 3 is a diagram showing an example of the arrangement of the photometric element within the screen. be. P1-P4: Photovoltaic element, To1-To4: Current limiting element, T11-T142} transistor, DI1-D14:
Diode, S2: Selector switch, OUT: Photometry output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 画面に配列された複数個の光電流素子と、この各光
電流素子にそれぞれ直列接続された複数個の電流制限素
子と、上記各光電流素子と電流制限素子との接続点にそ
れぞれベースを接続されエミツタを共通に結線された複
数個のトランジスタと、同じく上記各光電流素子と電流
制限素子との接続点にそれぞれカソードを接続されアノ
ードを共通にした複数個のダイオードと、上記トランジ
スタの共通エミツタ或はダイオードの共通アノードの電
圧を上記電流制限素子へ電流制御信号として伝える切換
スイッチとよりなり、上記電流制限素子は上記電流制限
信号により最大輝度或は最低輝度に対応した光電流が流
れるように制御され、上記電流制御信号を測光出力とし
て出力するようにしたことを特徴とする測光装置。
1. A plurality of photocurrent elements arranged on a screen, a plurality of current limiting elements connected in series to each of the photocurrent elements, and a base at the connection point between each of the photocurrent elements and the current limiting element. A plurality of transistors having their emitters connected in common; a plurality of diodes having cathodes connected to the connection points of the respective photocurrent elements and the current limiting element and having a common anode; and a common transistor of the transistors. It consists of a changeover switch that transmits the voltage at the common anode of the emitter or the diode to the current limiting element as a current control signal, and the current limiting element is configured to allow a photocurrent corresponding to the maximum or minimum brightness to flow according to the current limiting signal. A photometric device, characterized in that the current control signal is controlled as a photometric output.
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