JPS5837487B2 - ソクコウカイロ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、受光素子にホトダイオードを用いたカメラな
どの測光回路に関する。

従来ホトダイオードを用いた測光回路としては、ホトダ
イオードを差動増巾回路の入力端子間に接続し、この差
動増巾回路の出力から入力の一方に負帰還をかげ、ホト
ダイオードを短絡状態にして入射光の光るこに比例した
光電流を取り出すようにした回路が実施されている。

その従来回路においては、入力トランジスタに１対の特
性の揃った電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた
差動増巾回路が含まれるため回路的に複雑かつ高価にな
るという欠点があった。

本発明はこの様な従来の欠点を改めて、簡単で安価な測
光回路を提案することを目的とする。

本発明によればただ１個のＦＥＴを用い、差動増幅器な
しで従来と同様な機能を得ることができる。

第１図は本発明の第１の実施例回路であって、電界効果
型トランジスタＱ，、ＮＰＮ｝ランジスタＱ２および抵
抗Ｒ，，Ｒ，２よりなる増巾回路を設けるポテンショメ
ータはＲ１は負帰還量調整用のものである。

該増巾回路において、入力に対し位相が反転している関
係にある出力端子Ｏｔに対数変換用トランジスタＱ３の
エミツタを接続し、該トランジスタＱ３のコレクタをホ
トダイオードＰＤのカソードに接続し、接続点Ｐ１を前
記増巾回路の入力端子である前記電界効果トランジスタ
のゲートに接続し、前記対数変換用トランジスタＱ３
のベースと前記ホトダイオードのアノードとを共通に接
続する。

第１図回路の動作 ホトダイオードＰＤに一定の明るさの光を照射し、ホト
ダイオードＰＤの一端Ｐ１点の電圧が変化すると各トラ
ンジスタＱ１及びＱ２を通してこのときのホトダイオー
ドＰＤ両端間の電位差を打ち消してＯにするように、負
帰還がかかる。

なおソースに接続されたポテンショメータＲ，によって
、トランジスタＱ２ のベース電位を調節してホトダイ
オードＰＤの両端の電圧がＯとなるようにする。

こうしておけばホトダイオードＰＤには暗電流が含まれ
ないで入射光強度に応じた光電流がトランジスタＱ３
のエミツタ・コレクタを介して流れることになる。

したがってトランジスタＱ３のエミツタ・ベース間には
光電流の対数に比例する電圧があらわれる。

ホトダイオードＰＤへの入射光強度が変化すると、たと
えば光強度が増加するとホトダイオードＰＤとＱ３ の
コレクタとの接続点Ｐ１の電位は負方向に深く下がる方
向に変化しＱ，のゲートしたがってＱ２のベースの電位
を下げる。

このためＱ２のコレクタの電位は上がる方向に変化する
とともに前記接続点Ｐ１の電位も上がる方向に変化する
こととなり、接続点Ｐ１の変化は打ち消される結果とな
る。

増巾回路の入力である電界効果トランジスタＱ１ の
ゲートとトランジスタＱ３ のエミツタすなわち出力端
子０１の出力とは位相が逆転している関係にある。

このようにしてホトダイオードＰＤはほぼゼロバイアス
の状態に保たれる。

ここでトランジスタＱ２による増巾段によって電圧変化
が増巾されるのでホトダイオードＰＤへの入射光強度の
変化に対する応答性は保証される。

増中度が十分でない場合は更に増中段を追加するとよい
。

トランジスタＱ２ のコレクタに接続した出力端子Ｏｔ
からたとえば図示して（・ないメータ回路に信号を与え
ることによりこの測光回路を測光計として実用に供する
ことができる。

第２図はカメラ特にＴＴＬ測光の一眼レフカメラの自動
露出制御回路に有用な実施例回路を示す図で測光出力信
号をフイルム感度など明るさ以外のファクターと共に演
算して露出制御信号を出力せしめるようにしたものであ
る。

第２図の回路は、第１図の回路においてトランジスタＱ
２のコレクタとトランジスタＱａのエミツタ間にトラン
ジスタＱ５ ，Ｑ６と抵抗Ｒ３，Ｒ，４，Ｒ５とよりな
る定電流回路及び、トランジスタ弘とポテンショメータ
Ｒ６ よりなるエミツタホロワー回路が接続された構
成となっている。

ポテンショメーターＲ６は定電流回路の出力トランジス
タＱ６のコレクタに一端が接続されていて、これに定電
流回路から定電流が流されている。

ポテンショメーターＲ６の摺動子Ｓ１はフイルム感度又
は／及びプリセット絞りの設定に応じて摺動され、それ
によって抵抗Ｒ６とトランジスタＱ６のコレクタとの接
続点Ｐ３ と摺動子Ｓ１との間の電圧はフイルム感度、
またはプリセット絞りの一段あたりの変化に対して設定
された一定値（約ｔｓｍＶ）だけ段階状に変えられるよ
う作られている。

第２図の動作は第１図の回路と同様である。

すなわち、ホトダイオードＰＤの一端Ｐ１点の電位が変
化すると各トランジスタＱｈ ，Ｑ２ ，Ｑ４ を介し
てＰ１の電位変化を打ち消すように負帰還がかかる。

このようにして点Ｐ２，Ｐ３間には、ＰＤの入射光強度
の対数に比例する電圧に、フイルム感度、プリセット絞
りに応じた信号電圧が加算された電圧が点Ｐ２，８１間
に出力される。

この出力電圧は露出時間制御信号として周知の露出制候
回路に与えることかできる。

もち論、摺動子Ｓ１をシャツタ時間の設定に応じて摺動
し、出力電圧で絞りを制御するような形式の回路として
用いることもできる。

第３図は、トランジスタＱ，にもとづく次段の入力を電
界効果トランジスタＱ１のドレインＰ４かもとるように
構或した回路である。

１は第２図における定電流回路１１に相当する。

電界効果トランジスタＱ＋のドレインとトランジスタＱ
４のベースとの間に更に増巾器を設けることもできる。

尚、第２図、第３図におげるポテンショメーターＲ６に
流される定電流の大きさは、ホトダイオードＰＤによる
光電流よりも十分大きく設定される。

第４図は第２、第３図におけるトランジスタＱ３のベー
スをホトダイオードＤＰのアノードに直接ではなく、ト
ランジスタＱ６のエミツタのような他の電位点Ｐ６に接
続した実施例を示すものである。

トランジスタＱ３ のベースを接続すべき点はトランジ
スタＱ６のエミツタにかぎらなくてもよい。

第５図はトランジスタＱ３ のベースを第２の定電流回
路■２とポテンショメータＲ７によって分圧してつ《ら
れる摺動子Ｓ２の電位点に接続した実施例を示すもので
ある。

摺動子Ｓ２を被写体の明るさ以外の露出ファクターによ
って摺動するようにしてもよい。

尚、ＰＤのアノードは必らずしも直接接地点Ｐ２ と
接続する必要はなく、他の固定電位点たとエハトランジ
スタＱ６ のエミツタ等に接続してもよ（・。

尚トランジスタＱ６ のエミツタに直列に接続された半
固定抵抗Ｒ，は、レンジ調整用のものであって、ポテン
ショメータＲ６ の摺動片Ｓ１を写真情報ＩＥｖ分連動
して動かすことに対して出力端子Ｏｔの電圧が接地レベ
ルＰ２ に対して設定した電圧差、たとえば前記１８ミ
リボルトだけ変化するように、装置の製造直後に調整す
る為のものである。

さらに第５図においてトランジスタＱ３ のエミツタを
トランジスタＱ４のエミソタＰ４のような他の電位点と
接続してもよい。

トランジスタＱ３のエミッタを抵抗亀と定電流回路■，
の接続点につながずにこれを点線で示したように直接点
Ｐ４に接続する場合は抵抗Ｒ６には光電流成分が流れな
くなるので、抵抗Ｒ。

に流すのは定電流回路の電流のみとなり、定電流の値を
より小さく設定できる。

従って電池の消耗を防ぐことができる。第６図はトラン
ジスタＱ４のエミッタと定電流回路■，との間のポテン
ショメータＲ６に並列に他のポテンショメータＲ８を接
続し、トランジスタＱ３のエミッタを抵抗曳の摺動子ｓ
１ と接続し、抵抗Ｒ８の摺動子Ｓ３から演算出力を
とり出すようにしたものである。

この場合、たとえば抵抗Ｒ６でフイルム感度、抵抗Ｒ８
でプリセット絞りをそれぞれ設定するようにできる。

以上の実施例ではＰＮＰ｝ランジスタを対数変換用トラ
ンジスタとして用いたが、電源の正端子側を基準電位に
してＮＰＮ｝ランジスタを用いるように回路を構成する
ことも勿論可能である。

この場合は対数変換用トランジスタのコレクタにホトダ
イオードのアノードが接続される。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図はそれぞれこの発明の実施例の回路
図である。 図においてＱ１は電界効果トランジスタ、Ｑ２ は電界
効果トランジスタＱ１と共に増幅回路を構成するバイポ
ーラトランジスタＱ３は対変換用トランジスタ、Ｏｔは
出力端子、ＦＤはホトダイオード、Ｒ１はトランジスタ
Ｑ２の動作点調整用である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ １個の電界効果トランジスタを入力トランジスタと
   する増幅回路を設け、該増巾回路において、入力に対し
   位相が反転している関係にある出力端子に、対数変換用
   トシンジスタのエミッタを接続し、該対数変換用トラン
   ジスタのコレクタにホトダイオードの一端を接続し、該
   接続点を前記増巾回路の入力端子である前記電界効果ト
   ランジスタのゲートに接続し前記対数変換用トランジス
   タのベース及び前記ホトダイオードの他端をそれぞれ光
   情報の変化に対して電位の一定な点に接続することを特
   徴とする測光回路。