JPS5836035B2 - 接触分解法における金属不動態化剤の導入調節方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、接触分解装置への不動態化剤添加の調節に関
する。

接触分解装置においては、クラツキング゛条件下におい
て、クランキング用触媒を供給炭化水素原料と接触させ
て分解生成物を生成する。

供給原料中に含まれる夾雑物、例えばニッケル、バナジ
ウムおよび鉄は、クランキング用触媒上に沈着するよう
になり、そして公知の方法では完全に賦活することが不
可能なように触媒を失活させる。

これらの夾雑物の及ぼす有害な作用には、水素、乾性ガ
スおよびコークスの生成増加、供給炭化水素原料を分解
生戒物に転化させる触媒の活性度の低下、および供給炭
化水素をガソリンに転化させる触媒の選択性低下が含ま
れる。

触媒を種々の処理剤、例えばアンチモン、ビスマス、マ
ンガン、錫および酸化物の形に転化可能なこの種処理剤
を含む化合物と接触させることによって、上記夾雑物の
有害作用を少くとも一部軽減し得ることは当技術分野に
おいて公知である。

夾雑物の有害作用を低減させるために、触媒と共にクラ
ツキング帯域中に含有させなければならない処理剤の量
は、クラツキング用触媒１００重量部に対して、約２重
量部未満のアンチモン、ビスマス、錫またはマンガンで
ある。

最適結果を得るために、クラツキング用触媒と共にクラ
ツキング帯域中に存在させる必要のある処理剤の正確な
量については、例えば再生触媒の特質、再生触媒に加え
られる補充触媒の量および特質、供給炭化水素原料中に
含まれるニッケル、バナジウムおよび鉄のような夾雑物
の量と型、夾雑物の接触分解帯域内における滞留時間、
ならびに使用される個々の不動態化剤の特質といった監
視困難な変動要素に支配される。

過少または過多の不動態化剤を装置に添加することは経
済的に無駄なことであるため、容易に察知できる因子に
応答して、不動態化剤の装置内添加を巧妙に処理して、
接触分解装置内における処理剤の最適水準を常時維持す
ることはきわめて望ましいことである。

処理剤の最適水準によってもたらされる利点には、転化
率の上昇触媒のガソリンへの選択性の向上、触媒寿命の
延長、水素生成量の低下およびコークス生産量の低下が
含まれる。

本発明に従えば、接触分解装置への不動態化剤の添加が
、分解生或物として装置内で生成される分子状水素とメ
タンとの濃度に応答して巧妙に操作される。

接触分解で生成する分子状水素とメタンとの濃度が、最
適の結果を得るために、接触分解装置に加えなければな
らない不動能化剤の適切な量を決定するのに役立つこと
が本発明により発見されｔラ限定されるわけではないが
、接触分解法を行なうに好ましい方法は、約９００°〜
１１００’Ｆ（４８２°〜５９３℃）、好ましくは９４
０°〜１０２０’Ｆ（５０４°〜５４９°Ｃ）のライザ
ー出口温度を用いる流動接触分解による方法である。

本発明については、以後流動接触分解に関連して説明す
るが、当業者であれば、本発明が他の接触分解法、例え
ば移動床または固定触媒床を用いる方法にも同じく適用
可能であることを容易に認識するであろう。

第１図について説明すると、普通ライザーと呼ばれる細
長い反応管で構成されるクラツキング帯域２において、
流動化された複合触媒の存在下にクラツキングが起こる
。

供給炭化水素原料４を予熱器に通し、予熱器で約３５０
°〜７５０°Ｆ（１７７°〜３９９６Ｃ）、好ましくは
約５５００〜６５０°Ｆ（２８７°〜３４３℃）に供給
原料を加熱し、次に加熱された供給原料をライザーの底
部に装入してクラツキング用触媒させる。

一般に、ライザーの長さ対直径の比率は約２０〜４０と
する。

触媒および供給原料の滞留時間を約１〜４秒とするに充
分な長さのライザーを用いるのが望ましい。

任意のクラツキング用触媒の大部分を分解法に使用でき
る。

接触分解に用い得るクラッキング用触媒についての若干
の例をあげると、無機酸化物のゲルを、少くとも１種の
希土金属カチオンおよび水素イオンまたは水素イオンに
変換可能なイオンを含む流体媒質による処理の結果とし
て、強酸性の性質を有するアルミノシリケートおよびア
ルミノシリケート組成物と混合して得られるものが含ま
れる。

本発明の方法に使用可能な他のクラッキング用触媒組成
物には、モルデナイト結晶構造ヲ有する結晶性アルミノ
シリケートゼオライトが含まれる。

本発明は、供給原料中に含まれる夾雑物によって少くと
も一部失活し、そして処理剤と接触させることによって
少くとも一部賦活することのできるクラツキング用触媒
、例えばゼオライト含有クラツキング用触媒を利用する
任意の分解法に適用可能であると信じられる。

流動接触分解法の必須段階として、クラツキング用触媒
は、高められた温度、一般的には約８００°から約１６
００°Ｆまで（４２７°〜８７１°Ｃ）、好ましくは１
１５００〜１３５０’Ｆ（６２１°〜７３２℃）の範囲
内の温度において、遊離酸素を含むガス、例えば空気を
存在させ、約３分から約３０分までの範囲内の時間で触
媒を加熱することによって再生される。

この段階は、触媒再生帯域６において行なわれ、かつ、
触媒上のカーボンの濃度を約０．３重量φ未満に低下さ
せるように実施される。

このように再生された触媒の少くとも一部分は、８を経
由して再生帯域から取出し、ライザーの底部に装入して
供給炭化水素原料と接触させる。

接触分解操作においては、ライザー中における触媒と供
給炭化水素原料との接触時間としては約１〜４秒、また
触媒二油の重量比率としては約４：１から約１５＝１ま
でを通常採用する。

水蒸気をライザーへの油入口ラインへ導入すること、お
よび（または）独立してライザーの底部に導入して再生
触媒をライザー中上方へ選ぶことを助けるようにするこ
とができる。

一般に約１１０００〜１３５００Ｆ（５９３〜７３２°
Ｇ ） （７）温度で、再生触媒をライザーの底部に導
入する。

約５〜５０ｐｓｉｇ （ ０．３ ５〜３．５ ０ｋｇ
／ｉ）、好ましくは１ ５ 〜３ ５ ｐｓｉｇ（１．
０ ５〜２．４５ｋｇ／ｃｆＩＬ）の圧力下のライザー
システムの標準的操作は、ライザー中における炭化水素
に対する触媒の顕著なスリッペイジ（ ｓｌｉｐｐａｇ
ｅ）および反応流内に触媒床が形成されるのをなるべく
回避しながら、大体同一の流連で触媒と供給炭化水素原
料とをライザー中に並流的に、かつ、上方に向けて流通
させて行なう。

しかしながら、若干のシステムにおいては、触媒二油の
比率は、ライザ一人口から反応流に沿って有意の変化を
示す。

ライザ一温度は、供給原料の蒸発、クラツキング反応が
わずかに吸熱性であること、および大気中への熱損失に
起因してライザーの長さに沿い低下する。

ほとんどすべてのクラツキングが１秒か２秒の間に起こ
るので、ライザーの底部における供給原料と再生触媒と
の接触時点において、供給原料の蒸発がほとんど瞬間的
に起こらなければならない。

従って、ライザーの入口においては、再生高温触媒と予
熱された供給原料とを、混合剤、例えば好ましくはメタ
ンまたは水素以外の水蒸気（前記のとおり）、窒素、エ
タンまたは軽質ガスと共に均質混和して、平衡温度をほ
とんど瞬間的に達成する。

クラツキング反応が終わった後、反応混合物を１０を経
由してライザーから運び出し、触媒分離帯域１２におい
て触媒を生成炭化水素流出物から分離する。

分離された触媒は、ライン１４を経由して触媒再生帯域
６に運び、前掲の方法で再生する。

再生触媒８は、通常ライザーに再導入される前に、新鮮
な補充触媒の補給を受ける。

分解生成炭化水素流出物は、ライン２０を経由して触媒
分離帯域１２から生戒物分離帯域１８に通し、そこで液
体生或物とガス状生成物との分離を行なう。

生成物分離帯域１８においては、慣用の方法によって、
主として未反応の供給炭化水素原料からなる液体生成物
の高沸点留分を残りの液体生成物から通常分離し、一部
は送り戻してライザー底部に装入し、クラツキング用触
媒と再接触させる。

水素およびメタンならびに他のガス類を含むガス状生成
物は、２２を経由して取出し、別の加工用に供する。

不動態化剤をクラツキング帯域に導入するには、種々の
方法を用いることができる。

例えば、水性もしくは非水性の保持剤（ ｃａｒｒｙｉ
ｎｇ ａｇｅｎｔ ）中に分散させ、もしくは分散させ
ずに直接クラツキング帯域２に不動態化剤を導入できる
。

不動態化剤は、例えば含浸、乾式混合、または適当な保
持剤からの放免（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような手段
により、触媒再生帯域６において触媒と接触させてから
、再生触媒と共にクラツキング帯域に導入することもで
きる。

クラツキング帯域に不動態化剤を導入するさらに別の方
法は、適当な饅の不動態化剤を含有する補充触媒１６を
加える方法である。

好ましい態様においては、不動態化剤を適当な非水性溶
媒中に分散させ、ライン２４を経由して供給炭化水素原
料４と均一に混和してから、供給炭化水素原料と共にク
ラツキング帯域２に注入する。

本発明の一態様に従えば、接触分解装置で生じる分子状
水素とメタンの濃度を適当な手段、例えば生成物分離帯
域の下流に位置させたガスクロマトグラフによって監視
（ｍｏｎｉｔｏｒ） Ｌ／、監視された濃度に応答して
、クラツキング帯域への不動態化剤の導入速度を調節す
る。

これらの濃度が変化すると、接触分解装置で生じる分子
状水素とメタンの間の比率も通常変化する。

ここに記載する比率という用語は容積比のことであるが
、他の比率、例えば分子比、濃度比、または重量比も本
発明に用い得ることを理解すべきである。

分解装置への不動態化剤添加率は、Ｈ２／ＣＨ４比の変
化に応答して調節できる。

もしＨ２／ＣＨ４比が上昇すれば、不動態化剤添加率を
上げ、また、もしＨ２／ＣＨ４比が低下すれば、分解装
置への不動態化剤添加率を下げる。

不動態化剤の添加率変更は、不動態化剤供給ライン２４
上の弁２８を操作することにより簡単に行なうことがで
きる。

本発明の別の態様に従えば、接触分解装置で生じる分子
状水素対メタンの比率は、クランキング帯域への不動態
化剤導入を調節することにより、一定不変に、またはあ
らかじめ選定された値の範囲内に保たれる。

このことは、例えば反応装置の再生帯域内における不動
態化剤とクラツキング用触媒との接触速度を調節するこ
とによって行なうことができる。

クラツキング帯域への不動態化剤導入の調節は、例えば
直接クラツキング帯域に導入されるか、または供給炭化
水素原料と接触しながらクラツキング帯域に導入される
不動態化剤流の制御による、より直接的な方法で行なう
のが好ましい。

一般的にはＨ２／ＣＨ４比に関してあらかじめ選定され
る範囲の値は、約１：５から約３＝１までの間から選ば
れるものと考えられる。

この態様においては、装置への不動態化剤の添加を、観
察されたＨ２／ＣＨ４比があらかじめ選定された範囲を
上まわれば回復速度（ｒｏｃｏｖｅｒｙ ｒａｔｅ）で
、観察された比率があらかじめ選定された範囲内である
ときは維持速度（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ ｒａｔｅ）
で、また、観察された比率があらかじめ選定された範囲
を下まわるときは低速度で実施する。

一般に、ラインアウト状態の装置（ｌｉｎｅｄ ｏｕｔ
ｕｎ−ｉｔ）、または平衡状態操作の装置では、維持
速度は、不動態化剤が損耗し、および（または）系内か
ら取出される速度に等しくなろう。

回復速度は、維持速度より速い速度であり、低速度とい
うのは維持速度より遅い速度である。

不動態化剤を低速度で系に加えると、触媒インベント’
） −（ｃａｔａ−ｌｙｓｔ ｉｎｖｅｎｔｏｒｙ）中
の不動態化剤の量が減衰、すなわち低下する。

回復速度においては、触媒インベントリー中の不動態化
剤の量が増加する。

例えば、供給原料油４を高速でクラツキング帯域２へ導
入するか、または汚染度の高い供給原料油４を用いるこ
とにより、夾雑物の導入率が増加すると予想される場合
には、不動態化剤の添加を回復速度で行なうのが望まし
い。

本発明のこの好ましい態様を実施するに当っては、生成
物分離帯域１８からのガス状流出物２２に含まれる分子
状水素対メタンの比率測定を、例えばクロマトグラフ分
析装置２６のような慣用手段を用い、ガス状流出物２２
の一部３０についての適当な分析によって行なう。

分析装置２６は、ガス状流出物から取出した部分に含ま
れる分子状水素の濃度を表わす第１信号３２を確立し、
また、ガス状流出物から取出した前記部分に含まれるメ
タンの濃度を表わす第２信号３４を確立するような設備
を施す。

計算千段３６は第１信号を第２信号で除して、水素およ
びメタンの濃度の間の比率を表わす第３信号３８を確立
する。

この第３信号３８を、当技術分野で公知のプロセス集中
制御装置（ｐｒｏｃｅｓｓ ｉ．ｎｔｅｇｒａｌ ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｒ）のような比較手段４０に送り込み、
この比較手段において、生或物分離帯域１８から出るガ
ス状分解生成物２２に含まれる分子状水素対メタンの所
望の比率を表わす第４信号４２で構成されるセットポイ
ント（ｓｅｔ ｐｏｆｎｔ）と第３信号３８との比較を
、適当な方法、例えば第４信号４２から第３信号３８を
減じて行ない、第３信号と第４信号に応答して第５信号
４４を発生させるが、この第５信号を用いて、不動態化
剤供給ライン上にある流れ制御装置を操作し、それによ
って接触分解装置への不動態化剤の添加を調節する。

分解生戒物として発生する分子状水素対メタンの所望の
比率は個々のシステム間で相違するので、実験によって
決定しなければならない。

一般的には、所望の比率は、約１：５と約３：１との間
であると考えられる。

クラツキング操作を最初に開始する普通の装置では、一
般に使用済みの一部失格したクラツキング用触媒の若干
部分か用いられる。

これは、新しい触媒が一般に活性度が高すぎて、商用基
準による使用が不可能なためである。

触媒インベントリーの少くとも一部分が使用済みのもの
づあり、かつ、使用済み触媒が不動態化剤による処理を
施されなかったものと仮定するならば、反応装置からの
オフガス中に含まれる分子状水素対メタンの所望の比率
は、以下に記載する方法によって決定することができる
。

触媒インベントリーに含まれる金属夾雑物による有害作
用を相殺するに必要な不動態化剤の量は、インベントリ
ーの一部について、少くともニッケルおよびバナジウム
の含有量を定量的に分析し、これらの実測値を外挿法で
計算してインベントリーに含まれるニッケルとバナジウ
ムとの全重量を評価する、ことによって決定する。

金属夾雑物による有害作用を相殺するためにインベント
リーと接触させなければならない処理剤の量が計算され
る。

この量は、処理剤と汚染されたクランキング用触媒との
間で行なわれる接触の効率によって変わる。

例えば、１ボンドのアンチモン（元素重量）を含む処理
剤は、クラツキング用触媒上のニッケルとバナジウムと
を合せて５ポンドを相殺する効果がある。

しカルながら、例えば反応装置内のクラツキング帯域に
おけるアンチモン処理剤とクラツキング用触媒との接触
効率は、一般に約５０優である。

従って、触媒上のニッケルとバナジウムとを合わせた重
量２．５ポンドを不動態化するためには、約１ポンドの
アンチモンを汚染したクラツキング用触媒に接触させる
必要がある。

クラツキング用触媒上に沈着した金属による有害作用を
相殺するに必要な量の処理済を、２〜７日間にわたって
触媒インベントリーに加える。

この期間にわたって、装置のオフガスに含まれるＨ２／
ＣＨ４比を監視する。

この比率を算術座標上の時間に対してプロットするなら
ば、時間の付加的インクリメントごとに低下する比率の
変化を示す指数型の曲線（ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ
ｔｙｐｅ ｃｕｒｖｅ）が得られるであろう。

２〜７日の期間の終期に近づくと、比率は漸近値（ａｓ
ｙｍｐｔｏｔｉｃ ｖａｌｕｅ）に近接するようになる
はずである。

この時点において、同様に長い追加の期間、同一速度で
不動態化剤を添加しつづけて、例えば装置で生或するサ
イクル油の量の増力昧よび（または）Ｈ２／ＣＨ４此の
上昇でわかる転化率の低下によるごとき分解法の支障が
、過剰量の不動態化剤によって起こるか否かに注目する
のが望ましい。

合理的な量の過剰アンチモンは分解法に対して有害では
ないが、不動態化剤の混合物または新規に発見された不
動態化剤は、もし過剰量で含まれれば有害であろうと予
想される。

もしも上記の方法で指数型の曲線が得られれば、所望の
値のＨ２／ＣＨ４比は、観察されたＨ２／ＣＨ４の低減
値の５０φと１００％の間、好ましくは６０％と９５％
の間、さらに好ましくは７０係と９０％の間に相当する
値に設定することができる。

所望によっては、あらかじめ選定される値の範囲を、上
記所望値の上限および下限に合わせて選定することがで
きる。

もしも、プロットされたＨ２／ＣＨ４比が不動態化剤の
最適量をこえる添加に相当する増加値を示すとき、すな
わち、転化率が低減するときは、不動態化剤の供給を暫
時減らして、分解装置内における有効不動態化剤の量を
減衰させてＨ２／ＣＨ４比が再び最低値を示すのを待ち
、その後に前述したとおりプロセス集中制御装置の所望
のセットポイントを選定し、そして本発明の操作を行な
うべきである。

もしも、Ｈ２／ＣＨ４比が非指数型の曲線をたどる時は
、適切なセットポイントを選定する前に、コスト利益分
析を慎重に行なう必要があろう。

不動態化剤が現に使われつつあるプロセスについてのセ
ットポイントを選定するには、不動態化剤の供給源を切
離すか、または好ましくは不動態化剤のプロセスへの導
入速度を約５０％下げてから、過剰量の不動態化剤が系
内に含まれているか否かを確認するためＨ２／ＣＨ４比
の監視を行なう。

２〜３日後に、Ｈ２／ＣＨ４比が再び増加しはじめるは
ずである。

この時点において、例えば不動態化剤の流量を約５０ｆ
ｏ増加させることにより大量の不動態化剤を系に加え、
安定化の起こる比率に注目する。

もしも、上記の手順によって、Ｈ２／ａ｛，比の増加や
安定化したＨ２／ＣＨ４比が得られないときには、不動
態化剤の添加率を、必要に応じてさらに約５０多低下ま
たは上昇させてよい。

安定化した比率とは、評価されたＨ２／ＣＨ４比の漸近
値の約０．０２から約０．２、好ましくは約０．１単位
内であると考えられる比率である。

セットポイントは、安定化した比率より約０．０から約
０．５、好ましくは約０．１から約０．３単位高い範囲
から選定される。

本発明に用いられる流れ制御装置は、本質上慣用型式の
ものでよく、不動態化剤供給ライン上に位置させるのが
望ましい。

不動態化剤供給ラインは、不動態化剤の源泉および接触
分解装置への導入点と流路連結させる。

前に述べたとおり、不動態化剤を系内に導入する地点は
、触媒再生帯域内であってもよく、もしくは直接クラツ
キング帯域中に入れてもよく、あるいはまた、クラツキ
ング帯域と再生帯域との間とすることもでき、もしくは
供給炭化水素原料ライン中に入れるのも好ましい。

不動態化剤を供給炭化水素原料ラインに加えるときには
、供給炭化水素原料に加える不動態化剤の重量による量
は、クラツキング帯域に導入される不動態化剤の元素重
量と供給炭化水素原料の重量とを基準にして、通常約１
ｐｐｍから約５００ｐｐｍ好ましくは１０ｐｐｍから
１ ５ ０ ｐｐｍの範囲内である。

例えば、トリフエニルビスムチン、ナフテン酸マンガン
、硝酸ビスマス、三塩化ビスマス、硝酸マンガン、安息
香酸マンガン、乳酸アンチモン、酢酸アンチモン、三酸
化ニアンチモン、三塩化アンチモン、トリフエニルアン
チモンおよびこれらの混合物のごとき任意の不動態化剤
の大部分を本発明に用いることができる。

ヒドロカルビルー置換アンチモン化合物、特にアンチモ
ントｌＪス（０，０−ジヒドロ力ルビルホスホ口ジチオ
エート）は、目下のところでは好ましい処理剤である。

当業者であれば、ガス状分解生戒物中の分子状水素対メ
タン比があらかじめ選定されたセットポイントを上まわ
れば、クラツキング帯域への処理剤導入を増加させ、ま
た、もしその比率があらかじめ選定されたセットポイン
トを下まわれば、処理剤の流量を下げることによってク
ランキング帯域への処理剤導入を低減させることが望ま
しいということを理解するであろう。

本発明の接触分解法に用いられる供給原料は、重質供給
炭化水素原料からガソリンおよび軽質留分を生成する接
触分解法に従来から利用されているもので、一般に６０
０゜Ｆ（ ３ １ ６°Ｃ）以上の平均沸点を有する供
給原料であり、軽油、サイクル油、残油等のごとき物質
がこれに含まれる。

本発明が適用可能である分解法は、一般に８０００と約
１２０００Ｆ（４２７°と６４９°Ｃ）の間、好ましく
は９４００〜１０２００Ｆ（５０４°〜５４９℃）の範
囲内の温度、および減圧から３ ０ ０ ０ ｐｓｉｇ
（ ２ １ ０ｋｙ／ｆｆｌ）の範囲内の圧力の下で行
なわれるものである。

次に例を挙げて、本発記が有利に利用できる分解法を説
明する。

例 原料軽油を装入中の能力２６０００バレル／日の接触分
解装置を、米国コネチカット州のノルウオークのＲ．Ｔ
． Ｖａｎｄｅｒｂｉ Ｉｔ Ｃｏ．からＶａｎｌｕｂ
ｅ６２２の商標名で製造され、中性炭化水素油中に約１
０．９重量多のアンチモンを溶解させて含む市販の油添
加剤を使用する金属不動態化プログラムにのせた。

用いた触媒は市販のゼオライト型の触媒であった。

Ｖａｎｌｕｂｅ ６ ２ ２は供給原料油と共に装置内
に導入した。

触媒インベントリは３５０トンであり、補充触媒量は約
７トン／日であった。

系の触媒分析結果： 表面積 ７８ｍ／ｇ ニッケル ２ ８ ９ ２ ｐｐｍ（重量）バナ
ジウム ８ ０ ０ ５ ｐｐｍ鉄
７ ６ ５ １ ｐｐｍコークス ０．６１φ
（重量） 供給原料油の性状： 分子量 ＡＰＩ比重 ＢＭＣＩ（１） ４１ ４ ２１．２ ４９．６ ８５．０２ ４．９ ２ （Ｒａｍｓ） １．５ ７．４ｐｐｍ 炭素分（重量饅） 残留炭素 硫黄（重量饅） ニッケル バナジウム １ ２．０ ｐｐｍ鉄
４ ５．０ ｐｐｍ（１）米国鉱山局相関
指数（Ｂｕｒｅａｕｅｓ Ｃｃｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｉ
ｎｄｅｘ）装置オフガス中のＨ２／ＣＨ４ （容積）
比が安定化したと認められるまで、Ｖａｎｌｕｂｓ ６
２ ２を選定された速度で装置に装入した。

選定されたＶａｎｌｕｂｅ供給速度において、装置オフ
ガスのクロマトグラフ分析で測定した平衡Ｈ２／ＣＨ４
比は次のとおりであった。

Ｖａｎｌｕｂｅ ６２２添加率 装置オフガスの（
ガロン／時） Ｈ２ ／ＣＨ４比０
２．７３１・３
１．６５２．８
１．５０第２図は、上記のデータポ
イントをなめらかな曲線で結んでグラフに表わしたもの
である。

第２図からわかるとおり、他の操作条件を一定にし、系
から減損する不動態化剤の速度と同一速度で不動態化剤
が系内に添加される平衡状態の装置から生じるＨ２／Ｃ
Ｈ４比は、Ｖａｎｌｕｂｅ ６ ２ ２添加率の関数で
ある。

なお、不動態化剤の供給速度とｏｆＭｉｎ− Ｈ２／ＣＨ４比との間の相対関係は、不動態化剤添加率
の増大に伴って低減指数型曲線をたどる。

上記のデータおよび第２図からわかるとおり、Ｈ２／Ｃ
Ｈ４比は、装置への不動態化剤の添加量が増大すると、
約１．２３単位低下して、約１．５の漸近値に近づくこ
とが認められる。

例えば、Ｈ２／ＣＨ４比において観察された低減度の７
０／９ ０優に相当するセットポイントは約１．６と
１．９との間であろう。

装置オフガスにおける所望のＨ２／ＣＨ４比を表わすセ
ットポイントとして、例えば１．６を選定することによ
り、本発明を上記のプロセスに有利に用いることができ
よう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施するに適する装置を図解したも
のであり、第２図は、本文中に記載した例におけるデー
タのグラフであって、特定の供給原料を精製する接触分
解装置によって生或するＨ２／ＣＨ４比を、不動態化剤
添加率の関数として示したものである。 第１図中、２・・・・・・クラツキング帯域、６・・・
・・・触媒再生帯域、１２・・・・・・触媒分離帯域、
１８・・・・・・生成物分離帯域、２６・・・・・・ク
ロマトグラフ分析装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ クラツキング条件下に供給炭化水素原料および金属
   不動態化剤をクラツキング用触媒を含む接触分解装置の
   クラツキング帯域に導入して分子状水素およびメタンを
   含む分解生或物を生或する接触分解法を操作する方法に
   おいて、前記接触分解装置によって生成される分子状水
   素およびメタンの濃度を監視し、そして分子状水素およ
   びメタンの監視された濃度に応答して金属不動態化剤の
   接触分解装置への添加速度を調節することを特徴とする
   方法。 ２ 分子状水素：メタン濃度比が第１比率からそれより
   高い第２比率に増加する時には、金属不動態化剤の接触
   分解装置への添加速度を第１速度からそれより高い第２
   速度に上げ、また前記の比が第１比率からそれより低い
   第２比率に低下する時には、前記の速度を第１速度から
   それより低い第２速度に下げることを特徴とする上記１
   に記載の方法。 ３（ａ）接触分解装置からの分解生戒物の一部分におけ
   る分子状水素の濃度を表わす第１信号を確立し、 （ｂ） 前記接触分解装置からの分解生成物の前記一
   部分におけるメタンの濃度を表わす第２信号を確立し、 （ｃ） 前記第１信号および前記第２信号に応答して
   、前記第１信号と前記第２信号との間のあらかじめ定め
   られた相対関係を表わす第３信号を確立し・、 （ｄ）前記第１信号と前記第２信号との間のあらかじめ
   定められた相対関係についての所望の値を表わす第４信
   号を確立し、 （ｅ） 前記第３信号および前記第４信号に応答して
   、第３信号と第４信号との間のあらかじめ定めらた相対
   関係を表わす第５信号を確立し、そして（ｆ） 前記
   第５信号に応答して、不動態化剤の接触装置への導入を
   調節することを特徴とする上記１または２に記載の方法
   。 ４ 第１信号と第２信号との間のあらかじめ定められた
   相対関係が前記第１信号と前記第２信号との間の比であ
   ること、および第３信号と第４信号との間のあらかじめ
   定められた相対関係が前記第３信号と前記第４信号との
   間の差であることを特徴とする上記３に記載の方法。 ５ 第１信号および第２信号をクロマトグラフ分析装置
   によって確立することを特徴とする上記３または４に記
   載の方法。 ６ 第５信号をプロセス集中制御装置によって確立する
   ことを特徴とする上記３〜５のいずれか１項に記載の方
   法。 ７ 第５信号に応答して流れ制御装置により、不動態化
   剤の接触分解装置への添加を調節することを特徴とする
   上記３〜６のいずれか１項に記載の方法。 ８ 不動態化剤がアンチモン、ビスマス、マンガン、錫
   またはそれらの酸化物に転化可能なそれらの化合物であ
   ることを特徴とする上記１〜７のいずれか１項に記載の
   方法。 ９ 分子状水素：メタンの比率が約１：５から約３＝１
   までの範囲内であることを特徴とする上記１〜８のいず
   れか１項に記載の方法。 １０ 金属不動態化剤の少くとも一部分を、クラツキン
   グ帯域に直接導入することを特徴とする上記１〜９のい
   ずれか１項に記載の方法。 １１ 金属不動態化剤の少くとも一部分を、供給炭化水
   素原料の少くとも一部分と共にクラツキング帯域に導入
   することを特徴とする上記１〜１０のいずれか１項に記
   載の方法。 １２ 金属不動態化剤の少くとも一部分を、クラツキン
   グ用触媒の少くとも一部分と接触させてクラツキング帯
   域に導入することを特徴とする上記１〜１１のいずれか
   １項に記載の方法。