JPS5835220B2 - How to use the handshake method - Google Patents
How to use the handshake methodInfo
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- JPS5835220B2 JPS5835220B2 JP11273375A JP11273375A JPS5835220B2 JP S5835220 B2 JPS5835220 B2 JP S5835220B2 JP 11273375 A JP11273375 A JP 11273375A JP 11273375 A JP11273375 A JP 11273375A JP S5835220 B2 JPS5835220 B2 JP S5835220B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電カケープルの架橋ポリエチレン絶縁層上に
被覆する外部半導電層の剥離性を改良した半導電性樹脂
組成物に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductive resin composition that has improved releasability of an outer semiconductive layer coated on a crosslinked polyethylene insulating layer of a power cable.
従来、架橋ポリエチレン絶縁型カケープルに於いて、絶
縁層上に押出被覆されて形成された半導電層は、エチレ
ン−エチルアクリレート共重合体、或はエチレン−酢酸
ビニル共重合体と導電性カーボンブラック及び有機過酸
化物を混合した半導電性樹脂組成物が用いられている。Conventionally, in cross-linked polyethylene insulation type capacitors, the semiconductive layer formed by extrusion coating on the insulation layer is made of ethylene-ethyl acrylate copolymer, or ethylene-vinyl acetate copolymer, conductive carbon black and A semiconductive resin composition mixed with an organic peroxide is used.
外部半導電層はケーブルの接続や、端末処理が行われる
場合、ケーブルの先端からある長さまで、絶縁層より短
時間のうちに完全に除去が可能でなくてはならない。When connecting or terminating a cable, the outer semiconducting layer must be completely removable within a certain length of the cable in a shorter time than the insulating layer.
つまり、半導電層は絶縁層に対して、−適度の剥離性を
持つことが必要とされている。In other words, the semiconducting layer is required to have appropriate peelability with respect to the insulating layer.
前記の従来から用いられている組成物は、絶縁層に対す
る接着度が高いため、剥離が困難であり、剥ぎ取るのに
長時間を要し、また、絶縁層を傷っけ易く、上記の要求
を満し得ない。The conventionally used compositions described above have a high degree of adhesion to the insulating layer, making it difficult to peel off, requiring a long time to peel off, and easily damaging the insulating layer, thus meeting the above requirements. cannot be satisfied.
本発明は、上記の要求に対し、適度の剥喝畔をそなえた
半導電性組成物を提供するものであって、これにより製
造した外部半導電層は、絶縁層とは完全に密着している
が、必要な場合には、容易に、かつ、完全に剥離させる
ことが出来るものである。In order to meet the above-mentioned requirements, the present invention provides a semiconductive composition having a suitable peeling edge, and the external semiconductive layer produced thereby is in complete contact with the insulating layer. However, if necessary, it can be easily and completely removed.
従来、ペースポリマーとして、コモノマー含有量の極端
に高いエチレン共重合体を使用すれば、成る程度剥離性
の向上した樹脂組成物が得られることは認められている
が、電カケープルの外部半導電層としての機械的特性、
耐熱安定性が劣る。Conventionally, it has been recognized that if an ethylene copolymer with an extremely high comonomer content is used as a pace polymer, a resin composition with improved releasability to some extent can be obtained. Mechanical properties as,
Poor heat stability.
父、一般的用途で、離型剤として周知のシリコーン油（
液状低粘度のジメチルポリシロキサン）を添加する方法
が提案されているが、シリコーン油は、ポリマーとは相
溶性が小さいため配合が困難であり、混練しても表面に
移行し、又機械的性質、特に、伸び特性を著しく低下さ
せる等の欠点がある。Father, for general use, silicone oil (well-known as a mold release agent)
A method of adding liquid low-viscosity dimethylpolysiloxane (dimethylpolysiloxane) has been proposed, but silicone oil has low compatibility with polymers, making it difficult to blend, and even when kneaded, it migrates to the surface, and the mechanical properties In particular, there are drawbacks such as a significant decrease in elongation properties.
即ち、本発明は、エチレン−酢酸ビニル共重合体又は塩
素化エチレン−酢酸ビニル共重合体に、シリコーンブロ
ックコポリマーを、又は、シリコンブロックコポリマー
とメチルハイドロジエンポリシロキサンとを添加し、更
に、カーボンブラック等の導電性物質を配合してなるこ
とを特徴とする半導電性樹脂組放物に関するものである
。That is, the present invention adds a silicone block copolymer or a silicone block copolymer and methylhydrogen polysiloxane to an ethylene-vinyl acetate copolymer or a chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer, and further adds carbon black. The present invention relates to a semiconductive resin composite characterized by containing conductive substances such as the following.
本発明に於けるエチレン−酢酸ビニル共重合体又はその
塩素化物は、酢酸ビニル含有量１５〜５０重量パーセン
ト、ＭＩ （ＡＳＴＭＤＩ２３８で規定される溶融指数
）１．０〜５．Ｏｇ／１０分のエチレン−酢酸ビニル共
重合体を使用し、その塩素化物の塩素含有量は、４０重
量パーセント以下のものが使用可能である。The ethylene-vinyl acetate copolymer or chlorinated product thereof in the present invention has a vinyl acetate content of 15 to 50 weight percent, an MI (melt index specified by ASTM DI 238) of 1.0 to 5. An ethylene-vinyl acetate copolymer of Og/10 min is used, and the chlorine content of the chlorinated product is 40% by weight or less.
本発明に於けるシリコーンブロックコポリマーは、下記
に示される構造式
に於いて、Ｒが高級アルキル基、アリール基、アルケニ
ール基、ポリオキシアルキレン基等のものが使用可能で
ある。The silicone block copolymer used in the present invention may have the structural formula shown below, in which R is a higher alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a polyoxyalkylene group, or the like.
例示としては、ポリステアリルジメチルポリジロキサン
ブロックコポリマー、ポリアルキレングライコールジメ
チルポリシロキサンブロックコポリマー等がある。Examples include polystearyl dimethyl polydioxane block copolymers, polyalkylene glycol dimethyl polysiloxane block copolymers, and the like.
本発明に於ける導電性カーボンブラックとは、ファーネ
スブラック、アセチレンブラック、チャンネルブラック
等であり、そして当該導電性カーボンブラックは、前記
のエチレン−酢酸ビニル共重合体又は塩素化エチレン−
酢酸ビニル共重合体１００重量部に対し、４０〜１００
重量部の範囲で使用出来る。The conductive carbon black in the present invention includes furnace black, acetylene black, channel black, etc., and the conductive carbon black is the above-mentioned ethylene-vinyl acetate copolymer or chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer.
40 to 100 parts by weight of vinyl acetate copolymer
Can be used within the weight range.
勿論、本発明の組成物には、架橋剤、安定剤、酸化防止
剤、加工助剤等を使用条件に応じて配合することが出来
る。Of course, crosslinking agents, stabilizers, antioxidants, processing aids, etc. can be added to the composition of the present invention depending on the conditions of use.
以下だ実施例、参考例及び比較例を示す。Examples, reference examples, and comparative examples are shown below.
なお、本実施例に於いて用いた材料及び試験方法は、下
記の迫りである。The materials and test methods used in this example are as follows.
表中の組成の半導電性樹脂組成物を、圧縮成型機を使用
して、１２０℃、 ８５ｋｇ／Ｃｒ！、 １０分の成型
条件で、厚さ０．５朋、縦１５０關、横１８０朋のシー
トを得た。A semiconductive resin composition having the composition shown in the table was molded using a compression molding machine at 120°C and 85kg/Cr! Under molding conditions of 10 minutes, a sheet with a thickness of 0.5 mm, length of 150 mm, and width of 180 mm was obtained.
他方、密度０．９２９／ｍｌ、 Ｍｌ ２のポリエチレ
ンに架橋剤を２％、老化防止剤を０．２ ％配合した絶
縁用架橋ポリエチレンを、上記と同様の操作で厚さ２．
０朋、縦１５０山、横１８０朋のシートを得た。On the other hand, insulating crosslinked polyethylene containing 2% crosslinking agent and 0.2% anti-aging agent in polyethylene with a density of 0.929/ml and Ml 2 was prepared to a thickness of 2.5% by the same procedure as above.
I got a sheet with a height of 0, a height of 150, and a width of 180.
次に、上記両シートを重ね合せ、圧縮成型機にて、１８
０°Ｃ，２０ｋｇ／ｉ、１５分間加熱加圧することによ
り、貼合せシートを作製した。Next, the above two sheets were overlapped and molded using a compression molding machine.
A laminated sheet was prepared by heating and pressing at 0°C and 20 kg/i for 15 minutes.
得られた貼合せシートより、巾１０ｒｎｍ長さ１２０間
の試験片を打抜き、引張試験機を用いて剥離試験を行っ
た。A test piece having a width of 10 nm and a length of 120 mm was punched out from the obtained laminated sheet, and a peel test was conducted using a tensile tester.
剥離試験は、２３°Ｃにて、５００１１ＬＴＩｔ／分の
速度で、半導電性樹脂組成物のシートを架橋ポリエチレ
ンのシートに対し、９０度の角度で引剥し、その時の抵
抗力を剥離強度（ｋｇ／ １０ ｙｔｍ ）とした。In the peel test, a sheet of semiconductive resin composition was peeled off at a 90 degree angle from a sheet of crosslinked polyethylene at a rate of 50011 LTIt/min at 23°C, and the resistance force at that time was calculated as peel strength (kg). / 10 ytm).
表中の半導電性樹脂組成物はペースポリマー１００重量
部に対し、カーボンブラック６５重量部、酸化防止剤０
．８重量部、ステアリン酸鉛１重量部を配合し、又架橋
剤ジクミルパーオキサイドを、ペースポリマー１００重
量部に対し、０．１１％（理論活性酸素量）配合した。The semiconductive resin composition in the table contains 65 parts by weight of carbon black and 0 antioxidants per 100 parts by weight of the pace polymer.
．． 8 parts by weight of lead stearate and 1 part by weight of lead stearate, and 0.11% (theoretical active oxygen amount) of dicumyl peroxide, a crosslinking agent, based on 100 parts by weight of the pace polymer.
シリコーンブロックコポリマーについては、種類と量を
、メチルハイドロジエンポリシロキサンについては、量
を変動させた。The type and amount of silicone block copolymer and the amount of methylhydrodiene polysiloxane were varied.
実施例から判るように、酢酸ビニル含有量１５〜５ｏ３
ｉｉパーセントのエチレン−酢酸ヒニ＃共重合体又は塩
素化エチレン−酢酸ビニル共重合体に、シリコーンブロ
ックコポリマーを上記ポリマー１００重量部に対し０．
３〜８．０重量部を、又はシリコーンブロックコポリマ
ーと共にメチルハイドロジエンポリシロキサン０．３〜
３．Ｏｉ量郡部配合ると、目的とする容易に完全に剥離
する半導電性樹脂組成物を得ることが出来る。As can be seen from the examples, the vinyl acetate content is 15 to 5o3
ii percent of ethylene-hinoacetate copolymer or chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer and 0.2 percent of silicone block copolymer per 100 parts by weight of the above polymer.
3 to 8.0 parts by weight or 0.3 to 8.0 parts by weight of methylhydrodiene polysiloxane with silicone block copolymer
3. By blending Oi in a uniform amount, it is possible to obtain the desired semiconductive resin composition that can be easily and completely peeled off.
酢酸ビニル含有量が１５重量パーセント以下の場合は、
剥離し難く、酢酸ビニル含有量が５０重量パーセント以
上の場合は機械的強度が不足し、又、接着不良となる。If the vinyl acetate content is 15% by weight or less,
It is difficult to peel off, and if the vinyl acetate content is 50% by weight or more, mechanical strength is insufficient and adhesion is poor.
次に、シリコーンブロックコポリマーが上記共重合体１
００重量部に対し０．３重量部以下の場合は、剥離性向
上への寄与が比較的小さく、８．０Ｊｉ量部以上では半
導電層の機械的強度が低下するので好ましくない。Next, the silicone block copolymer is added to the above copolymer 1.
If the amount is less than 0.3 parts by weight, the contribution to improving the releasability is relatively small, and if it is more than 8.0 parts by weight, the mechanical strength of the semiconductive layer decreases, which is not preferable.
メチルハイドロジエンポリシロキサンを単独で用いた場
合でも、剥離性は向上するが、伸びが低下し、絶縁層と
の境界面に気泡の発生が認められるのに対し、シリコー
ンブロックコポリマーとメチルハイドロジエンポリシロ
キサンとを組合せた樹脂組成物は剥離性が改良され、伸
びも維持されている。Even when methylhydrodiene polysiloxane is used alone, peelability is improved, but elongation is reduced and bubbles are observed at the interface with the insulating layer, whereas silicone block copolymer and methylhydrodiene polysiloxane The resin composition combined with siloxane has improved releasability and maintains elongation.
塩素化エチレン−酢酸ビニル共重合体は、充分な剥離性
を得るためには、５重量パーセント以上の塩素含有量が
必要であるが、塩素含有量が上昇するにつれて、脱塩酸
反応防止のため、相当量の安定剤の添加が必要となる。Chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer requires a chlorine content of 5% by weight or more in order to obtain sufficient releasability, but as the chlorine content increases, The addition of significant amounts of stabilizer is required.
本発明では、シリコーンブロックコポリマー又はシリコ
ーンブロックコポリマーとメチルハイドロジエンポリシ
ロキサンとを添加することにより、塩素含有量５Ｍ量パ
ーセント以下のベースポリマーを用いる場合でも、剥離
性改良を可能とした。In the present invention, by adding a silicone block copolymer or a silicone block copolymer and methylhydrodiene polysiloxane, it is possible to improve the releasability even when using a base polymer with a chlorine content of 5 M percent or less.
また、参考例にも示したように、エチレン−酢酸ビニル
共重合体又は塩素化エチレン−酢酸ビニル共重合体以外
のポリマーに、シリコーンブロックコポリマー又はシリ
コーンブロックコポリマーとメチルハイドロジエンポリ
シロキサンとを用いた場合には、良好な剥離性の得られ
ないことが判った。Furthermore, as shown in the reference examples, silicone block copolymer or silicone block copolymer and methylhydrodiene polysiloxane were used as a polymer other than ethylene-vinyl acetate copolymer or chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer. In some cases, it was found that good releasability could not be obtained.
たゾ本発明のものの場合に於いてのみ、剥離性の良好な
半導電性樹脂組放物が得られた。Only in the case of the present invention, a semiconductive resin assembly with good peelability was obtained.
Claims (1)
量パーセント以下の塩素化エチレン−酢酸ビニル共重合
体１００重量部と、一般式 （ただし式中Ｒは高級アルキル基、アリール基、７／Ｌ
”７”ニール基、ポリオキシアルキレン基、ｍ。 ｎは整数である）で表わされるシリコーンブロック共重
合体０．３〜８．０重量部と、導電性カーボンブラック
とを主体とする改良された剥離性を有する半導電性樹脂
組成物。 ２ エチレン−酢酸ビニル共重合体又は塩素含量４０重
量パーセント以下の塩素化エチレン−酢酸ビニル共重合
体１００重量部と、一般式 （ただし式中Ｒは高級アルキル基、アリール基、アルケ
ニール基、ポリオキシアルキレン基、ｍ。 ｎは整数である）で表わされるシリコーンブロック共重
合体０．３〜８．０重量部と、メチルハイドロジエンポ
リシロキサン０．３〜５．０重量部と、導電性カーボン
ブラックとを主体とする改良された剥離性を有する半導
電性樹脂組成物。[Scope of Claims] 1. 100 parts by weight of an ethylene-vinyl acetate copolymer or a chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer having a chlorine content of 40% by weight or less, and the general formula (wherein R is a higher alkyl group or an aryl group) , 7/L
"7" Neil group, polyoxyalkylene group, m. A semiconductive resin composition having improved releasability and mainly comprising 0.3 to 8.0 parts by weight of a silicone block copolymer (n is an integer) and conductive carbon black. 2 100 parts by weight of an ethylene-vinyl acetate copolymer or a chlorinated ethylene-vinyl acetate copolymer with a chlorine content of 40% by weight or less, and the general formula (where R is a higher alkyl group, aryl group, alkenyl group, polyoxy 0.3 to 8.0 parts by weight of a silicone block copolymer represented by an alkylene group (m, n is an integer), 0.3 to 5.0 parts by weight of methylhydrodiene polysiloxane, and conductive carbon black. A semiconductive resin composition having improved releasability, the composition being mainly composed of:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11273375A JPS5835220B2 (en) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | How to use the handshake method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11273375A JPS5835220B2 (en) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | How to use the handshake method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5237954A JPS5237954A (en) | 1977-03-24 |
| JPS5835220B2 true JPS5835220B2 (en) | 1983-08-01 |
Family
ID=14594171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11273375A Expired JPS5835220B2 (en) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | How to use the handshake method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835220B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049746Y2 (en) * | 1985-10-25 | 1992-03-11 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627913U (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | ||
| EP0129617B1 (en) * | 1983-06-13 | 1988-02-03 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. | Semiconducting compositions and wires and cables using the same |
| US7396493B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer optical film with melt zone to control delamination |
-
1975
- 1975-09-19 JP JP11273375A patent/JPS5835220B2/en not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049746Y2 (en) * | 1985-10-25 | 1992-03-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5237954A (en) | 1977-03-24 |
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