JPS5829368A - 位相制御回路 - Google Patents
位相制御回路Info
- Publication number
- JPS5829368A JPS5829368A JP12564481A JP12564481A JPS5829368A JP S5829368 A JPS5829368 A JP S5829368A JP 12564481 A JP12564481 A JP 12564481A JP 12564481 A JP12564481 A JP 12564481A JP S5829368 A JPS5829368 A JP S5829368A
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- JP
- Japan
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- voltage
- time
- phase control
- zero
- terminal voltage
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
- H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/22—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M5/25—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M5/257—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電力制御素子で負荷への通電率を制御する位相
制御回路に関し、特に外部位相制御電圧で制御せしめる
ことを目的とする。
制御回路に関し、特に外部位相制御電圧で制御せしめる
ことを目的とする。
位相制御回路としては従来から第１図に示すような回路
が一般的であり、その構成は交流電源１に負荷２と電力
制御素子３（双方向サイリスタ）等を直列に接続する。
が一般的であり、その構成は交流電源１に負荷２と電力
制御素子３（双方向サイリスタ）等を直列に接続する。
そして制御回路は抵抗４と全波整流ダイオードブリッジ
５と定電圧ダイオード６で制御電源を構成し、前記制御
電源を抵抗７と８で分割する基準電圧をＰＵＴ９のゲー
トに接続し、前記ＰＵＴ９のアノード端子は制御電源に
抵抗１ｏと可変抵抗器１１とコンデンサ１２の直列回路
を並列接続したコンデンサ１２の端子電圧を入力する。
５と定電圧ダイオード６で制御電源を構成し、前記制御
電源を抵抗７と８で分割する基準電圧をＰＵＴ９のゲー
トに接続し、前記ＰＵＴ９のアノード端子は制御電源に
抵抗１ｏと可変抵抗器１１とコンデンサ１２の直列回路
を並列接続したコンデンサ１２の端子電圧を入力する。
さらに前記ＰＵＴ９のカソード端子はパルストランス１
３０１次コイルを接続するとともに２次コイルに抵抗１
４とダイオード１６で定まるパルス電圧を前記電力制御
素子３のゲートに入力するもので、前記ＰＵ７９は抵抗
７と８で定まる基準電圧とコンデンサ１２の充電電圧を
比較しスイッチングする。ＰＨ１０のスイッチング時間
は可変抵抗器１１によってコンデンサ１２の充電時間を
可変することによって定まり、電力制御素子３のゲート
に入力されるトリガパルスが制御される。その結果電力
制御素子３の導通角、すなわち負荷２への通電率が任意
に選べるのである。ＰＵＴ９はスイッチング動作時に自
己保持機能を有するため、リセットする必要があり、第
１図の位相制御回路はＰＵＴ９の駆動電源に全波整流電
圧を採用し交流電源１の全波整流ゼロボルト電圧でリセ
ットするとともに交流電源１と同期をとっている。
３０１次コイルを接続するとともに２次コイルに抵抗１
４とダイオード１６で定まるパルス電圧を前記電力制御
素子３のゲートに入力するもので、前記ＰＵ７９は抵抗
７と８で定まる基準電圧とコンデンサ１２の充電電圧を
比較しスイッチングする。ＰＨ１０のスイッチング時間
は可変抵抗器１１によってコンデンサ１２の充電時間を
可変することによって定まり、電力制御素子３のゲート
に入力されるトリガパルスが制御される。その結果電力
制御素子３の導通角、すなわち負荷２への通電率が任意
に選べるのである。ＰＵＴ９はスイッチング動作時に自
己保持機能を有するため、リセットする必要があり、第
１図の位相制御回路はＰＵＴ９の駆動電源に全波整流電
圧を採用し交流電源１の全波整流ゼロボルト電圧でリセ
ットするとともに交流電源１と同期をとっている。
しかしながら上記従来の位相制御回路は負荷２の通電率
を選択するために可変抵抗器１１を調整する必要があり
、手動方式では問題ないが、他の制御回路との結合や自
動方式を構成する場合の柔軟性に欠ける問題があった。
を選択するために可変抵抗器１１を調整する必要があり
、手動方式では問題ないが、他の制御回路との結合や自
動方式を構成する場合の柔軟性に欠ける問題があった。
本発明の位相制御回路は上記の問題に鑑み、外部制御回
路との結合を容易にならしめるもので、その一実施例を
第２図に示す図とともに説明する図中の同番号は第１図
と同等である。
路との結合を容易にならしめるもので、その一実施例を
第２図に示す図とともに説明する図中の同番号は第１図
と同等である。
交流電源１に電源トランス１６を介して全波整流ダイオ
ードブリッジ６を接続し、その出力電圧を抵抗１７と１
８で分圧した後、比較器１９の非反転入力端子に入力す
る。一方全波整流ダイオードブリッジ６の出力をダイオ
ード２ｏを介して接続したコンデンサ２１で平滑し直流
電圧を得る。
ードブリッジ６を接続し、その出力電圧を抵抗１７と１
８で分圧した後、比較器１９の非反転入力端子に入力す
る。一方全波整流ダイオードブリッジ６の出力をダイオ
ード２ｏを介して接続したコンデンサ２１で平滑し直流
電圧を得る。
要は全波整流電圧ｖＡと直流電圧ＶＤを前記ダイオード
２０で分離する。
２０で分離する。
直流電圧ｖＤを抵抗２２と２３で分圧し比較器１９の反
転入力端子に入力する。すなわち抵抗１７．１Ｂ、２２
．２３と比較器１９でゼロクロスパルス発生回路人を構
成する。Ｂは電力制御素子３のゲートトリガ回路であり
、ＰＵＴ９のゲート端子に直流電圧ＶＤヲ抵抗７と８で
分圧するｖＧ電圧を入力し、アノード端子にボルテージ
ホロワ構成のオペアンプ２４の出力に抵抗２６を介して
充電されるコンデンサ１２の端子電圧ＶＣを入力する。
転入力端子に入力する。すなわち抵抗１７．１Ｂ、２２
．２３と比較器１９でゼロクロスパルス発生回路人を構
成する。Ｂは電力制御素子３のゲートトリガ回路であり
、ＰＵＴ９のゲート端子に直流電圧ＶＤヲ抵抗７と８で
分圧するｖＧ電圧を入力し、アノード端子にボルテージ
ホロワ構成のオペアンプ２４の出力に抵抗２６を介して
充電されるコンデンサ１２の端子電圧ＶＣを入力する。
さらに抵抗２５とコンデンサ１２の接続点より抵抗２６
を介して比較器１９の出力端子に接続する。
を介して比較器１９の出力端子に接続する。
比較器１９の出力端子はオープンコレクタとし、比較器
１９の出力がｒＬＪＯ時、抵抗２６がコンデンサ１２と
並列に挿入されるものとする。
１９の出力がｒＬＪＯ時、抵抗２６がコンデンサ１２と
並列に挿入されるものとする。
オペアンプ２４の入力端子は直流電圧による位相制御電
圧ＥＰを入力する。
圧ＥＰを入力する。
以上の構成で第３図の動作波形に基づきその動作を説明
する。
する。
位相制御電圧ＥＰ＋を入力した域でＰＵＴ９のアノード
端子電圧Ｖｃはｔ１時刻からゲート端子電圧ｖＧマで抵
抗２６とコンデンサ１２で定まる時定数で充電され、時
刻ｔ１でｖＧに達するとＰＵＴ９はスイッチオンとなる
。そしてカソード端子に接続すれたパルストランス１３
０２次側にｖＫ なる行なわれる。その結果電力制御素
子３は交流電源の半サイクル時間ｔ８からｔ。間のｔｌ
とｔ。間に導通し負荷２に電力を供給する通電率αがα
１となるＰＵＴ９はｔ１時刻でスイッチオンになるとｔ
２２時刻でオン状態を持続する。そしてｔ２２時刻らｔ
３３時刻間に比較器１９がオンし、同時にコンデンサ１
２の端子電圧Ｖｃは抵抗２６を介して短絡されることに
よってＰＨ１０のアノード°端子はゼロボルトになｐＰ
ＵＴ９はオフする。しかるにゼロクロスパルスとなるＶ
ｐ電圧が比較器１９のオフとなるｔ３３時刻ｒＨＪとな
るとコンデンサ１２の端子電圧ＶＣは位相制御電圧ＫＰ
＋に対応する充電時間で上昇を開始する。以下同様の動
作を繰り返す。
端子電圧Ｖｃはｔ１時刻からゲート端子電圧ｖＧマで抵
抗２６とコンデンサ１２で定まる時定数で充電され、時
刻ｔ１でｖＧに達するとＰＵＴ９はスイッチオンとなる
。そしてカソード端子に接続すれたパルストランス１３
０２次側にｖＫ なる行なわれる。その結果電力制御素
子３は交流電源の半サイクル時間ｔ８からｔ。間のｔｌ
とｔ。間に導通し負荷２に電力を供給する通電率αがα
１となるＰＵＴ９はｔ１時刻でスイッチオンになるとｔ
２２時刻でオン状態を持続する。そしてｔ２２時刻らｔ
３３時刻間に比較器１９がオンし、同時にコンデンサ１
２の端子電圧Ｖｃは抵抗２６を介して短絡されることに
よってＰＨ１０のアノード°端子はゼロボルトになｐＰ
ＵＴ９はオフする。しかるにゼロクロスパルスとなるＶ
ｐ電圧が比較器１９のオフとなるｔ３３時刻ｒＨＪとな
るとコンデンサ１２の端子電圧ＶＣは位相制御電圧ＫＰ
＋に対応する充電時間で上昇を開始する。以下同様の動
作を繰り返す。
次に位相制御電圧Ｅｐｋ増すＨＦ２域では前記コンデン
サ１２の充電電圧Ｖｃは速くな！１ｌｖＧ電圧に達する
時間が短縮する。故に負荷２に供給する通電率がα２と
大きくなる。さらに位相制御電圧ＫＰを増加するｕｐ、
域では電力制御素子３の導通角が拡大し負荷２の通電率
がα、となる。なお人はゼロクロスパルス発生回路、Ｂ
はゲートトリガ回路、ｘｐは位相制御電圧を示している
。
サ１２の充電電圧Ｖｃは速くな！１ｌｖＧ電圧に達する
時間が短縮する。故に負荷２に供給する通電率がα２と
大きくなる。さらに位相制御電圧ＫＰを増加するｕｐ、
域では電力制御素子３の導通角が拡大し負荷２の通電率
がα、となる。なお人はゼロクロスパルス発生回路、Ｂ
はゲートトリガ回路、ｘｐは位相制御電圧を示している
。
以上のように本発明の位相制御回路によれば、電力制御
素子のゲートトリガ回路をゼロクロスパルスで同期をと
るとともに位相制御電圧によつ゛て負荷の通電率を設定
するため、外部回路との結合が容易で、しかも直流回路
電圧を共有化することで複数の制御回路を構成する装置
内にも内蔵が可能になる等の効果を奏する。
素子のゲートトリガ回路をゼロクロスパルスで同期をと
るとともに位相制御電圧によつ゛て負荷の通電率を設定
するため、外部回路との結合が容易で、しかも直流回路
電圧を共有化することで複数の制御回路を構成する装置
内にも内蔵が可能になる等の効果を奏する。
第″１図は従来の位相制御回路図、第２図は本発明の一
実施例である位相制御回路図、第３図は本発明の位相制
御回路の動作波形図である。 ム・・・・・・ゼロクロスパルス発生回路、Ｂ・・・・
・・ゲ−トトリガ回路、ＥＰ・・・・・・位相制御電圧
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１多電
１ 図 ／ ヘ ・−一
１３図
実施例である位相制御回路図、第３図は本発明の位相制
御回路の動作波形図である。 ム・・・・・・ゼロクロスパルス発生回路、Ｂ・・・・
・・ゲ−トトリガ回路、ＥＰ・・・・・・位相制御電圧
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１多電
１ 図 ／ ヘ ・−一
１３図
Claims (1)
- 交流電源に電力制御素子を介して接続した負荷の通電率
を無段制御する構成とし、交流電源のゼロボルトでパル
スを発生するゼロクロスパルス発生回路と、外部直流制
御電圧によって電力制御素子の通電率を設定し、かつ前
記ゼロクロスパルスで同期をとるべく構成としたゲート
トリガ回路とで負荷への通電率を制御してなる位相制御
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564481A JPS5829368A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 位相制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564481A JPS5829368A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 位相制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829368A true JPS5829368A (ja) | 1983-02-21 |
Family
ID=14915119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12564481A Pending JPS5829368A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 位相制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829368A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129916A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電熱器具 |
| JPS6168684U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | ||
| JPS61246414A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | オ−デコ・インコ−ポレ−テツド | 着底式海洋掘削構築体 |
-
1981
- 1981-08-11 JP JP12564481A patent/JPS5829368A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129916A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電熱器具 |
| JPS6168684U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | ||
| JPS61246414A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | オ−デコ・インコ−ポレ−テツド | 着底式海洋掘削構築体 |
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