JPS5829207A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

Info

Publication number
JPS5829207A
JPS5829207A JP12668882A JP12668882A JPS5829207A JP S5829207 A JPS5829207 A JP S5829207A JP 12668882 A JP12668882 A JP 12668882A JP 12668882 A JP12668882 A JP 12668882A JP S5829207 A JPS5829207 A JP S5829207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
circuit
gate
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12668882A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Iida
松尾研二
Yasoji Suzuki
飯田哲也
Kenji Matsuo
鈴木八十二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12668882A priority Critical patent/JPS5829207A/en
Publication of JPS5829207A publication Critical patent/JPS5829207A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain an output current increasing function and a temperature compensating function by connecting a bipolar transistor (TR) and an MOSTR in series into an emitter follower system, and connecting a gate electrode to an output terminal. CONSTITUTION:A bipolar NPNTRQ21 and an N channel MOSTR21 are connected in series between power terminals 6 and 7, the base of the TRQ21 is connected to the output terminal of a linear amplifying circuit in an operation amplifier through an input terminal In, and the gate of the MOSTR21 is connected to an output terminal O and also connected to the connection point 8 of both the TRs. If the temperature rises, the base current of the TRQ21 increases to raise the potential at the connection point 8 toward a power potential VDD, and then the gate potential of the TR21 is raised, so the TR21 decreases in impedance to lower the potential at the connection point 8, thus holding the voltages at the connection point 8 and output terminal O constant.

Description

【発明の詳細な説明】 [発−の技術分野] 本尭明はM0808トランジスタの出力パッツアとして
適する出力7171回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an output 7171 circuit suitable as an output passer for an M0808 transistor.

[発明の技術的背景とその問題点] 一般にMo1l)ランジスタは高インピーダンス素子で
あるため、Mo8)ランジスタを用いて回路を構威し九
場合、七の出力インピーダンスを低くするのは容鳥でな
い。このために通常とられる方法は、出力バッファとし
て使用されるM08トランジスタのチャネル幅を広くし
たシ、チャネル長を短かくするものであるが、この方法
にも限度があシ、例えば演算増幅回路(オペアンプ)の
如く大きな出力電流を必要とする場合には、何らかの対
策が必要となる。これは、オペアンプをMO8トランジ
スタによシ形成した場合、差動増幅段の後段に設けられ
る+7 ニア増幅回路は、電圧利得を充分大吉〈とる必
要がある丸め、周波数特性が余シのびず、同時に出力電
流も大きくとることができないからである。
[Technical Background of the Invention and Problems Therewith] In general, Mo11) transistors are high impedance elements, so when constructing a circuit using Mo11) transistors, it is not reasonable to lower the output impedance of Mo11). The usual method for this purpose is to widen the channel width and shorten the channel length of the M08 transistor used as an output buffer, but this method also has its limitations; for example, in operational amplifier circuits ( If a large output current is required, such as in an operational amplifier, some kind of countermeasure is required. This means that when the operational amplifier is formed using MO8 transistors, the +7 near amplifier circuit installed after the differential amplifier stage is rounded, which requires sufficient voltage gain, and the frequency characteristics do not extend too much. This is because the output current cannot be increased.

そこで上記対策として従来から、バイポーラトランジス
タを用いたエンツタフォロワ回路を上記オペアンプの出
力バッファ回路として使用するととがある〇 そこでまず、第1図、に示されたオペアンプの一例につ
いて説明する。この回路は、大きく分けて定電流源バイ
アス回路l、差動増幅回路2.オフセット補償回路3、
閾値マツチング回路4.り二情 アシ路5からなる・ 上記定電流源バイアス回路1では、Pチャネル11M0
I)ランジスタTr1oy−2端は電位(+VDD)の
供給端子−に接続され、トランジスタTr□のドレイン
端は抵抗8を介して他の電源電位(−V、、 )の供給
端子7に接続され、トランジスタTr1はゲートとドレ
インを共通接続してこと泰ら一定電圧を得ている。
Therefore, as a solution to the above problem, it has been conventionally known to use an entuta follower circuit using a bipolar transistor as the output buffer circuit of the operational amplifier. First, an example of the operational amplifier shown in FIG. 1 will be explained. This circuit is roughly divided into a constant current source bias circuit 1, a differential amplifier circuit 2. offset compensation circuit 3,
Threshold matching circuit 4. In the constant current source bias circuit 1, the P channel 11M0
I) The transistor Tr1oy-2 end is connected to the potential (+VDD) supply terminal -, the drain end of the transistor Tr□ is connected to the other power supply potential (-V, , ) supply terminal 7 via the resistor 8, The gate and drain of the transistor Tr1 are commonly connected to obtain a constant voltage.

差動増幅回路2では、定電流源用Pチャネル型Mo1)
ランジスタTr!のソース端が電源端子6KmMされ、
トランジスタTr!のドレイン端は差動入力段素子用P
チャネルfiMO11)ランジスタテrs、?f4のソ
ース端に共通接続されている。トランジスタTr@、T
r4のドレイン端はNチャネル型負荷M08トランジス
タ’I’r@、Tr@をそれぞれ介して電源端子7に接
続されている。トランジスタTr2のゲートはトランジ
スタTr1のドレイン端に接続され、トランジスタTr
3のゲートはオペアンプ入力電圧供給端子tnl K接
続され、トランジスタTr4のゲートはオペアンプ入力
電圧供給端子tn2Km続され、トランジスタTr@、
Tr・のゲートは賎共通接続されている。
In the differential amplifier circuit 2, a P-channel type Mo1 for constant current source is used.
Ranjista Tr! The source end of is connected to the power supply terminal 6KmM,
Transistor Tr! The drain end of is P for differential input stage element.
channel fiMO11) transistors,? It is commonly connected to the source end of f4. Transistor Tr@, T
The drain end of r4 is connected to the power supply terminal 7 via N-channel type load M08 transistors 'I'r@ and Tr@, respectively. The gate of the transistor Tr2 is connected to the drain end of the transistor Tr1, and the gate of the transistor Tr2 is connected to the drain end of the transistor Tr1.
The gate of transistor Tr3 is connected to the operational amplifier input voltage supply terminal tnlK, the gate of transistor Tr4 is connected to the operational amplifier input voltage supply terminal tn2Km, and the transistor Tr@,
The gates of Tr. are commonly connected.

オフセット調整回路3では、定電流源用Pチャネル11
M0Ii)ランジスタTTyのソース端が電源端子6に
接続され、トランジスタ〒r、のドレイン端は一対のP
チャネル11M08)ランジスタTr@。
In the offset adjustment circuit 3, the constant current source P channel 11
M0Ii) The source end of the transistor TTy is connected to the power supply terminal 6, and the drain end of the transistor 〒r, is connected to a pair of P
Channel 11M08) Transistor Tr@.

T「9のソース端に共通接続され、鋏トランジスタTr
@、Tr・のドレイン共通接続部つt6出力端OgはN
チャネル置負荷M08トランジスタTrいを介して電源
端子7に接続されている。トランジスタT r yのゲ
ートはトランジスタTr1のドレイン端に接続され、ト
ランジスタTr魯のゲートは入力端子in2に接続され
、トランジスタTrsのゲートは入力端子inlに接続
され、上記出力端ogはトランジスタTrl、Tr・、
Tr論のゲートに共通接続される。
The scissors transistor Tr
The drain common connection part of @, Tr・ and t6 output terminal Og are N
The channel load M08 is connected to the power supply terminal 7 via the transistor Tr. The gate of the transistor Tr y is connected to the drain end of the transistor Tr1, the gate of the transistor Tr is connected to the input terminal in2, the gate of the transistor Trs is connected to the input terminal inl, and the output terminal og is connected to the transistor Trl, Tr・、
Commonly connected to the gates of the Tr logic.

閾値マツチング回路4では、電源端子6がPチャネル型
負荷M08トランジスタTrB、Nチャネル盾部動用M
O8)ランジスタTr12を介して電源端子7に接続さ
れている。トランジスタTrllのドレイン端つt!I
出力端03は鋏トランジスタT【11のゲートに接続さ
れ、トランジスタT「12のゲートは差動増幅回路2の
トランジスタT’rlのドレイン端つま)出力端01に
接続されている。
In the threshold matching circuit 4, the power supply terminal 6 is connected to the P-channel type load M08 transistor TrB, the N-channel shield part operating M
O8) Connected to the power supply terminal 7 via the transistor Tr12. The drain end of transistor Trll t! I
The output terminal 03 is connected to the gate of the scissors transistor T11, and the gate of the transistor T12 is connected to the drain terminal of the transistor T'rl of the differential amplifier circuit 2 and the output terminal 01.

リニア増幅回路5では、電源端子゛6がPチャネル−負
荷M0BトランジスタTr13. Nチャネル警部動用
MO8)ランジスタT r 14を介して電源端子7K
m!続されている。トランジスタ”ISOゲートは閾値
マツチング回路4の出力端0.に接続され、Fランジス
タテr1mのドレイン端はオペアンプ出力端子outK
m!続され、トランジスタTr14のゲートは差動増幅
回路2のトランジスタT r 4のドレイン端つ★)出
力端02に接続されている。
In the linear amplifier circuit 5, the power supply terminal "6" is connected to the P-channel load M0B transistor Tr13. N-channel inspector MO8) Power supply terminal 7K via transistor T r 14
m! It is continued. The transistor ISO gate is connected to the output terminal 0 of the threshold matching circuit 4, and the drain terminal of the F transistor r1m is connected to the operational amplifier output terminal outK.
m! The gate of the transistor Tr14 is connected to the drain terminal of the transistor Tr4 of the differential amplifier circuit 2 and the output terminal 02 of the differential amplifier circuit 2.

次に上記構成でなるオペアンプの動作を説明するell
illlh増@回路2では、定電流源トランジスタTr
■がバイアス回路1からの直流バイアスで飽和動作し、
入力1n2には例えば一定の直流電圧が、入力&fil
KH一定の直流電圧に交流外がのった信号が、負荷トラ
ンジスタTrg、〒r・のゲートにはオフセット補償回
路3の出力Ogのバイアス電圧がそれでれ与えられて動
作する。こζでトランジスタTJが飽和領域で動作する
限)、膣トランジスタTr2のドレイン電流は一定に保
九れている。またオフセット補償回路3の定電流源トラ
ンジスタT r 1が飽和領域で動作する範囲では、そ
のドレイン電流は一定であるから、入力1nl、in2
の電圧に係わらず出力O8の電圧は略一定住され、従っ
て差動増幅段の負荷トランジスタTry、Tr@のゲー
トバイアスは変化しない。
Next, we will explain the operation of the operational amplifier with the above configuration.
illh increase@Circuit 2, constant current source transistor Tr
■ operates in saturation with the DC bias from bias circuit 1,
For example, a constant DC voltage is applied to the input 1n2, and the input &fil
A signal consisting of a constant DC voltage and an AC voltage is applied to the gates of the load transistors Trg and 〒r. The bias voltage of the output Og of the offset compensation circuit 3 is applied to the gates of the load transistors Trg and 〒r. As long as the transistor TJ operates in the saturation region (ζ), the drain current of the vaginal transistor Tr2 is kept constant. Further, in the range where the constant current source transistor T r 1 of the offset compensation circuit 3 operates in the saturation region, its drain current is constant, so the inputs 1nl, in2
The voltage at the output O8 remains substantially constant regardless of the voltage at the output O8, and therefore the gate biases of the load transistors Try and Tr@ of the differential amplification stage do not change.

丸だし、入力inl、in2の直流電圧レベルが共に高
くなう丸場合には、差動増幅段の定電流トランジスタT
r、は非飽和領域に入に、該トランジスタTryのドレ
イン電流が減少し、差動増幅段の出力01.0.の直流
電圧レベルが低くなってしまう。このようなオフセット
電圧による差動増幅段の出力直流電圧レベルの変動を防
止するため、オフセット補償回路3には次のような機能
がそなわっだものとする。即ち差動増幅段の定電流源ト
ランジスタTr2のドレイン電流が減少した場合には、
それに見合−九分だけ負荷トランジスタT r @ 、
T r @のゲート電圧を低くすれば、差動増幅段の出
力直流電圧レベルを一定化することができ、その丸めに
上記各トランジスタ間のW/L比(g01比つまりコン
ダクタンス比と考えても同じ)を、 K鴫@zHm4 e iEmi”gms # gmB=
gnnl °++−−−−−+(1)Has  :  
厘ms  ”  麿is =knv  :  gms 
 ”  gmto/2    ”・”’ (2)のよう
に設定する。九だし上記WはMθBトランジスタのチャ
ネル巾、Lは同じくチャネル長、gasはトランジスタ
Tr2のgm %同様にj1m3〜gml。
If the DC voltage level of inputs inl and in2 are both high, the constant current transistor T of the differential amplification stage
r, enters the non-saturation region, the drain current of the transistor Try decreases, and the output of the differential amplifier stage 01.0. DC voltage level becomes low. In order to prevent fluctuations in the output DC voltage level of the differential amplifier stage due to such offset voltage, the offset compensation circuit 3 is assumed to have the following functions. That is, when the drain current of the constant current source transistor Tr2 of the differential amplifier stage decreases,
In proportion to this, the load transistor T r @,
By lowering the gate voltage of T r @, the output DC voltage level of the differential amplifier stage can be made constant. Same), K 雫@zHm4 e iEmi”gms # gmB=
gnnl °++−−−−−+(1) Has:
凘ms ” まし = knv: gms
``gmto/2''・''' (2).The equation is 9, where W is the channel width of the MθB transistor, L is the channel length, and gas is the gm% of the transistor Tr2. Similarly, j1m3 to gml.

はトランジスタTr@ y ’r’l(1のJimとす
る。
is the transistor Tr@y'r'l (Jim of 1).

上記(1) 、 (2)式の関係つまり定電流トランジ
スタ’i’ r 2 、T r 7間のも比と、入力段
トランジスタTrs。
The relationship between the above equations (1) and (2), that is, the ratio between the constant current transistors 'i' r 2 and T r 7, and the input stage transistor Trs.

711間のgm比と、一対の負荷トランジスタTr@。gm ratio between 711 and a pair of load transistors Tr@.

〒r・のff1=の和に対する負荷トランジスタTri
oOgm比とが同じ関係に設定するととくより、オフセ
ット補償回路3の定電流トランジスタT r 7のドレ
イン電流も、上記トランジスタTryのドレイン電流と
同じように減少するから、その分だけ負荷トランジスタ
’rrtoのドレイン電流も減少する。従って負荷トラ
ンジスタTr6.Tr@やゲート電位も、上記電流減少
に応じて減少し、これで差動増幅段の出力01,0gの
直流レベルが一定化されるものである。
Load transistor Tri for the sum of ff1= of r.
In particular, if the oOgm ratio is set to the same relationship, the drain current of the constant current transistor T r 7 of the offset compensation circuit 3 will also decrease in the same way as the drain current of the transistor Try, so the load transistor 'rrto will decrease by that amount. Drain current also decreases. Therefore, load transistor Tr6. The Tr@ and gate potential also decrease in accordance with the above-mentioned current decrease, thereby making the DC level of the outputs 01 and 0g of the differential amplifier stage constant.

一方、閾値マツチング回路4は差動増幅段の出力01.
O,の直流レベルに係わらず、リニア増幅回路50入出
力特性と差動増幅段の出力電圧との間のずれを防止し、
常にオペアンプの出力Outの直流レベルを一定化しよ
うとする回路である。即ち上記のように入力inl 、
 in2の直流電圧レベルが共に上った場合に、たとえ
差動増幅段の出力01,0□の直流電圧レベルが下り九
としても、これに対応して閾値マツチング回路4の出力
Osの直流バイアスが上るので、オペアンプ出力Out
の直流電圧が一定化されることになる。ただしこの場合
も、トランジスタTr 11−T”14のg、比を調整
しなければならないが、これら各トランジスタ間の11
m比(W/L比)を、 gmo : gmlz = Ilm、s : gmta
  ・・・・・・・・・・・・・・・(3)のように設
定する。ただしJlmll  はトランジスタTrll
の1m%  同様にgmts〜gm 14  はトラン
ジスタ’I”12〜T「14のjimである。上記(3
)式の関係、つまシ負荷トランジスタTr11.Tr1
Bの間のgm比と駆動用トランジスタ”l11m”14
間のgm比とを同じにするととくより、オペアンプ出力
oulの直流レベルを一定にすることができる。ただし
この場合、出力0.、O,が変動すると言っても、これ
ら出力電圧が等しいと言う条件が必要であるが、この0
1゜03は差動増幅段の出力であるため、前記のように
差動増幅段が対称構成である限9、上記の条件は満され
る。このようにして入力in1.in2の直流電圧レベ
ルに係わらず、オペアンプ出力Outの直流レベルを一
定化できるものである。
On the other hand, the threshold matching circuit 4 outputs the output 01. of the differential amplifier stage.
Preventing deviation between the input/output characteristics of the linear amplifier circuit 50 and the output voltage of the differential amplifier stage regardless of the DC level of O,
This circuit always tries to keep the DC level of the operational amplifier's output Out constant. That is, input inl as above,
When the DC voltage levels of in2 both rise, even if the DC voltage levels of outputs 01 and 0□ of the differential amplifier stage decrease by 9, the DC bias of the output Os of the threshold matching circuit 4 will change accordingly. rises, so the operational amplifier output Out
The DC voltage will be made constant. However, in this case as well, it is necessary to adjust the g ratio of the transistors Tr 11-T"14, but the 11 g between these transistors must be adjusted.
m ratio (W/L ratio), gmo: gmlz = Ilm, s: gmta
・・・・・・・・・・・・・・・Set as shown in (3). However, Jlmll is a transistor Trll
Similarly, gmts~gm 14 is the jim of transistors 'I'12~T'14.
), the relationship between the load transistor Tr11. Tr1
gm ratio between B and driving transistor “l11m”14
In particular, by making the gm ratio between them the same, the DC level of the operational amplifier output oul can be made constant. However, in this case, the output is 0. Even if ,O, fluctuates, the condition that these output voltages are equal is required.
Since 1°03 is the output of the differential amplification stage, the above condition is satisfied as long as the differential amplification stage has a symmetrical configuration as described above. In this way, input in1. Regardless of the DC voltage level of in2, the DC level of the operational amplifier output Out can be made constant.

とζろでこのようなオペアンプの出力電流を増大化する
丸めに、例えば特開昭51−123038号公報にも見
られるような工tyタフオー、卿ワ方式の出力バッファ
回路が従来から考えられて来ている。一方ではオペアン
プは前述したようにオフセット補償回路3を内IRさせ
る程そのオフセットを小さくおさえる必要があり、温度
変化に対してもそのオフセットを小さくすることが望ま
れている。しかしながら上記従来の如自出力パッファ回
路はそのようなオフセットの問題を何ら考慮しておらず
、温度変化の影蕃を、除外することができない。しかも
そのこともあって従来の出力バッファ回路は熱暴走をも
生じるなどの問題点を生じている0[発明の目的] 本発明は上記の問題点を解決できる簡単な回路構成の出
力バッファ回路を提供するものである。
In order to increase the output current of such an operational amplifier, for example, an output buffer circuit based on the output buffer circuit of the output buffer circuit, which can be seen in Japanese Unexamined Patent Publication No. 51-123038, has been considered. It is coming. On the other hand, as described above, the offset of the operational amplifier needs to be kept small enough to make the offset compensation circuit 3 internally IR, and it is also desired to keep the offset small even with respect to temperature changes. However, the conventional output buffer circuit described above does not consider such an offset problem at all, and cannot exclude the effects of temperature changes. Moreover, for this reason, conventional output buffer circuits have problems such as thermal runaway.0 [Object of the Invention] The present invention provides an output buffer circuit with a simple circuit configuration that can solve the above problems. This is what we provide.

[発明の概要] 本発明の出力バッファ回路は電源の一方の電極と他方の
電極との間にバイポーラトランジスタとM08トランジ
スタを直列接続してニオツタフォロワ方式をとり、その
MO8)ランジスタのゲート電極をその出力端子に接続
して構成したものであ夛、この回路構成によって本来の
出力電流増大化機能とと%に温度補償機能を同時に果せ
ることを特徴とする。
[Summary of the Invention] The output buffer circuit of the present invention employs a Niotsuta follower system in which a bipolar transistor and an M08 transistor are connected in series between one electrode and the other electrode of a power supply, and the gate electrode of the MO8 transistor is connected to the output. This circuit configuration is characterized in that it can perform the original output current increasing function and the temperature compensation function at the same time.

[発明の実施例] 次に本発明の一実施例を[2図について説明する。出力
バッファ回路社は電源端子6,7間にバイポーラ臘のN
PN)ランジスタQ21sNチャンネル型M08トラン
ジスタTr21を直列接続して構成されそいる。このト
ランジスタQitlのベースハ入力端子Inに接続され
、この入力端子は第1図のオペアンプ中のりエア増幅回
路5の出力端ou1に接続されるようになっている。M
08トランジスタTr2Hのゲートは出力端子0に接続
され、またとのる−ので、無視して考えてよい0 第1図のオペアンプ回路では、リニア増幅回路8に充分
な電圧利得が必要であるため、周波数特性−あまりのび
ず、出力電流を大きくすることができない。即ちQB積
一定によシ、電圧利得Gを大とすればバンド幅Bが狭く
なり、このバンド幅1が狭いということは、瞬時に大電
流を流せないことに対応するから、出力電流が小となる
0そζで第2図の実施例では、出力バッファ塁をエイツ
タフォロワ構成として出力電流を大幅に増加させるよう
にし、ニオツタ7オロワの負荷としてMOIS)ランジ
スタTr21を用いている0ここで問題になるのが、ニ
オツタフォロワとして用いるバイポーラトランジスタQ
21の温度特性である。
[Embodiment of the Invention] Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The output buffer circuit company uses bipolar N between power supply terminals 6 and 7.
PN) transistor Q21sN channel type M08 transistor Tr21 is connected in series. The base of this transistor Qitl is connected to the input terminal In, and this input terminal is connected to the output terminal ou1 of the air amplifier circuit 5 in the operational amplifier shown in FIG. M
08 The gate of the transistor Tr2H is connected to the output terminal 0, so it can be ignored.0 In the operational amplifier circuit of FIG. 1, the linear amplifier circuit 8 requires a sufficient voltage gain, so Frequency characteristics: Does not extend much, making it impossible to increase the output current. In other words, if the QB product is constant, if the voltage gain G is increased, the band width B becomes narrower, and the narrower band width 1 corresponds to the fact that a large current cannot flow instantaneously, so the output current is small. In the embodiment shown in FIG. 2, the output buffer base is configured as a follower to greatly increase the output current, and a MOIS transistor Tr21 is used as the load of the output buffer. The problem is the bipolar transistor Q used as a Niotsuta follower.
21 temperature characteristics.

即チパイボーラトランジスタの電流の温度係数は正であ
るのに対し、MOS)ランジスタのそれは逆の特性であ
る。従って第2図の回路では、エミ、タフォロワの温度
特性(例えば温度ドリフト等)の改llを行なう丸めに
、MOS)ランジスタTr21のゲートを接続点8に接
続し、力1つ出力端子0に接続している。その結果、温
度特性がどのように改咎されるかについて説明すると、
温度が上昇し九場合、トランジスタQ2Mはベーン電流
が増加し、接続点゛8の電位を電源電位VDDの側へ高
めようとする。このように接続点8の電位(出力端子0
の電位)が上昇するとNチャンネルMO8)ランジスタ
Tj21のゲート電位を高めるためKこのトランジスタ
Tryはそのインピーダンスを下げ接続点8の電位を下
げるように動作し、接続点8及び出力端子0の電圧を一
定化するようKなる。すなわち第2図の実施例で示す出
力パラフッ回路はこのような簡単な構成により出力電流
の増大化を得ると共に温度特性を改善することかで自る
〇なお本発明は上記実施例のみに限定されるものではな
く、例えば第2図の使用素子の極性を反対化してS K
 S図の如き構成とすることもできる。
That is, while the temperature coefficient of current in a chip-board transistor is positive, that in a MOS transistor has the opposite characteristics. Therefore, in the circuit shown in Fig. 2, the gate of MOS transistor Tr21 is connected to connection point 8, and one output terminal is connected to output terminal 0 in order to modify the temperature characteristics (for example, temperature drift, etc.) of the emitter and follower. are doing. To explain how the temperature characteristics are changed as a result,
When the temperature rises, the vane current of the transistor Q2M increases and attempts to raise the potential at the connection point 8 toward the power supply potential VDD. In this way, the potential of connection point 8 (output terminal 0
When the potential of the N-channel MO8) increases, the gate potential of the transistor Tj21 increases. This transistor Try lowers its impedance and operates to lower the potential of the connection point 8, keeping the voltage of the connection point 8 and the output terminal 0 constant. It becomes K like that. In other words, the output parallel circuit shown in the embodiment of FIG. 2 can increase the output current and improve the temperature characteristics with such a simple configuration. Note that the present invention is not limited to the above embodiment. For example, by reversing the polarity of the elements used in Fig. 2, S K
It is also possible to have a configuration as shown in diagram S.

また実施例では本発明をMOafiオペアンプの出力パ
ラフッとして用いたが、用途はこれのみに限られない。
Further, in the embodiment, the present invention was used as an output paraphrase of the MOafi operational amplifier, but the application is not limited to this.

[発明の効果] 以上説明した如く本発明によれば、エミッタフォロワ方
式にしてそのMO8トランジスタのゲートを接続点8に
接続するという簡単な回路構成で出力電流の増大化、温
度補償及び周波数特性の改善が可能となる出力バッファ
回路が提供できる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, an increase in output current, temperature compensation, and improvement in frequency characteristics can be achieved with a simple circuit configuration in which the gate of the MO8 transistor is connected to connection point 8 using an emitter follower method. An output buffer circuit that can be improved can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はオペアンプの回路図、第2図及び第3図は本発
明の実施例の回路図である。 21・・・出力バッファ、 Q21・・・バイポーラトランジスタ、Tr21・・・
MOS)ランジスタ。 閂置人代場人 弁場士  則 近 憲 佑(ns・l、
る)電10 ss
FIG. 1 is a circuit diagram of an operational amplifier, and FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of an embodiment of the present invention. 21... Output buffer, Q21... Bipolar transistor, Tr21...
MOS) transistor. Kensuke Chika (ns・l, bar clerk)
) electric 10 ss

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電源の一方の電極と他方の電極との間にバイポーラトラ
ンジスタ及びMO8トランジスタを直列接続し、前記バ
イポーラトランジスタのベース電極を入力信号の供給端
に接続し、上記両トランジスタ相互の接続点に出力端子
を接続して工tyタフオロワ回路を構成し、上記MO8
)ランジスタのゲートを上記出力端子に接続したことを
特徴とすゐ出力バッファ回路。
A bipolar transistor and an MO8 transistor are connected in series between one electrode and the other electrode of a power source, the base electrode of the bipolar transistor is connected to the input signal supply end, and the output terminal is connected to the connection point between the two transistors. Connect to configure a factory follower circuit, and connect the above MO8.
) An output buffer circuit characterized in that the gate of a transistor is connected to the output terminal.
JP12668882A 1982-07-22 1982-07-22 Output buffer circuit Pending JPS5829207A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12668882A JPS5829207A (en) 1982-07-22 1982-07-22 Output buffer circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12668882A JPS5829207A (en) 1982-07-22 1982-07-22 Output buffer circuit

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10877078A Division JPS5535543A (en) 1978-09-05 1978-09-05 Output buffer circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5829207A true JPS5829207A (en) 1983-02-21

Family

ID=14941385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12668882A Pending JPS5829207A (en) 1982-07-22 1982-07-22 Output buffer circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5829207A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60152413A (en) * 1983-12-22 1985-08-10 アメリカン・ホーム・プロダクツ・コーポレイシヨン Composition for local application with improved percutaneousdrug release by menthol

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60152413A (en) * 1983-12-22 1985-08-10 アメリカン・ホーム・プロダクツ・コーポレイシヨン Composition for local application with improved percutaneousdrug release by menthol

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4267517A (en) Operational amplifier
Wu et al. Digital-compatible high-performance operational amplifier with rail-to-rail input and output ranges
CA1206217A (en) Differential operational amplifier with common mode feedback
US5670910A (en) Operational amplifier free from dispersion in quiescent current consumed by output stage
US4477782A (en) Compound current mirror
US4021751A (en) Field effect transistor amplifier
CN107733382B (en) Self-biased rail-to-rail constant transconductance amplifier
US4247824A (en) Linear amplifier
US3444476A (en) Direct coupled amplifier with feedback for d.c. error correction
JPH04214297A (en) Amplifier circuit
US7557657B2 (en) Variable gain amplifier with wide gain variation and wide bandwidth
US3987369A (en) Direct-coupled FET amplifier
US4529948A (en) Class AB amplifier
CN116382402B (en) Band gap reference voltage generating circuit and integrated circuit
US6278323B1 (en) High gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier
US4241314A (en) Transistor amplifier circuits
CN115580241B (en) Power amplifier and bias circuit thereof
JPS5829207A (en) Output buffer circuit
JP3081210B2 (en) Linear gain amplifier
US4603267A (en) Low offset single ended MOS comparator
CN113595513A (en) Method for reducing offset voltage of operational amplifier by using feedback structure
US4706036A (en) Differential amplifier having ratioed load devices
US4333025A (en) N-Channel MOS comparator
JPS63968B2 (en)
JPS5858843B2 (en) operational amplifier circuit