JPS582844A - Inspecting method for photomask - Google Patents
Inspecting method for photomaskInfo
- Publication number
- JPS582844A JPS582844A JP56101110A JP10111081A JPS582844A JP S582844 A JPS582844 A JP S582844A JP 56101110 A JP56101110 A JP 56101110A JP 10111081 A JP10111081 A JP 10111081A JP S582844 A JPS582844 A JP S582844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- information
- working
- storage device
- fault
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、フォトマスクの検査方法に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a photomask inspection method.
詳しく社、フォトマスクの検査1揚の省略化に関する。In detail, this article relates to the abbreviation of photomask inspection.
フォトマスクは、消耗しやすくかつおびえだしい数量を
使用するものであるから1反転したバタオトマス/la
造し、このワーキングフォトマスクをフォトリングラフ
イー法に使用するヒとが一般である。共通マスタフォト
マスク線十分注意して欠陥が存在しないように製造され
るが、ノ(ターンが極めて微細であるため、完全に無欠
陥になすことは容易ではiい。し九がって、詳細に検査
し丸上で事実上無害であると確認され九ときは特に修正
を施さない場合が多い。し九がつ°て、マスタフォトマ
スクはかなりな数量の無害な欠陥を含有していることが
一般である。Photomasks are easy to wear out and require a large quantity, so it's a bit of a turnaround.
It is common for people to create a working photomask and use this working photomask in the photophosphorography method. The common master photomask line is manufactured with great care so that there are no defects, but since the turns are extremely fine, it is difficult to make the common master photomask line completely defect-free. In many cases, the master photomask is inspected and found to be virtually harmless, without making any modifications.As a result, the master photomask contains a significant number of harmless defects. is common.
ところで、この共通マスクフォトマスクを反転焼き付け
てワーキングフォトマスクを製造するKあ九9.多少の
欠陥が発生することは己むを得たいところであるから、
従来技術においては、原則として製造されたワーキング
フォトマスクの全量に対し、しかも、その全面に且つて
検査しており。By the way, K-A9.9. manufactures a working photomask by reverse baking this common mask photomask. Since it is inevitable that some defects may occur,
In the conventional technology, in principle, the entire amount of manufactured working photomasks is inspected, and moreover, the entire surface thereof is inspected.
これに要する工数は着像し難いものであった。しかも、
この全量検査においては、マスクフォトマスクに轟初か
ら含まれていた事寒上無害な欠陥もそのすべてが当然検
出され、これらを選別除去の上現実に有害な欠陥にのみ
修正を施こしてい九が、この事実上不必要な作業のため
に要する工数は甚大であるという大きな欠点があった。The number of man-hours required for this was difficult to form an image. Moreover,
In this full inspection, all of the harmless defects that have been included in Todoroki's mask photomasks from the beginning are naturally detected, and after screening and removing them, only the defects that are actually harmful are corrected. However, there was a major drawback in that the amount of man-hours required for this virtually unnecessary work was enormous.
本発明の目的は、共通マスタフォトマスクを使用して製
造され九ワーキングフォトマスクの検査方法において、
その検査工程の簡略化されたフォトマスクの検査方法を
提供することKある。The object of the present invention is to provide a method for inspecting nine working photomasks manufactured using a common master photomask.
It is an object of the present invention to provide a method for inspecting a photomask in which the inspection process is simplified.
その要旨は、(イ)フォトマスク表面の微小領域の物理
的状態、例えば特定の物質の存在・不存在、特定の電磁
波・微粒子の透過・不透過あるいは反射・吸収、又は電
位等を判別しうる光学系と、フォトマスク表面を細分し
て設けられ九黴小領域の各々に対し、上記の光学系が逐
次動作しうるように、上記の光学系をスキャンさせる走
査型ステージ系と、上記の光学系の出力情報等の情報等
の情報が貯蔵される記憶装置と、この記憶装置に情報を
書き込み読み出しする装置と、演算装置と検査工程を逐
次的に実行する指令を発する制御装置とを有する。フォ
トマスク用検査装置を使用するとととし、(ロ)まず、
最初に共通マスタフォトマスクの全面を検査してすべて
の欠陥を発見し、有害で 1パある欠陥に対
しては修正を施し、無害であることが確認された欠陥は
着像することとし、その無害欠陥の存在する微小領域又
は微小領域群の位置を記憶−置に貯蔵し、(f1次に、
任意のワーキングフォトマスクの全面を検査してすべて
の欠陥を発見してその存在する微小領域又は微小領域群
の位置を一旦記憶装置に貯蔵し、に)このワーキングk
Ffモ1;4フォトマスクに関する情報と先に貯蔵され
九マスタフォトマスクに関する情報とを比較し相互に重
複する部分1ワーキングフオトマスクに関する情報から
削除し、(4)残留し九情報をもって、!!&該製造ロ
ットにおいで上記の実際に検査され九ワーキングフォト
マスクより前に製造され九すべてのワーキングフォトマ
スクの有する欠陥の存在する黴小領域又杜黴小領域群の
位置を表わす情報と着像すことに#)′る。The gist is that (a) it is possible to determine the physical state of a minute area on the photomask surface, such as the presence or absence of a specific substance, the transmission/non-transmission, reflection/absorption, or potential of a specific electromagnetic wave or particle; an optical system, a scanning stage system that scans the optical system so that the optical system can sequentially operate on each of the nine small areas that are provided by subdividing the photomask surface; It has a storage device that stores information such as system output information, a device that writes information to and reads information from the storage device, an arithmetic device, and a control device that issues commands to sequentially execute inspection steps. Assuming that a photomask inspection device is used, (b) First,
First, the entire surface of the common master photomask is inspected to find all defects, and any harmful defects are corrected, and defects that are confirmed to be harmless are imaged. The position of a micro region or a group of micro regions in which a harmless defect exists is stored in a memory location (f1, then
) The entire surface of any working photomask is inspected to find all defects, and the positions of the existing minute regions or groups of minute regions are temporarily stored in a storage device.
Compare the information regarding FfMo 1; 4 photomask with the previously stored information regarding the 9th master photomask, delete the mutually overlapping portions from the information regarding 1 working photomask, and (4) with the remaining 9 information,! ! & Information indicating the position of a small mold area or a group of small mold areas in which defects exist in all nine working photomasks manufactured before the above-mentioned actually inspected working photomasks in the manufacturing lot and the image. To do so #)'ru.
そして、上記の実WAK検査され九ワーキングフォトマ
スクより前に製造され九ワーキングフォトマスクの夫々
に対し、上記の”記憶装置に貯蔵されている情報によっ
て表わされる位置に存在する欠陥を逐次修正する。すな
わち、電磁波を透過すべき領域が不透過性であるときは
その微小領域にし一ザ照射等をなして不透過性物質を飛
散させて修正し、その逆に電磁波に対し不透過性である
べき領域が透過性を有するときはその微小領域にインク
ジェットを噴射する尋の手法をもって不透過性となして
修正する。Then, for each of the nine working photomasks manufactured before the nine working photomasks subjected to the actual WAK inspection, the defects existing at the positions represented by the information stored in the storage device are successively corrected. In other words, if an area that should transmit electromagnetic waves is opaque, that small area should be irradiated with a single laser beam to scatter an opaque substance to correct the problem, and conversely, it should be opaque to electromagnetic waves. When a region is transparent, it is corrected by making the region opaque by spraying an inkjet onto the micro region.
その結果、極めて僅かの数量のワーキングフォトマスク
を実際に検査するのみで、非常に多数のワーキングフォ
トマスクの有する実害のある欠陥のみを、しかも極めて
高い精度をもりて検出することができる。該当する製造
ロットの数量にもよる。が、一つの製造ロットの最後に
製造されたワーキングフォトマスクを九だ1枚検出すれ
ば十分である。したがって、多くの場合は、各製造ロフ
トにおいて%丸だ1枚のみの検査で十分でやり、共通マ
スタフォトマスクを使用して製造されたワーキングフォ
トマスクの検出方法の検査工程を大幅に簡略化すること
ができる。As a result, by actually inspecting a very small number of working photomasks, only the harmful defects of a very large number of working photomasks can be detected with very high accuracy. It also depends on the quantity of the relevant manufacturing lot. However, it is sufficient to detect one in nine working photomasks manufactured at the end of one manufacturing lot. Therefore, in many cases, it is sufficient to inspect only one circle in each manufacturing loft, which greatly simplifies the inspection process of the detection method for working photomasks manufactured using a common master photomask. be able to.
本発明の依鵜する自然法則は、(イ)7thマスクの有
する欠陥のうち事実上無害である欠陥が相当の率で存在
すること、(ロ)ワーキングフオトマスクの欠陥は、マ
スタフォトマスクの消耗・損傷により次111に増加す
る傾向があり、夫々の製造ロットにおいては、蛾後に製
造され九ワーキ/グフォト1スクに存在しない欠陥がそ
れ以前に#造され九ワーキングフォトマスクに存在する
確率は極めて少ないという事実である。The laws of nature on which the present invention relies are that (a) there is a considerable proportion of defects in the 7th mask that are actually harmless, and (b) defects in the working photomask are caused by wear and tear on the master photomask.・There is a tendency for defects to increase due to damage, and in each production lot, there is a very high probability that a defect that does not exist in a 9-working photomask manufactured after the first one will exist in a 9-working photomask manufactured before that. The fact is that there are few.
以下、ai1面を参照しつつ、本発明の一実施例につい
て説明し1本発明の構成と特有の効果とを更に明らかに
する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the ai1 page, and the configuration and unique effects of the present invention will be further clarified.
■参照
図は本発明に係るフォトマスクの検査方法に使用されゐ
検査装置のブロックダイヤグラムを示す。(2) The reference figure shows a block diagram of an inspection device used in the photomask inspection method according to the present invention.
図において、1は光学系であり、2は走査皺ステージ系
であ炒、3は検査されるフォトマスクである。番は記憶
装置であり、5は演算装置であり、6は制御装置である
。走査蓋ステージ系2tスキャ/させながらフォトマス
ク30表面に仮想上区分して設けられ九黴小領域毎に光
学系lをもって検査し、この結果を記憶装置4に記憶さ
せる仁とがてきる◎制御装置6は、演算装置6を使用し
て、はじめ、所定のプログラムにし九がって検査工程の
進行をつかさどる。In the figure, 1 is an optical system, 2 is a scanning wrinkle stage system, and 3 is a photomask to be inspected. Number is a storage device, number 5 is an arithmetic device, and number 6 is a control device. The scanning lid stage system 2t scans the surface of the photomask 30, which is virtually divided, and inspects each small area with the optical system 1, and stores the results in the storage device 4.◎ Control The device 6 uses the arithmetic device 6 to initially control the progress of the inspection process according to a predetermined program.
まず、共通マスタフォトマスクの全面を検査し、すべて
の欠陥を発見し、有害か無害かを判断し有害である亀の
Kは上記に一例を示した手法(レーザ照射又はインクジ
ェット)をもって修正をほどこす。この工程は目視をも
ってなすことも、記憶装置番にモデルを記憶しておきこ
れとの比較により自動的になすことも可能である。事実
上無害と判断された欠陥の存在する領域の位置を記憶装
置4に記憶させる。First, we inspect the entire surface of the common master photomask, find all defects, determine whether they are harmful or non-hazardous, and correct any harmful tortoises using the method shown above (laser irradiation or inkjet). Rub. This process can be done visually or automatically by storing a model in a storage device number and comparing it with this. The location of the area where the defect, which is determined to be virtually harmless, is stored in the storage device 4.
次に、任意のワーキングフォトマスクの倉内全検査し、
有無害の別なくすべての欠陥を発見してその領域の位置
を記憶装置4に記憶させる。この工程も、目視をもって
なすことも、記憶装置4に記憶されたモデルと自動的に
比較させてなすことも可能である。Next, carry out a complete inspection of any working photomask,
All defects, regardless of whether they are harmless or not, are discovered and the positions of the areas are stored in a storage device 4. This step can also be done visually or by automatically comparing it with a model stored in the storage device 4.
第3に、ワーキングフォトマスクの欠陥Kllする情報
からマスタフォトマスクの含有する無害欠陥に関する情
報を減算して与えられ九情報をもって、この製造ロフト
において、実際に検出されたワーキングフォトマスクよ
り前に製造されたすべてのワーキングフォトマスクの有
する有害欠陥、すなわち、修正欠陥の存在する領域を示
す情報と着像す。Thirdly, with the information given by subtracting the information about harmless defects contained in the master photomask from the information about defects in the working photomask, it is possible to determine whether the working photomask was manufactured before the actually detected working photomask in this manufacturing loft. All of the working photomasks that have been processed are imaged with information indicating the harmful defects, that is, the areas where repair defects are present.
この情報にもとづき、該当する製造ロットにおいて、実
11に検査され九ワーキングフォトマスクl餉KIll
llされ九各々のワーキングフォトマスクについて、そ
の有する有害欠陥の存在する領域を光学系1の視野に逐
次呼び出し、修正を実行するO
以上、説明せるとおり本発明によれば、共通マスタフォ
トマスクを使用して製造され九ワーキングフォトマスク
の検査方法において、その検査工程が大幅に簡略化され
たフォトマスクの検査方法を提供することができる。Based on this information, in the corresponding production lot, 9 working photomasks have been inspected 11 times.
For each of the nine working photomasks, the area in which the harmful defect exists is sequentially called into the field of view of the optical system 1 and corrected.As explained above, according to the present invention, a common master photomask is used. According to the present invention, it is possible to provide a photomask inspection method in which the inspection process is greatly simplified in the nine-working photomask inspection method manufactured by the present invention.
陶、上記のとお抄、モデルを記憶装置に記憶させておき
本発明に係る検査工程を完全に自動的に進行させること
は極めて容易であり、更K、各ワーキングフォトマスク
の修正工程も完全に自動的に進行させることとして、本
発明を利用してなすフォトマスクの完全自動検査・修正
装置を提供することも可能である。However, it is extremely easy to store the above-mentioned sample and model in a storage device and proceed with the inspection process according to the present invention completely automatically, and furthermore, the correction process of each working photomask can also be completely performed. As an automatic process, it is also possible to provide a fully automatic photomask inspection and repair apparatus using the present invention.
図は本発明の一実施例に係るフォトマスクの検査方法の
実施に直接使用されるフォトマスク用検査装置のブロッ
クダイヤグラムである。
1・・・・・・光学系、 2・・・・・・走査型ス
テージ系。
3・・・・・・検出されるフォトマスク、番・・・・・
・記憶装置、5・・・・・・演算装置、 6・・・・・
・制御装置。The figure is a block diagram of a photomask inspection device that is directly used to carry out a photomask inspection method according to an embodiment of the present invention. 1...Optical system, 2...Scanning stage system. 3...Detected photomask, number...
・Storage device, 5... Arithmetic device, 6...
·Control device.
Claims (1)
光学系と、該光学系が、前記フォトマスク表面を区分し
て設けられ九微小領域の各々に対して逐次動作しうるよ
うに前記フォトマスクと前記光学系との相対的位置関係
を逐次変化させる走査■スデ〜ジ系と、前記光学系の出
力情報等の情報が貯蔵される記憶装置と、該記憶装置に
情報を書き込み読み出しする装置と、演算装置と、検査
の逐次−的実行を指令する制御装置とを有する、フォト
マスク用検査装置を使用してなすフォトマスクの検査方
法において、(1)共通マスタフォトマスクを検査して
その上に存在するが無害であることが確認されている欠
陥の存在する前記微小領域又は微小領域群の位置を前記
記憶装置に貯蔵し、(ロ)少なくとも1箇の、好ましく
は各製造ロフトにおいて最後に製造され九ワーキングフ
ォトマスクを検査して欠陥の存在する前記微小領域又は
微小領域群の位置を発見し、該位置を前記記憶装置に貯
蔵し、f)該情報と前記(1)の工程において貯蔵され
九情報とを比較して、相違する情報を選択し、に)該選
択され九情報をもって、当該製造nッ トにおいて前記
(0)の工程において検査されたワーキングフォトマス
クより前に製造されたすべてのワーキングフォトマスク
の有する欠陥の存在する微小領域又は微小領域群の位置
を代表する情報を看做すことを特徴とするフォトマスク
の検査方法。an optical system for determining the physical state of a microscopic area of 11 photomask images; a scanning system for sequentially changing the relative positional relationship between the optical system and the optical system; a storage device in which information such as output information of the optical system is stored; and a device for writing and reading information into the storage device. In a method for inspecting a photomask using a photomask inspection device having a calculation device and a control device for instructing sequential execution of inspection, (1) a common master photomask is inspected and the (b) storing in said storage device the location of said micro-region or micro-regions containing defects that are present but are confirmed to be harmless; f) Inspecting the nine working photomasks manufactured in 1999 to discover the position of the minute area or group of minute areas where defects exist, and storing the position in the storage device, and f) using the information and the step (1) above. (b) comparing the stored nine pieces of information and selecting the different information; and a) using the selected nine pieces of information, select a working photomask manufactured before the working photomask inspected in the step (0) in the manufacturing unit. 1. A method for inspecting a photomask, characterized in that information representative of the positions of minute regions or groups of minute regions in which defects exist in all working photomasks is considered.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56101110A JPS582844A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Inspecting method for photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56101110A JPS582844A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Inspecting method for photomask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS582844A true JPS582844A (en) | 1983-01-08 |
JPS6212914B2 JPS6212914B2 (en) | 1987-03-23 |
Family
ID=14291927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56101110A Granted JPS582844A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Inspecting method for photomask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582844A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060011A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tire |
JPS6082408A (en) * | 1983-10-13 | 1985-05-10 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tire |
JPS60143704A (en) * | 1983-12-29 | 1985-07-30 | Nippon Jido Seigyo Kk | Defect inspecting method of pattern |
JPS61169302A (en) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | Pneumatic tire |
JPS61200006A (en) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Tire having improved uniformity |
JPS62283004A (en) * | 1986-05-21 | 1987-12-08 | ザ グツドイア− タイヤ アンドラバ− コンパニ− | Noise control type tire |
JPS63130410A (en) * | 1986-11-17 | 1988-06-02 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tyre |
JPH0321507A (en) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Pneumatic tire |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101110A patent/JPS582844A/en active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060011A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tire |
JPS6082408A (en) * | 1983-10-13 | 1985-05-10 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tire |
JPS60143704A (en) * | 1983-12-29 | 1985-07-30 | Nippon Jido Seigyo Kk | Defect inspecting method of pattern |
JPH041846B2 (en) * | 1983-12-29 | 1992-01-14 | Reezaa Tetsuku Kk | |
JPS61169302A (en) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | Pneumatic tire |
JPS61200006A (en) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Tire having improved uniformity |
JPS62283004A (en) * | 1986-05-21 | 1987-12-08 | ザ グツドイア− タイヤ アンドラバ− コンパニ− | Noise control type tire |
JPS63130410A (en) * | 1986-11-17 | 1988-06-02 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Low noise tyre |
JPH0321507A (en) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Pneumatic tire |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6212914B2 (en) | 1987-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI618976B (en) | Qualifying patterns for microlithography | |
JP6328063B2 (en) | Detection of fine lines for selective sensitivity during reticle inspection using processed images | |
US6091845A (en) | Inspection technique of photomask | |
JP5919233B2 (en) | Wafer and reticle inspection methods and systems using designer intent data | |
US10074036B2 (en) | Critical dimension uniformity enhancement techniques and apparatus | |
KR102084809B1 (en) | Reticle defect inspection with systematic defect filter | |
TW201708942A (en) | Apparatus and methods for predicting wafer-level defect printability | |
US8826200B2 (en) | Alteration for wafer inspection | |
TW201734825A (en) | Accelerated training of a machine learning based model for semiconductor applications | |
WO2019219826A1 (en) | Method and apparatus for evaluating an unknown effect of defects of an element of a photolithography process | |
US8515154B2 (en) | Verification method for repairs on photolithography masks | |
US9778207B2 (en) | Integrated multi-pass inspection | |
JP2015508513A (en) | Method and apparatus for database assisted requalification reticle inspection | |
CN103218805B (en) | Handle the method and system for the image examined for object | |
JP6891795B2 (en) | Defect inspection method, sorting method and manufacturing method of photomask blank | |
DE112017007551T5 (en) | DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING RETICLES | |
CN102637614A (en) | Systems and methods eliminating false defect detections | |
JPS582844A (en) | Inspecting method for photomask | |
CN112513927A (en) | Wind turbine blade defect inspection based on convolutional neural networks | |
US9869640B2 (en) | Method and device for examining a mask | |
US10068323B2 (en) | Aware system, method and computer program product for detecting overlay-related defects in multi-patterned fabricated devices | |
JP2024536956A (en) | Multi-die mask defect detection | |
Robinson et al. | A knowledge based expert system to aid theoretical ultrasonic flaw modelling | |
JP2024155346A (en) | Masking method for the workpiece to be inspected | |
CN116858938A (en) | Intelligent identification and classification method for ultrasonic phased array detection defects of complex ring parts |