JPS5827461A - 固体イメ−ジセンサ - Google Patents
固体イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS5827461A JPS5827461A JP56125195A JP12519581A JPS5827461A JP S5827461 A JPS5827461 A JP S5827461A JP 56125195 A JP56125195 A JP 56125195A JP 12519581 A JP12519581 A JP 12519581A JP S5827461 A JPS5827461 A JP S5827461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- precharge
- scanning
- solid
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、リニアイメージセンサを用いた固体イメー
ジセンサＫ１１ｌする。
ジセンサＫ１１ｌする。
リニアイメージセ／？のライン方向の電気的な主走査と
、機械的な副走査とを組み合せて、撮像画を二次元的に
走査して映像信号を得る固体イメージセンサが公知であ
る。
、機械的な副走査とを組み合せて、撮像画を二次元的に
走査して映像信号を得る固体イメージセンサが公知であ
る。
この固体イメージセンサにおける受光素子は、ひとつの
画素の大館さが小さいので一時における光電流のみを検
出したのでは光感度が非常に小さい。したがって、上記
機械的副走査機構による１回目の走査と次の走査の関に
光励起されたキャリアを蓄積するようＫされている。と
ころが、機械的副走査スピードには、通常スピードムラ
があるため、上記スピードムラがそのまま映像信号変動
として現られれズしまり。このため、例えば固定のしき
い値によるパターン認識では誤動作してしまうという問
題が生じる。
画素の大館さが小さいので一時における光電流のみを検
出したのでは光感度が非常に小さい。したがって、上記
機械的副走査機構による１回目の走査と次の走査の関に
光励起されたキャリアを蓄積するようＫされている。と
ころが、機械的副走査スピードには、通常スピードムラ
があるため、上記スピードムラがそのまま映像信号変動
として現られれズしまり。このため、例えば固定のしき
い値によるパターン認識では誤動作してしまうという問
題が生じる。
この発明の目的は、機械的副走査のスピードムラに影響
されない映像信号を得ることができる固体イメージセン
ナを提供することにある。
されない映像信号を得ることができる固体イメージセン
ナを提供することにある。
この発明の他の目的は、以下の説明及び図面から明らか
になるであろう。
になるであろう。
第１図は、この発明の一実施例を示す回路図である。
同図において、各回路素子は公知の半導体集積回路技留
によって、１つの半導体基板上に形成されている。
によって、１つの半導体基板上に形成されている。
この実施例では、ライン上に規則的に配置されたホトダ
イオードＤ１ないしＤｎ＆ｃ、プリチャージ用ＭＯ８Ｆ
ＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）へ、ないし
９□が設けられている。
イオードＤ１ないしＤｎ＆ｃ、プリチャージ用ＭＯ８Ｆ
ＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）へ、ないし
９□が設けられている。
これらのＭＯ８ＦｇＴＱ、、 ないしＱＰｎのゲート
には、共通にプリチャージパルスφ、が印加されている
。したがって、プリチャージパルスφ。
には、共通にプリチャージパルスφ、が印加されている
。したがって、プリチャージパルスφ。
によりＭＯ８ＦＥＴＱ、１ないしＱＰｎが同時にオンし
てホトダイオードＤ、ないしＤｎへのプリチャージが行
なわれ、また同時にオフしてホトダイオードＤ８ないし
Ｄゎのキャリア蓄積が行なわれる。
てホトダイオードＤ、ないしＤｎへのプリチャージが行
なわれ、また同時にオフしてホトダイオードＤ８ないし
Ｄゎのキャリア蓄積が行なわれる。
上記ホトダイオードＤ、ないしＤｎで形成され画素デー
タを読み出すためのＭＯ８ＦＥＴＱ、□ないしＱ、がア
ナログＣ０Ｄ（電荷転送素子）シフトレジスタとの関に
設けられている。これらのＭＯＳ Ｆ ｇ Ｔ Ｑ、１
ないしＱイのゲートには、読み出しパルスφ１が共通に
印加されている。したがって、上記ホトダイオードＤ１
ないしＤｎの画素データは並列に上記アナログＣＣＤシ
フトレジスタに伝えられることになるうそして、アナロ
グＣＣＤシフトレジスタは、シフトクロックφ８ より
並列に取り込んだ画素データを直列に順次出力して、シ
リアル映會信号ＶＩＤＥＯに変換する。
タを読み出すためのＭＯ８ＦＥＴＱ、□ないしＱ、がア
ナログＣ０Ｄ（電荷転送素子）シフトレジスタとの関に
設けられている。これらのＭＯＳ Ｆ ｇ Ｔ Ｑ、１
ないしＱイのゲートには、読み出しパルスφ１が共通に
印加されている。したがって、上記ホトダイオードＤ１
ないしＤｎの画素データは並列に上記アナログＣＣＤシ
フトレジスタに伝えられることになるうそして、アナロ
グＣＣＤシフトレジスタは、シフトクロックφ８ より
並列に取り込んだ画素データを直列に順次出力して、シ
リアル映會信号ＶＩＤＥＯに変換する。
上記クロックφ ないしφ、は、制御回路ＣＯ？
ＮＴＫよって形成される。この制御回路Ｃ０ＮＴは、機
械的副走査機構からの等間隔の位置を検出する位置セン
サからの信号Ｓを受けて、タイミングを図り上記クロッ
クφ ないしφ８等を形成す？ る。
械的副走査機構からの等間隔の位置を検出する位置セン
サからの信号Ｓを受けて、タイミングを図り上記クロッ
クφ ないしφ８等を形成す？ る。
この実施例回路の動作を、第２図のタイミング図を参照
して次に説明する。
して次に説明する。
機械的副走査機構の走査スピードムラにより、位置セン
サからの信号Ｓの周期がＴ１ないしＴ。
サからの信号Ｓの周期がＴ１ないしＴ。
のように変化した場合について説明する。
上記信号Ｓの到来により、制御回路Ｃ０ＮＴはプリチャ
ージパルスφ、をＭＯＳＦＥＴをオフさせるロウレベル
に変化させる。これによりＭＯ８ＦＥ”％ｔないしＱＰ
ｆｌがオフする。したがって、ホトダイオードＤ、ない
しＤｎ において、プリチャージ電荷と光励起されたキ
ャリアとの再結合によって蓄積電荷の放電が行なわれる
。これらのＭＯ８ＦＥＴＱ、１ないしＱＰｎのオフによ
る光電変換期間、言い換えれば、プリチャージパルスφ
、のロウレベル期間が一定の時間Ｔになるように設定さ
れている。そして、この時間Ｔの終期においてＭ Ｉ
８ Ｆ Ｅ Ｔ ＱＩｌ、ないしＱ、をオンさせるよう
にパルスφ１がノ・イレベルに変化する。このとき、パ
ルスφ のロウレベルの立ち下りは、遅（とも凰 上記パルスφ のハイレベルへの立ち上りよりも？ 早く設定されている。なぜなら、ＭＯＳＦＥＴ叫。
ージパルスφ、をＭＯＳＦＥＴをオフさせるロウレベル
に変化させる。これによりＭＯ８ＦＥ”％ｔないしＱＰ
ｆｌがオフする。したがって、ホトダイオードＤ、ない
しＤｎ において、プリチャージ電荷と光励起されたキ
ャリアとの再結合によって蓄積電荷の放電が行なわれる
。これらのＭＯ８ＦＥＴＱ、１ないしＱＰｎのオフによ
る光電変換期間、言い換えれば、プリチャージパルスφ
、のロウレベル期間が一定の時間Ｔになるように設定さ
れている。そして、この時間Ｔの終期においてＭ Ｉ
８ Ｆ Ｅ Ｔ ＱＩｌ、ないしＱ、をオンさせるよう
にパルスφ１がノ・イレベルに変化する。このとき、パ
ルスφ のロウレベルの立ち下りは、遅（とも凰 上記パルスφ のハイレベルへの立ち上りよりも？ 早く設定されている。なぜなら、ＭＯＳＦＥＴ叫。
ないしＱＰＩＩとＭ０８ＦｇＴＱ、、ないし−を同時に
オンさせると、光電変換による画素データにプリチャー
ジ電荷が注入されて、画素データが消滅してしまうから
である。
オンさせると、光電変換による画素データにプリチャー
ジ電荷が注入されて、画素データが消滅してしまうから
である。
上記一定時間Ｔが経過した後、パルスらは）・イレペル
に変化する。したがって、ＭＯＳ Ｆ ｇ、’ＩＱ、。
に変化する。したがって、ＭＯＳ Ｆ ｇ、’ＩＱ、。
ないしＱ、ｎがオンしてホトダイオードＤＩないしＤ
ヘプリチャージを行なううこのために、ホトダイオード
ＤＩないしＤｎＫおける光電変換動作が強制的に停止さ
れている状態とな、る。このプリチャージ期間は、次の
位置センナからの信号Ｓが到来するまで継続される。
ヘプリチャージを行なううこのために、ホトダイオード
ＤＩないしＤｎＫおける光電変換動作が強制的に停止さ
れている状態とな、る。このプリチャージ期間は、次の
位置センナからの信号Ｓが到来するまで継続される。
そして、次の周期Ｔ、において、上記同様に光電変換動
作が行なわれ、読み出し用のパルスφ８がハイレベルに
立ち上るまでの間に、シフトクロックφ、が発生して、
アナログＣＣＤシフトレジスタが動作して、シリアルな
映像信号Ｖ Ｉ ＤＥＯが出力される。
作が行なわれ、読み出し用のパルスφ８がハイレベルに
立ち上るまでの間に、シフトクロックφ、が発生して、
アナログＣＣＤシフトレジスタが動作して、シリアルな
映像信号Ｖ Ｉ ＤＥＯが出力される。
なお、上記アナログＣＣＤシフトレジスタが動作する期
間は、同じ周期Ｔ、におけるプリチャージ期間から、次
の周期Ｔ、の読み出し動作開始までの閲に行なわれれば
よい。ただ、上記プリチャージ期間は、機械的副走査ス
ピードムラに応じて変化するので、上述のように一定期
間Ｔを利用することが望ましい。
間は、同じ周期Ｔ、におけるプリチャージ期間から、次
の周期Ｔ、の読み出し動作開始までの閲に行なわれれば
よい。ただ、上記プリチャージ期間は、機械的副走査ス
ピードムラに応じて変化するので、上述のように一定期
間Ｔを利用することが望ましい。
以上説明したこの実施例によれば、機械的副走査スピー
ドムラがあっても、光電変換時間を一定にすることがで
きる。したがって、映倫信号の明るさに上記副走査スピ
ードムラの影響があられれることを防止できる。このこ
とより、例えば固定のしきい値によりパターン認識環な
行なう場合でも、上記副走査スピードムラによる娯動作
を防止することができる。
ドムラがあっても、光電変換時間を一定にすることがで
きる。したがって、映倫信号の明るさに上記副走査スピ
ードムラの影響があられれることを防止できる。このこ
とより、例えば固定のしきい値によりパターン認識環な
行なう場合でも、上記副走査スピードムラによる娯動作
を防止することができる。
この発明は、前記実施例に限定されない。
例えば、画素データの読入出しは、ＭＯＳＦＥＴのしき
い値電圧を利用して、２値化して行なうものであっても
よい。この場合、シフトレジスタは、通常のディジタル
シフトレジスタが用いられる。
い値電圧を利用して、２値化して行なうものであっても
よい。この場合、シフトレジスタは、通常のディジタル
シフトレジスタが用いられる。
また、パルスφ２．φ８のパルス幅は、必要な光電変換
時間、読み出し時間、プリチャージ時間及び剛走査周期
勢の兼合で種々変更できるものである。
時間、読み出し時間、プリチャージ時間及び剛走査周期
勢の兼合で種々変更できるものである。
第１図は、この発明の一実施例を示す回路図、第２図は
、そのタイミング図である。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸７．。 （・−°１ ・１） １ 、 ＋
、そのタイミング図である。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸７．。 （・−°１ ・１） １ 、 ＋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ライン上に規則的に配置された多数の受光素子と、
これらの受光素子にプリチャージを行なう第１のスイッ
チ群と、これらの受光素子からの光電変換信号を取り出
す第２のスイッチ群とを含むリニアイメージセンナと、
このリニアイメージセンナを撮像画との関連において相
対的に上記ライン方向に対して直角方向に移動させる機
械的副走査機構とを具備し、上記副走査機構に設けら′
引、た等間隔の位置センサ出力信号によりプリチャージ
用の第１のスイッチ群をオフとするとともｋ、一定時間
における上記受光素子で形成された光電変換信号を第２
のスイッチ群をオンさせて並夕輿取り出すようにしたこ
とを特徴とする固体イメージセンサ。 ２、上記並列＆Ｃ取り出された光電変換信号は、ＣＯＤ
シフトレジスタによって並列／直列変換されるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体イ
メージセ／す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125195A JPS5827461A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 固体イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125195A JPS5827461A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 固体イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827461A true JPS5827461A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14904267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56125195A Pending JPS5827461A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 固体イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827461A (ja) |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP56125195A patent/JPS5827461A/ja active Pending
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