JPS5827426A - Pulse voltage generating circuit - Google Patents

Pulse voltage generating circuit

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Publication number
JPS5827426A
JPS5827426A JP56125221A JP12522181A JPS5827426A JP S5827426 A JPS5827426 A JP S5827426A JP 56125221 A JP56125221 A JP 56125221A JP 12522181 A JP12522181 A JP 12522181A JP S5827426 A JPS5827426 A JP S5827426A
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JP
Japan
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voltage
circuit
pulse
pulse voltage
bias
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JP56125221A
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Japanese (ja)
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Akio Sagawa
佐川 明男
Naoyuki Izaki
井崎 直幸
Masayoshi Suzuki
鈴木 政善
Yasumasa Matsuda
松田 泰昌
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate losses for synthesizing a bias voltage and a pulse voltage, by constituting a pulse voltage generating circuit and a bias voltage generating citcuit with one circuit. CONSTITUTION:When a bias voltage controlling signal PB is inputted, a power supply voltage VBH is divided at a dividing tatio controlling citcuit 73 and a bias voltage VBB is generated. At the period when the bias voltage controlling signal PB is inputted, if a pulse voltage controlling signal PH is inputted, the pulse voltage VBH is generated at a dividing ratio controlling circuit 74. In this case, since the power supply voltage is VBH, the voltage dividing ratio is set to 1. Thus, since a superimposing voltage between the bias and pulse voltages is outputted from an output terminal 77 of a pulse voltage generating circuit 70, the losses for synthesizing these two voltages can be eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、PNPNスイッチ素子を用いてパルス電圧を
制御する回路に糸シ、肴にPNPNスイッチ素子に加え
るバイアス電圧印加回路構成に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit for controlling a pulse voltage using a PNPN switch element, and to a circuit configuration for applying a bias voltage to the PNPN switch element.

一般に圧電素子を応用したデバイスは、ノシルス状の電
圧により駆動される。たとえば、超音波断面撮像装置等
に用いられる圧電振動子、あるいは圧電素子を用いたイ
ンクジェットプリンタヘッド等にはパルス電圧が印加さ
れて駆動される。
Generally, a device using a piezoelectric element is driven by a nocillus-like voltage. For example, a piezoelectric vibrator used in an ultrasonic cross-sectional imaging device or an inkjet printer head using a piezoelectric element is driven by applying a pulse voltage.

これらの圧電素子にパルス電圧を加える方式として、圧
電素子1個に対しパルス電圧発生回路を1個設けて駆動
する方法もあるが、圧電素子が多い場合にはパルス電圧
発生回路も圧電素子数に応じて多くなる欠点がある。そ
こで11固のパルス電圧発生回路からスイッチ等によシ
切替える方式がとら扛ている。
As a method of applying pulse voltage to these piezoelectric elements, there is a method of driving one piezoelectric element by providing one pulse voltage generation circuit, but if there are many piezoelectric elements, the pulse voltage generation circuit also needs to be increased by the number of piezoelectric elements. There are many drawbacks depending on the situation. Therefore, a method has been developed that uses a switch or the like to switch the pulse voltage generating circuit of the 11-unit.

この方式での切替えスイッチとしてPNPNスイッチ素
子を用いた場合には導通時のノくルス藏圧波形を・歪ま
せないためにPNPNスイッチ素子にバイアス電圧を加
えて動作させる必要がある。
When a PNPN switch element is used as a changeover switch in this method, it is necessary to apply a bias voltage to the PNPN switch element to operate it in order to prevent distortion of the voltage waveform during conduction.

第1図は、PNPNスイッチ素子によりパルス電圧全切
替え、複数の圧電素子を駆動する一例を示す。
FIG. 1 shows an example in which a PNPN switch element switches all pulse voltages and drives a plurality of piezoelectric elements.

第1図において、10は複数個配列された圧成素子11
,12.・・団・のアレー(array)  である。
In FIG. 1, 10 is a plurality of pressure forming elements 11 arranged in an array.
,12. It is an array of groups.

20’d、PNPN、z、イアーF−素子21,22.
−、団、からなるスイッチアレーで、圧電素子11,1
2゜・・・・・・にそれぞれ1個ずつ直列に接続されて
いる。
20'd, PNPN, z, ear F-element 21, 22.
-, a switch array consisting of piezoelectric elements 11, 1
2°... are connected in series, one each.

30はパルス電圧VHを発生する回路で制御信号P)l
に応じてパルス電圧を発生する。パルス電圧発生回路3
0は一例として増幅用トランジスタ31とバッファ用ト
ラノジスタ32,33より構成される。なお、パルス電
圧のピーク値は電源電圧VBHによシ設定される。
30 is a circuit that generates a pulse voltage VH and a control signal P)l
Generates a pulse voltage according to the Pulse voltage generation circuit 3
0 is composed of an amplification transistor 31 and buffer transistors 32 and 33, for example. Note that the peak value of the pulse voltage is set by the power supply voltage VBH.

40は、PNPNスイッチ素子21,22.・・・・・
・の直流バイアス電圧発生回路である。このバイアス電
圧発生回路40け一例としてパルス電圧発生回路30と
同様にトランジスタ41.42.  。
40 is a PNPN switch element 21, 22 .・・・・・・
・This is a DC bias voltage generation circuit. As an example of this bias voltage generation circuit 40, transistors 41, 42, . .

43により構成される。すなわち、バイアス電圧値は成
源電圧Vaa値により設定去れ、制御信号Paによって
発生される。なお、ダイオード44は、パルス電圧VH
が発生したときこれがバイアス峨圧発生回路に印加され
ないように挿入されたものである。
43. That is, the bias voltage value is set by the source voltage Vaa value and generated by the control signal Pa. Note that the diode 44 is connected to the pulse voltage VH.
This is inserted so that it will not be applied to the bias pressure generation circuit when this occurs.

50はPNPNスイッチ素子21,22.・・・・・・
を制御するための制御信号G、 、 G2.・・・・・
・の発生回路である。
50 is a PNPN switch element 21, 22 .・・・・・・
Control signals G, , G2.・・・・・・
・This is the generation circuit.

60はPNPNスイッチ素子21,22.・・・・・・
にバイアス電圧発生回路40よりバイアス電圧v8を印
加したときの直流成分のバイアス負荷抵抗で、それぞれ
の圧電素子11.12・・・・・・と並列に接続されて
いる。
60 is a PNPN switch element 21, 22 .・・・・・・
It is a bias load resistance of a DC component when a bias voltage v8 is applied from the bias voltage generation circuit 40 to the piezoelectric elements 11, 12, . . . and is connected in parallel with each other.

なお、34はパルス電圧発生回路30からのパルス電圧
を供給するだめのバイパスコンデンサ、45はバイアス
電圧発生回路40からのバイアス電流を制限する抵抗で
ある。
Note that 34 is a bypass capacitor for supplying the pulse voltage from the pulse voltage generation circuit 30, and 45 is a resistor for limiting the bias current from the bias voltage generation circuit 40.

以上の回路構成により複数の圧電素子にパルス電圧を印
加させることができる。この動作について第2図の動作
タイムシーケ/スにより説明する。
With the above circuit configuration, a pulse voltage can be applied to a plurality of piezoelectric elements. This operation will be explained using the operation time sequence shown in FIG.

これは、基準クロックパルスCPに同期して圧電素子1
1,12.・・・・・・に次々とパルス電圧Vpを印加
する場合の一例を示したものである。バイアス電圧発生
回路40には基準クロックパルスCP1′に同期してP
aで示す制御パルスが入力される。
This causes the piezoelectric element 1 to synchronize with the reference clock pulse CP.
1,12. . . . An example is shown in which the pulse voltage Vp is applied one after another. The bias voltage generation circuit 40 receives P in synchronization with the reference clock pulse CP1'.
A control pulse indicated by a is input.

したがって、その出力には第2図に示すバイアス電圧V
aが発生される。この場合、期間t + カバイアス電
圧Vaが発生する期間で、期間t2がOFFの期間であ
る。
Therefore, its output has a bias voltage V shown in FIG.
a is generated. In this case, period t+ is a period in which bias voltage Va is generated, and period t2 is an OFF period.

また、パルス電圧発生回路3oには制御信号PHが入力
され、出力には第2図に示すパルス電圧V)Iが発生す
る。そのパルス電圧VHはバイアス電圧v1の発生する
期間t1の中間で、期間t3のみ発生するよう入力制御
信号PHにょシ制御される。
Further, a control signal PH is input to the pulse voltage generating circuit 3o, and a pulse voltage V)I shown in FIG. 2 is generated at the output. The pulse voltage VH is controlled by the input control signal PH so that it is generated only during the period t3, in the middle of the period t1 in which the bias voltage v1 is generated.

したがって、PNPNスイッチ素子21.22・・・・
・・の共通端子には第2図に示すバイアス電圧Vmとパ
ルス電圧Vnの重畳した電圧波形VPが加えられる。こ
こでPNPNスイッチ素子21゜22・・・・・・の制
御信号G+ 、 G2・・・・・・は第1の基準パルス
によシG、が、第2の基準パルスにょ゛すG2が、とい
うように順次発生され、それにしたがってPNPNスイ
ッチ素子21,22.・・・・・・が順次に導通状態に
なシ圧電素子11,12.・旧・・に第2図に示すパル
ス電圧波形Vpl 、 Vp2 、・・印・が順次印加
される。
Therefore, the PNPN switch elements 21, 22...
A voltage waveform VP in which a bias voltage Vm and a pulse voltage Vn shown in FIG. 2 are superimposed is applied to the common terminal of . Here, the control signals G+, G2, etc. of the PNPN switch elements 21, 22, etc. are caused by the first reference pulse, but G2 is caused by the second reference pulse, , and so on, and the PNPN switch elements 21, 22 . The piezoelectric elements 11, 12 . . . become conductive one after another.・Old... The pulse voltage waveforms Vpl, Vp2, . . . shown in FIG. 2 are sequentially applied.

このように、圧電素子11,12.・・・・・・と直列
にPNPNスイッチ素子21,22.・・・・・・を接
続し、バイアス電圧Vaにパルス電圧Vot重畳させた
信号(Vp)を印カロさせることにより圧電素子を動作
させることができる。
In this way, the piezoelectric elements 11, 12 . . . . in series with PNPN switch elements 21, 22 . The piezoelectric element can be operated by connecting . . . and applying a signal (Vp) obtained by superimposing the pulse voltage Vot on the bias voltage Va.

しかし、一般にはバイアス電圧値Vaaとして十数V必
要とし、圧電素子10を動作させるためのパルス電圧値
Vasとして2〜300vと高這圧が必要である。その
ためにバイアス電圧発生回路の電源電圧VIIBとパル
ス電圧発生回路の電源電圧VBHとの2電源が必要であ
る。また、圧電素子をPNPNスイッチ素子により駆動
する場合、パルス電圧発生回路30とバイアス電圧発生
回路40の2回路になるという欠点が有る。したがって
、パルス電圧VHとバイアス電圧V!Iとを合成するだ
めの抵抗45及びコンデンサ34等が挿入され、これら
の素子による電圧降下の損失の問題等がある。
However, in general, a bias voltage value Vaa of ten or more V is required, and a pulse voltage value Vas for operating the piezoelectric element 10 requires a high voltage of 2 to 300 V. For this purpose, two power supplies are required: power supply voltage VIIB for the bias voltage generation circuit and power supply voltage VBH for the pulse voltage generation circuit. Furthermore, when the piezoelectric element is driven by a PNPN switch element, there is a drawback that there are two circuits, the pulse voltage generation circuit 30 and the bias voltage generation circuit 40. Therefore, pulse voltage VH and bias voltage V! A resistor 45, a capacitor 34, and the like are inserted to combine the I and I, and there is a problem of loss due to voltage drop caused by these elements.

本発明の目的は、パルス電圧発生回路とパイアス亀圧発
生回路とを1回路によ多構成し、単一4源を用い、パル
ス電圧とバイアス電圧を出力する端子を同一端子より取
り出して、上記した損失等全低減する回路を提供するこ
とである。
An object of the present invention is to configure a pulse voltage generation circuit and a bias voltage generation circuit into one circuit, use a single four sources, take out the terminals for outputting the pulse voltage and the bias voltage from the same terminal, and It is an object of the present invention to provide a circuit that completely reduces the loss caused by the loss.

本発明の特徴は、パルス電圧を制御する信号Poとバイ
アス電圧を制御する信号’PBとにより抵抗分dす比を
調整し、同じ出力からバイアス電圧とパルス電圧とを取
り出せる回路構成にした点にある。
The feature of the present invention is that the ratio of the resistance component d is adjusted by the signal Po for controlling the pulse voltage and the signal 'PB for controlling the bias voltage, and the circuit configuration is such that the bias voltage and the pulse voltage can be extracted from the same output. be.

以下図を用いて本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below using the figures.

第3図は、本発明によるパルス底圧発生回路700基本
構成を示したものである。
FIG. 3 shows the basic configuration of a pulse bottom pressure generation circuit 700 according to the present invention.

第3図において、71は出力バッファ回路で出力端子7
7よりパルス電圧Vpを出力する。72は電圧分割回路
で、電源端子78の電圧Vaoを分割する。73.74
は電圧分割回路72の分割比を制御する回路で曲者はバ
イアス電圧制御用に、また、後者はパルス成圧制御用に
設けてbる。
In FIG. 3, 71 is an output buffer circuit and output terminal 7
7 outputs a pulse voltage Vp. A voltage dividing circuit 72 divides the voltage Vao of the power supply terminal 78. 73.74
1 is a circuit for controlling the division ratio of the voltage dividing circuit 72, the latter is provided for bias voltage control, and the latter is provided for pulse pressure forming control.

75.76は分割比制御回路73.74の入力端子でバ
イアス電圧制御信号Pa及びパルス電圧信号PHが入力
される。
Reference numerals 75 and 76 are input terminals of the division ratio control circuits 73 and 74, into which the bias voltage control signal Pa and the pulse voltage signal PH are input.

動作は、第2図に示すタイムシーケンスと同様で、バイ
アス電圧制御信号Paが入力されると分割比制御回路7
3によって電源電圧■BH(il−分割し、バイアス電
圧Vaaを発生する。次にバイアス電圧制御信号Paが
入力されている期間11内において、パルス醒圧制御信
号Poが入力さnると分キリ比制御回路74によってパ
ルス電圧VaHe発生する。この場合電源電圧がVao
であるから電圧分割比は1に設定される。このようにパ
ルス電圧発生回路70の出力端子77よりバイアス電圧
とパルス電圧との重畳d圧が出力され、従来の問題であ
った合成するための損失、あるいは、2酸源、2回路構
成等の欠点を取り除くことが可能になった。
The operation is similar to the time sequence shown in FIG. 2, and when the bias voltage control signal Pa is input, the division ratio control circuit 7
3 to divide the power supply voltage BH (il-) to generate the bias voltage Vaa.Next, during the period 11 during which the bias voltage control signal Pa is input, when the pulse wake-up pressure control signal Po is input, A pulse voltage VaHe is generated by the ratio control circuit 74. In this case, the power supply voltage is
Therefore, the voltage division ratio is set to 1. In this way, the superimposed d pressure of the bias voltage and the pulse voltage is output from the output terminal 77 of the pulse voltage generation circuit 70, and the loss due to synthesis, which was a conventional problem, or the problem of two acid sources, two circuit configurations, etc. It is now possible to eliminate shortcomings.

第4図に具体的な回路の一例を示す。第4図において第
3図と同符号の部分は第3図におけると同等の部分を示
す。出力バッファ回路71はトランジスタ101によシ
エミツタフオロア回路ft構成している。(圧分割回路
72はトランジスタ102、およびトランジスタ103
iスイツチとして動作させ、抵抗201,202によシ
分割比を調整する。たとえば、バイアス電圧Vaaを発
生させる場合には、トランジスタ102を導通し、直列
接続された抵抗201及び202に電源電圧VIHt印
加する。ここでバイアス電圧値viaは次式(1)で表
わさn1抵抗201,202の値をこれにより設定する
FIG. 4 shows an example of a specific circuit. In FIG. 4, parts with the same symbols as in FIG. 3 indicate the same parts as in FIG. 3. The output buffer circuit 71 is constituted by a transistor 101 as a Siemitter follower circuit ft. (The voltage dividing circuit 72 includes a transistor 102 and a transistor 103.
It operates as an i-switch, and the division ratio is adjusted by resistors 201 and 202. For example, when generating the bias voltage Vaa, the transistor 102 is turned on and the power supply voltage VIHt is applied to the resistors 201 and 202 connected in series. Here, the bias voltage value via is expressed by the following equation (1), and the values of the n1 resistors 201 and 202 are set thereby.

ただし、(1)式においてRoは抵抗201の、几、は
抵抗202の抵抗値であり、トランジスタ1010ベー
ス・エミッタ間電圧Vagは省略した。
However, in equation (1), Ro is the resistance value of the resistor 201, R is the resistance value of the resistor 202, and the base-emitter voltage Vag of the transistor 1010 is omitted.

このように、抵抗201,202の分割比を設定するこ
とにより任意のVIB値を設定することができる。次に
パルス電圧を発生させる場合にはトランジスタ103を
導通させ、抵抗202に電源電圧vIIBを印加する。
In this way, by setting the division ratio of the resistors 201 and 202, an arbitrary VIB value can be set. Next, when generating a pulse voltage, the transistor 103 is turned on and the power supply voltage vIIB is applied to the resistor 202.

このときはパルス電圧値として゛電源電圧vl)Iと同
じ値が得られる。
At this time, the same value as the "power supply voltage vl)I" is obtained as the pulse voltage value.

分割比制御回路73.74はトランジスタ104゜10
5により゛電圧分割回路72のスイッチ用トランジスタ
102j 103を制御するように構成している。すな
わち、分割比制御回路73の入力端子75に入力信号P
aとして“H”レベルが挿入されるとトランジスタ10
4は導通し、岨圧分キ11回路72のトランジスタ10
2も導通する。そのため、バッファ回路71の出力電圧
はα)式にしたがって発生する。
The division ratio control circuits 73 and 74 are transistors 104°10
5 to control the switching transistors 102j to 103 of the voltage dividing circuit 72. That is, the input signal P is input to the input terminal 75 of the division ratio control circuit 73.
When “H” level is inserted as a, the transistor 10
4 is conductive, and the transistor 10 of the peak voltage component key 11 circuit 72
2 is also conductive. Therefore, the output voltage of the buffer circuit 71 is generated according to equation α).

また、分割比制御回路74の入力端子76に入力信号P
Hとして”H“レベルが挿入さnるとトランジスタ10
5,103dそれぞれ導通し、この場合にはバッファ回
路71の出力電圧Vpは電源電圧VIIHの振幅が得ら
れる。
In addition, an input signal P is input to the input terminal 76 of the division ratio control circuit 74.
When the "H" level is inserted as H, the transistor 10
In this case, the output voltage Vp of the buffer circuit 71 has the amplitude of the power supply voltage VIIH.

このように電圧分割回路を2つ(または一般に複数個)
の分割比制御回路により制御することによシ同−バツフ
ァ回路出力よシ出力撮幅の異なるパルス電圧を発生させ
ることが町目しになる。
Two (or generally more than one) voltage divider circuits like this
It is desirable to generate pulse voltages having different output widths from the same buffer circuit output by controlling the division ratio control circuit.

第5図は第3図に示す電圧分割回路72の他の具体的実
施例を示したものである。或圧分割比は抵抗201,2
02により決定され、その動作はトランジスタ102,
103のON、OFFにより行なわれる。
FIG. 5 shows another specific embodiment of the voltage dividing circuit 72 shown in FIG. 3. In FIG. A certain pressure division ratio is resistor 201,2
02, and its operation is determined by transistors 102,
This is done by turning on and off 103.

バイアス電圧を発生するときは電圧分割回路72の入力
端子72−2にON信号(第4図の分g1]比制御ll
11回路73からの信号)を入力しトランジスタ102
を導通させる。また、パルス電圧を発生するときは入力
端子72−2と72−1に同時にON信号を入力しトラ
ンジスタ102,103を導通させる必要がおる。第4
図と第5図の電圧分割回路72の違いはスイッチ用トラ
/ジスタ102と103とが並列接続か直列接続かの違
いで、いずれの場合にもバイアスd圧値とパルス電圧値
の両方を制御することができる。第5図の実施例の特徴
は、バイアス電圧を発生させないときにパルス電圧のみ
が発生しないような回路構成にしたところにある。すな
わち、第1図に示したよりなPNPNスイッチ素子を用
いた圧電素子駆動回路ではバイアス電圧を那えてからパ
ルス電圧を印刀口する必要があるため、バイアス酸比を
加えない場合にはパルス電圧が発生しないようにしであ
る。
When generating a bias voltage, an ON signal (minute g1 in FIG. 4) is applied to the input terminal 72-2 of the voltage divider circuit 72 for ratio control ll.
11 (signal from circuit 73) is input to transistor 102.
conduction. Further, when generating a pulse voltage, it is necessary to simultaneously input an ON signal to the input terminals 72-2 and 72-1 to make the transistors 102 and 103 conductive. Fourth
The difference between the voltage dividing circuit 72 shown in the figure and that shown in FIG. can do. The feature of the embodiment shown in FIG. 5 is that the circuit structure is such that only a pulse voltage is not generated when no bias voltage is generated. In other words, in the piezoelectric element drive circuit using the PNPN switch element shown in Figure 1, it is necessary to apply a pulse voltage after reducing the bias voltage, so if a bias acid ratio is not applied, a pulse voltage will be generated. I try not to do that.

なお、本発明は上述した具体的実施例に限定されず、同
種の動作をする種々の回路構成をも包含するものである
Note that the present invention is not limited to the specific embodiments described above, but also includes various circuit configurations that perform the same type of operation.

以上のように、本発明によれば、損失が低減されかつ回
路構成が簡単化されたパルス電圧発生回路を得るのに効
果がある。
As described above, the present invention is effective in obtaining a pulse voltage generating circuit with reduced loss and a simplified circuit configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の圧電素子駆動用パルス電圧発生回路の一
例、第2図は第1図の回路動作を説明するためのタイム
シーケンス、第3図は本発明によるパルス電圧発生回路
のブロック構成、第4図は第3図の具体的一実施例、第
5図は電圧分割回路の他の具体的一実施例をそれぞれ示
す図である。 70・・・パルス電圧発生回路、71・・・出力バッフ
ァ回路、72・・・電圧分割回路、73・・・バイアス
電圧用分割比制御回路、74・・・パルス電圧分割回路
(12) 第 1図 0 −138〜 第 2 口 VF6−m−」シ一一一 第 30 ¥、4図 第 5 図 8
FIG. 1 is an example of a conventional pulse voltage generation circuit for driving a piezoelectric element, FIG. 2 is a time sequence for explaining the circuit operation of FIG. 1, and FIG. 3 is a block configuration of a pulse voltage generation circuit according to the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a specific embodiment of the voltage dividing circuit shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram showing another specific embodiment of the voltage dividing circuit. 70... Pulse voltage generation circuit, 71... Output buffer circuit, 72... Voltage division circuit, 73... Bias voltage division ratio control circuit, 74... Pulse voltage division circuit (12) 1st Figure 0 -138 ~ 2nd port VF6-m-'' 111 30 yen, Figure 4 Figure 5 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、 バイアス電圧発生期間中に、バイアス電圧よシも
高電圧のパルス電圧乞バイアス亀圧に重畳させて発生さ
せるパルス電圧発生回路において、纜源電圧を異なる2
以上の分割比で分割する電圧分割回路と、電圧分割回路
の入力に出力が接続され゛電圧分割回路の分割比を選定
する2以上の分割比制御回路とを備え、1の分割比制御
回路を作動させて上記電圧分割回路により上記バイアス
電圧を発生させる期間中に他の分割比制御回路を作動さ
せて上記電圧分割回路により、上記パルス電圧を上記バ
イアス電圧に重畳させて発生させることを特徴とするパ
ルス電圧発生回路。
1. During the bias voltage generation period, the pulse voltage generation circuit generates a high voltage pulse voltage superimposed on the bias voltage.
It is equipped with a voltage division circuit that divides at the above division ratio, and two or more division ratio control circuits whose outputs are connected to the inputs of the voltage division circuit and which select the division ratio of the voltage division circuit, and one division ratio control circuit. During a period in which the bias voltage is generated by the voltage divider circuit, another division ratio control circuit is operated to generate the pulse voltage superimposed on the bias voltage by the voltage divider circuit. Pulse voltage generation circuit.
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JP56125221A Pending JPS5827426A (en) 1981-08-12 1981-08-12 Pulse voltage generating circuit

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01247821A (en) * 1988-03-30 1989-10-03 Osaka Shinku Kiki Seisakusho:Kk Bearing device for high-speed rotary device
US5271631A (en) * 1989-05-31 1993-12-21 Atsushi Yokouchi Magnetic fluid seal apparatus
WO2018095937A1 (en) * 2016-11-28 2018-05-31 Koninklijke Philips N.V. Cmut device and imaging method

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