JPS5827021Y2 - Jet plating device - Google Patents

Jet plating device

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JPS5827021Y2
JPS5827021Y2 JP2552779U JP2552779U JPS5827021Y2 JP S5827021 Y2 JPS5827021 Y2 JP S5827021Y2 JP 2552779 U JP2552779 U JP 2552779U JP 2552779 U JP2552779 U JP 2552779U JP S5827021 Y2 JPS5827021 Y2 JP S5827021Y2
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JP
Japan
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wafer
plating
back surface
electrode
plating solution
Prior art date
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Application number
JP2552779U
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Japanese (ja)
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JPS55124473U (en
Inventor
隆史 水口
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体のウェーハの片面に電極等をメッキする
噴流式のメッキ装置に関するもので、均一メッキを主な
目的とする。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a jet plating apparatus for plating an electrode, etc. on one side of a semiconductor wafer, and its main purpose is uniform plating.

一般に、ダイオードやトランジスタ等の半導体装置の電
極形成にはAI蒸着法やAgメッキ法などの手段が採ら
れている。
Generally, methods such as AI vapor deposition and Ag plating are used to form electrodes of semiconductor devices such as diodes and transistors.

例えば、ウェーハの裏面全面に電極層を形成する場合は
噴流式メッキ法が多く用いられている。
For example, when forming an electrode layer on the entire back surface of a wafer, a jet plating method is often used.

この噴流式メッキ法の従来装置例を第1図に示すと、1
はウェーハ、2はマイナスの上部メッキ電極、3はプラ
スの下部メッキ電極、4はウェーハ支持体、5はウェー
ハ支持体4を固定したメッキ内筒、6はメッキ外筒、7
は環流パイプ、8はポンプであり、9はAg等のメッキ
液である。
An example of conventional equipment for this jet plating method is shown in Figure 1.
is a wafer, 2 is a negative upper plating electrode, 3 is a positive lower plating electrode, 4 is a wafer support, 5 is a plating inner cylinder to which the wafer support 4 is fixed, 6 is a plating outer cylinder, 7
is a circulation pipe, 8 is a pump, and 9 is a plating solution such as Ag.

上記構成のメッキ動作は、ますウェーハ1を裏面からウ
ェーハ支持体4でもって支持し、次に上部メッキ電極2
をウェーハ1の裏面に接当させて、ウェーハ1を固定し
ておく。
In the plating operation with the above configuration, the first wafer 1 is supported from the back side with the wafer support 4, and then the upper plating electrode 2
The wafer 1 is fixed by bringing it into contact with the back surface of the wafer 1.

この状態においてポンプ8を作動させ、メッキ液9をメ
ッキ内筒5からウェーハ裏面に向けて噴出させる。
In this state, the pump 8 is operated, and the plating liquid 9 is jetted out from the plating inner cylinder 5 toward the back surface of the wafer.

するとメッキ液9はウェーハ裏面に当り、そして裏面に
沿って横方向へ放射状に流出していく。
Then, the plating solution 9 hits the back surface of the wafer and flows out laterally and radially along the back surface.

この間に、各メッキ電極2,3の電圧印加によってAg
イオン等がウェーハ1の裏面にメッキされていく。
During this time, by applying voltage to each plating electrode 2, 3, Ag
Ions and the like are plated on the back surface of the wafer 1.

また、ウェーハ1の裏面から流出したメッキ液9はメッ
キ内筒5を越えてメッキ外筒6内に流入し、環流パイプ
7に集められて、再びポンプ8でもってメッキ内筒5か
らウェーハ裏面に向けて噴出されていく。
Furthermore, the plating solution 9 flowing out from the back side of the wafer 1 flows into the plating outer cylinder 6 over the plating inner cylinder 5, is collected in the circulation pipe 7, and is again transferred from the plating inner cylinder 5 to the back side of the wafer by the pump 8. It is ejected towards the target.

ところで、この従来装置でメッキを続けていくと、メッ
キ内筒5からメッキ外筒6にメッキ液9が流入する際に
できる気泡10が環流パイプ7やポンプ8を通って、メ
ッキ内筒5からウェーハ裏面に噴き付けられる。
By the way, as plating continues with this conventional device, bubbles 10 that are created when the plating liquid 9 flows from the inner plating cylinder 5 to the outer plating cylinder 6 pass through the circulation pipe 7 and pump 8 and are removed from the inner plating cylinder 5. Sprayed onto the backside of the wafer.

すると、従来のウェーハ1は固定状態にあるため、気泡
10がメッキ液9と共にウェーハ裏面に沿って流出する
ことが少く、一部の気泡10は第2図に示すようにウェ
ーハ裏面に付着し、而も付着して大きく成長することが
あった。
Then, since the conventional wafer 1 is in a fixed state, the bubbles 10 rarely flow out along the back surface of the wafer together with the plating solution 9, and some of the bubbles 10 adhere to the back surface of the wafer as shown in FIG. However, it sometimes attached itself and grew large.

このように気泡10がウェーハ裏面に付着すると、その
付着部分だけメッキの成長が遅れ、メッキ層11の厚さ
にムラができて、ウェーハ1を細分したペレットに裏面
電極不良なものができ、ペレットの歩留りを悪くする欠
点があった。
When air bubbles 10 adhere to the back surface of the wafer in this way, the growth of the plating is delayed in the area where the air bubbles are attached, and the thickness of the plating layer 11 becomes uneven.The wafer 1 is subdivided into pellets, resulting in defective back electrodes. This had the disadvantage of reducing yield.

本考案は上記従来の欠点に鑑み、これを改良・除去した
もので、ウェーハを回転させながらメッキすることによ
五ウェーハ裏面への気泡の付着を防止した噴流式メッキ
装置を提供する。
The present invention improves and eliminates the above-mentioned conventional drawbacks, and provides a jet plating apparatus that prevents air bubbles from adhering to the back surface of a wafer by plating while rotating the wafer.

以下、本考案の構成を図面を参照して説明する。Hereinafter, the configuration of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第3図に於て、12は上部メッキ電極、13は下部メッ
キ電極、14はメッキ内筒、15はメッキ外筒、16は
環流パイプ、17はポンプ、18はメッキ液である。
In FIG. 3, 12 is an upper plating electrode, 13 is a lower plating electrode, 14 is a plating inner cylinder, 15 is a plating outer cylinder, 16 is a circulation pipe, 17 is a pump, and 18 is a plating solution.

これら構成に対し、本考案はウェーハ1を保持する機構
を次のウェーハ保持治具19で行う。
In contrast to these configurations, in the present invention, the mechanism for holding the wafer 1 is performed using the following wafer holding jig 19.

即ち、ウェーハ保持治具19はウェーハ1の裏面に接当
してウェーハ1を水平に塔載する保持爪20と、保持爪
20を先端に固定する支持棒21と、支持棒21の周面
にラセン状に形成したスクリュー22と、支持棒21の
上部と下部を夫々回転自在に軸支して、この支持棒21
をメッキ内筒14の中心線上に支持する支持アーム23
.24とで構成する。
That is, the wafer holding jig 19 includes a holding claw 20 that contacts the back surface of the wafer 1 and holds the wafer 1 horizontally, a support rod 21 that fixes the holding claw 20 at the tip, and a support rod 21 that is attached to the circumferential surface of the support rod 21. The support rod 21 is rotatably supported by a screw 22 formed in a helical shape and the upper and lower portions of the support rod 21, respectively.
A support arm 23 that supports the plated inner cylinder 14 on the center line
.. It consists of 24.

尚、下部メッキ電極13は支持棒21の下方に配置し、
またメッキ液18は下部メッキ電極13や支持アーム2
3.24の間を簡単に通過して、上方へ噴出される構成
にしておく。
Note that the lower plating electrode 13 is arranged below the support rod 21,
Furthermore, the plating solution 18 is applied to the lower plating electrode 13 and the support arm 2.
3. It should be configured so that it can easily pass between 24 and eject upward.

この場合、下部メッキ電極13はメツシュ状電極で構成
すればよい。
In this case, the lower plating electrode 13 may be constructed of a mesh-like electrode.

また上部メッキ電極12はウェーハ1の表面に当接して
電圧を印加する構造の他、本考案の場合はウェーハ1の
回転に追従するように先端部を回転自在に設けておく。
Further, the upper plating electrode 12 has a structure in which it contacts the surface of the wafer 1 and applies a voltage, and in the case of the present invention, its tip is provided so as to be freely rotatable so as to follow the rotation of the wafer 1.

次に上記構成によるメッキ動作要領を説明する。Next, a plating operation procedure using the above configuration will be explained.

ますウェーハ保持治具19の保持爪20上にウェーハ1
を位置決めして塔載し、次に上部メッキ電極12をウェ
ーハ1の表面に接当させて、ウェーハ1を上下面から保
持する。
The wafer 1 is placed on the holding claw 20 of the wafer holding jig 19.
The upper plating electrode 12 is brought into contact with the surface of the wafer 1, and the wafer 1 is held from above and below.

このときウェーハ保持治具19の支持棒21の中心線上
に上部メッキ電極12の中心がくるようにしておく。
At this time, the center of the upper plating electrode 12 is placed on the center line of the support rod 21 of the wafer holding jig 19.

後は上部メッキ電極12と下部メッキ電極13に電圧を
印加し、ポンプ17を作動させて、メッキ液18をメッ
キ内筒14からウェーハ裏面に向けて噴出させる。
After that, a voltage is applied to the upper plating electrode 12 and the lower plating electrode 13, the pump 17 is operated, and the plating liquid 18 is jetted from the plating inner cylinder 14 toward the back surface of the wafer.

すると、メッキ液18は支持アーム23.24の間を上
昇すると共に、一部は支持棒21のスクリュー22に当
って上昇していく。
Then, the plating solution 18 rises between the support arms 23 and 24, and part of it hits the screw 22 of the support rod 21 and rises.

即ち、噴出するメッキ液18がスクリュー22を介して
支持棒21を回転させ、この支持棒21の回転により、
保持爪20を介してウェーハ1も回転する。
That is, the spouting plating solution 18 rotates the support rod 21 via the screw 22, and by the rotation of the support rod 21,
The wafer 1 also rotates via the holding claws 20.

そして、ウェーハ裏面は回転しながら噴流してくるメッ
キ液18でメッキされる。
Then, the back surface of the wafer is plated with a plating solution 18 that is spouted while rotating.

また上記メッキ時、ウェーハ裏面外周から流出したメッ
キ液18はメッキ内筒14を越えてメッキ外筒15内へ
流入し、ここでできる気泡25と共に再びウェーハ裏面
へと噴出される。
Further, during the plating, the plating liquid 18 flowing out from the outer periphery of the back surface of the wafer passes through the inner plating cylinder 14 and flows into the outer plating cylinder 15, and is ejected to the back surface of the wafer together with the bubbles 25 formed here.

ここで仮りに気泡25が第4図に示すように、ウェーハ
1の裏面に付着したとすると、この気泡25はウェーハ
1の回転と共に回転して遠心力が作用するために外へと
移動し、最後はウェーハ裏面外周から取り除かれていく
If the bubbles 25 are attached to the back surface of the wafer 1 as shown in FIG. 4, the bubbles 25 rotate with the rotation of the wafer 1 and move outward due to the centrifugal force. Finally, it is removed from the outer periphery of the back surface of the wafer.

またウェーハ1の回転により、ウェーハ裏面に沿って流
れるメッキ液18にも遠心力が作用して、外へ強く流出
していくため、メッキ液18がウェーハ1の側面や表面
に回り込むことがなくなる。
Further, as the wafer 1 rotates, centrifugal force acts on the plating liquid 18 flowing along the back surface of the wafer, and the plating liquid 18 flows out strongly to the outside, so that the plating liquid 18 does not flow around to the side surface or the front surface of the wafer 1.

またこのメッキ液18のウェーハ回転による流れ強化に
より1.気泡25がウェーハ表面に付着停滞する率が少
くなる。
In addition, the flow of the plating solution 18 is strengthened by rotating the wafer.1. The rate at which bubbles 25 adhere to and stagnate on the wafer surface is reduced.

尚、上記ウェーハ保持治具19はスクリュー22を用い
ることにより、ウェーハ1をメッキ液18の流れを利用
して回転させる簡単な構成にしたが、この構成に限らず
、例えば支持棒21をメッキ液18の流れに関係なく、
モーター等でもって外部から回転させるようにしてもよ
い。
Although the wafer holding jig 19 has a simple structure in which the wafer 1 is rotated by using the flow of the plating solution 18 by using the screw 22, the structure is not limited to this. Regardless of the flow of 18,
It may be rotated from the outside using a motor or the like.

またウェーハ1の保持を兼ねる上部メッキ電極12の側
にウェーハ回転機構を取付けるようにしてもよい。
Further, a wafer rotation mechanism may be attached to the side of the upper plating electrode 12 which also serves to hold the wafer 1.

以上説明したように、本考案はメッキ液面に沿って保持
されたウェーハにメッキ液を噴き付けるメッキ装置に於
て、ウェーハを回転自在に保持するウェーハ保持治具を
有し、メッキ時にウェーハを回転させるようにしたから
、メッキ液中の気泡がウェーハに付着しにくくなり、ま
た付着してもウェーハの回転で簡単に取り除かれるため
、ウェーハへのメッキが全面に均一にできて、不良ペレ
ットが減少する。
As explained above, the present invention has a wafer holding jig that rotatably holds the wafer in a plating apparatus that sprays plating liquid onto the wafer held along the plating liquid level, and the wafer is held in place during plating. By rotating the plating solution, air bubbles in the plating solution are less likely to adhere to the wafer, and even if they do, they can be easily removed by rotating the wafer, ensuring uniform plating on the entire surface of the wafer and eliminating defective pellets. Decrease.

またウェーハの回転により、メッキ液がウェーハ側面や
表面に回り込むことが防止され、信頼性の良い噴流メッ
キが可能となる。
Furthermore, the rotation of the wafer prevents the plating solution from flowing around to the side surface or surface of the wafer, making it possible to perform jet plating with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の噴流式メッキ装置の側断面図、第2図は
従来装置によるウェーハメッキ面での断面図、第3図は
本考案に係る装置の実施例を示す側断面図、第4図は本
考案によるウェーハメッキ面でのメッキ動作断面図であ
る。 18・・・・・・メッキ液、19・・・・・・ウェーハ
保持治具。
FIG. 1 is a side sectional view of a conventional jet plating apparatus, FIG. 2 is a sectional view of the wafer plating surface by the conventional apparatus, FIG. 3 is a side sectional view showing an embodiment of the apparatus according to the present invention, and FIG. The figure is a sectional view of the plating operation on the wafer plating surface according to the present invention. 18...Plating solution, 19...Wafer holding jig.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] メッキ液面に沿って保持されたウェーハにメッキ液を噴
き付けるメッキ装置に於て、ウェーハを回転自在に保持
するウェーハ保持治具を有し、メッキ時にウェーハを回
転させるようにしたことを特徴とする噴流式メッキ装置
A plating device that sprays a plating solution onto a wafer held along the plating solution surface is characterized by having a wafer holding jig that rotatably holds the wafer so that the wafer can be rotated during plating. Jet plating equipment.
JP2552779U 1979-02-27 1979-02-27 Jet plating device Expired JPS5827021Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2552779U JPS5827021Y2 (en) 1979-02-27 1979-02-27 Jet plating device

Applications Claiming Priority (1)

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JP2552779U JPS5827021Y2 (en) 1979-02-27 1979-02-27 Jet plating device

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Publication Number Publication Date
JPS55124473U JPS55124473U (en) 1980-09-03
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ID=28866065

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JP2552779U Expired JPS5827021Y2 (en) 1979-02-27 1979-02-27 Jet plating device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH083153B2 (en) * 1990-02-26 1996-01-17 日本電装株式会社 Plating equipment

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JPS55124473U (en) 1980-09-03

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