JPS58217409A - 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents

光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法

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JPS58217409A
JPS58217409A JP10036082A JP10036082A JPS58217409A JP S58217409 A JPS58217409 A JP S58217409A JP 10036082 A JP10036082 A JP 10036082A JP 10036082 A JP10036082 A JP 10036082A JP S58217409 A JPS58217409 A JP S58217409A
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JP
Japan
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soln
cadmium
aqueous
mixture
particles
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Application number
JP10036082A
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Takashi Midorikawa
緑川 敬史
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ti光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法に
関するもので、特に、均一な組成で、かつ、結晶性の高
い粒子を製造するための硫セレン化カドミウムの製造方
法に関するものである。
電子1真感光材料を代表例として用いられる光導電性硫
セレン化カドミウム(casse )の最も一般的な製
造方法祉、硫酸カドミウム、塩化カドミウム、硝酸カド
ミウム外とのカドミウムの水溶性・塩に硫化水素を作用
させて、硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫
化カドミウム粒子とセレン化カドミウム粒子を混合し、
硫セレン化カドミウム固溶体を作成するために、該混合
物を高温焼成して得るものである0即ち、光導電性硫セ
レン化カドミウムは、硫化カドミウム粒子とセレン化カ
ドミウム粒子を混合して焼成することにより硫化カドミ
ウムとセレンを固溶体化し、製造するのが一般的である
oしかしながらこのような従来の方法において拡硫化カ
ドミウムとセレン化カドミウムが共に固有の粒度分布を
もつ粉体であり、かつ、その粒子間の凝集力が強い為に
、両者を混合したときに相互に光分に分散された状態に
なり難い。従って、厳密に見れば、硫化カドミウム成分
に富む部分とセレン化カドミウム成分に冨む部分が該混
合粉体中に生じてしまい、これを焼成すれば、硫セレン
化カドミウムの一般式Cd53:5e(x<)で表わさ
れる固溶体組成比x:/1−2が種々に異なる粒子が混
在する事になる。このような組成の不均一は、製造ロフ
ト間のバラツキの原因となり、電子写真特性の不安定さ
をもたらすものである。また、粒径の大きい硫化カドミ
ウム粒、子とセレン化カドミウム粒子とが固溶した部分
では、10ミクロン以上の粒径をもつ硫セレン化カドミ
ウム粒子が生じてしまう。
この様な粗大粒子を多数含むCd5Seを用いて作成さ
れる感光体社、その表面状態が劣悪となり、その結果得
られる画像はガサつきが激しく解像力も不十分となる。
また、さらにCause層上に絶縁層を設ける感光体の
場合には、絶縁層のCause層へのしみ込み等がおこ
り、良好な感光体を得ることが困難となる。
而して本発明は、このような従来方法の欠点を解決する
ものでおり、 1)きわめて均一な組成をもち、 2)解像性、塗工性に優れ、 3)電子写真特性の製造Cシト間再現性が良く、4)く
り返しの電子写真プロセスによる劣化が少なく、感度の
良−好な、 特性を有する光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法
を提供することを目的とする。
本発明によるCauseの製造方法はカドミウム塩の水
溶液ic Na2Sと(NH4)28θ03を同時に投
入してなるCdS粒子とCaSe粒子の九合物を焼成す
ることを特徴とするものである。
本発明において使用される水溶性のカドミウム塩は、C
aCl2. CaSO4,Ca(NO3)2. C(1
3(PO2)21Qi2P20□。
Ca(BO,)2. Cd(Br03)2. CaBr
2. C+aC○s 、 Ca((JOa)z 。
CaI2  などの無機塩類と酢酸カドミウム、シュウ
酸カドミウムなどの有機塩類である。該水溶性カドミウ
ム塩類から選はれるーないし二種類以上の水溶性カドミ
ウム塩の水溶液を攪拌しながら皿上2 moil/lが
好ましい。該水溶液のPHti5以下の酸性で反応温度
は95℃以下、特には50〜70℃が好ましい。全反応
時間は、亜セレン酸アンモニウム水溶液と硫化ナトリウ
ム水溶液の投入速度によって決定されるが、生産性の点
から1〜3時間で反応が終了する事が好ましい。このよ
うにして沈澱生成したGasとCaSeの混合物を純水
で洗浄した後に濾過、脱水し、乾燥する。乾燥は250
℃以下で5〜20時間行なう0次いで、乾燥した該Cd
SとCaSeの混合物を石英ルツボに入れて焼成固溶体
化し光導電性のCause t−得る。焼成温度は。
350〜600℃、特には400〜500℃が好ましい
350℃以下では、固溶体化反応が不充分となる。
600℃以上では、生成するCa5Sθ粒子の焼結が強
くなり、感光体化するときの塗工性、塗面性が著しく悪
くなる。焼成時間は10分〜3時間、特には30分〜2
時間が好ましい010分以下では、固溶体化反応が不充
分となる。3時間以上の焼成では、Ca5Sθ粒子の焼
結が強くなり好ましくない。
このようにして製造したCd5Seを更に結晶性を向上
させるために再度焼成すること本有効である。
このときの焼成温度は400〜500℃、焼成時間は3
0分〜2時間が好ましい。
実施例1 CaSe4を7.5 mail 、濃硫酸(98%)を
11、CuSO4を11..5 X 1O−3TrL0
1を脱イオン蒸留水ニ溶解し、全g、素を14/にする
。該調合液を70℃に保ち、攪拌しながら(NH4) 
2Sθ03の30チ水溶液を毎分11.8yg/の速度
で投入する。同時にNa2Sの151鍛チ水溶液を毎分
25.6gの速度で投入する。
(NHa)2 Se Oaの投入は85分間、Na2S
 17)投入は90分間継続する。その後、反応溶液を
70℃で攪拌しながら20分間放置し、次いで、攪拌を
停止して60分間静置する。
次に上澄み液を排出し、脱イオン蒸留水151!を加え
、15分間攪拌する0その後、攪拌を停止して30分間
静置する。上澄み液を排出し、新規の脱イオン蒸留水1
5/を加える。この洗浄工程を合計で5回くり返した後
に沈澱を濾過脱水し、150℃で12時間乾燥した。次
に乾燥粒子を石英ルツボに充填し450℃で30分間焼
成した。
とのCa5Sθの粒子を塩化ビニル/酢酸ビニル共重合
体中に分散させた後、アルミニウム基板上に40μmの
厚さに塗布乾燥させて得た感光板に15μm厚のポリエ
ステルフィルムを貼りつけ三層構成の感光板を得たとこ
ろ、表面が非常に平滑であった。
この感光板に一次帯電、次いで光像露光、AC除電、次
いで全面露光の高速電子写真プロセスを適用し7mmで
あった。この感光板を温度65℃、湿度85チの高温、
高湿中に24時間放置後、再び複写機において画像出し
を行なった結果、明暗部のコントラストの低下および感
度の低下も認められず、良質の画像が得られた0また、
温度5℃、湿度10%の低温低湿雰囲気におかれた複写
機中に、この感光板を12時間放置後、暗部電位を測定
したところ、1枚目が560V、500枚目520■と
その差はほとんど無い。また5℃と50℃において測定
した電位コントラストの変化は30Vと小さかった。更
に、温度23℃、湿度55%の雰囲気で複写機実根を用
いてA3サイズ5万枚の耐久テストをしたところ電位コ
ントラストの低下は40Vで、侵れた安定性を示しだ。
また、同一の処方で、沈設形成を6回行ない、製造ロフ
ト再現性を検討したところ、上記の各測定項目の数値は
、測定誤差の範囲内にあり、極めて優れた再現性をもっ
ていること妙−わかった。
実施例2 CaCi12を10rILol、濃硫酸(98%)を0
.51を脱イオン蒸留水に溶解し、全液量を14A’に
する0該円合液を65℃に保ち攪拌しながら(NH4)
23θ03060%水溶液を毎分4.2malの速度で
投入する。
同時にNa2Sの15重量%水溶液を毎分55gの速度
で投入する。 (NH4)28θ030投入は80分間
、Na2Sの投入は85分間継続する0その後反応溶液
を65℃で撹拌しながら60分間放置し、次いで撹拌を
停止して60分間靜装する0次いで実施例1と同様の方
法で脱イオン蒸留水により5回洗浄した後に濾過、脱水
し、200℃で10時間乾燥した。次に、該乾燥粒子の
C+aに対しCuC!!2をモル比5X10−’モル添
加した後に石英ルツダに充填し、500℃で30分間焼
成した。次にこの焼成したものを洗浄、乾燥しCd5S
eを単離する。このcassθ粒子を石英ルツボに充填
し、430℃で60分間焼成しノζ0 その後、実施例1と同様の工程により得られたCaus
e粒子を感光体化して評価したところ実施例1と同様の
良好な結果を得た。
−4“

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Lカド°ミウム塩水溶液に硫化ナトリウムと亜セレシ酸
    アンモニウムを同時に加えて得られる硫化カドミウムと
    セレン化カドミウムの混合物ヲ焼成することを特徴とす
    る光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法。
JP10036082A 1982-06-10 1982-06-10 光導電性硫セレン化カドミウムの製造方法 Pending JPS58217409A (ja)

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