JPS58211700A - 単色Ｘ線またはγ線線束発生装置 - Google Patents
単色Ｘ線またはγ線線束発生装置Info
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- JPS58211700A JPS58211700A JP9458182A JP9458182A JPS58211700A JP S58211700 A JPS58211700 A JP S58211700A JP 9458182 A JP9458182 A JP 9458182A JP 9458182 A JP9458182 A JP 9458182A JP S58211700 A JPS58211700 A JP S58211700A
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- Japan
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- ray
- rays
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- Measurement Of Radiation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
する。更に詳しくは放射性同位元素およびＸ線まだはγ
線の全反射現象を利用した単色Ｘ線またはｒ線線束発生
装置に関する。
線の全反射現象を利用した単色Ｘ線またはｒ線線束発生
装置に関する。
Ｘ線またはγ線線束は各種理科学実映用計測器。
カメラおよび照射装置に広く利用されている。
従来の単色ｘｍまだはγ線線束発生装置においては、例
えば従来のＸ線発生装置は、真空中で所定の電圧で加速
した電子を金属製の対陰極に衝突させて、その除虫ずる
制動輻射および特性Ｘ線をベリリウム窓から大気中に取
出す方式になっている０ このような電子線照射を用いたＸ線発生装置では、大掛
りな高電圧発生装置を必要とする」二、Ｘ 一 、１発生部もＸ線の発生と同時に発生する多散の熱、ｊ 用する計測器，カメラ，照射装置等の設計の自由度を著
しく低減させると共にその保守も煩雑となる欠点があっ
た。まだ、この装置で得られるＸＩ％！け、比較的単色
な特性Ｘ線に、制動輻射による広い波長範囲の白色Ｘ線
が重畳している。そのため、Ｘ線を単色化するだめには
、ｍ色代機構、例えばβ−フィルターあるいは結晶単色
器等を設けることが必要であり、特により高い中色化度
を要求貞るばかりでなく、装置全体も複雑となる欠点が
ある。
えば従来のＸ線発生装置は、真空中で所定の電圧で加速
した電子を金属製の対陰極に衝突させて、その除虫ずる
制動輻射および特性Ｘ線をベリリウム窓から大気中に取
出す方式になっている０ このような電子線照射を用いたＸ線発生装置では、大掛
りな高電圧発生装置を必要とする」二、Ｘ 一 、１発生部もＸ線の発生と同時に発生する多散の熱、ｊ 用する計測器，カメラ，照射装置等の設計の自由度を著
しく低減させると共にその保守も煩雑となる欠点があっ
た。まだ、この装置で得られるＸＩ％！け、比較的単色
な特性Ｘ線に、制動輻射による広い波長範囲の白色Ｘ線
が重畳している。そのため、Ｘ線を単色化するだめには
、ｍ色代機構、例えばβ−フィルターあるいは結晶単色
器等を設けることが必要であり、特により高い中色化度
を要求貞るばかりでなく、装置全体も複雑となる欠点が
ある。
本発明は、従来のＸ線またはｒ線発生装置における欠点
を解消し、全く異った原理により、本質的に晰色のＸ線
棟たけγ線線束発生装置を提供するにある。
を解消し、全く異った原理により、本質的に晰色のＸ線
棟たけγ線線束発生装置を提供するにある。
本発明のＸ線またはγ線（以下Ｘ＠と略記する）・線束
発生装置の実施態様を図面に基い工、以下説明する。
発生装置の実施態様を図面に基い工、以下説明する。
電
図面は本発明Ｘ線束発生装置の断面図である。
図中、ｌは保護さや頭部のネジ、コは本発明のＸ＃ｉｌ
線東発生装−な他の装置に取付けるだめのアダプター、
３．’ｌはボルト、ｊはＸ線発生源、乙は保護さや、７
はＸ線導管、ｌはシャッターを示す。
線東発生装−な他の装置に取付けるだめのアダプター、
３．’ｌはボルト、ｊはＸ線発生源、乙は保護さや、７
はＸ線導管、ｌはシャッターを示す。
放射性同位元素のうち１００ ＫｅＶ以下のエネルギー
をａするＸ線またはｒ紳を放射する核種を、Ｘ線発生１
ｆ（ｆ ３として使用し、これをＸ、＋ｉＩ導Ｗ７内の
一端に固定する。Ｘ線発生源ｊの形状は図面にお（例え
ば中空円筒状）のものが使用される。この形状がよい理
由は以下に述べる。
をａするＸ線またはｒ紳を放射する核種を、Ｘ線発生１
ｆ（ｆ ３として使用し、これをＸ、＋ｉＩ導Ｗ７内の
一端に固定する。Ｘ線発生源ｊの形状は図面にお（例え
ば中空円筒状）のものが使用される。この形状がよい理
由は以下に述べる。
このＸ＋１１発生源ｊの内部で放射崩壊により発生した
Ｘｆｓは、その表面から放射される以前に、内部で自己
吸収を生じ、その強度を減する。従って、等最の放射性
同位元素を使用する場合、その材料の強度の許す限り、
表面積が大きいほど有効で薄有効ではない。Ｘ線発生源
が軒・針・または中空円筒状であれば図に示す如く、Ｘ
線全反射により、ＸＩ％！源Ｏ゛各部（図中、ａ、ｂ、
ｃ点）から発したＸ線はすべて同様に射出されるので、
表面積を大きくし、かつ、礫的側から見てＸｒＩ源を巨
大化しないで済む。釘、針および中空円筒状の好ましい
所以である。Ｘ線導管７は、Ｘ線発生源Ｓがら発生した
Ｘ線をその内壁で全反射させるものであり、が必要であ
る。そしてその材質は、全反射臨界角Ｑ５ｏがＸ線の波
長とＸ線導管の内壁の表面の密度の平方根に比例するの
で、密度の大きいもの程有効である。例えば金メッキし
たパイレックスガラスが使用される。
Ｘｆｓは、その表面から放射される以前に、内部で自己
吸収を生じ、その強度を減する。従って、等最の放射性
同位元素を使用する場合、その材料の強度の許す限り、
表面積が大きいほど有効で薄有効ではない。Ｘ線発生源
が軒・針・または中空円筒状であれば図に示す如く、Ｘ
線全反射により、ＸＩ％！源Ｏ゛各部（図中、ａ、ｂ、
ｃ点）から発したＸ線はすべて同様に射出されるので、
表面積を大きくし、かつ、礫的側から見てＸｒＩ源を巨
大化しないで済む。釘、針および中空円筒状の好ましい
所以である。Ｘ線導管７は、Ｘ線発生源Ｓがら発生した
Ｘ線をその内壁で全反射させるものであり、が必要であ
る。そしてその材質は、全反射臨界角Ｑ５ｏがＸ線の波
長とＸ線導管の内壁の表面の密度の平方根に比例するの
で、密度の大きいもの程有効である。例えば金メッキし
たパイレックスガラスが使用される。
該ｘｇ導管７の全長をｔｔｖｍ、その内径をφ鱈、全反
射臨界角をＱ。ラジアン、ｘｍ発生源の釘。
射臨界角をＱ。ラジアン、ｘｍ発生源の釘。
針ま′たは薄い円筒の長さをｌＩ！ｌとしたとき、Ｘ＃
ｉ！発生源が釘または針の場合は、 ｌｔ’Ｌ １８４ φ／２Ｑ、。
ｉ！発生源が釘または針の場合は、 ｌｔ’Ｌ １８４ φ／２Ｑ、。
Ｘ線発生源が薄い円筒の場合は、
ｔｔ”： ｔＲ＋φ／Ｑｃ
の関係にあるときが酸も効率がよい。なぜなら、Ｘ １
４の全反射における反射率は、原理的に１００％ではな
いので、反射の回数毎にＸ＠の強度を減じ、従って、反
射の回数は少ないかがよい。Ｘ線源の各部（図中ａ、ｂ
、ｃで例示）から発したＸ線が全反射を利用して、射出
口に導かれ、かつ、最小の反射回数である条件は、ＸＩ
％！源の先端（図中の）から発したＸｆＲが／回反射を
生ずる条件即ち上記２式で示される長さと管径と全反射
臨界角の関係される全てのＸ線のうち、Ｘ線が密度のよ
り高いＸＭは、その表面で図の軌跡細線で示すように全
Ｉ！ 反射されるので、ＸＭはＸ線導管７の内壁で反射される
か、あるいは直接Ｘ線導管の他端から、これが型費して
射出される。しかも、これらのＸ線はＱ。（一般に／Ｘ
／θ−２〜／ Ｘ １０ ’ラジアン）程度しか広がら
ず、ｔｘｎ平行なＸ線束として得られる。すなわち、Ｘ
線発生源の全表面から放射するＱｃの角度範囲のＸ線が
、実際上はＸ線＊＊の断面積から放射されると等しくな
る。
４の全反射における反射率は、原理的に１００％ではな
いので、反射の回数毎にＸ＠の強度を減じ、従って、反
射の回数は少ないかがよい。Ｘ線源の各部（図中ａ、ｂ
、ｃで例示）から発したＸ線が全反射を利用して、射出
口に導かれ、かつ、最小の反射回数である条件は、ＸＩ
％！源の先端（図中の）から発したＸｆＲが／回反射を
生ずる条件即ち上記２式で示される長さと管径と全反射
臨界角の関係される全てのＸ線のうち、Ｘ線が密度のよ
り高いＸＭは、その表面で図の軌跡細線で示すように全
Ｉ！ 反射されるので、ＸＭはＸ線導管７の内壁で反射される
か、あるいは直接Ｘ線導管の他端から、これが型費して
射出される。しかも、これらのＸ線はＱ。（一般に／Ｘ
／θ−２〜／ Ｘ １０ ’ラジアン）程度しか広がら
ず、ｔｘｎ平行なＸ線束として得られる。すなわち、Ｘ
線発生源の全表面から放射するＱｃの角度範囲のＸ線が
、実際上はＸ線＊＊の断面積から放射されると等しくな
る。
本発明の装置においては、放射性同位元素の同−Ｈ種か
ら同時に放射される他のエネルギーのＸ線４たけｒ線が
ある場合、また、Ｘ線発生源より放射したＸ線で、全反
射臨界角より高い角度でＸ線導管７に入射すると、Ｘ線
導管の管壁内部に侵入し、その７部は透過するので、こ
れらの放射線を防ぐためＫ、保護さやｔを、Ｘ線導管７
の外周に設ける。その保護さやの厚さは、十分Ｘ線等を
吸収し遮蔽する厚さであり、その材質も選定することが
必要である。一般に高エネルギーのＸ線はど吸収され難
く、また原子番号の大きな物質はど吸収能は高い。鉛の
金属を使用するのが効果的であるが、個々の場合につい
ては、前記のことを考慮して決定すればよい。
ら同時に放射される他のエネルギーのＸ線４たけｒ線が
ある場合、また、Ｘ線発生源より放射したＸ線で、全反
射臨界角より高い角度でＸ線導管７に入射すると、Ｘ線
導管の管壁内部に侵入し、その７部は透過するので、こ
れらの放射線を防ぐためＫ、保護さやｔを、Ｘ線導管７
の外周に設ける。その保護さやの厚さは、十分Ｘ線等を
吸収し遮蔽する厚さであり、その材質も選定することが
必要である。一般に高エネルギーのＸ線はど吸収され難
く、また原子番号の大きな物質はど吸収能は高い。鉛の
金属を使用するのが効果的であるが、個々の場合につい
ては、前記のことを考慮して決定すればよい。
本発明の明色Ｘ線またはｒ紳線束発生装置によると、従
来のＸ線発生装置におけるような大損９な高電圧発生装
置、冷却装置ならびにＸ線単色化装置を必要としないの
で、装置が小型化、簡易となり、また他の計測器、カメ
ラ、照射装置への取付けも容易となる等、従来のＸＮ発
生装置における欠点を解消し得られる。更に、Ｘ＃ｉ！
発生源を釘状、針状または中空筒状としたため、少鼠の
核種で多量のＸ線を放射し得られ、その全放射されたＸ
線を内側断面が円形・楕円形または多角形のＸ線中空導
管の内壁鏡面により全反射させて平行収束するだめ、微
小Ｘ線発生源から強度の大きいＸ線が得られる優れた効
果を有する。
来のＸ線発生装置におけるような大損９な高電圧発生装
置、冷却装置ならびにＸ線単色化装置を必要としないの
で、装置が小型化、簡易となり、また他の計測器、カメ
ラ、照射装置への取付けも容易となる等、従来のＸＮ発
生装置における欠点を解消し得られる。更に、Ｘ＃ｉ！
発生源を釘状、針状または中空筒状としたため、少鼠の
核種で多量のＸ線を放射し得られ、その全放射されたＸ
線を内側断面が円形・楕円形または多角形のＸ線中空導
管の内壁鏡面により全反射させて平行収束するだめ、微
小Ｘ線発生源から強度の大きいＸ線が得られる優れた効
果を有する。
図面は本発明の一実施態様であるｘＦＡ紳束発生装置の
断面図である。 一、／、：保護さや頭部のネジ１ 、（ ｊ：Ｘ線発生源、 ６：保護さや、７：Ｘ線導管、
ｇ：シャッター。
断面図である。 一、／、：保護さや頭部のネジ１ 、（ ｊ：Ｘ線発生源、 ６：保護さや、７：Ｘ線導管、
ｇ：シャッター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ ＸＩ％！まだはγ線を放射する同位元素を、内イ
ψり断面が円、楕円、まだは多角形で、その内壁面を鏡
面に仕上げた中空細管よりなるＸ線まだはγ線溝管内の
一端に固定し、該導管の外周をＸ線まだはγ線を遮断す
る保護さやで被覆しだことを特徴とする単色Ｘ線または
γｉ線線束発生装置。 ２、・ 同位元素を釘状、針状または中空円筒状に形成
せしめたものからなる特許請求の範囲第１項記載の単色
Ｘ線またはγ線線束発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9458182A JPS58211700A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 単色Ｘ線またはγ線線束発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9458182A JPS58211700A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 単色Ｘ線またはγ線線束発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58211700A true JPS58211700A (ja) | 1983-12-09 |
| JPH0123079B2 JPH0123079B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=14114237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9458182A Granted JPS58211700A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 単色Ｘ線またはγ線線束発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58211700A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4997584A (ja) * | 1972-12-05 | 1974-09-14 |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP9458182A patent/JPS58211700A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4997584A (ja) * | 1972-12-05 | 1974-09-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0123079B2 (ja) | 1989-04-28 |
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