JPS5820553U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS5820553U
JPS5820553U JP11479981U JP11479981U JPS5820553U JP S5820553 U JPS5820553 U JP S5820553U JP 11479981 U JP11479981 U JP 11479981U JP 11479981 U JP11479981 U JP 11479981U JP S5820553 U JPS5820553 U JP S5820553U
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
photodiode
light
laser equipment
laser device
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Application number
JP11479981U
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English (en)
Inventor
英司 山口
俊雄 手塚
Original Assignee
フオスタ−電機株式会社
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の断面図、第２図は本考案に係る半導
体レーザ装置の一実施例を示す断面図、第３図は第２図
装置に用いるモニタ用フォトダイオードの構晟図、第４
図は第３図のフォトダイオードの接続を示す電気回路図
である。 １・・・キャン、２・・・カバーガラス、３・・・半導
体レーザ、７・・・モニタ用フォトダイオード、Ｄｌ、
Ｄ２・・・フォトダイオード。　−

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光出力モニタ用のフォトダイオードが同一キャン内に組
    込まれた半導体レーザ装置において、前記モニタ用フォ
    トダイオードとして、少くとも受光面の一部に光が当た
    らないよう−にした第１のフォトダイオードと、受光面
    の全部に光が当たるようにした第２のフォトダイオード
    とを差動接続構成にしたものを用いたことを特徴とする
    半導体レーザ装置。
JP11479981U 1981-07-31 1981-07-31 半導体レ−ザ装置 Pending JPS5820553U (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558006A (en) * 1978-06-30 1980-01-21 Hitachi Ltd Semi-conductor laser output stabilizing method and device therefore

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558006A (en) * 1978-06-30 1980-01-21 Hitachi Ltd Semi-conductor laser output stabilizing method and device therefore

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