JPS5819877Y2 - Tuner device - Google Patents

Tuner device

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JPS5819877Y2
JPS5819877Y2 JP12337378U JP12337378U JPS5819877Y2 JP S5819877 Y2 JPS5819877 Y2 JP S5819877Y2 JP 12337378 U JP12337378 U JP 12337378U JP 12337378 U JP12337378 U JP 12337378U JP S5819877 Y2 JPS5819877 Y2 JP S5819877Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
thick film
film capacitor
capacitor
tuner device
electrode layer
Prior art date
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Expired
Application number
JP12337378U
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Japanese (ja)
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JPS5539791U (en
Inventor
居相邦彦
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はテレビジョン受像機等のチューナ装置に関する
ものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a tuner device for a television receiver or the like.

可変容量ダイオードを同調素子として用いたバラクタ−
チューナで厚膜ノ・イブリッド形式のチューナ装置では
、第1図及び第2図に示すようにシールド容器1を形成
するプレート2に電源電圧直流電圧供給用のピン3及び
その他のラッパーピン4を孔13,14を通して貫通さ
せてチューナ装置の内部と外部を接続する端子とすると
共に、これらのピン3,4を前記プレート2に接触しな
いように絶縁板5で位置規制し、且つ前記ピン3゜4を
容器1の内部においてL字状部分を有するよう予め形成
しておいてこのL字状部分の先端をセラミック基板6に
穿設した孔7,8に貫通せしめて半田9付けすると共に
前記ピン3,4を通L7て外部に高周波信号が漏洩する
のを阻止するための高誘電率の厚膜コンデンサ10を形
成している。
Varactor using a variable capacitance diode as a tuning element
In a thick film hybrid type tuner device, as shown in FIGS. 1 and 2, a pin 3 for supplying a power supply voltage and other wrapper pins 4 are formed in a plate 2 forming a shield container 1. 13 and 14 to serve as terminals for connecting the inside and outside of the tuner device, the positions of these pins 3 and 4 are restricted by an insulating plate 5 so that they do not come into contact with the plate 2, and the pins 3 and 4 are is formed in advance to have an L-shaped portion inside the container 1, and the tip of this L-shaped portion is passed through the holes 7 and 8 formed in the ceramic substrate 6, and soldered 9 is attached to the pin 3. , 4 to form a thick film capacitor 10 with a high dielectric constant to prevent high frequency signals from leaking to the outside through L7.

即ち、セラミック基板6にはコイル11やディスクリー
トコンデンサ12等が取り付けられるが、これらの電子
部品が取り付けられている面6bとは反対側の半田付は
面6aにおいて電極層15゜16とその間に形成された
高誘電率の誘電体層11及び耐湿性に優れた物質を主成
分とする保護膜層18,19からなる高誘電率の厚膜コ
ンデンサ10を形成し、このコンデンサ10を半田9゜
20によってピン3と前記プレート2〔このプレートは
アース電位に保持されている〕とに接続し高周波信号を
厚膜コンデンサ10によってアース点にバイパスするも
のである。
That is, a coil 11, a discrete capacitor 12, etc. are attached to the ceramic substrate 6, and the soldering on the side opposite to the surface 6b on which these electronic components are attached is formed between the electrode layer 15 and the electrode layer 16 on the surface 6a. A thick film capacitor 10 with a high dielectric constant is formed by a dielectric layer 11 with a high dielectric constant and protective film layers 18 and 19 mainly composed of a material with excellent moisture resistance. is connected to pin 3 and said plate 2 (which is held at ground potential) by means of a thick film capacitor 10 to bypass the high frequency signal to the ground point.

尚、この構成は電源電圧供給用のピン3だけでなく他の
ラッパーピン4に関しても必要に応じて同様にとられて
いることはいう昔でもない。
It should be noted that this configuration has been adopted not only for the power supply voltage supply pin 3 but also for other wrapper pins 4 as needed.

ところでとの厚膜コンデンサ10は周波数特性をもちV
HFの如く比較的低い周波数では1000pF程度の容
量値をもって高周波除去用フィルタとしての役割を果す
が、UHFの高い方の周波数、即ち数百MHz乃至これ
以上の周波数では容量としてよりはインダクタンスとし
て作用する傾向にあり従って所期の目的を達成しえない
By the way, the thick film capacitor 10 has a frequency characteristic of V
At relatively low frequencies such as HF, it has a capacitance value of about 1000 pF and serves as a high frequency removal filter, but at higher frequencies of UHF, that is, frequencies of several hundred MHz or more, it acts more as an inductance than as a capacitance. It tends to be difficult to achieve the intended purpose.

このためプレート2の貫通孔13.14の1わりに別の
セラミック基板によってコンデンサを形成することも考
えられるが、そのように別のセラミック基板を追加する
ことは前記回路基板としてのセラミック基板6に厚膜コ
ンデンサ10を形成する意義を著しく消失させ妥当でな
い。
For this reason, it is possible to form a capacitor using another ceramic substrate instead of one of the through holes 13 and 14 of the plate 2, but adding another ceramic substrate in this way increases the thickness of the ceramic substrate 6 as the circuit board. The significance of forming the membrane capacitor 10 is significantly lost and it is not appropriate.

本考案は斯る点に鑑み前記厚膜コンデンサの意義を生か
しつつ上述の如き高い周波数域での欠点を補償するよう
に工夫したチューナ装置を提案するものであるっ 以下図面の実施例に従って本考案を詳述する。
In view of this, the present invention proposes a tuner device devised to take advantage of the significance of the thick film capacitor and compensate for the drawbacks in the high frequency range as described above. details.

尚、本考案を実施した第3図〜第5図において、第1図
及び第2図と同一のものには同様の記号を付して説明の
便宜をはかる。
In FIGS. 3 to 5, in which the present invention is implemented, the same parts as in FIGS. 1 and 2 are given the same symbols for convenience of explanation.

本考案に釦いて特徴とするところはセラミック基板6の
半田付面6a上に電極層16と、高誘電率の誘電体層1
7と、その上に対向電極層15及び保護膜層18,19
によって高誘電率の厚膜コンデンサ10を形成すると共
に前記厚膜コンデンサ10の電極層16に対応するセラ
ミック基板6の他面6b、即ち部品載置側の面に電極層
21を設けて前記電極層16,21とセラミック基板6
とによって前記高誘電率の厚膜コンデンサ10に対し電
気的に並列に小容量の補助用コンデンサ22を設けたと
ころにある。
The key features of the present invention are that an electrode layer 16 and a high dielectric constant dielectric layer 1 are provided on the soldering surface 6a of the ceramic substrate 6.
7, and a counter electrode layer 15 and protective film layers 18 and 19 thereon.
A thick film capacitor 10 with a high dielectric constant is formed by forming the thick film capacitor 10 with a high dielectric constant, and an electrode layer 21 is provided on the other surface 6b of the ceramic substrate 6 corresponding to the electrode layer 16 of the thick film capacitor 10, that is, the surface on the component mounting side. 16, 21 and ceramic substrate 6
Therefore, a small capacity auxiliary capacitor 22 is provided electrically in parallel with the high dielectric constant thick film capacitor 10.

前記セラミック基板として0.6 %アルミニウム入り
セラミック基板でその厚さがQ、8順の場合、電極層1
6,21としてバラディラム銀糸の材料(デュポン社9
061)を使用すると、単位面積当り約0.2pF/7
の容量が得られる。
If the ceramic substrate is a ceramic substrate containing 0.6% aluminum and its thickness is in the order of Q, 8, the electrode layer 1
6, 21 is the material of Baladylum silver thread (DuPont Co. 9
061), approximately 0.2 pF/7 per unit area
capacity is obtained.

電極層21をアースする場合、第4図の如く厚膜コンデ
ンサ10を形成するのにホット側電極層16を基板6に
接触するように作り、アース側電極層15を上に配する
ようにすることによって第5図に斜線A、Bで示すよう
に補助コンデンサ22の電極対向面積を広げることがで
き、この容量は数pFになるので極めて良好な高周波除
去フィルタとしての機能を有することになる。
When the electrode layer 21 is grounded, the hot side electrode layer 16 is made in contact with the substrate 6 to form the thick film capacitor 10 as shown in FIG. 4, and the ground side electrode layer 15 is placed on top. As a result, the area of the auxiliary capacitor 22 facing the electrodes can be increased as shown by diagonal lines A and B in FIG. 5, and since this capacitance is several pF, it functions as an extremely good high frequency removal filter.

もし第1図の厚膜コンデンサ10のようにアース側電極
層15を基板6に接触せしめてホット側電極層16をそ
の上に設けるようにすると第5図のB部分については補
助コンデンサ22は形成されず容量が小さくなる。
If the ground side electrode layer 15 is brought into contact with the substrate 6 and the hot side electrode layer 16 is provided thereon as in the thick film capacitor 10 shown in FIG. capacity will be reduced.

尚、第5図でB部分は高誘電率の厚膜コンデンサ10部
分をも同時に示している。
Note that in FIG. 5, part B also shows the part of the high dielectric constant thick film capacitor 10.

前記補助用のコンデンサ22は前記セラミック基板6上
において前記高誘電率の厚膜コンデンサ10と対応する
位置にのみ即ちB部分のみに形成してもよいが、第5図
図示のAの如くピン3の1わりにも形成した場合にはピ
ン3のセラミック基板6との平行部分の長短に拘わらず
その高周波除去効果が良好であることが確められた。
The auxiliary capacitor 22 may be formed on the ceramic substrate 6 only at a position corresponding to the high dielectric constant thick film capacitor 10, that is, only at a portion B. However, as shown in A in FIG. It was confirmed that the high frequency removal effect is good when the pin 3 is formed to have a diameter smaller than 1, regardless of the length of the parallel portion of the pin 3 with the ceramic substrate 6.

前記補助用のコンデンサ22を形成する電極層21はプ
レート2に半田23付けされることはいうまでもない。
It goes without saying that the electrode layer 21 forming the auxiliary capacitor 22 is soldered 23 to the plate 2.

叙上の通り本考案によればチューナの受信周波数の高周
波帯域においても高周波信号除去作用が好適に行なわれ
るので、極めて有効である。
As mentioned above, according to the present invention, the high frequency signal removal effect is suitably performed even in the high frequency band of the reception frequency of the tuner, so that it is extremely effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のチューナ装置の要部斜視図であり、第2
図は更にその要部を拡大して示す断面図である。 第3図は本考案を実施したチューナ装置の要部斜視図で
あり、第4図は更にその要部を拡大して示す断面図、そ
して第5図はその説明図である。 1・・・・・・シールド容器、2・・・・・・プレート
、3・・・・・・電源電圧供給用ピン、6・・・・・・
セラミック基板、6a・・・・・・半田付は面、6b・
・・・・・部品載置面(他面)、9・・・・・・半田、
10・・・・・・高誘電率の厚膜コンデンサ、16.2
1・・・・・・電極。
FIG. 1 is a perspective view of the main parts of a conventional tuner device.
The figure is an enlarged sectional view of the main part. FIG. 3 is a perspective view of a main part of a tuner device embodying the present invention, FIG. 4 is a sectional view showing the main part in an enlarged manner, and FIG. 5 is an explanatory view thereof. 1... Shield container, 2... Plate, 3... Power voltage supply pin, 6...
Ceramic board, 6a...Soldering is on the surface, 6b...
...Component mounting surface (other side), 9...Solder,
10...High dielectric constant thick film capacitor, 16.2
1... Electrode.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] シールド容器内に組み込lれたチューナ回路に直流電圧
を供給するピンを前記容器内に配置された回路基板に設
けた孔に貫通せしめて半田付すると共に、この半田付側
の面に釦いて前記半田付は部分と容器との間に高周波除
去用の厚膜コンデンサを形成したチューナ装置において
、前記厚膜コンデンサを形成するための前記基板面に設
けられた電極と、前記基板と、前記基板の他面に設けた
電極とによって補助用コンデンサを前記厚膜コンデンサ
に対し電気的に並列に形成したことを特徴とするチュー
ナ装置。
A pin for supplying DC voltage to a tuner circuit built into the shield container is passed through a hole provided in a circuit board disposed in the container and soldered thereto, and a button is attached to the soldering side surface. In a tuner device in which a thick film capacitor for high frequency removal is formed between a part and a container, the soldering is performed by connecting an electrode provided on the substrate surface for forming the thick film capacitor, the substrate, and the substrate. A tuner device characterized in that an auxiliary capacitor is formed electrically in parallel with the thick film capacitor by an electrode provided on the other surface.
JP12337378U 1978-09-06 1978-09-06 Tuner device Expired JPS5819877Y2 (en)

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JPS5539791U JPS5539791U (en) 1980-03-14
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6068023U (en) * 1983-10-14 1985-05-14 近幾印刷株式会社 Container with sealing device
JPH0211048U (en) * 1988-07-04 1990-01-24

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