JPS5819468A - ニツケル被膜の形成方法 - Google Patents
ニツケル被膜の形成方法Info
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- JPS5819468A JPS5819468A JP11702781A JP11702781A JPS5819468A JP S5819468 A JPS5819468 A JP S5819468A JP 11702781 A JP11702781 A JP 11702781A JP 11702781 A JP11702781 A JP 11702781A JP S5819468 A JPS5819468 A JP S5819468A
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- salt
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- diethylenetriamine
- nickel salt
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無電解メッキ法によりニッケル破膜を形成する
方法に関するものである。
方法に関するものである。
ガラス板表面に銀、金、ニッケル、アルミニウムなどの
金楓の薄い透明乃至半透明の被膜を設け、太陽光線ある
いは輻射光線中の熱線部を反射し速断する様にしたガラ
ス板は、熱線反射ガラス板として知られ、建造用、交通
車輌あるいは各種装置器具に単板ガラスとして、あるい
は複層ガラスとして、あるいは合せガラスとして使用さ
れている。かかる金属被覆ガラス板の中で、ニッケル被
膜を形成したガラス板は、熱線反射性能が高いとともに
耐久性が他の金属被膜に比べ高く、しかも中性灰色の透
過色調を有しているため、熱線反射ガラスとして優れた
ものの一つである。かかるガラスのニッケル被膜は、通
常、ガラス板表面に真空蒸着法、スパッタリング法又は
無電解メッキ法などによって形成される。中でもガラス
表面にニッケル塩と還元剤とを適用し、ニッケル塩を化
学的に還元してガラス板面上にニッケル被膜を析出させ
る無電解メッキ法は、常温で被膜を形成することができ
、又被膜形成時間も低く生産性が高く、更に真空蒸看法
やスパッタリング法の様に高価な装置を必要とせず簡単
に被膜を形成することができるという利点を有している
。しかしながらかかる方法は析出速度の調節や、所望の
膜厚あるいは均一な膜厚を得ることが困難で、色ムラが
生じたりする欠点があり、又ピンホールが生じたり、均
質かつ緻密な膜ができにくいという欠点があった。
金楓の薄い透明乃至半透明の被膜を設け、太陽光線ある
いは輻射光線中の熱線部を反射し速断する様にしたガラ
ス板は、熱線反射ガラス板として知られ、建造用、交通
車輌あるいは各種装置器具に単板ガラスとして、あるい
は複層ガラスとして、あるいは合せガラスとして使用さ
れている。かかる金属被覆ガラス板の中で、ニッケル被
膜を形成したガラス板は、熱線反射性能が高いとともに
耐久性が他の金属被膜に比べ高く、しかも中性灰色の透
過色調を有しているため、熱線反射ガラスとして優れた
ものの一つである。かかるガラスのニッケル被膜は、通
常、ガラス板表面に真空蒸着法、スパッタリング法又は
無電解メッキ法などによって形成される。中でもガラス
表面にニッケル塩と還元剤とを適用し、ニッケル塩を化
学的に還元してガラス板面上にニッケル被膜を析出させ
る無電解メッキ法は、常温で被膜を形成することができ
、又被膜形成時間も低く生産性が高く、更に真空蒸看法
やスパッタリング法の様に高価な装置を必要とせず簡単
に被膜を形成することができるという利点を有している
。しかしながらかかる方法は析出速度の調節や、所望の
膜厚あるいは均一な膜厚を得ることが困難で、色ムラが
生じたりする欠点があり、又ピンホールが生じたり、均
質かつ緻密な膜ができにくいという欠点があった。
本発明は、無電解メッキ法により上記した欠゛点のない
高性能なニッケル被膜を形成する方法を提供することを
目的とするものである。
高性能なニッケル被膜を形成する方法を提供することを
目的とするものである。
本発明はかかる目的に基づいて研究の結果、発明された
ものであり、その要旨はニッケル塩及び該ニッケル塩を
還元する還元剤とを基体上に適用して上記ニッケル塩を
化学的に還元してニッケル被膜を形成する方法において
、ニッケル塩を化学的に還元させる際にジ・エチレント
リアミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾールの
少くともいずれか一つを存在させることを％徴とするニ
ッケル被膜の形成方法に関するものである。
ものであり、その要旨はニッケル塩及び該ニッケル塩を
還元する還元剤とを基体上に適用して上記ニッケル塩を
化学的に還元してニッケル被膜を形成する方法において
、ニッケル塩を化学的に還元させる際にジ・エチレント
リアミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾールの
少くともいずれか一つを存在させることを％徴とするニ
ッケル被膜の形成方法に関するものである。
以下、本発明を更に具体的に説明する。
本発明を実施するに当っては、ガラス、プラスチック、
七ラミックなどの基体は、通常鋭敏化処理及び又は活性
化処理が施こされる。かかる処理としては、基体を水洗
した後、第一錫塩の水溶液と接触させ、次いでパラジウ
ム地水溶液と接触させる処理が最も一般的である。
七ラミックなどの基体は、通常鋭敏化処理及び又は活性
化処理が施こされる。かかる処理としては、基体を水洗
した後、第一錫塩の水溶液と接触させ、次いでパラジウ
ム地水溶液と接触させる処理が最も一般的である。
基本面にニッケル被膜を形成させる方法としては、ニッ
ケル塩と還元剤、更に錯化剤、 ｐＨ（緩衝剤、ｐＨ調
節剤、安定剤あるいはそ・の他の添加成分を、必要に応
じて添加した無電解ニッケルメッキ溶液を噴霧あるいは
塗布などして基体表面に還元反応によ゛リニッケル被膜
を形成する方法、あるいはニッケル塩の水溶液に錯化剤
、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤、その他添加剤を必要に応じ
て添加したニッケルメッキ液と還元剤に安定剤を添加し
た溶液とをガラス面に同時に噴霧して無電解メッキさせ
、基体面に還元２反応によりニッケル被膜を形成する方
法が最も一般的である。
ケル塩と還元剤、更に錯化剤、 ｐＨ（緩衝剤、ｐＨ調
節剤、安定剤あるいはそ・の他の添加成分を、必要に応
じて添加した無電解ニッケルメッキ溶液を噴霧あるいは
塗布などして基体表面に還元反応によ゛リニッケル被膜
を形成する方法、あるいはニッケル塩の水溶液に錯化剤
、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤、その他添加剤を必要に応じ
て添加したニッケルメッキ液と還元剤に安定剤を添加し
た溶液とをガラス面に同時に噴霧して無電解メッキさせ
、基体面に還元２反応によりニッケル被膜を形成する方
法が最も一般的である。
本発明において使用されるニッケル塩としては、無機酸
又は有機酸の水溶性ニッケル地側えは塩化ニッケル、硫
酸ニッケル、酢酸ニッケル。
又は有機酸の水溶性ニッケル地側えは塩化ニッケル、硫
酸ニッケル、酢酸ニッケル。
臭化ニッケル、ヨウ化ニッケルあるいはこれらの少くと
、も２種以上の混合物などが適当である。
、も２種以上の混合物などが適当である。
゛通常これらの塩は水溶液として使用されるが、これら
に限らず場合によっては、有機溶媒あるいＱ；［有機溶
媒と水とを用いた溶液として使用してもかまわない。
に限らず場合によっては、有機溶媒あるいＱ；［有機溶
媒と水とを用いた溶液として使用してもかまわない。
又、ニッケル塩の溶液には、還元反応を容易に行ガわし
める様に所望のｐＨにＷＩ４製するアルカリ性付与剤と
錯化剤としてロッシェル塩。
める様に所望のｐＨにＷＩ４製するアルカリ性付与剤と
錯化剤としてロッシェル塩。
ＮＤＴＡ 、クエン酸ナトリウムあるいはグルコンばナ
トリウム、さらにｐ’Ｈ緩衝剤としてリンゴ酸、および
／又はホウ酸などが加えられる。
トリウム、さらにｐ’Ｈ緩衝剤としてリンゴ酸、および
／又はホウ酸などが加えられる。
又、還元剤としては、ホルマリン、次亜リン酸ナトリウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、硫酸ヒドラ
ジＺ、グリオキサール、ジメチルアミンボラザン、ハイ
ドロサルファイド。
ム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、硫酸ヒドラ
ジＺ、グリオキサール、ジメチルアミンボラザン、ハイ
ドロサルファイド。
ジエチルボラザンのいずれか１種あるいは少くとも２種
以上の混合物に安定剤を加えたものが代表的な例として
用いられる。
以上の混合物に安定剤を加えたものが代表的な例として
用いられる。
本発明において、最適なニッケル塩水溶液中のニッケル
塩の割合はへ１％〜１０％の程度が適当である。
塩の割合はへ１％〜１０％の程度が適当である。
本発明′においては、ニッケル塩を化学的に還元させる
際にジエチレントリアミン、エチレンジアミン、あるい
はイミダゾールあるいはこれら２種又は８ｓの混合物を
存在させておく。
際にジエチレントリアミン、エチレンジアミン、あるい
はイミダゾールあるいはこれら２種又は８ｓの混合物を
存在させておく。
具体的には、ニッケル塩溶液、還元剤液あるいはニッケ
ル塩と還元剤の両方ｔｔむニッケルメッキ液にジエチレ
ントリアミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾー
ルを添加剤として加えておくか、あるいは還元反応を行
なわせる際に別途ジ・エチレントリアミン、エチレンジ
アミン、あるいはイミダゾールを適用する方法か採用さ
れる。なお、ジエチレントリアミン、エチレンジアミン
あるいはイミダゾールは二ツケル塩が還元反応を起して
ニッケル被膜が析出する時に存在すればよいものであシ
、上記した以外の方法を採用することもできる。かかる
ジ・エチレントリアミン、エチレンジアミンあるいはイ
ミダゾールはこれらの添加剤がニッケル塩に混合された
時そのニッケル塩の溶液に対しｌｐｐｍ〜ｔ ｏ ｏ
ｏ ｐｐｍの割合で存在させておくことが好ましい。又
、ジ・エチレントリアミン。
ル塩と還元剤の両方ｔｔむニッケルメッキ液にジエチレ
ントリアミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾー
ルを添加剤として加えておくか、あるいは還元反応を行
なわせる際に別途ジ・エチレントリアミン、エチレンジ
アミン、あるいはイミダゾールを適用する方法か採用さ
れる。なお、ジエチレントリアミン、エチレンジアミン
あるいはイミダゾールは二ツケル塩が還元反応を起して
ニッケル被膜が析出する時に存在すればよいものであシ
、上記した以外の方法を採用することもできる。かかる
ジ・エチレントリアミン、エチレンジアミンあるいはイ
ミダゾールはこれらの添加剤がニッケル塩に混合された
時そのニッケル塩の溶液に対しｌｐｐｍ〜ｔ ｏ ｏ
ｏ ｐｐｍの割合で存在させておくことが好ましい。又
、ジ・エチレントリアミン。
エチレンシア、ミンあるいはイミダゾールはニッケル塩
に対しＱＯ２〜２０ ｗｔｔｌＪ−の範囲で存在させる
のが好ましい。
に対しＱＯ２〜２０ ｗｔｔｌＪ−の範囲で存在させる
のが好ましい。
ニッケル塩を化学的に還元させる際にジ・エチレントリ
アミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾールを存
在させることによりニッケル被膜が緻密になりかつピン
ホールがなくなり、更に均一な膜厚となる理由は明らか
でないが、還元反応により析出したＮ１粒子を微粒に保
つためと考えられる。特にジエチレントリアミンはその
効果が著しい。
アミン、エチレンジアミン、あるいはイミダゾールを存
在させることによりニッケル被膜が緻密になりかつピン
ホールがなくなり、更に均一な膜厚となる理由は明らか
でないが、還元反応により析出したＮ１粒子を微粒に保
つためと考えられる。特にジエチレントリアミンはその
効果が著しい。
本発明によりニッケル被膜を無電解メッキにより析出さ
せる際のメッキ時間は８０秒〜１０分、好ましくは１分
〜５分程度が最適である。
せる際のメッキ時間は８０秒〜１０分、好ましくは１分
〜５分程度が最適である。
又、無電解メッキする際のニッケル塩溶液と還元液、又
はニッケル塩と還元液を含む溶液の温度は１０℃〜６０
℃の範囲、例えば８０℃前後が最適である。なお、無電
解メッキ時の温度変化によりニッケルの析出速度が異な
るため、無電解メッキ時の温度を一定に、例えば±８℃
に保つことが色ムラの発生を防止する上で重要で・ある
。又、無電解メッキ時の基板の温度もｌＯ℃〜６０℃、
更に好ましくは室温付近が適当である。
はニッケル塩と還元液を含む溶液の温度は１０℃〜６０
℃の範囲、例えば８０℃前後が最適である。なお、無電
解メッキ時の温度変化によりニッケルの析出速度が異な
るため、無電解メッキ時の温度を一定に、例えば±８℃
に保つことが色ムラの発生を防止する上で重要で・ある
。又、無電解メッキ時の基板の温度もｌＯ℃〜６０℃、
更に好ましくは室温付近が適当である。
本発明により形成されるニッケル被膜の膜厚は、透明乃
至半透明性であり、所望の熱線反射率、透過率等の光学
特性が得られ不様に適宜選択される。例えば、１００＾
〜１０００λの範囲が適当である。かかる所望の膜厚が
得られる様にメッキ液の組成スプレー量、メッキ時間、
温度等が適宜選ばれる。
至半透明性であり、所望の熱線反射率、透過率等の光学
特性が得られ不様に適宜選択される。例えば、１００＾
〜１０００λの範囲が適当である。かかる所望の膜厚が
得られる様にメッキ液の組成スプレー量、メッキ時間、
温度等が適宜選ばれる。
なお、本発明によりニッケル被膜を形成する際にニッケ
ル塩の他に銅、コバルト、鉄、銀。
ル塩の他に銅、コバルト、鉄、銀。
金、白金などの金属塩を添加し、ニッケルとこれら金属
との複合膜とすることもできる。
との複合膜とすることもできる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
セリアで研磨し、次いで水洗したガラス板（８００窮Ｘ
８００期×５簡）の表面に塩化第一錫水溶液（８ｎＣ１
，・２１（２０１９／水１１ ） ’ｌ（スプレーし、
８０秒間保持して鋭敏化処理した後、水洗しその後塩化
パラジウム水溶液（ＰｄＣｌ２・ｎＨ２ｏ ａ ０５
ｔｉ／水１ｔ ｒ ＨＣｌ（８５％ ）Ｌｏｒｔｔｌ／
水１１）をスプレーシ、８０秒間保持して活性化処理し
た後水洗した。次いで、この処理したガラス板（温度８
０℃）面に下記する液温３０℃のニッケル塩水溶液と還
元液とを別々のスプレーガンよりそれぞれα６４１／分
の割合でスプレーし、２分間保持してガラス板面にニッ
ケル被膜を析出させた。
８００期×５簡）の表面に塩化第一錫水溶液（８ｎＣ１
，・２１（２０１９／水１１ ） ’ｌ（スプレーし、
８０秒間保持して鋭敏化処理した後、水洗しその後塩化
パラジウム水溶液（ＰｄＣｌ２・ｎＨ２ｏ ａ ０５
ｔｉ／水１ｔ ｒ ＨＣｌ（８５％ ）Ｌｏｒｔｔｌ／
水１１）をスプレーシ、８０秒間保持して活性化処理し
た後水洗した。次いで、この処理したガラス板（温度８
０℃）面に下記する液温３０℃のニッケル塩水溶液と還
元液とを別々のスプレーガンよりそれぞれα６４１／分
の割合でスプレーし、２分間保持してガラス板面にニッ
ケル被膜を析出させた。
ニッケル塩水溶液
ｌ！ｒ〔酸ニッケル 五〇ｇ／ｌグルコ
ン酸ナトリウム（錯化剤） ａ Ｏｐ／１ホウ
酸（ｐＨ緩衝剤） ＊５ｇ／ｌジエチレント
リアミン ＱＯ１５ｄ／ｌ還元液 水素化ホウ素ナトリウム α５１！／
１苛性ソーダ（還元剤安定剤） ０２ｇ／ｌ
このようにして製造されたニッケル被覆ガラス板のニッ
ケル被覆の膜厚は５００λであり、ピンホールのない緻
密で均一な被膜で色ムラ（このニッケル被覆ガラス板の
長さ方向におけるＴｖ（可視光透過率）の変化を示す。
ン酸ナトリウム（錯化剤） ａ Ｏｐ／１ホウ
酸（ｐＨ緩衝剤） ＊５ｇ／ｌジエチレント
リアミン ＱＯ１５ｄ／ｌ還元液 水素化ホウ素ナトリウム α５１！／
１苛性ソーダ（還元剤安定剤） ０２ｇ／ｌ
このようにして製造されたニッケル被覆ガラス板のニッ
ケル被覆の膜厚は５００λであり、ピンホールのない緻
密で均一な被膜で色ムラ（このニッケル被覆ガラス板の
長さ方向におけるＴｖ（可視光透過率）の変化を示す。
）は第１図の曲線（−）の様であった。又このガラス板
の光学特性は第１表の通りであった。
の光学特性は第１表の通りであった。
実施例２
セリアで研磨し、次いで水洗したガラス板（８００ｍＸ
８００ｍＸ ５ｍ）の表面に塩化第一錫水溶液（５ｕ
Ｃ１，、２Ｈ２０１，９／水ＩＩＩ）をスプレー（８０
秒間保持して鋭敏化処理した後水洸し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液（ｐａｃ１４・ｎＨ２Ｏ００５Ｉ／水ｔｌ
、Ｈｃｌ（ａｓｓ）ｔ。
８００ｍＸ ５ｍ）の表面に塩化第一錫水溶液（５ｕ
Ｃ１，、２Ｈ２０１，９／水ＩＩＩ）をスプレー（８０
秒間保持して鋭敏化処理した後水洸し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液（ｐａｃ１４・ｎＨ２Ｏ００５Ｉ／水ｔｌ
、Ｈｃｌ（ａｓｓ）ｔ。
罰／水１１）をスプレーし８０秒間保持して活性化処理
した後水洗した。次いで、この処理したガラス板（温度
８０℃）面に下記する液温８０℃のニッケル塩水溶液と
還元液とを別々のスプレーガンよりそれぞれα６４１／
分の割合でスプレーし、２分間保持してガラス板面にニ
ッケル被膜を析出させた。
した後水洗した。次いで、この処理したガラス板（温度
８０℃）面に下記する液温８０℃のニッケル塩水溶液と
還元液とを別々のスプレーガンよりそれぞれα６４１／
分の割合でスプレーし、２分間保持してガラス板面にニ
ッケル被膜を析出させた。
ニッケル塩水溶液
酢酸ニッケル 五〇９／ｌグルコン酸ナ
トリウム（錯化剤） ａ０９／１アンモニア水
（８９％） ’ｌＯｄ／１（ｐＨ調
節剤） ホウ酸 ｚ５ｉ／１（ｐ
Ｈ緩衝剤） エチレンジアミン １ ＊ｌ／１
還元液 水素化ホウ素ナトリウム ０５９／ｌこ
の様にして製造されたニッケル被徨ガラス板のニッケル
被膜の膜厚は６００Ａであり、ピンホールのない緻密で
均一な被膜で色ムラは第１図の曲線（１））の様であっ
た。又、このガラス板の光学特性は第１表の通りであっ
た。
トリウム（錯化剤） ａ０９／１アンモニア水
（８９％） ’ｌＯｄ／１（ｐＨ調
節剤） ホウ酸 ｚ５ｉ／１（ｐ
Ｈ緩衝剤） エチレンジアミン １ ＊ｌ／１
還元液 水素化ホウ素ナトリウム ０５９／ｌこ
の様にして製造されたニッケル被徨ガラス板のニッケル
被膜の膜厚は６００Ａであり、ピンホールのない緻密で
均一な被膜で色ムラは第１図の曲線（１））の様であっ
た。又、このガラス板の光学特性は第１表の通りであっ
た。
実施例８
セリアで研磨し、次いで水洗したガラス板（８００鰭Ｘ
８００ｍＸ５簡）の表面に塩化第一錫水溶液（５ｕＣ１
，、２Ｈ，０１１／／水１／）をスプレーし８０秒間保
持して鋭敏化処理した後、塩化パラジウム水溶液（Ｐａ
Ｃ１，・ｎｕ、ｏ Ｏ，０５／水Ｉ Ｊ 、 Ｈ（，
１（８５％）ｉ、ｏｖ／水１１）をスプレーし８０秒間
保持して活性化処理した。
８００ｍＸ５簡）の表面に塩化第一錫水溶液（５ｕＣ１
，、２Ｈ，０１１／／水１／）をスプレーし８０秒間保
持して鋭敏化処理した後、塩化パラジウム水溶液（Ｐａ
Ｃ１，・ｎｕ、ｏ Ｏ，０５／水Ｉ Ｊ 、 Ｈ（，
１（８５％）ｉ、ｏｖ／水１１）をスプレーし８０秒間
保持して活性化処理した。
次いで、この処理したガラス板（温度８０℃゛）面に下
記する液温８０℃のニッケル塩水溶液と還元液とを別々
のスプレーガンよりそれぞれ（１６４７７分の割合でス
プレーし、２分間保持してガラス板面にニッケル被膜を
析出させた。
記する液温８０℃のニッケル塩水溶液と還元液とを別々
のスプレーガンよりそれぞれ（１６４７７分の割合でス
プレーし、２分間保持してガラス板面にニッケル被膜を
析出させた。
ニッケル塩水溶液
酢酸ニッケル へ０９７１グルコン酸ナ
トリウム（錯化剤） ’４０９／１イミダゾー
ル （１６１／ｌ１還元液 水素化ホウ素ナトリウム α６１／／１
苛性ソーダ（還元剤安定剤） へ２９／ｌこ
の様にして製造されたニッケル被覆ガラス板のニッケル
被膜の膜厚は５００＾であり、ピンホールのない緻密で
均一な被５膜で色ムラは第１図の曲線（Ｃ）の様であっ
た。又このガラス板の光学特性は第１表の通シであった
。
トリウム（錯化剤） ’４０９／１イミダゾー
ル （１６１／ｌ１還元液 水素化ホウ素ナトリウム α６１／／１
苛性ソーダ（還元剤安定剤） へ２９／ｌこ
の様にして製造されたニッケル被覆ガラス板のニッケル
被膜の膜厚は５００＾であり、ピンホールのない緻密で
均一な被５膜で色ムラは第１図の曲線（Ｃ）の様であっ
た。又このガラス板の光学特性は第１表の通シであった
。
比較例
実施例１のニッケル塩水溶液からジエチレントリアミン
ダ除いた以外は実施例１と同様にしてガラス板面にニッ
ケル被膜を形成した。
ダ除いた以外は実施例１と同様にしてガラス板面にニッ
ケル被膜を形成した。
こめ様にして形成されたニッケル被覆ガラス板のニッケ
ル被膜の膜厚は約７００１であり、この被膜の色ムラは
第１図の曲＆ （（１）の通りであった。
ル被膜の膜厚は約７００１であり、この被膜の色ムラは
第１図の曲＆ （（１）の通りであった。
第 １ 表
上記表及び第１図から明らかな様に、本発明のニッケル
被膜形成方法は、ピンホールが少なく、かっ色ムラの少
ないニッケル被膜が得られることが認めなれる。
被膜形成方法は、ピンホールが少なく、かっ色ムラの少
ないニッケル被膜が得られることが認めなれる。
なお、光学測定値は、６ｖｎ／ｍ ガラス板に被膜を
形成した試料に対し、Ｔｖ 、 、Ｒｖ各々皮膜面 ゛
よシ光入射して測定した。
形成した試料に対し、Ｔｖ 、 、Ｒｖ各々皮膜面 ゛
よシ光入射して測定した。
第１図はニッケル被膜の色ムラの状態を示す図面である
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ニッケル塩及び該ニッケル塩を還元する還元剤とを
基体上に適用して上記ニッケル塩を化学的に還元してニ
ッケル被膜を形成する方法において、ニッケル塩を化学
的に還元させる際に、ジエチレントリアミン、エチレン
ジアミンあるいはイミダゾールの少くともいずれか一つ
を存在させることを特徴とするニッケル被膜の形成方法
。 ２ ニッケル塩の溶液に対しジエチレントリアミン、エ
チレンジアミンあるいはイミダゾールの少くともいずれ
か一つをｔ ｐｐｍ〜１１０００ｐｐ存在させることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のニッケル伝腺の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11702781A JPS5819468A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ニツケル被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11702781A JPS5819468A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ニツケル被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819468A true JPS5819468A (ja) | 1983-02-04 |
Family
ID=14701626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11702781A Pending JPS5819468A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ニツケル被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994012686A1 (en) * | 1992-11-25 | 1994-06-09 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Electroless gold plating bath |
| JP2019199628A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解ニッケルめっき液及び無電解ニッケルめっき方法 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11702781A patent/JPS5819468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5470381A (en) * | 1992-11-25 | 1995-11-28 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Electroless gold plating solution |
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