JPS58194432A - ワン・アウト・オブnシステム用集積回路 - Google Patents

ワン・アウト・オブnシステム用集積回路

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Publication number
JPS58194432A
JPS58194432A JP58031915A JP3191583A JPS58194432A JP S58194432 A JPS58194432 A JP S58194432A JP 58031915 A JP58031915 A JP 58031915A JP 3191583 A JP3191583 A JP 3191583A JP S58194432 A JPS58194432 A JP S58194432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
inverter
channel
signal
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58031915A
Other languages
English (en)
Inventor
ライナ−・バツケス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
ITT Inc
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
ITT Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH, ITT Industries Inc filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of JPS58194432A publication Critical patent/JPS58194432A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M7/00Conversion of a code where information is represented by a given sequence or number of digits to a code where the same, similar or subset of information is represented by a different sequence or number of digits
    • H03M7/14Conversion to or from non-weighted codes
    • H03M7/20Conversion to or from n-out-of-m codes
    • H03M7/22Conversion to or from n-out-of-m codes to or from one-out-of-m codes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/085Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes using codes with inherent redundancy, e.g. n-out-of-m codes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1534Transition or edge detectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ワン・アウト・オブnシステム(n個の信号
中の1個の信号状態の変化に応動するシステム)中で質
問のあった時までに状態の変化が発生している場合に質
問パルスの印加によりデジタル信号を出力する絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタ集積回路すなわちMO8集積回
路に関するものである。
本発明の目的は、実際に必要がある上述の種饅のMO8
回路を提供することである。
μ下編付図面に示す実anによって本発明の詳細な説明
する。
ワンeアウト・オブnシステムの第1の信号1用の役と
最後の信号n用の段とが図示されている。これらの信号
は対応する端子に供給される。各信号は第1のトランジ
スタt1のチャンネルを経てIllのインバータ11の
入力端子および第2のトランジスタ12のゲートに供給
される。第2のトランジスタt2のチャンネルの一端は
電源の一方の端子である接地点に接続され。
一方その他端は第3のトランジスタt3のチャンネルを
経て負荷装置lの一端に連結されている。負荷装置lは
全信号1・・・nに共通のものである。負荷装置lの他
端は電源の他方の端子Uに接続されてい゛る。負荷装置
lは上述のトランジスタと同じ導電製のエンファンスメ
ント型トランジスタ或はデプレション臘トランジスタの
何れかである。
Illのインバーター1の出力端子は第2のインバータ
ー2の入力端子に接続され、また第4のトランジスタt
4のチャンネルを経て@3のトランジスタtJのゲート
に接続されている。
Illのイン/臂−タ五1の入力端子は第5のトランジ
スタt5のチャンネルを経て第2のインバーター1の出
力端子に接続されている。
質問パルスamはパルス成形6目 に与えられ、それは
そこから2つの互に重ならないクロック信号f、fを発
生する。図示の実施例においてパルス成形器if  は
図示のように交叉結合された2WAのノアゲートで構成
され、一方のノアゲートの入力端子の一方にはインバー
タが前置されている。
パルス成形@xf  で発生された第1のクイック信号
fは第4のトランジスタt4および第5のトランジスタ
t5のゲートに供給され、一方1 第2のクロック信号fはIEIのトランジスタt1のゲ
ートに供給される0 回路の動作の説明にあたり、正の論量であると仮定する
。質問パルスl が存在しない時には111E2のクロ
ック信号fはLレベル(2つの2過信号レベルH,Lの
うちより負であるレベル)ニする。それ故第1のトラン
ジスタt1はオフであり、その前の最後の質問パルスa
s  中に供給された信号1・・・nはクロック信号f
がHレベルでアリトランジスタt5が導通しているので
インバータil、izにより蓄積される。
次の質問パルスJIB  が供給される時、@2のクロ
ック信号fがHレベルとなり、第1のクロック信号fが
Lレベルになる。それによって第4および第5の斗うン
ジスタt4.tsはオフに切損えられ、第1のトランジ
スタは導電状態になる。その結果、信号l・・nの瞬時
レベルは第2のトランジスタt2のゲートに供給され、
一方、前の質問パルスl の時の信号1・・nの反転さ
れたレベルは第3のトランジスタt3のゲート上に蓄積
されたままである。
もしも信号I・・・nの1つがこれら2つの質問パルス
の間にLからHに変化したとすれば・ トランジスタt
z、txの直列回路は導電性となり、そのため出力端子
aはLレベルになり、それは状態の変化が”門7’71
W7’J7L  システム中で生じたことを知らせる。
もし必要ならばこのLレベルは追加的にインバータを設
けてHレベルに変換することがでよる。
槙Sのトランジスタt5は装置縦向に蓄積された2進レ
ベルを状態のどんな変化にも関係なく質問パルスのない
場合に保持させる。そのような変化は質問パルスa3 
 が供給されるまでは第1のインバータ11の出力端子
における状態の変化になることはない。
本発明の回路はnが大きな数である場合でもワン・アウ
ト醗オブnシステム用として小さなチップ面積しか必要
としない利点を有する。何故ならばワン・アウト・オブ
nシステムの各信号に対して2個のインバータと5個の
付加的なMO8トランジスタのためのチップ面積が必要
であるに過ぎないからである。したがって比較的小面積
の「質問セル」が得られる。
別の効果はこの発明の質問セルの回路は蓄積能力を有し
、それ故、蓄積された信号が図示のようにさらに別の機
能のために第2のインバータi2の出力端子から得るこ
とができることである。
5個のトランジスタt1・・・i5および2個のインバ
ータ11,1ffiを構成するトランジスタは全て同じ
導電型である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の1実施例の概略回路図である。 i7.iz・・・インバータ、l・・・負荷装置、目・
・・ノ寸ルス成形器、tl、tl、t3.t4.ts・
・・トランジスタ、aS・・・質問パルス、f、f・・
・クロック信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 状態の変化が質問の時までにワン・アウト・オブnシス
    テム中に生じている場合に質問パルスの印加によってデ
    ジタル信号を出力する絶縁ケート電界効果トランジスタ
    集積回路において、ワン・アウト・オブnシステム中の
    各信号が第1のトランジスタのチャンネルを経て第1の
    インバータの入力端子および1g2のトランジスタのゲ
    ートに供給され、第2のトランジスタのチャンネルは一
    端が電源の一方の端子に接続さ婢 れ、他方は第3のトランジスタのチャンネルを経て全信
    号に集通の負荷装置の一端に接続され。 その負荷装置の他端はvtfIAの他方の端子に接続さ
    れ。 111EIのインバータの出力端子は嬉2のインバータ
    の入力端子に接続されると共に練4のトランジスタのチ
    ャンネルを経て第3のトランジスタのゲートにiaaさ
    れ。 第1のインバータの入力端子は第5のトランジスタのチ
    ャンネルを経て第2のインバータの出力端子に接続され
    。 質問パルスを入力信号とし、2つの重ならないクロック
    信号を発生するパルス成形器が設けられ、 前記2つのクロック信号のうち@lのクロック信号は@
    4および第5のトランジスタのゲートに結合され、第2
    のクロック信号は第1のトランジスタのケートに結合さ
    れていることを特徴とする集積回路。
JP58031915A 1982-03-04 1983-03-01 ワン・アウト・オブnシステム用集積回路 Pending JPS58194432A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP821016672 1982-03-04
EP82101667A EP0088135B1 (de) 1982-03-04 1982-03-04 Integrierte Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltung für ein Eins-aus-n-System

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58194432A true JPS58194432A (ja) 1983-11-12

Family

ID=8188903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58031915A Pending JPS58194432A (ja) 1982-03-04 1983-03-01 ワン・アウト・オブnシステム用集積回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4518872A (ja)
EP (1) EP0088135B1 (ja)
JP (1) JPS58194432A (ja)
DE (1) DE3274709D1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0088135B1 (de) 1986-12-10
EP0088135A1 (de) 1983-09-14
DE3274709D1 (en) 1987-01-22
US4518872A (en) 1985-05-21

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