JPS58191514A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

Info

Publication number
JPS58191514A
JPS58191514A JP7383382A JP7383382A JPS58191514A JP S58191514 A JPS58191514 A JP S58191514A JP 7383382 A JP7383382 A JP 7383382A JP 7383382 A JP7383382 A JP 7383382A JP S58191514 A JPS58191514 A JP S58191514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
track
acoustic wave
surface acoustic
wave device
coupler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7383382A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Komori
伸一 小森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SWCC Corp
Original Assignee
Showa Electric Wire and Cable Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Electric Wire and Cable Co filed Critical Showa Electric Wire and Cable Co
Priority to JP7383382A priority Critical patent/JPS58191514A/en
Publication of JPS58191514A publication Critical patent/JPS58191514A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/0296Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
    • H03H9/02968Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with optical devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suppress the generation of spurious radiation, by changing the shape of a track separating section of a multi-strip coupler and replacing the section with a photoconductive film. CONSTITUTION:A surface acoustic wave device consists of a piezoelectric substance 1, an input interdigital ID electrode 2, an output ID electrode 3, the multi- strip coupler 4', track sections 5, 7 and a track separating section 6. The coupler 4' is provided in the surface acoustic wave propagation path, and consists of electrode groups cross-linking the track sections 5, 7 and being narrowered for the part corresponding to the track separation section 6. Since the section 6 is formed narrower, the spurious radiation is suppressed. Further, similar effect is obtained by replacing the section 6 with a photoconductive film 12.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、圧電体薄膜の表面にインターディジタル電極
及びマルチストリップカプラーを設け、マルチストリッ
プカプラーのトラック分離部分を形状変更したり、光導
電性膜で置換したり、又はインターディジタル電極の歯
部と基部との接合する部分を光導電性膜で置換した弾性
表面波装置に関する。
Detailed Description of the Invention The present invention provides an interdigital electrode and a multi-strip coupler on the surface of a piezoelectric thin film, and changes the shape of the track separation portion of the multi-strip coupler, replaces it with a photoconductive film, or The present invention relates to a surface acoustic wave device in which the connecting portion between the teeth and the base of an interdigital electrode is replaced with a photoconductive film.

第1図は、弾性表面波装置の斜視図で1ケ、[絶縁基板
であるが、圧電性薄膜(図示せず)を使用しなければ、
ニオブ酸りチウム(L + NO3)単結晶あるいは水
晶等よりなる圧電体でもよい。2は人力インターディジ
タル電極(以下入カドランスデューサと称す)、3は出
力インターディジタル電極(以下出カドランスデューサ
と称す)でともにアルミニウム(Al)、金(Au )
等の金属よりなっている。
Figure 1 is a perspective view of a surface acoustic wave device.
A piezoelectric material made of lithium niobate (L + NO3) single crystal, quartz, or the like may be used. 2 is a manual interdigital electrode (hereinafter referred to as input transducer), and 3 is an output interdigital electrode (hereinafter referred to as output transducer), both of which are made of aluminum (Al) and gold (Au).
Made of metals such as

4はマルチストリップカプラーである。トランスナユー
サ2.3は外部回路への普通の電気結線をもつがマルチ
ストリップカプラー4は外部結線をもつ必要がなくて相
互に電気的に絶縁しなければならない。次にマルチスト
リップカプラー4を用いた従来の弾性表面波装置につい
て、第2図をもとにして詳述する。現在の時点でのマル
チストリップカプラー4の代表的な応用例には、フィル
タと遅延線がある。まず第2図にフィルタの構成を示す
。2′は入カドランスデューサとしてのアポダ・イズイ
ンターデイジタル電極、3′は出カドランスデューサと
してのアポダイズインターデイジタル電極、5はトラッ
クA、6はトラック分離部分、7はトラックBである。
4 is a multi-strip coupler. The transnausers 2.3 have conventional electrical connections to external circuits, but the multistrip couplers 4 need not have external connections and must be electrically isolated from each other. Next, a conventional surface acoustic wave device using the multi-strip coupler 4 will be described in detail with reference to FIG. Typical applications for multistrip couplers 4 at present include filters and delay lines. First, FIG. 2 shows the configuration of the filter. 2' is an apodized interdigital electrode as an input transducer, 3' is an apodized interdigital electrode as an output transducer, 5 is a track A, 6 is a track separation portion, and 7 is a track B.

入カドランスデューサ2′で励起された表面波の伝播路
をトラックA5、出カドランスデューサ3′へ入射する
表面波の伝播路をトラックB7と呼べばマルチストリッ
プカプラー4の働きは、トラックA5からトラックB7
への表面波のエネルギー変換ということになる。つまり
表面波がトラックA5からトラック分離部分6を1黄切
ってトラックB7にのびるマルチストリップカプラー4
の配列に結合すると、互いに隣接する導線間に交番電界
が生じる。この電界によりマルチストリップカプラー4
のトラックA5からトラックBTに表面波が誘起される
。さらにマルチス) IJツブカプラー4は、こ−の変
換過程で空間的に不均一な表面波を均一化する作用をも
つため、入出力のトランスデユーサにともにアポダイズ
インターデイジタル電甑を用いることができ、それぞれ
の周波数H1(ω)、H2(ω)の積の形H(ω)−H
l(ω)・H2((O)  でフィルタ特性を実現する
ことができる。又第2図の構成で明らかなように、従来
からマルチストリップカプラー4で発生するスプリアス
を抑制するために、トラックA5及びトラックBTの間
に若干の間隙すなわちトランク分離部分6を設けるのを
常としている。
If the propagation path of the surface wave excited by the input quadrature transducer 2' is called track A5, and the propagation path of the surface wave incident on the output quadrature transducer 3' is called track B7, the function of the multi-strip coupler 4 is as follows from track A5. Track B7
This is the energy conversion of surface waves into . In other words, the multi-strip coupler 4 where the surface wave cuts through the track separation part 6 from the track A5 and extends to the track B7.
When coupled in an array, an alternating electric field is created between adjacent conductors. This electric field causes the multi-strip coupler 4 to
A surface wave is induced from track A5 to track BT. Furthermore, since the IJ tube coupler 4 has the effect of homogenizing spatially non-uniform surface waves during this conversion process, apodized interdigital electric coils can be used for both the input and output transducers. , the product form H(ω)-H of the respective frequencies H1(ω) and H2(ω)
A filter characteristic can be realized by l(ω)・H2((O). Also, as is clear from the configuration shown in FIG. It is customary to provide a slight gap or trunk separation portion 6 between the trunk and the truck BT.

しかしながら、従来のトラック分離部分6での表面波の
励起が、挿入損失および予想不能なアザ−スプリアス発
生の原因となる等の問題を有していた。
However, the excitation of surface waves in the conventional track separation section 6 has had problems, such as causing insertion loss and unpredictable generation of other spurious.

本発明は、上記欠点を解決するためにマルチスト11ツ
ブカプラー4のトラック分離部分6を幅狭にしたり光導
電性膜で置換したり等の工夫をこらしてスプリアスの発
生を抑えることを目的とするものである。
In order to solve the above-mentioned drawbacks, the present invention aims to suppress the generation of spurious waves by making the track separation portion 6 of the multi-strike 11 tube coupler 4 narrower or replacing it with a photoconductive film. It is.

次に第1図、第2図、第3図に示す弾性表面波装置の好
ましい実施例について詳述すると、本発明の弾性表面波
装置は、絶縁基板1とIE電体薄膜(図示せず)と入カ
トラノス、rユーサ2.2′と出カドランスデューサ3
.3′とマルチストリップカプラー4′とトラック部分
5.7とトラック分離部分6とから成っている。入カド
ランスデューサ及び出カドランスデューサとしてのイン
ターディジタル市、極2.2′、3.3′は、歯部が互
い違いに配置されるとともに重なり合わないように形成
さえし、/之も:9でちる。そして複数のトラック部分
5.7は、千電体薄膜で形成された表面波伝播経路であ
る。更にトラック分離部分6は、トラック部分の接合領
域である。又マルチストリップカプラー4′は、表面波
伝播経路中に設けられかつトラック部分5、I相互を架
橋し、トラック分離部分6に対応する部分を幅狭にした
電極群から成っているものである。そして上記のように
構成したので次の様な作用が生じる。つまり電極幅が異
なるためスプリアス波の励起効率をトラック分離部分6
で小さく抑えることができる。この理由はマルチストリ
ップカプラー4の電極幅が、上から下まで一定の場合ト
ラックA5の信号によってトラック分離部分6とトラッ
ク部分BTとに同程度の強度で表面波が発生する。そう
すると元の信号と発生した信号との間に位相差があるた
めスプリアスが生じやすい。ところがトラック分離部分
6でマルチストリップカプラー4′の電極幅がことなっ
ているのでこの部分に発生する信号の強度が他より小さ
くなるだめ干渉効果がある。
Next, a preferred embodiment of the surface acoustic wave device shown in FIGS. 1, 2, and 3 will be described in detail. and input Katranos, rUsa 2.2' and output Katranosu 3
.. 3', a multi-strip coupler 4', a track section 5.7 and a track separation section 6. The interdigital poles 2.2', 3.3' as input and output transducers are formed in such a way that the teeth are arranged alternately and do not overlap, and/or: 9 Dechiru. The plurality of track portions 5.7 are surface wave propagation paths formed of a thin electrolyte film. Furthermore, the track separation portion 6 is a joining area of the track portions. The multi-strip coupler 4' is provided in the surface wave propagation path and consists of a group of electrodes that bridge the track portions 5 and I and have a narrow portion corresponding to the track separation portion 6. Since the configuration is as described above, the following effects occur. In other words, since the electrode widths are different, the excitation efficiency of spurious waves is
can be kept small. The reason for this is that when the electrode width of the multi-strip coupler 4 is constant from top to bottom, a surface wave with the same intensity is generated in the track separation portion 6 and the track portion BT by the signal of the track A5. In this case, since there is a phase difference between the original signal and the generated signal, spurious signals are likely to occur. However, since the electrode widths of the multi-strip coupler 4' are different in the track separation part 6, the intensity of the signal generated in this part is smaller than in other parts, resulting in an interference effect.

次に第4図、第5図を基にしてマルチス) IJノブカ
プラー4のトランク部分に光導電性膜をL・己設した場
合を、従来例として記載する。尚これは特開昭53−1
2252及び特開昭53−19741の抜粋である。2
は入カドランスデューサ、3“は出力トランスデユーサ
、4はマルチストリップカプラー、11は光導電性膜で
ある。人出力トランスデユーサ2.3“間で送受される
弾性表面波の伝送特性は、各電極の伝送関数の積と、そ
の電極間距離によって決まる。全体の伝送特性F(ω)
は次式で表わされる。
Next, a conventional example in which a photoconductive film is provided on the trunk portion of the IJ knob coupler 4 will be described based on FIGS. 4 and 5. This is Japanese Patent Application Publication No. 53-1
2252 and an excerpt from JP-A-53-19741. 2
is an input transducer, 3" is an output transducer, 4 is a multi-strip coupler, and 11 is a photoconductive film. The transmission characteristics of the surface acoustic waves transmitted and received between the human output transducers 2 and 3" are , is determined by the product of the transfer function of each electrode and the distance between the electrodes. Overall transmission characteristic F(ω)
is expressed by the following equation.

ただし、fe:入カドランスデューサ2の伝達関数 fr、 :化カドランスデューサ3“の領域5上にある
部分の伝達関数 fr2:化カドランスデューサ3“の領域7上にある部
分の伝達関数 L:電極2.3“の中心間距離 ■1、■2:表面波速度 光が光導電性膜11..11’上に照射されて、マルチ
ストリップカプラー4が短絡されると、化カドランスデ
ューサ3“のうち領域T上の部分では表面波が受波され
ないから、上式は次のように表わされる。
where, fe: Transfer function fr of input quadrature transducer 2, : Transfer function L of a portion located on region 5 of quadrature transducer 3'' fr2: Transfer function L of a portion located above region 7 of quadrature transducer 3'' : Distance between centers of electrodes 2.3'' ■1, ■2: When surface wave velocity light is irradiated onto the photoconductive film 11..11' and the multi-strip coupler 4 is short-circuited, the photoconductor transducer Since surface waves are not received in the portion of the region T of 3", the above equation can be expressed as follows.

よって、九の照射を制御することによって、入力信号の
位相可変、遅延時間選択、」辰幅可変、および符号化な
どが容易に行なえることになる。
Therefore, by controlling the irradiation of the input signal, it is possible to easily vary the phase of the input signal, select the delay time, vary the width of the input signal, and perform encoding.

次に第2図、第6図、第7図に示すトラック分離部分6
金光導電性膜12.12−1〜12−Mで置換したマル
チストリップカプラー4“を用いた弾性表面波装置の好
ましい実施例について詳述すると、本発明の弾性表面波
装置は、絶縁基板1と、IE電性薄膜と、入カドランス
デューサ2′と、化カドランスデューサ3′と、トラッ
ク部分5.7・と、トラック分離部分6と、マルチスト
リップカプラー4“と、光導電性膜12.12−1〜1
2−M、とから成っている。入カドランスデューサ及び
出力トランスデユーサとしてのインターディジタルtm
2’、3’は、歯部が互い違いに配置されるとともに重
なり合わないように形成されたものである。そしてマル
チストリップカプラー4“は、トラック分離部分6で切
断されていてその代りに光導電性膜12、又は相斤に異
なった光導電性膜12−1〜12−Mで置換したもので
ある。又複数のトラック部分5.7は、圧電体薄膜で形
成された表面波伝播経路である。更にトラック分離部分
6は、トラック部分5.7の接合領域である。そして更
に光導電性膜12.12−1〜12−41、は、硫化カ
ドミ・ラム(CdS )や酸化亜鉛(ZnO)などから
なっているものである。
Next, the track separation portion 6 shown in FIGS. 2, 6, and 7
Describing in detail a preferred embodiment of a surface acoustic wave device using multi-strip couplers 4'' substituted with gold photoconductive films 12.12-1 to 12-M, the surface acoustic wave device of the present invention has an insulating substrate 1 and , IE conductive thin film, input quadrature transducer 2', catalytic transducer 3', track portion 5.7, track separation portion 6, multi-strip coupler 4'', photoconductive film 12. 12-1~1
2-M. Interdigital tm as input transducer and output transducer
2' and 3' are formed such that the tooth portions are arranged alternately and do not overlap. The multi-strip coupler 4'' is cut at the track separation portion 6 and replaced with a photoconductive film 12 or different photoconductive films 12-1 to 12-M. Further, the plurality of track portions 5.7 are surface wave propagation paths formed of piezoelectric thin films.Furthermore, the track separation portion 6 is a bonding region of the track portions 5.7.Furthermore, the photoconductive film 12. 12-1 to 12-41 are made of cadmium sulfide (CdS), zinc oxide (ZnO), or the like.

第61:4の場合は、照射させる光の強度あるいは照射
面積を変えることで、マルチストリップカプラー4“に
よるトラック間の表面波エネルギー変換率を直接に制御
できる。つまり、ある波長ある強度の光を照射したとき
、完全エネルギー変換本数をNTとすると、マルチスト
リップカプラーがM本のときのエネルギー変換率は PA  −=  Pin  cos  (πM/ 2N
T  )P B = P in sin (1tM/ 
2NT )とかける。その為に異なる2つの振幅のもの
を合成することにより発振周波数を可変にすることがで
きる。即ちマルチストリップ・カプラー4“のトラック
分離部分6に光導電性膜12を設け、そこに光を照射し
た場合次の様になる。つ捷り光が照射され4いと光導電
性膜12の抵抗値が高いのでその電極がないのと同じで
ある。しかしながら光が照射されると抵抗値が低くなっ
て電極があるのと同じになる。いわゆる光の強度を変え
たり照射面積を変えることにより、マルチストリップカ
プラー4“にスイッチ機能を持、tせることかできる。
In the case of No. 61:4, by changing the intensity of the irradiated light or the irradiated area, the surface wave energy conversion rate between tracks by the multi-strip coupler 4'' can be directly controlled. When irradiating, if the number of complete energy conversion is NT, the energy conversion rate when there are M multi-strip couplers is PA −= Pin cos (πM/ 2N
T ) P B = P in sin (1tM/
2NT). Therefore, the oscillation frequency can be made variable by combining two different amplitudes. That is, when the photoconductive film 12 is provided on the track separation portion 6 of the multi-strip coupler 4'' and light is irradiated thereon, the following will occur.When the light is irradiated, the resistance of the photoconductive film 12 increases. Since the value is high, it is the same as if there were no electrode. However, when light is irradiated, the resistance value decreases and becomes the same as if there was an electrode. By changing the so-called light intensity or irradiation area, The multi-strip coupler 4" has a switch function and can be turned on or off.

又第7図の場合は、光導電性膜12−1〜12−Mの夫
々が複数の種類の光導電性材料からなっているので照射
光の波長によって様々の動作をする様になる。L’l]
ち夫々の光導電性膜にのみ感応する波長をもった光を照
射することによってマルチストリップカプラー4“の任
意の電極のみが低抵抗値になる。
Further, in the case of FIG. 7, since each of the photoconductive films 12-1 to 12-M is made of a plurality of types of photoconductive materials, they perform various operations depending on the wavelength of the irradiated light. L'l]
By irradiating light with a wavelength sensitive only to each photoconductive film, only any electrode of the multi-strip coupler 4'' has a low resistance value.

故にスイッチ機能を持たせることができる。Therefore, it can have a switch function.

次に第2図、第8図、第9図に示す入出カドランスデュ
ーサの一部分を光導電性膜で置換した弾性表面波装置の
好ましい実施例について詳述すると、本発明の弾性表面
波装置は、絶縁基板と、圧電体薄膜と、入出カドランス
デューサ13.13’と、光導電性膜14.15とマル
チストリソブカプラー4とトラック部分5.7とトラッ
ク分離部分6とから成っている。マルチストリップカプ
ラー4は、トラックAからトラックBに表面波を誘起す
るものである。そしてトラック部分5.7は圧電体薄膜
で形成された表面波伝播経路である。更にトランク分離
部分6は、トラック部分5、Tの接合領威である。人出
カドランスデューサは、その南部13′がゼS部13か
ら切離されているものである。そして光導電性膜14.
15は硫化カドミウム(CrlS)や酸化亜鉛(ZnO
)などからなっているものである。又上記のように構成
したので次の様な作用が生じる。第9図は第8図の光導
電性膜14.15を可変抵抗14. 、R2で置き換え
たものである。まず光導電性膜14にのみ光を照射する
と抵抗値はR,<EL2と々すλを波長とした表面波の
励起受信ができるようになる。又この時1(、、〜R2
とすれば1/3を波長とした表面波の操作が可能になる
。つまりR1を場所によって異なる強度の光で照射すれ
ば、抵抗分割可変重み付はトランスデユーサを構成でき
る。即ち人出カドランスデー上−サ13.13′の基部
と歯部の接合部分の光導電性膜に照射する光の強度を変
えることによりスイッチ機能を持たせることができる。
Next, a preferred embodiment of a surface acoustic wave device in which a part of the input/output quadrant transducer shown in FIG. 2, FIG. 8, and FIG. 9 is replaced with a photoconductive film will be described in detail. , an insulating substrate, a piezoelectric thin film, an input/output quadrant transducer 13.13', a photoconductive film 14.15, a multi-strip coupler 4, a track portion 5.7, and a track separation portion 6. The multi-strip coupler 4 induces a surface wave from track A to track B. The track portion 5.7 is a surface wave propagation path formed of a piezoelectric thin film. Furthermore, the trunk separation section 6 is the joining region of the track section 5,T. The turn-out quadrant transducer has its southern part 13' separated from the Z section 13. and photoconductive film 14.
15 is cadmium sulfide (CrlS) and zinc oxide (ZnO
), etc. Further, since the structure is configured as described above, the following effects occur. FIG. 9 shows the photoconductive film 14.15 of FIG. , R2. First, when only the photoconductive film 14 is irradiated with light, the resistance value becomes R, <EL2, and surface wave excitation and reception with a wavelength of λ becomes possible. Also at this time 1 (,, ~R2
If so, it becomes possible to manipulate surface waves with a wavelength of 1/3. In other words, by irradiating R1 with light of different intensities depending on the location, a resistance division variable weighting transducer can be constructed. That is, a switching function can be provided by changing the intensity of light irradiated to the photoconductive film at the joint portion between the base and the teeth of the turntable 13, 13'.

その結果入出カドランスデューサのくし歯間隔が変わる
ことになるので表面波の入射波長を選択できることにな
る。
As a result, the interval between the comb teeth of the input and output quadrature transducers changes, so the incident wavelength of the surface wave can be selected.

以上の実施例からも明らかなようにまずトラック分離部
分の幅がトラック部分よりも狭1つだマルチス) IJ
ツブカプラーを使用した弾性表面波装置は、表面波の励
起効率をトラック分離部分で小さく抑えることができる
。従ってスプリアス特性及び挿入損失を改善できる。例
えばトラック分離部分の幅とトラック部分の幅d1 と
d2  の比をd1/d2”0.2程度とすIL!、i
、スプリアスレベルを約6 dB、挿入損失を1〜2d
B程度改善できる効果がある。次にマルチストリップカ
プラーのトラック分離部分を切断して光導電性膜で置換
し/、:1弾性表向波装置は、照射させる光の強度ある
いは照射面積又は入射光の波長を変えることができる。
As is clear from the above examples, first, the width of the track separation part is narrower than the track part.
A surface acoustic wave device using a tube coupler can keep the surface wave excitation efficiency small at the track separation portion. Therefore, spurious characteristics and insertion loss can be improved. For example, if the ratio of the width of the track separation part to the width of the track part d1 and d2 is about d1/d2"0.2, IL!, i
, spurious level about 6 dB, insertion loss 1-2 d
It has the effect of improving the level of B. The track separation portion of the multi-strip coupler is then cut and replaced with a photoconductive film./:1 The surface acoustic wave device can vary the intensity of the irradiated light, the irradiated area, or the wavelength of the incident light.

従ってトラック間の表面波エネルギー変換率を直接に制
御できる効果がある。更に入出力トランスゲ1−サの基
部と歯部を切断して光導電性膜で置換した弾性表面波装
置は、照射させる光の強度あるいは旧劇面積を変えるこ
とができる。従って光導′屈性膜を場所によって異なる
強度の光で照射すれば、抵抗分割可変重み付はトランス
デユーサを構成でり\る効果がある。
Therefore, there is an effect that the surface wave energy conversion rate between tracks can be directly controlled. Furthermore, a surface acoustic wave device in which the base and teeth of the input/output transducer are cut off and replaced with a photoconductive film can change the intensity or area of the irradiated light. Therefore, if the light guiding film is irradiated with light of different intensities depending on the location, the resistive division variable weighting has the effect of forming a transducer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は弾性表面波装置の斜視図、第2図は従来の弾性
表面波フィルタの平面図、第3図は本発明のトラック分
離部分に相当する箇所の電極幅を狭く[7たマルチスト
リップカプラーの平面図、第6図は本発明のトラック分
離部分に相当する箇所のtwILを光導電性膜で置換し
たマルチストリップカプラーの平面図、第7図は第6図
の光導電性膜を複数の種類の光導電性材料で充当したマ
ルチストリップカプラーの平面図、第8図は歯部と基部
との接合する部分を光導電性膜に置換したインターディ
ジタル電極の平面図、第9図は第8図の光n 礒(’l
 !i’!に抵抗分割の可変確み付・けを施したインタ
ーディジタル電極の回路図、第4図、第5図はマルチス
トリップカプラーのトラック部分に光導電性膜を施こし
た従来例の平面図。 1・・・・・・・・・圧電体 2・・・・・・・・・入カイ/ターディジタル電極2′
 ・・・・・・入カドランスデューサとしてのアポダイ
ズインターデイジタル電極 3.3”、・・・出力インターディジタル電極3′ ・
・・・・・出カドランスデューサとしてのアポダイズイ
ンターデイジタル電極 4・・・・・・・・マルチストリップカプラー4′ ・
・・・・・トラック分離部分を狭くしたマルチストリッ
プカプラー 4“ ・・・・・・トラック分離部分を切断。Xれたマ
ルチストリップカプラー 5・・・・・・・・・トラックA部分 6・・・・・・・・トラック分離部分 7・・・・・・・・・トラフ28部分 11.11′、12.12−1〜12−jψ、14.1
5・・・・・・光導電性膜 13・・・・・・インターディジタル電極の基部13′
・・・・・インターディジタル電極の歯部代理人 弁理
士 守 谷 −雄 第 t 刊 第 2 区 43 図 61− 第4 図 弗 5 園 〃′ 弗 6 図
FIG. 1 is a perspective view of a surface acoustic wave device, FIG. 2 is a plan view of a conventional surface acoustic wave filter, and FIG. A plan view of a coupler, FIG. 6 is a plan view of a multi-strip coupler in which twIL corresponding to the track separation portion of the present invention is replaced with a photoconductive film, and FIG. 7 is a plan view of a multi-strip coupler in which a plurality of photoconductive films of FIG. FIG. 8 is a plan view of a multi-strip coupler filled with photoconductive material of the type shown in FIG. 8 figure light n 礒('l
! i'! FIGS. 4 and 5 are plan views of a conventional example in which a photoconductive film is applied to the track portion of a multi-strip coupler. FIGS. 1...Piezoelectric body 2...Input/tertiary electrode 2'
...Apodized interdigital electrode 3.3" as input transducer, ...output interdigital electrode 3' ・
...Apodized interdigital electrode 4 as an output transducer ...Multi-strip coupler 4'
...Multi-strip coupler 4 with a narrow track separation part...Cut off the track separation part.Xed multi-strip coupler 5...Track A part 6... ......Track separation part 7...Trough 28 part 11.11', 12.12-1 to 12-jψ, 14.1
5...Photoconductive film 13...Base 13' of interdigital electrode
・・・・・・Interdigital electrode teeth representative Patent attorney Moritani-Yu No. t Publication 2nd Ward 43 Figure 61- 4 Figure 弗 5 Sono 〃' 6 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、絶縁基板と、該基板上に設けられた圧電体薄膜と、
該圧電体薄膜上にあって歯部が互い違いに配置されると
ともに重なり合わないように形成された入カドランスデ
ューサ及び化カドランスデューサとしてのインターディ
ジタル電極と、前記圧電体薄膜で形成された表面波伝播
経路としての複数のトラック部分と、該トラック部分の
接合領域であるトラック分離部分と、該表面波伝播経路
中に設けられかつ前記トランク部分相互を架橋し該トラ
ック分離部分に対応する部分を幅狭にした電極群から成
っているマルチストリップカプラーとを具偏してなるこ
とを特徴とする弾性表面波装置。 2、 前記インターディジタル電極の歯部と基部との接
合する部分が光導電性膜からなる特許請求の範囲第1項
記載の弾性表面波装置。 3、前記マルチストリップカプラーのトラック分離部分
が光導電性膜からなる特許請求の範囲第1項又は第2項
記載の弾性表面波装置。
[Claims] 1. An insulating substrate, a piezoelectric thin film provided on the substrate,
interdigital electrodes as input quadrature transducers and catalytic transducers formed on the piezoelectric thin film so that their teeth are alternately arranged and do not overlap; and a surface formed of the piezoelectric thin film. A plurality of track portions as wave propagation paths, a track separation portion that is a joining area of the track portions, and a portion provided in the surface wave propagation path and bridging the trunk portions and corresponding to the track separation portion. A surface acoustic wave device comprising a multi-strip coupler comprising a group of narrow electrodes. 2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the portion where the tooth portion of the interdigital electrode and the base portion are joined is made of a photoconductive film. 3. The surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, wherein the track separation portion of the multi-strip coupler is made of a photoconductive film.
JP7383382A 1982-04-30 1982-04-30 Surface acoustic wave device Pending JPS58191514A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7383382A JPS58191514A (en) 1982-04-30 1982-04-30 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7383382A JPS58191514A (en) 1982-04-30 1982-04-30 Surface acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58191514A true JPS58191514A (en) 1983-11-08

Family

ID=13529532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7383382A Pending JPS58191514A (en) 1982-04-30 1982-04-30 Surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58191514A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103932A2 (en) * 1982-09-20 1984-03-28 Philips Electronics Uk Limited Acoustic surface wave device
JPS63217705A (en) * 1987-03-05 1988-09-09 Canon Inc Signal processing element
US6577210B1 (en) * 1998-03-11 2003-06-10 Fujitsu Limited Surface acoustic wave filter having plural propagation paths and a coupler

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103932A2 (en) * 1982-09-20 1984-03-28 Philips Electronics Uk Limited Acoustic surface wave device
JPS63217705A (en) * 1987-03-05 1988-09-09 Canon Inc Signal processing element
US6577210B1 (en) * 1998-03-11 2003-06-10 Fujitsu Limited Surface acoustic wave filter having plural propagation paths and a coupler

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100349558B1 (en) Surface acoustic wave apparatus
US4023124A (en) Acoustic surface wave devices
US4425554A (en) Surface acoustic wave resonator device
JPH0750548A (en) Surface acoustic wave element
JP3882205B2 (en) Vertical multimode SAW filter
JPH0559609B1 (en)
US4060777A (en) Guided elastic surface wave filter
US3972011A (en) Surface elastic wave electromechanical device
JPH1084245A (en) Surface acoustic wave element
US3878407A (en) Surface wave electromechanical filter
JPS58191514A (en) Surface acoustic wave device
EP0782256B1 (en) Surface acoustic wave resonator filter apparatus
JPH05347535A (en) Surface acoustic wave filter device
JPS63215108A (en) Surface elastic wave device
JPH03204212A (en) Internal reflection type unidirectional surface acoustic wave converter having floating electrode and filter
JPS6247206A (en) Surface acoustic wave multimode filter
JPH09107269A (en) Acoustic wave filter with filter shaping element, and its manufacture
JP3040928B2 (en) Surface acoustic wave transducer
JPH03129915A (en) Surface acoustic wave resonator
JPH03119815A (en) Internal reflection type unidirectional surface acoustic wave converter with floating electrode
JP3296367B2 (en) Internal reflection unidirectional surface acoustic wave device with floating electrode.
US20030067370A1 (en) String weighted surface-acoustic-wave transducer
JP3197883B2 (en) Surface acoustic wave transducer
JP2583384B2 (en) Internal reflection type unidirectional surface acoustic wave converter and electronic device using the same
JPS5830216A (en) Acoustic wave device