JPS58189950A - 電子顕微鏡 - Google Patents
電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS58189950A JPS58189950A JP7145082A JP7145082A JPS58189950A JP S58189950 A JPS58189950 A JP S58189950A JP 7145082 A JP7145082 A JP 7145082A JP 7145082 A JP7145082 A JP 7145082A JP S58189950 A JPS58189950 A JP S58189950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- light
- condenser
- axis
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/224—Luminescent screens or photographic plates for imaging ; Apparatus specially adapted therefor, e.g. cameras, TV-cameras, photographic equipment, exposure control; Optical subsystems specially adapted therefor, e.g. microscopes for observing image on luminescent screen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子顕微鏡、特に試料の透過電子線を光に変換
し、その変換された光にもとついて試料の像を像表示装
置に表示するタイプの電子顕微鏡に関する。
し、その変換された光にもとついて試料の像を像表示装
置に表示するタイプの電子顕微鏡に関する。
この遣の電子顕微鏡においては、変換された光′Ｉｔ検
出−に集光する来光レンズを試料′ｌｔ透過した鬼子−
の−に配置している。
出−に集光する来光レンズを試料′ｌｔ透過した鬼子−
の−に配置している。
しかし、本妬明省は検出−出力の８−Ｎ比が経時的に低
下すること、ｔたその原因は電子が物体に衝突すること
により発生するＸ線が集光レンズを劣１こさせ、それに
よってそのレンズの光選遍罷が低下することに気づいｆ
ｃ３ 本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
未光レンズの劣化にもとづく慣出益田力のＳ−Ｎ比の低
下を防止することができる蝋子−値鏡を提供することに
ある。
下すること、ｔたその原因は電子が物体に衝突すること
により発生するＸ線が集光レンズを劣１こさせ、それに
よってそのレンズの光選遍罷が低下することに気づいｆ
ｃ３ 本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は
未光レンズの劣化にもとづく慣出益田力のＳ−Ｎ比の低
下を防止することができる蝋子−値鏡を提供することに
ある。
本発明によれば、区科會透過した電子−が投射される位
置に光変換スクリーンが配置され、このスクリーンによ
って試料透過電子−は光に変換される７光変換スクリー
ンの後段において電子稼の軸には反射ミラーが配置され
、また電子線＠がら總ｎた位置には果九レンズが配置さ
れている。変換された光は反射ミラーによって反射され
この反射された光は集光レンズによりｉｆ１Ｍ管に集
光される。
置に光変換スクリーンが配置され、このスクリーンによ
って試料透過電子−は光に変換される７光変換スクリー
ンの後段において電子稼の軸には反射ミラーが配置され
、また電子線＠がら總ｎた位置には果九レンズが配置さ
れている。変換された光は反射ミラーによって反射され
この反射された光は集光レンズによりｉｆ１Ｍ管に集
光される。
第１図は本発明にもとづく一実施例を示す。同図におい
て、試料（図示せず）を透過した電子線１は投射電子レ
ンズ２によってカメ２装［１３の後段に配置された光変
換スクリーン４に投射され、光に変換される。この変換
された光は光変換スクリーン４０後段において電子線ｌ
の軸に配置された反射ミラー５によって直角方向に反射
され、その反射され次光は電子線１の軸から庫れた位置
に配置された集光レンズ６によプ撮像管７に集光さＣる
。これによって、電子顕微鏡が撮像さｎｌ ビデオモニ
ターｓｒｃ表示される。
て、試料（図示せず）を透過した電子線１は投射電子レ
ンズ２によってカメ２装［１３の後段に配置された光変
換スクリーン４に投射され、光に変換される。この変換
された光は光変換スクリーン４０後段において電子線ｌ
の軸に配置された反射ミラー５によって直角方向に反射
され、その反射され次光は電子線１の軸から庫れた位置
に配置された集光レンズ６によプ撮像管７に集光さＣる
。これによって、電子顕微鏡が撮像さｎｌ ビデオモニ
ターｓｒｃ表示される。
試料を透通した電子１Ｉｉ１１および散乱電子が電子線
１の通路又はその付近に存在する物体に衝突したときに
Ｘ尉が元止する。しかし、集光レンズ６は電子線１の軸
から離れた位置に配置されているためＸ線照射から免か
れる。その結果として、集光レンズ６の劣化、したがっ
てそのレンズの光透過能の低下が防止されるため、検出
器出力の８−Ｎ比は低下しない。
１の通路又はその付近に存在する物体に衝突したときに
Ｘ尉が元止する。しかし、集光レンズ６は電子線１の軸
から離れた位置に配置されているためＸ線照射から免か
れる。その結果として、集光レンズ６の劣化、したがっ
てそのレンズの光透過能の低下が防止されるため、検出
器出力の８−Ｎ比は低下しない。
反射ミ２−５は電子Ｉｗ１の軸上に配置されているため
にＸＭｉ照射を受けるが、そのミラー次面はアルミニウ
ムなどの金属でできているので、その劣化は防止される
。
にＸＭｉ照射を受けるが、そのミラー次面はアルミニウ
ムなどの金属でできているので、その劣化は防止される
。
反射ミラー５はエア７リンダー９によって１子−１の軸
外に通訳的に移動できるようになっている。この場合、
−向コイル１（［１１１かせれば鑞子味１を亀子−検出
器１３で検出することができるから、図示しない偏向装
置を用いて試料（図示しない）を電子線１でもって二久
元的に走査し、かつ颯子縁慣出器１３の検出体ｇを図示
しないビデオモニターに＊ｆｆ１ｉ４洒号として導入す
れば、このモニターに試料透過電子線像を表示すること
ができる。
外に通訳的に移動できるようになっている。この場合、
−向コイル１（［１１１かせれば鑞子味１を亀子−検出
器１３で検出することができるから、図示しない偏向装
置を用いて試料（図示しない）を電子線１でもって二久
元的に走査し、かつ颯子縁慣出器１３の検出体ｇを図示
しないビデオモニターに＊ｆｆ１ｉ４洒号として導入す
れば、このモニターに試料透過電子線像を表示すること
ができる。
また、偏向コイル１０の作動を停止すると、電子線１は
蝿石からなるエネルギーアナライザ１４１Ｃ入って、こ
こでエネルギー分析され、特定の二不ルギーの電子線が
レンズ１５およびスリット１７に経て検出器１６により
検出される。その検出信号は増幅器１ｓｔ−介して記録
装置１１１９に導びかｎる。したがって、電源２０によ
りエネルギーアナライザ１４の磁場を走査し、かつその
走査信号を記録装置１９の横軸に与えれば、記録装置１
９にエネルギースペクトルを表示することができる。
蝿石からなるエネルギーアナライザ１４１Ｃ入って、こ
こでエネルギー分析され、特定の二不ルギーの電子線が
レンズ１５およびスリット１７に経て検出器１６により
検出される。その検出信号は増幅器１ｓｔ−介して記録
装置１１１９に導びかｎる。したがって、電源２０によ
りエネルギーアナライザ１４の磁場を走査し、かつその
走査信号を記録装置１９の横軸に与えれば、記録装置１
９にエネルギースペクトルを表示することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、集光
レンズの劣化にもとづく検出器出力の８−Ｎ比の低下が
防止される。
レンズの劣化にもとづく検出器出力の８−Ｎ比の低下が
防止される。
第１図は本発明にもとづく一笑施例を示す電子顕微鏡の
要部の概念図である。
要部の概念図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を透過した電子−が投射される位置に光変換ス
クリーンを配置してこの光変換スクリーンによシ上記電
子−を光に変換し、この変換された光を反射させるよう
に反射ミラーを上記光変換スクリーンの後段において上
記電子線の軸に配置し、上記反射した光を上記電子線の
軸から離れた位置に配置し九果光レンズによシ撮像管に
来光するようにし九ことｔ−Ｖ倣とする電子！！Ｉ黴虜
。 ２ 上記反射ミ２−は上記電子線の軸に挿脱９舵に配置
さｎていゐことを特徴とする特許請求の範囲第１ＪＡに
記載された電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145082A JPS58189950A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145082A JPS58189950A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189950A true JPS58189950A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13460899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145082A Pending JPS58189950A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189950A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013915A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-07 | Hitachi, Ltd. | Transmission type electron microscope |
| WO1992005574A1 (en) * | 1987-05-26 | 1992-04-02 | Shigeto Isakozawa | Transmission electron microscope |
| EP1063677A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7145082A patent/JPS58189950A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992005574A1 (en) * | 1987-05-26 | 1992-04-02 | Shigeto Isakozawa | Transmission electron microscope |
| US5013915A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-07 | Hitachi, Ltd. | Transmission type electron microscope |
| EP1063677A1 (en) * | 1999-06-23 | 2000-12-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device |
| WO2001001439A1 (en) * | 1999-06-23 | 2001-01-04 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle device |
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