JPS5818334Y2 - amplifier circuit - Google Patents

amplifier circuit

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JPS5818334Y2
JPS5818334Y2 JP1977079687U JP7968777U JPS5818334Y2 JP S5818334 Y2 JPS5818334 Y2 JP S5818334Y2 JP 1977079687 U JP1977079687 U JP 1977079687U JP 7968777 U JP7968777 U JP 7968777U JP S5818334 Y2 JPS5818334 Y2 JP S5818334Y2
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JP
Japan
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transistor
base
current
amplifier circuit
power supply
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JP1977079687U
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JPS548355U (en
Inventor
伊藤秀夫
阪本正治
小沢昭夫
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パイオニア株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本案はトランジスタを使用した直流増幅回路に関するも
ので、特に入力バイアスオフセット電圧を零ボルトにし
て出力端におけるオフセット電圧をなくした増幅回路に
関する。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a DC amplifier circuit using transistors, and particularly to an amplifier circuit in which the input bias offset voltage is set to zero volts and the offset voltage at the output terminal is eliminated.

従来、入力バイアスオフセット電圧を零ボルトにした増
幅回路は第1図に示された回路構成をなしていた。
Conventionally, an amplifier circuit in which the input bias offset voltage is set to zero volts has a circuit configuration shown in FIG.

即ち、入力源抵抗R1が、入力に接続され、また差動増
幅器を構成するPNP)ランジスタQ2゜Q3の一方の
トランジスタQ2のベース及び定電流電源用NPN)ラ
ンジスタQ1のコレクタにも接続されている。
That is, the input source resistor R1 is connected to the input, and is also connected to the base of one transistor Q2 of the PNP transistors Q2 and Q3 constituting the differential amplifier and the collector of the constant current power supply NPN transistor Q1. .

該差動増幅器はエミッタ共通抵抗R3を介して正電源に
接続され、一方のトランジスタQ2のコレクタは負荷抵
抗R4を介して負電源に接続されると共に次段増幅用ト
ランジスタQ4のベースに接続される。
The differential amplifier is connected to a positive power supply via a common emitter resistor R3, and the collector of one transistor Q2 is connected to a negative power supply via a load resistor R4 and to the base of a next-stage amplification transistor Q4. .

この増幅用トランジスタQ4のエミッタはエミッタ抵抗
R6を介して負電源に、コレクタは負荷抵抗R5を介し
て正電源及び負荷RL及び負帰還抵抗R7t R8を介
して前記差動増幅器のトランジスタQ3のベースに接続
される。
The emitter of this amplifying transistor Q4 is connected to a negative power supply through an emitter resistor R6, and the collector is connected to a positive power supply through a load resistor R5, a load RL, and a negative feedback resistor R7t to the base of the transistor Q3 of the differential amplifier through R8. Connected.

定電流電源用トランジスタQ1はベースに基準電源E1
が接続され、そのエミッタはエミッタ可変抵抗R2を介
して負電源に接続される。
The constant current power supply transistor Q1 has a reference power supply E1 at its base.
is connected, and its emitter is connected to a negative power supply via an emitter variable resistor R2.

以上の様な回路構成に釦いて、その動作を説明すると、
入力より印加された信号はトランジスタQ2−Q4にて
増幅されるが、帰還抵抗R7とR8の比で決定される帰
還量がトランジスタQ3に負帰還される。
To explain the operation of the above circuit configuration,
The signal applied from the input is amplified by transistors Q2-Q4, and the amount of feedback determined by the ratio of feedback resistors R7 and R8 is negatively fed back to transistor Q3.

ここでトランジスタQ2の電流増幅率hFEをh F
E、2 とし、そのコレクタ電流をI2とし、トランジ
スタQ2のペース電流をIB2 とすれば、I B2
= I 2/h FE2 となる。
Here, the current amplification factor hFE of transistor Q2 is h F
E,2, its collector current is I2, and the pace current of transistor Q2 is IB2, then IB2
= I2/hFE2.

この電流が抵抗R1に流れると、トランジスタQ2のベ
ース電圧なりBとすれば、VB二IB2×R1となり、
この増幅器のゲインをGとすると入力バイアスオフセッ
ト電圧vBが負荷RLの両端に出力オフセット電圧とし
てVBXGの電圧が発生する。
When this current flows through the resistor R1, the base voltage of the transistor Q2 becomes VB2IB2×R1, where B is the base voltage of the transistor Q2.
When the gain of this amplifier is G, an input bias offset voltage vB generates a voltage VBXG as an output offset voltage across the load RL.

即ち、抵抗R1にトランジスタQ2のベース電流を流さ
ない様にしなければならない。
That is, it is necessary to prevent the base current of the transistor Q2 from flowing through the resistor R1.

その為にトランジスタQ2のベース電流IBと定電流源
用トランジスタQ1のコレクタ電流を等しくなる様にエ
ミッタ可変抵抗が調整される。
For this purpose, the emitter variable resistor is adjusted so that the base current IB of the transistor Q2 and the collector current of the constant current source transistor Q1 are made equal.

しかしながらトランジスタQ2は初段である事からその
コレクタ電流■2はあまり多くない以上、そのベース電
流IB2は少ない。
However, since the transistor Q2 is in the first stage, its collector current 2 is not very large, and its base current IB2 is also small.

そしてそのベース電流IB2に等しく選ばれた定電流電
源用トランジスタQ1のコレクタの電流も少なく、それ
故この定電流電源用トランジスタQ1のベース電流はさ
らに少なくなる。
The collector current of the constant current power transistor Q1 selected to be equal to the base current IB2 is also small, and therefore the base current of the constant current power transistor Q1 is further reduced.

その結果この定電流電源用トランジスタQ1はカットオ
フ領域に近い所で使用する事になりエミッタ可変抵抗R
2を可変するとしてもその微少な電流を調整する事は非
常に困難である。
As a result, this constant current power supply transistor Q1 is used near the cutoff region, and the emitter variable resistor R
2, it is extremely difficult to adjust the minute current.

さらには一方はベース電流であるのに対し他方はコレク
タ電流である為温度等の外部影響によるそれぞれの電流
変化量が異なり、その結果オフセット電圧の発生の可能
性は非常に大きい。
Furthermore, since one is a base current and the other is a collector current, the amount of change in each current due to external influences such as temperature is different, and as a result, there is a very high possibility that an offset voltage will occur.

そこで本考案は上述した欠点を取り除くべくなされたも
ので、温度等の外部変動に対しても安定で簡単に入出力
オフセット電圧零ボルトを得る事の出来る増幅器を提供
する事を目的とする。
Therefore, the present invention has been devised to eliminate the above-mentioned drawbacks, and aims to provide an amplifier that is stable even against external fluctuations such as temperature and can easily obtain an input/output offset voltage of zero volts.

以下、本考案を第2図を用いて詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail using FIG. 2.

第1図と同一部分は同一符号にて記すが、NPN)ラン
ジスタQ1のコレクタは正電源に接続され、そのベース
はトランジスタQ2のベースと接続されエミッタはエミ
ッタ可変抵抗R2を介して負電源に接続される。
The same parts as in Fig. 1 are indicated by the same symbols, but the collector of the NPN transistor Q1 is connected to the positive power supply, its base is connected to the base of the transistor Q2, and the emitter is connected to the negative power supply via the emitter variable resistor R2. be done.

以上の様な回路構成を成す事により、トランジスタQ2
のベース電流IB2と上ランジスタQ1のベース電流I
B2を等しくなる様にエミッタ可変抵抗R2は調整され
る。
By forming the circuit configuration as described above, transistor Q2
base current IB2 and base current I of upper transistor Q1
The emitter variable resistor R2 is adjusted so that B2 becomes equal.

うまく調整すればトランジスタQ2とQlは互に異なる
導電型トランジスタであるからトランジスタQ2のベー
ス電流はトランジスタQ1のベース電流と成る訳である
If properly adjusted, the base current of transistor Q2 will become the base current of transistor Q1 since transistors Q2 and Ql are transistors of different conductivity types.

それ故外部温度等の変化に対しても互に同じ度合でその
ベース電流が変化するので安定にオフセット電圧零の増
幅器が得られる。
Therefore, even with changes in external temperature, etc., the base currents change to the same degree, so an amplifier with a stable offset voltage of zero can be obtained.

又、トランジスタQ1はエミッタフォロア接続となって
いるので入力インピーダンスは任意に選ぶ事が出来る。
Further, since the transistor Q1 is connected as an emitter follower, the input impedance can be arbitrarily selected.

又、トランジスタQ□とQ2の電流増幅率hFEの温度
変化率が互に異なっていたとしてもその差分は電源電圧
の変化におきかえる事により補正する事もできる。
Further, even if the temperature change rates of the current amplification factors hFE of the transistors Q□ and Q2 are different from each other, the difference can be corrected by replacing it with a change in the power supply voltage.

例えばトランジスタQ1の電流増幅率hFF、の変化の
方がトランジスタQ2のそれよりも大きい場合には温度
上昇によってIBI<IB2となる。
For example, if the change in the current amplification factor hFF of the transistor Q1 is larger than that of the transistor Q2, IBI<IB2 due to the temperature rise.

この時負電源−Bの電圧を増せばトランジスタQ1のコ
レクタ電流は増加し、ベース電流IBIも増加するので
負電源−Bの電圧変化でIBI”’IB2 となる様
に補正する事が出来、入出力オフセットの発生を防止す
る事ができる。
At this time, if the voltage of the negative power supply -B is increased, the collector current of the transistor Q1 will increase, and the base current IBI will also increase, so it is possible to correct IBI'''IB2 by changing the voltage of the negative power supply -B, and the input It is possible to prevent output offset from occurring.

なお、上述した実施例では、初段増幅の増幅器として平
衡型である差動増幅器を使用し、一方のトランジスタを
初段直流増幅用のトランジスタとし、他方のトランジス
タに負帰還をかけているが、必ずしもこのようになって
いる必要はなく、この初段増幅の増幅器が不平衡型であ
ってもバイアス用抵抗に流れるベース電流によって入力
バイアスオフセット電圧の生じるものであれば、本考案
を等しく適用できる。
In the above embodiment, a balanced differential amplifier is used as the first-stage amplification amplifier, one transistor is used as the first-stage DC amplification transistor, and negative feedback is applied to the other transistor, but this is not necessarily the case. It is not necessary that the first stage amplifier is an unbalanced type, but the present invention can be equally applied as long as the input bias offset voltage is generated by the base current flowing through the bias resistor.

以上、説明した様に本考案は上述した如き多くの効果を
従来に比し何ら部品数を増す事なく得られ、インプット
コンデンサレス直流増幅器に用いればその電気的性能は
非常に改善される。
As explained above, the present invention can achieve many of the above-mentioned effects without increasing the number of parts compared to the prior art, and when used in an input capacitorless DC amplifier, its electrical performance can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の増幅回路、第2図は本考案の一実施例を
示す増幅回路である。 Q1〜Q3・・・・・・トランジスタ、RL・・・・・
・負荷。
FIG. 1 shows a conventional amplifier circuit, and FIG. 2 shows an amplifier circuit according to an embodiment of the present invention. Q1-Q3...Transistor, RL...
·load.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] ベースとアースとの間にバイアス用抵抗が接続されてい
る初段直流増幅用の第1のトランジスタを有する増幅回
路であって、前記第1のトランジスタのベースと共通に
そのベースが接続され、コレクタが第1の電源に接続さ
れ、エミッタが可変抵抗を介して第2の電源に接続され
た前記第1のトランジスタとは異なる導電型の第2のト
ランジスタを備え、前記可変抵抗を調整して前記第1の
トランジスタのベース電流と前記第2のトランジスタの
ベース電流とが等しくなるよう設定したことを特徴とす
る増幅回路。
An amplifier circuit including a first transistor for initial stage DC amplification, the base of which is connected in common with the base of the first transistor, and the collector of which is connected to the base of the first transistor. a second transistor of a conductivity type different from that of the first transistor connected to a first power source and whose emitter is connected to a second power source via a variable resistor; An amplifier circuit characterized in that the base current of the first transistor and the base current of the second transistor are set to be equal.
JP1977079687U 1977-06-20 1977-06-20 amplifier circuit Expired JPS5818334Y2 (en)

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JPS548355U JPS548355U (en) 1979-01-19
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5111554A (en) * 1974-07-19 1976-01-29 Sony Corp
JPS5199958A (en) * 1975-02-28 1976-09-03 Mitsubishi Electric Corp
JPS5214336A (en) * 1975-07-25 1977-02-03 Hitachi Denshi Ltd High input impedance differential amplifier circuit

Patent Citations (3)

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JPS548355U (en) 1979-01-19

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