JPS58175656U - 半導体モジユ−ル - Google Patents
半導体モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS58175656U JPS58175656U JP7308782U JP7308782U JPS58175656U JP S58175656 U JPS58175656 U JP S58175656U JP 7308782 U JP7308782 U JP 7308782U JP 7308782 U JP7308782 U JP 7308782U JP S58175656 U JPS58175656 U JP S58175656U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor module
- semiconductor laser
- coupling lens
- attenuating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の一実施例の要部構成図。
゛ １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・集
束性ロッドレンズ、３・・・・・・光減衰膜、４・・・
・・・光ファイバ、５・・・・・・ 一監視用Ｐ
ＩＮフォトダイオード。
束性ロッドレンズ、３・・・・・・光減衰膜、４・・・
・・・光ファイバ、５・・・・・・ 一監視用Ｐ
ＩＮフォトダイオード。
Claims (2)
- （１）半導体レーザと、 この半導体レーザの出力光を光ファイバに結合する結合
用レンズと を備えた 半導体モジュールにおいて、 上記結合用レンズは上記半導体レーザに対して高い結合
率を保つように配置され、 上記結合用レンズには、 通過光の一部を光軸から角度をもたせて反射させる光減
衰膜が内蔵された ことを特徴とする 半導体モジュール。 - （２）光軸に対する光減衰膜の角度がほぼ４５度であり
、 ゛ 。 この光減衰膜に反射された反射光が監視用受光素子に与
えられるように構成された 実用新案登録請求の範囲第（１）項に記載の半導体モジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308782U JPS58175656U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 半導体モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308782U JPS58175656U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 半導体モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175656U true JPS58175656U (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=30082613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308782U Pending JPS58175656U (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 半導体モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175656U (ja) |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP7308782U patent/JPS58175656U/ja active Pending
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