JPS58172556A - 電磁気量測定用光フアイバ測定装置 - Google Patents

電磁気量測定用光フアイバ測定装置

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JPS58172556A
JPS58172556A JP58039370A JP3937083A JPS58172556A JP S58172556 A JPS58172556 A JP S58172556A JP 58039370 A JP58039370 A JP 58039370A JP 3937083 A JP3937083 A JP 3937083A JP S58172556 A JPS58172556 A JP S58172556A
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JP
Japan
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optical fiber
measuring device
layer
junction
material layer
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JP58039370A
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English (en)
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モルガン・アドルフソン
トルグニイ・ブロガルド
バ−テイル・ホク
クリステル・オブレン
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ABB Norden Holding AB
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ASEA AB
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/268—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light using optical fibres
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices

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  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は電圧、電流、１１Ｉ場および磁場等の電磁気量
を好適に測定するための光フアイバ測定装置に関する。
本発明は変換器と電子および光電子装置とをそなえ、こ
れらは少なくとも１本の光ファイバによって互いに接続
されている。電子および光電子装置は変換器の少なくと
も１つの材料層において荷電体を光学的に励起する九め
の光源と、変換器から放射されるルミネセンスを検知す
るための少なくとも１つの光検知器を有する。
く背景技術〉 工業用測定手段として光フアイバ変換器による電流、電
圧および磁場の安価でかつ信頼し得る測定を可能にする
ことが大いに望まれている。よシ高い価格も許容される
適用では、いわゆる光給電エレクトロニクスで機能する
装置が開発されている（例えば米国特許第４，２９０，
１４６号参照）。
光は１本または数本の光ファイバを経て１つまたはそれ
以上のフォトダイオードへ送られ、前記フォトダイオー
ドは増幅器、比較器およびアナログスイッチのような電
子回路へ供給する電力を送出する。
〈発明の要約〉 本発明ではセンサ側の複雑さをかなシ低減することによ
って、安価でかつ信頼し得る電磁気量の変換器の提供を
可能にする測定装置を提示する。
本変換器は測定素子および基準素子をセンナ内に集積化
することによるその単純さに吃がかわらず、電気的に制
御される７オトルミネセンスに基づいて高性能を保持す
る。本発明の特徴は、変換器が少なくとも１つの吸収型
または干渉型の光学フィルタを有すること、電子および
光電子装置が異なる放射スペクトルを持つ少なくと本２
つの光源を有すること、前記フィルタが光ファイバの変
換器内の端面と変換器の材料層との間の光路内にフィル
タが変換器材料層の画定された表面を光学的におおうよ
うに配置されていること、前記フィルタの各々が変換器
材料層からのルミネセンスおよび前記光源の少なくとも
１つからの励起光を通すとともに前記光源の少なくとも
他の１つからの励起光を阻止するよう配置されているこ
と、変換器材料層内で励起された荷電体が光を放射させ
るとともに古結合するようになっていること、変換器材
料層内の少数荷電体濃度が該材料層付近の少なくとも１
つのＰＮ接合またはショットキー接合の影醤を受けるよ
うになっていること、またＰＮ接合を通しての光を流ま
たはＰＮ接合にかかる電圧が抵抗性センサ素子または（
および）［庄原、または（および）ダイオード、バイポ
ーラトランジスタ、サイリスタ、トンネルダイオードも
しくは電界効果トランジスタのような能動半導体素子に
より変調されるようになっていることである。このよう
に、例えばＧａＡｌＡｓ内に全く新しい型のセンサ構造
が得られ、該センサ構造は光学的構成要素とセンサ電子
装置の両者の材料内への全体的な集積化を可能にし、ま
た異なるＧａＡｌＡｓ　１１１成要素の選択的な光学的
感知によって測定値の光学的アナログ伝送や波長のデマ
ルチプレクシングを可能にする。
〈実施態様〉 以下、本発明ヲ碓付図面を参照しつつより群細に記述す
る。
測定装置全体を示す第１図において、注入［［はスイッ
チ６ａの助けによシ２つの発光ダイオード（ＬＥＤ　）
またはレーずダイオード１および２へ交互につながれる
。これらのダイオードからの光は光ファイバ７と８、光
学分岐９と１０および光ファイバ１１を経て変換器６０
へ送られる。光源１および２からの光の強度の間の比を
一定にするために、光の一部はそれら光源からフォトダ
イオード３へ送られ、その光電流が、差分発生器４、基
準信号Ｖｒｅｆおよび積分器５の助けにより光源１およ
び２への流入電流を制御するのに用いられる。光源１お
よび２は変換器６０内の同一ルミネセンス層の異なる部
分からフォトルミネセンスを生じさせる。このようにし
て受は取られたルミネ：：１ センスの一部はファイバ１１、分岐１０、ファイバ６１
および光学フィルタ６２を経て光検出器６３へ送られる
。光検出器６３からの信号は増幅器６４によって増幅さ
れ、光源１および２の切換えに合わせてスイッチ６ｂに
よりサンプルホールド回路（ＳｌＨ）６５と６６へ切換
えられる。サンプルされ之ルミネセンス値は面形成（剰
算）手段６Ｔへ供給され、その出力が測定値信号を構成
する。図示では、この測定値信号は指示計器６日へ送ら
れている。
変換器６０の一実施例が第２ａ図、第２ｂ図に示されて
いる。第２ａ図は本変換器の側面を示し、第２ｂ図は光
ファイバ１１の方向からみ九本変換器の前面を示してい
る。本変換器はエピタキシャル技術によって好適に作製
される。もし虎ア、Ａ７１−エＡｓ系を用いるとすれば
、図示の層は以下の如くなる。
１８．３９，２０ニオ−ミックコンタクト用の金属層 １２：ｎトーチＧａＡｓ　基板 １３：ｎドープＧａｘ、　Ａｌ　１−Ｘ　Ｉ　Ａ　Ｓｌ
　４：ｎドープＧ１１Ｘ２ＡＡ’１−Ｘ２ＡＳ　（Ｘ２
　＞　ＸＩ　）１５：ｎドープＧａｘ３ｋ１１−Ｘ３Ａ
ｓ　（Ｘ３　）　ｘｌ）１６：ｐドープＧａＡｓ １７：ｐドープＧａＸ４Ａｌｌ−Ｘ４Ａｓ（ｘ４〉ｏ）
第６ａ図は第２図のセンサ実施例を備えた第１図による
測定装置におけるスペクトルの関係を示し、第３ｂ図は
層１３を２つの汗渉フィルタ３４および３５で置き換え
た場合（第４図参照）のスペクトルの関係を示している
。第６ａ図および第６ｂ図には種々の曲線が示されてい
るが、それらは次の通シである。
２４　：　ＬＥＤ　ｉの放射スペクトル２５　：　ＬＥ
Ｄ　’ｌの放射スペクトル２６ａ：層１６の温度Ｔ１で
の７オトルミネセンス ２６ｂ：層１６の温度’ｒ２）　’ｒ１での７オトルミ
ネセンス ２１：層１６の吸収スペクトル ２８ａ：層１３の吸収スペクトル ２８ｂ：層１５の吸収スペクトル ２９；フィルタ６２の透過スペクトル ３０：干渉フィルタ３４の透過スペクトル（干渉フィル
タ３４は放射スペクトル２４と２６の両方を通過させる
ことに留意） ３１：干渉フィルタ３５の透過スペクトル第６ａ図およ
び第３ｂ図において、横軸のλは波長を示し、縦軸の工
は強度、αは吸収率、またＴは透過率金示している。
第４図は（第２ａ図にあるような吸収フィルタ１３の代
わりに）２つの干渉フィルタ３４および３５を備え比変
換器の等価図を示す。第２＆図にも示されている結線２
９，２！および２３を有する等価ダイオード３２と３３
は、２つの抵抗素子３６と３７に接続される。素子３６
は測定すべき量ｘ１例えば、１個の磁気抵抗素子の場合
の磁場による影會を受け、素子３７は１次温度補償の基
準素子として用いられる。矢印Ｔは温度基準信号を示す
。
次に、本測定装置の動作モードを第１図、第２図、第３
ｂ図および第４図を参照して説明する。
ＬＥＤ　ｉにスイッチを切り換えると、第４図の上方の
ダイオード３２は照射され、下方のダイオード３３は暗
であろう。これにより、抵抗素子３６に光電流が流れ、
この抵抗の両端に電圧降下が生じる。この電圧は前記抵
抗、従って、測定値Ｘに依存する。この電圧の大きさは
ダイオード３２のＩ−Ｖ特性の動作点を決定し、また層
１５と１６の間のＰＮ接合におけるフェルミ準位を決定
する。
層１６内の光学的に励起された少数荷電体が層１５と１
６の間のＰＮ接合における電場こう配によυ層１５に吸
収されることによって光電流が形成されると同時に、前
記の光学的に励起された少数荷電体のいくらかが光を放
出しつつ層１６内の正孔と再結合することによって層１
６内にフォトルミネセンスが得られる。このルミネセン
スは層１６内の少数荷電体の濃度に依存し、従って前記
光電流によシ変調される。ルミネセンスの効率を良くす
るためには、層１５および１７のＡｌ含有量をより高く
して層１６に比して禁止帯の幅をよシ大きくすることに
よって、荷電体を層１６内にトラップする。抵抗３６の
［を高くすれば、小さい光電流となシ、従って高いルミ
ネセンスが得られる。他方抵抗の値を低くすると光電流
の方が大きくなる。このように、ＬＥＤｌにスイッチを
切り換えると、測定される量Ｘに依存するフォトルミネ
センスが検知器６３で得られる。
ＬＥＤ　２にスイッチを切り換えると、第４図の下方の
フォトダイオード３３のみにスイッチが切シ換えられ（
第６ｂ図のスペクトルの関係参照）、上と同様の理由に
よって基準素子３７の抵抗に依存するルミネセンス信号
が検出器６３で受信される。サンプルホールド技術によ
り、２つの励起時刻におけるフォトルミネセンス信号を
抽出して面形成手段ま之は他の計算装置に送って計器６
８への測定値信号を得ることができる。測定値信号は変
換器の温度、変換器のニーソングおよびファイバ装置の
光減衰に依存しなくなる。フィルタ６２の機能は反射さ
れ九励起光をろ過してとり除くことであり、それによシ
測定値信号はファイバの光学的な接合および接続にも依
存しなくなる。
電圧を測定する。場合には、第６図に示したように電圧
をフォトダイオード素子に直接に接続してもよいし、第
５図および第８図のようにトランジスタ素子を用いてフ
ォトルミネセンスを変調してもよい。第５図の電界効果
トランジスタは単に電圧制御される抵抗として用いられ
るので、トランジスタ３８および３９はここでは第４図
の抵抗素子３６および３７と同一の機能を果たす。第６
図の電圧源４０は層１５と１６の間のＰＮ接合における
７工ルミ準位の高さを調整し、それにより層１６から少
数荷電体を移す電場を調整する。Ｕｘの値が低くなると
、光電流は増大してフォトルミネセンスは減少する。ま
た、Ｕｘの値が増大すると、光電流は減少してフォトル
ミネセンスは増大する。Ｕｘの値が高くなりすぎると、
少数荷電体は層１６内に注入される。
第４図から第６図に示される素子（第６図の電圧源４０
を除く）は同一のＧ＆Ａｓ基板上に集積化することがで
きる。このような集積化の一例が第７図に示されている
。同図で、フォトルミネセンス層１６は、差動結合し得
る２つのトランジスタを構成するＰＮＰ構造内に配置さ
れる。
第７図の層は以下のものから成る。
１９：金属層、オーミックコンタクト １２：ｐドープＧａＡｓ基板 １６ｂ：ｐドープＧａＸ５Ａｌｌ−ｘ５Ａ８４１　：ｎ
ドープＧａ　Ｘ　６　Ａ７　＝　ｘ　６Ａ　Ｓ１６：ｐ
ドープＧＢ　ｘ　、Ａｌ　ｚ　−ｘ　、Ａ　Ｓ１７：ｐ
ドープＧａＸ７Ａ７１−、Ａｓ４２〜４５：金属層、オ
ーミックコンタクト３４および３５：干渉フィルタ層 電子等価図が第８図に示されてお９、図で結線２２．２
３，４６，４７．４８および４９は第７図に示した結線
に対応する。
本構成要素の機能のために、層１６には高いルミネセン
ス効率が与えられ（励起され次荷電体が高寿命）、′１
次層１５には高濃度の非放射再結合中心により低ｂルミ
ネセンス効率が与えられる。
トランジスタへのベース電流によって、層１６において
光学的に励起される荷電体の濃度が制御され、従ってこ
の層からのフォトルミネセンスが制御される。
第８図の構成要素を通常型の電子回路に接続することに
より正確な光ファイバｌｌｔ流および電圧測定を実現す
ることができる。
より広い範囲の測定値信号を得る念めに、高いＡｌ含有
量を持つ薄い層を第２ａ図の層１５と１６の間もしくは
第７図の層４１と１６の間に付加することができる。こ
のようにすると、励起された荷電体は層１６からＰＮ接
合における場によってそれ程容易に吸収されないので、
第４図および第５図の３６．３７，３８．３９の抵抗値
が低くま次第６図の４０が低電圧の時にも艮いルミネセ
ンス変調がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
第１図は測定装置全体を示す図、第２ａ図および２＾図
はエピタキシャル成長させた半導体材料内のセンサ設計
を示す図、第６ａ図および第３ｂ図は本測定装置におけ
るスペクトルの関係、第４図はセンサ素子の抵抗性変換
器への電気接続を示す図、第５図はセンサ素子の・１．
トランジスタ回路への接続を示す図、第６図はセンサ素
子の外部電圧源への接続會示す図、第７図は集積化トラ
ンジスタ機能を伴うセンサ設計を示す図、第８図は第７
図のセンサの等価図を示す。 代理人　浅　村　　　皓 外４名 １＾ ＦＩＧ、　７ ｖ ＦＩＧ、　２ｂ ＦＩＧ、　４ Ｆ／σ５ ＦＩＧ、　６

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも１本の光ファイバ（１１）によって相
    互接続された変換器（Ｇ）と電子および光電子装置（Ｅ
    ）ｔ−備え、電子および光電子装［（Ｅ）が変換器（（
    ））の少なくとも１つの材料層（１６）において荷電体
    を光学的に励起するための光源（１）、（２）と、変換
    器（Ｇ）から放射されるルミネセンス（２６）ｔ−検出
    するための少なくとも１つの光検出器（６３）と含んで
    いる電圧、電流、！磁場のような電磁気量を測定するた
    めの光フアイバ測定装置であって、前記変換器ＣＧ）が
    少なくとも１つの吸収型（１３）または干渉型（３４）
    、（３５）の光学フィルタを有すること。 前記電子および光電子装置（Ｆ、）が異なる放射スペク
    トル（２４）、（２５）を持つ少なくと吃２つの光源（
    １）　、　（２）を有すること、前記光学フィルタ（１
    ３）、（３４）、（３５）が前記元ファイバ（１１）前
    記変換器内の端面と前記材料層（１６）との間の光路内
    に前記光学フィルタ（１３）、（３４）、（３５）が前
    記材料層（１６）の画定された表面を光学的におおうよ
    うに配置されていること、前記光学フィルタ（１３）。 （３４）、（３５）の各々が前記材料層（１６）からの
    ルミネセンスおよび前記光源（１）　、（２）の少なく
    とも１つからの励起光を通すとともに前記光源（１）、
    （２）の少なくとも他の１つからの励起元金阻止するよ
    う配置されていること、前記材料層（１６）内で励起さ
    れた荷電体が光を放射させるとともに再結合するように
    なっていること、前記材料層（１６）内の少数荷電体濃
    度が該材料層（１６）付近の少なくとも１つのＰＮ接合
    またはショットキー接合（Ｉｓ）、（１６）の影響を受
    けるようになっていること、および前記ＰＮ接合を通し
    ての光１流または前記ＰＮ接合にかかる電圧が抵抗性セ
    ンサ素子（３６）、（３７）および（または）を圧源（
    ４０）および（または）ダイオード、バイポーラトラン
    ジスタ（５３）。 （５４）、サイリスタ、トンネルダイオードもしくは電
    界効果トランジスタ（３８）、（３９）のような能動半
    導体素子により変調されるようになっていることを特徴
    とする光ファイバ測爺装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載において、前記材料層
    （１６）が両側を該ルミネセンス層（１６）よりも禁止
    帯の幅が大きい層（１５）、（１７）によって取囲まれ
    ること、および前記ルミネセンス層（１６）の少なくと
    も一部で励起された荷電体が前記ＰＮ接合またはショッ
    トキー接合により生じる空乏層から１ないし数拡散長の
    距離のところに位置することを特徴とする光フアイバ測
    定装置。 （３）　　特許請求の範囲第２項記載において、前記ル
    ミネセンス層（１６）とこれを取囲む前記層の１つ（１
    ５）とが１つのＰＮ接合を構成することを特徴とする光
    ファイバ測定装置。 （４）特許請求の範囲第６項記載において、禁止帯の幅
    が大きい薄層が、前記ルミネセンス層（１６）内で励起
    された荷電体のはっきり画定され念拡散障壁を得るため
    に前記ＰＮ接合内に配置されていることを特徴とする光
    フアイバ測定装置。 （５）特許請求の範囲第３項記載において、前記ＰＮ接
    合がＮＰＮまたはＰＮＰ構造内にあり、それによって得
    られるパイボーラトランゾスタのベース層（４１）がこ
    れ自身がはさまれる前記ルミネセンス層（１６）と非ル
    ミネセンス層（１６ｂ）との間の荷電体の移送を制御す
    るよう配置されていることを特徴とする光フアイバ測定
    装置。 （６）　　特許請求の範囲第１項記載において、前記材
    料層（１６）の光学的に分離された部分（１３）。 （１５）が、電気的に見て１つの構成要素（３２）。 （３３）、（５３）、（５４）が前記光学的に分離さｎ
    ＋部分（１３）、（１５）の各々について得らｎるよう
    な関係で前記変換器内の他の層に対して形成されかつ位
    置づけられることを特徴とする光フアイバ測定装置。 （７）特許請求の範囲第６項記載において、前記構成要
    素（（３２）ｔ　（３３）等）が前記光学的に分離され
    九部分（１３）、（１５）を本構造（１２）。 （１３）、（１４）、（１５）、（１６）。 （１７）の少なくとも一方の側止の異なる電極（１９）
    、（２０）ｋ経て他の回路へ電気的に接続することによ
    って得られることを特徴とする光フアイバ測定装置。 （８）特許請求の範囲第７項記載において、前記構成要
    素が共通の導電層をエツチングすることおよび（または
    ）いわゆるが−ドリングを導入することによって互いに
    電気的に独立になっており、層内の横方向に阻止ＰＮ接
    合が得られていることを特徴とする光フアイバ測定装置
    。 （９）特許請求の範囲第７項記載において、前記構成要
    素が少なくとも２つのパラメール−整合させたダイオー
    ド（３２）、（３３）またはトランジスタ（５３）、（
    ５４）から成っており、該パラメータ整合は構成要素の
    層（１３）、（１４）。 （１５）、（１６）、（１７）、（１６ｂ）。 （４１）に対し良好な横方向プロセス制御を行ないなが
    ら成長させることによって得られることを特徴とする光
    フアイバ測定装置。 ０１　　％許請求の範囲第６項記載において、前記構成
    要素が、前記抵抗性センサ素子（３６）　。 （３７）、前記電圧源（４０）および（または）能動半
    導体素子（５３）、（５４）、（３８）。 （３９）に対して、前記材料層（１６）から放射される
    ルミネセンス信号（２６）が基準信号（Ｖｒｅｆ　）ば
    かシでなく測定信号（Ｖ’）に関する情報を含むように
    電気的に接続されることを特徴とする光フアイバ測定装
    置。 旧】　％許請求の範囲第１０項記載において、前記構成
    要素の少なくと本１つ（３３）が基準素子（３７）、（
    ３９）に接続され、前記構成要素のさらに他の少なくと
    も１つが測定すべき量により変調される１つの素子（３
    ６）、（３Ｂ）。 （４０）に接続されていることを特徴とする光フアイバ
    測定装置。 Ｏ３特許請求の範囲第１０項記載において、前記光源（
    １）、　（２）が時分割または周波数分割でマルチデレ
    クスされること、前記光源（１）。 （２）からの励起光により前記構成要素（３ｇ）。 （３７）内に生じるフォトルミネセンス（２６）が電子
    および光電子装置（Ｅ）に適合する検出器回路（６ｂ）
    、（６５）、（６６）によって時分割または周波数分割
    でマルチゾレタスされること、また、デマルチプレクス
    されたフォトルミネセンスに応答する電気イキ号が光フ
    アイバ装置の減衰および前記変換器に含まれる素子（（
    ６０）。 （３６）、（３７）、（３８）、（３９）等）の温度と
    経年変化について補償され次側定信号を得るために計算
    装置に送られること、および（またハ）デマルチプレク
    スされたフォトルミネセンスに応答する電気信号の１つ
    が前記光源（１）。 （２）間の光強度の関係全制御する調整器に送られるこ
    とを特徴とする光フアイバ測定装置。 σ＆　特許請求の範囲第１２項記載において、１記計算
    装置が１つまたはそれ以上の商を作成しまた１つまたは
    それ以上の減算、加：１算および（または）乗算を行な
    うことを特徴とする光フアイバ測定装置。
JP58039370A 1982-03-15 1983-03-11 電磁気量測定用光フアイバ測定装置 Pending JPS58172556A (ja)

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SE82016015 1982-03-15
SE8201601A SE430437B (sv) 1982-03-15 1982-03-15 Fiberoptiskt metdon for metning av elektriska och magnetiska storheter

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JP58039370A Pending JPS58172556A (ja) 1982-03-15 1983-03-11 電磁気量測定用光フアイバ測定装置

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EP (1) EP0088972A1 (ja)
JP (1) JPS58172556A (ja)
SE (1) SE430437B (ja)

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Publication number Publication date
SE430437B (sv) 1983-11-14
EP0088972A1 (de) 1983-09-21
SE8201601L (sv) 1983-09-16

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