JPS58170057A - 光集積化半導体装置 - Google Patents
光集積化半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉｌ１発明の技術分野
本発明は光集積化半導体装置、より詳しくは半導体基板
上に発光素子もしくは受光素子と電子回路（例えば電界
効果トランジスタ）とをモノリシックに集積しｈ光集積
化半導体装置に関する。
上に発光素子もしくは受光素子と電子回路（例えば電界
効果トランジスタ）とをモノリシックに集積しｈ光集積
化半導体装置に関する。
（２）技術の背景
光集積化半導体装置は同一半導体基板上に光デバイスと
電子デバイスとを集積した装置で施り、これからの発展
が期待される製品である。
電子デバイスとを集積した装置で施り、これからの発展
が期待される製品である。
第１図は上記光集積化半導体装置の１例を示す斜視図で
、ｎ型ガリウム砒素（ｎ −ＧａＡｓ）基板ｌ上に電界
効果トランジスタ（ＰＵＴ）ＡとレーザダイオードＢと
を同時に形成し、前記ＦＥＴによってレーザダイオード
Ｂの駆動を行う構成となっている。
、ｎ型ガリウム砒素（ｎ −ＧａＡｓ）基板ｌ上に電界
効果トランジスタ（ＰＵＴ）ＡとレーザダイオードＢと
を同時に形成し、前記ＦＥＴによってレーザダイオード
Ｂの駆動を行う構成となっている。
ところで、上述した光集積化半導体装置は、その集積度
が上がるにつれて光デバイスと電子デバイスとの素子間
距離が短縮化され、その結果、電子デバイスが光デバイ
スの影響を受けて誤動作を行うことがある事実が知られ
ている。すなわち、光デバイスの動作時に発生する光が
、電子デバイスを形成する動作層内に光電流を発生し、
この光電流が誤動作の原因となるためである。
が上がるにつれて光デバイスと電子デバイスとの素子間
距離が短縮化され、その結果、電子デバイスが光デバイ
スの影響を受けて誤動作を行うことがある事実が知られ
ている。すなわち、光デバイスの動作時に発生する光が
、電子デバイスを形成する動作層内に光電流を発生し、
この光電流が誤動作の原因となるためである。
（３）従来技術と問題点
再び第１図を参照して従来技術を説明する。
同図に示す光集積化半導体装置は、ｎ型ＧａＡｓ結晶基
板１上にアルミニウム（Ａｌ）を添加したＧａＡｊｉ
Ａｓ層２、このＧａＡＪ Ａｓ層２の上にＧａＡｓのレ
ーザ活性層３を、次いで再びクラ・ノド層であるＧａＡ
ｊｉ Ａｓ層４を成長させてダブルへテロ構造のレーザ
を形成し、さらに電子回路と光素子とを電気的に分離す
る高抵抗ＧａＡｌＡｓ層５を介してＮＥＴの動作層であ
るＧａＡｓ層６を成長させた後、Ａで示す１’ＥＴを形
成したものである。当該ＦＥＴは上記レーザダイオード
Ｂの駆動を目的とし、そのために破線９で示す如くクラ
ッド層４内まで亜鉛（Ｚｎ）を拡散もしくは注入し、Ｐ
電極ｌＯが形成されている。
板１上にアルミニウム（Ａｌ）を添加したＧａＡｊｉ
Ａｓ層２、このＧａＡＪ Ａｓ層２の上にＧａＡｓのレ
ーザ活性層３を、次いで再びクラ・ノド層であるＧａＡ
ｊｉ Ａｓ層４を成長させてダブルへテロ構造のレーザ
を形成し、さらに電子回路と光素子とを電気的に分離す
る高抵抗ＧａＡｌＡｓ層５を介してＮＥＴの動作層であ
るＧａＡｓ層６を成長させた後、Ａで示す１’ＥＴを形
成したものである。当該ＦＥＴは上記レーザダイオード
Ｂの駆動を目的とし、そのために破線９で示す如くクラ
ッド層４内まで亜鉛（Ｚｎ）を拡散もしくは注入し、Ｐ
電極ｌＯが形成されている。
□１ なお同図において７は二酸化シリ
コン膜、８はｎ電極を示す。
コン膜、８はｎ電極を示す。
ところで、上述した光集積化半導体装置において、レー
ザダイオードＢのＧａＡｓ活性層３からは白ヌキ矢印で
示すように波長０．８８μ鋼のレーザ光（Ａｌ添加の場
合は０．７〜０．８８μ幣の光）が放出されるが、この
発光の際に、該活性層３内には指向性の強いレーザ光の
他に、指向性をもたない上記した波長の光の放射（自然
発光）が発生している。この放射光の一部は、クラッド
層４および高抵抗ＧａＡｌ Ａｓ層５が該放射光に対し
て透明なためＦＥＴの動作層６に到達するが、この動作
層６はＧａＡｓ結晶（レーザの活性層と同じ結晶）であ
るため、この光を吸収してキャリア対を発生する。発生
したキャリア（電子）は印加電圧により動作層６内を流
れるため、ＦＥＴに与えられる信号電流とは無関係に動
作層６内に電流が流れることになる。
ザダイオードＢのＧａＡｓ活性層３からは白ヌキ矢印で
示すように波長０．８８μ鋼のレーザ光（Ａｌ添加の場
合は０．７〜０．８８μ幣の光）が放出されるが、この
発光の際に、該活性層３内には指向性の強いレーザ光の
他に、指向性をもたない上記した波長の光の放射（自然
発光）が発生している。この放射光の一部は、クラッド
層４および高抵抗ＧａＡｌ Ａｓ層５が該放射光に対し
て透明なためＦＥＴの動作層６に到達するが、この動作
層６はＧａＡｓ結晶（レーザの活性層と同じ結晶）であ
るため、この光を吸収してキャリア対を発生する。発生
したキャリア（電子）は印加電圧により動作層６内を流
れるため、ＦＥＴに与えられる信号電流とは無関係に動
作層６内に電流が流れることになる。
上述した光による電流の発生は、ＦＢＴの誤動作の原因
となり、この現象はレーザとＰＢＴとの距離が短くなれ
ばなるほど顕著となる。
となり、この現象はレーザとＰＢＴとの距離が短くなれ
ばなるほど顕著となる。
以上説明した如く、従来の光集積化半導体装置には、光
デバイスから放射される光の影響により、電子デバイス
の特性が劣下し、しかも集積度が高まるほどこの劣下が
著しくなるため、高密度集積化を困難にするという問題
がある。
デバイスから放射される光の影響により、電子デバイス
の特性が劣下し、しかも集積度が高まるほどこの劣下が
著しくなるため、高密度集積化を困難にするという問題
がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、電子デバイスが光デ
バイスからの放射光の影響を受けることのない光集積化
半導体装置の提供を目的とする。
バイスからの放射光の影響を受けることのない光集積化
半導体装置の提供を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、ＧａＡｓ結晶中のＡ
ｌ濃度によって当該結晶に吸収される光の波長が異なる
事実に基づき、電子回路を形成する動作層と光素子との
間に、前記光素子の発光部もしくは受光部と等しいかも
しくは小さい禁制釜中をもつ結晶を、少なくとも一層以
上介在させることを特徴とする光集積化半導体装置を提
供することによって達成される。
ｌ濃度によって当該結晶に吸収される光の波長が異なる
事実に基づき、電子回路を形成する動作層と光素子との
間に、前記光素子の発光部もしくは受光部と等しいかも
しくは小さい禁制釜中をもつ結晶を、少なくとも一層以
上介在させることを特徴とする光集積化半導体装置を提
供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明の詳細な説明するための線図で、ＧａＡ
ｓ結晶中のＡｌ濃度に対するバンドギャップ（禁制釜中
）Ｅｇの依存性を示す。
ｓ結晶中のＡｌ濃度に対するバンドギャップ（禁制釜中
）Ｅｇの依存性を示す。
同図を参照すると、ＧａＡｓ結晶中のＡｌ濃度が大にな
る（図中横軸右方向に移る）につれて、バンドギャップ
Ｅｇが大になるため、あるＡｌ濃度のＧａＡｓ結晶から
出た光は、これより Ａｌ濃度の小なる結晶には吸収さ
れ、逆に大なる結晶には吸収されない。
る（図中横軸右方向に移る）につれて、バンドギャップ
Ｅｇが大になるため、あるＡｌ濃度のＧａＡｓ結晶から
出た光は、これより Ａｌ濃度の小なる結晶には吸収さ
れ、逆に大なる結晶には吸収されない。
第３図は上記事実に基づいた本発明の第１の実施例を説
明するための図で、同図および以下の図において既に図
示したものと同じ部分は同じ符号を付して示す。
明するための図で、同図および以下の図において既に図
示したものと同じ部分は同じ符号を付して示す。
同図を参照すると、厚さ約１ｏｏ／７ＩＩｌのｎ＋−Ｇ
ａＡｓ基板３１上にダブルへテロ構造の半導体レーザＢ
（以下レーザという）を形成する。すなわち、前記ｎ”
−ＧａＡｓ基板３１上に、厚さ１．５μ麟のＧａＡｌｔ
Ａｓ結晶のバッファ層３２を、次いで厚さ０．１μ僧
の活性層Ｇａ１−ｘＡｌ ｘＡｓ （０≦Ｘ≦１）３
３を、次いで厚さ１．５μ鋼のクラッド層３４を成長さ
せる。
ａＡｓ基板３１上にダブルへテロ構造の半導体レーザＢ
（以下レーザという）を形成する。すなわち、前記ｎ”
−ＧａＡｓ基板３１上に、厚さ１．５μ麟のＧａＡｌｔ
Ａｓ結晶のバッファ層３２を、次いで厚さ０．１μ僧
の活性層Ｇａ１−ｘＡｌ ｘＡｓ （０≦Ｘ≦１）３
３を、次いで厚さ１．５μ鋼のクラッド層３４を成長さ
せる。
これら各層は、有機金属熱分解法（ＭＯ−ＣＶＤ法）も
しくはＭＢｔ！ （Ｍｏｌｅｃｕｌｅｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって成長させる。
しくはＭＢｔ！ （Ｍｏｌｅｃｕｌｅｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって成長させる。
次いで、レーザから放射される光を吸収するためのＧａ
＋−ｙＡｌｌｙＡｓ （０≦ｙ≦１）吸収層３５を成
長させる。該吸収層３５の厚さｄは、吸収係数をαとし
てαｄ≧１を満足するように選択する。光の吸収はｅｘ
ｐ （−αｄ）で与えられるため、例えばαｄ＝”１
のとき、入射光は吸収により１／ｅに減少する。従って
αｄ≧１であれば入射する光の大部分が吸収され、入射
光は１／ｅ以下に減衰する。
＋−ｙＡｌｌｙＡｓ （０≦ｙ≦１）吸収層３５を成
長させる。該吸収層３５の厚さｄは、吸収係数をαとし
てαｄ≧１を満足するように選択する。光の吸収はｅｘ
ｐ （−αｄ）で与えられるため、例えばαｄ＝”１
のとき、入射光は吸収により１／ｅに減少する。従って
αｄ≧１であれば入射する光の大部分が吸収され、入射
光は１／ｅ以下に減衰する。
なおα＝ ２ Ｘ １０″ｌ ＣＭ ＋のとき、αｄ≧
１を満足するｄはｄ≧０．５μｍである。
１を満足するｄはｄ≧０．５μｍである。
一方、該吸収層３５の組成は、前記レーザの活性層３３
より ＾ｌ濃度が小かもしくは等しくなる（Ｘ≧ｙ）よ
うに選択する。このような組成をもつ結晶は、上記活性
層３３から出る光をｅｘｐ （−αｄ）に従って吸収す
るため、電子回路部に光が達せず、誤動作が皆無となる
。
より ＾ｌ濃度が小かもしくは等しくなる（Ｘ≧ｙ）よ
うに選択する。このような組成をもつ結晶は、上記活性
層３３から出る光をｅｘｐ （−αｄ）に従って吸収す
るため、電子回路部に光が達せず、誤動作が皆無となる
。
、 ｐｂｚｚ゛、ｌ：、Ｅ＊ｅ、１５吋
ゝ゛１絶”性Ｇａ１−ｚＡ＃ ｚＡｓ （０≦２≦１）
層３６、当該半絶縁性層３６の上に電子回路のｎ−Ｇａ
Ａｓ動作層６を成長させる。
ゝ゛１絶”性Ｇａ１−ｚＡ＃ ｚＡｓ （０≦２≦１）
層３６、当該半絶縁性層３６の上に電子回路のｎ−Ｇａ
Ａｓ動作層６を成長させる。
なお、前記吸収層３５および半絶縁性Ｇａｐ−ｚＡ／
ｚＡｓ層３６の成長は、レーザの場合と同様に、ＭＯ−
ＣＶＤ法もしくはＭＢ２法で行う。
ｚＡｓ層３６の成長は、レーザの場合と同様に、ＭＯ−
ＣＶＤ法もしくはＭＢ２法で行う。
最後に同図に破線９で示すレーザ部分に選択拡散もしく
はイオン注入でＰ形りラッド層３４に達するまで、亜鉛
の拡散もしくは注入を行い、半導体レーザ駆動のための
Ｐ電極１０を形成する。また他の動作層６上には、ＰＥ
Ｔ 、バイポーラトランジスタ、ダイオードなどを含む
電子回路を形成しく本実施例ではＮＥＴとショットキダ
イオードＣを形成）、必要に応じて動作層６のメサエッ
チングを行い、素子間分離をなして光集積化半導体装置
を形成する。なお同図において３７はショットキバリヤ
、３８はＮ電極、Ｓはソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄ
はドレイン電極である。
はイオン注入でＰ形りラッド層３４に達するまで、亜鉛
の拡散もしくは注入を行い、半導体レーザ駆動のための
Ｐ電極１０を形成する。また他の動作層６上には、ＰＥ
Ｔ 、バイポーラトランジスタ、ダイオードなどを含む
電子回路を形成しく本実施例ではＮＥＴとショットキダ
イオードＣを形成）、必要に応じて動作層６のメサエッ
チングを行い、素子間分離をなして光集積化半導体装置
を形成する。なお同図において３７はショットキバリヤ
、３８はＮ電極、Ｓはソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄ
はドレイン電極である。
第４図は本発明の第２の実施例を説明するた″。図７あ
６・ 。
６・ 。
本実施例は、高い４集積度のデバイスにおいて、信号の
混信を防ぐため、基板に半絶縁性ＧａＡｓ基板を使用し
た場合においても、第１の実施例と同じ効果が期待可能
であることを示す。
混信を防ぐため、基板に半絶縁性ＧａＡｓ基板を使用し
た場合においても、第１の実施例と同じ効果が期待可能
であることを示す。
同図を参照すると、第１の実施例と同様にＧａｐ−ｙＡ
ｊ！ ｙＡｓ （０≦２≦１）吸収層４２が半絶縁性
Ｇａ＋−ｚＡｊ！ ｚＡｓ （０≦２≦１）層とレー
ザＢとの間に形成されている。当該吸収層４２の組成お
よび厚さについての条件は、第１の実施例と同じである
。
ｊ！ ｙＡｓ （０≦２≦１）吸収層４２が半絶縁性
Ｇａ＋−ｚＡｊ！ ｚＡｓ （０≦２≦１）層とレー
ザＢとの間に形成されている。当該吸収層４２の組成お
よび厚さについての条件は、第１の実施例と同じである
。
なお本実施例では基板４１が半絶縁性であるため、Ｎ電
極８は、基板４１上にｎ＋−ＧａＡｓ層３１を形成し、
その上に設けられている。
極８は、基板４１上にｎ＋−ＧａＡｓ層３１を形成し、
その上に設けられている。
当該実施例によってはまた、光集積化半導体装置の高簗
積度が可能となる。
積度が可能となる。
第５図は本発明の第３の実施例を説明するための図であ
る。
る。
当該実施例は、ＩｎＧａＡｓＰ系の光集積化半導体装置
に関し、特に高速動作を目的として電子回路の動作層５
７にｎ−１ｎＧａＡｓ結晶を用いた場合である。
に関し、特に高速動作を目的として電子回路の動作層５
７にｎ−１ｎＧａＡｓ結晶を用いた場合である。
高速動作層に通したｎ−１ｎＧａＡｓ結晶は波長１．６
５μ預に吸収帯をもっているが、ＩｎＧａＡｓＰ ／
ＩｎＰ系のダブルへテロ構造半導体レーザが波長１．３
μｍおよび１．５μ鋼に発光帯をもっているため、前記
動作層がレーザの放射光を吸収し誤動作を引き起す。
５μ預に吸収帯をもっているが、ＩｎＧａＡｓＰ ／
ＩｎＰ系のダブルへテロ構造半導体レーザが波長１．３
μｍおよび１．５μ鋼に発光帯をもっているため、前記
動作層がレーザの放射光を吸収し誤動作を引き起す。
本実施例は上記誤動作をなくすため、ＩｎＧａＡｓＰ吸
収層を形成し、レーザ放射光の動作層への到達を防ぐ。
収層を形成し、レーザ放射光の動作層への到達を防ぐ。
第５図を参照すると、ｎ”−１ｎＰ基板上にＩｎＧａＡ
ｓＰ ／ ＩｎＰ 系ダブルへテロ構造の半導体レーザ
Ｂ （５２〜５４）が形成され、その上にＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層５５、次いで半絶縁性１ｎＰもしくはＩｎＧａ
ＡｓＰ層５６が形成される。電子回路は前記半絶縁層５
６上のｎ −１ｎＧａＡｓ層５７上に形成されている。
ｓＰ ／ ＩｎＰ 系ダブルへテロ構造の半導体レーザ
Ｂ （５２〜５４）が形成され、その上にＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層５５、次いで半絶縁性１ｎＰもしくはＩｎＧａ
ＡｓＰ層５６が形成される。電子回路は前記半絶縁層５
６上のｎ −１ｎＧａＡｓ層５７上に形成されている。
該１ｎＧａＡｓＰ吸収層５５の組成は、その禁制釜中が
レーザのＩｎＰ活性層５３のそれより小になるように決
められる。そうすることによって、吸収層５５はレーザ
の放射光をすべて吸収する。
レーザのＩｎＰ活性層５３のそれより小になるように決
められる。そうすることによって、吸収層５５はレーザ
の放射光をすべて吸収する。
なお、上記ＩｎＧａＡｓＰ系において基板に半絶縁性基
板を用いた場合も、第２の実施例と同様の効果を期待で
きる。
板を用いた場合も、第２の実施例と同様の効果を期待で
きる。
ところで、以上説明した実施例においては、ただ１つの
吸収層を介在させるだけであるが、複数の層により、各
層における吸収係数と厚さとの積の和が１に等しいかも
しくは大きい条件を満たして吸収層を形成する場合でも
同様の効果が得られる。また光素子と電子回路との配置
が、上記実施例のように縦方向の構成でなく、横方向に
並んでいる場合でも、これらの間に吸収層を介在させる
ことにより光のアイソレーションを達成し得る。
吸収層を介在させるだけであるが、複数の層により、各
層における吸収係数と厚さとの積の和が１に等しいかも
しくは大きい条件を満たして吸収層を形成する場合でも
同様の効果が得られる。また光素子と電子回路との配置
が、上記実施例のように縦方向の構成でなく、横方向に
並んでいる場合でも、これらの間に吸収層を介在させる
ことにより光のアイソレーションを達成し得る。
すなわち、各素子間をメサ形成等で電気的に分離した後
、光の吸収層で埋め込めば光のアイソレーションが可能
となり、この埋め込みに用いる層は光素子の発光部もし
くは受光部より小なる禁制釜中をもつ結晶のみならず、
樹脂、プラスチ７ク、もしくはメタル等によって行なっ
てもなんら本発明の効果を損なうものではない。
、光の吸収層で埋め込めば光のアイソレーションが可能
となり、この埋め込みに用いる層は光素子の発光部もし
くは受光部より小なる禁制釜中をもつ結晶のみならず、
樹脂、プラスチ７ク、もしくはメタル等によって行なっ
てもなんら本発明の効果を損なうものではない。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、光素子
による光の影響によって電子回路の誤動作が発生１ず・
またぎ子回路を形成す６動作層、Ｉ の
選択において光吸収に対する制限がない光集積化半導体
装置を提供できるため、半導体装置の信頼性向上、高速
化および高集積度化に効果大である。
による光の影響によって電子回路の誤動作が発生１ず・
またぎ子回路を形成す６動作層、Ｉ の
選択において光吸収に対する制限がない光集積化半導体
装置を提供できるため、半導体装置の信頼性向上、高速
化および高集積度化に効果大である。
第１図は従来の光集積化半導体装置の斜視図、第２図は
ＧａＡｓ結晶の禁制釜中Ｂｇの当該結晶中＾ｐ濃度に対
する依存性を示す線図、第３図から第５図は本発明の詳
細な説明するための光集積化半導体装置の要部断面図で
ある。 ３− ＧａＡｓ活性層、６−ＧａＡｓ動作層、３１−ｎ
” −ＧａＡｓ基板、３３・−Ｇａｐ −ｘＡ Ｉ！
ＸＡ！！活性層、３５．４２−Ｇａｐ−ｙＡｊ！ ｙ
Ａｓ （ｘ ＞ｙ ） 、４１−半絶縁性ＧａＡｓ基
板吸収層、５１− ｎ 十−１ｎＰ基板、５３−１ｎＧ
ａＡｓＰ活性層、５５−ＩｎＧａＡｓＰ吸収層 特 許 出願人 富士通株式会社
ＧａＡｓ結晶の禁制釜中Ｂｇの当該結晶中＾ｐ濃度に対
する依存性を示す線図、第３図から第５図は本発明の詳
細な説明するための光集積化半導体装置の要部断面図で
ある。 ３− ＧａＡｓ活性層、６−ＧａＡｓ動作層、３１−ｎ
” −ＧａＡｓ基板、３３・−Ｇａｐ −ｘＡ Ｉ！
ＸＡ！！活性層、３５．４２−Ｇａｐ−ｙＡｊ！ ｙ
Ａｓ （ｘ ＞ｙ ） 、４１−半絶縁性ＧａＡｓ基
板吸収層、５１− ｎ 十−１ｎＰ基板、５３−１ｎＧ
ａＡｓＰ活性層、５５−ＩｎＧａＡｓＰ吸収層 特 許 出願人 富士通株式会社
Claims (3)
- （１）半導体基板上に、発光素子もしくは受光素子と電
子回路とをモノリシックに集積した光集積化半導体装置
において、上記光素子と電子回路との間に、該光素子の
発光部もしくは受光部と等しいかもしくは小なる禁制釜
中をもつ結晶を少なくとも一層以上介在させることを特
徴とする光集積化半導体装置。 - （２）上記介在層において、当該介在層の吸収係数との
積が１に等しいかもしくは大なる条件を満足する厚さを
もって、該介在層を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光集積化半導体装置。 - （３）複数の介在層を介在し、各介在層における吸収係
数と層の厚さとの積の和が、１に等しいかもしくは大な
る如く介在層を介在させることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光集積化半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053119A JPS58170057A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
| DE8282402152T DE3280183D1 (de) | 1981-11-30 | 1982-11-26 | Optische halbleiteranordnung. |
| EP82402152A EP0080945B1 (en) | 1981-11-30 | 1982-11-26 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053119A JPS58170057A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170057A true JPS58170057A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12933907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053119A Pending JPS58170057A (ja) | 1981-11-30 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170057A (ja) |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053119A patent/JPS58170057A/ja active Pending
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