JPS58166693A - Automatic flasher - Google Patents

Automatic flasher

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Publication number
JPS58166693A
JPS58166693A JP57050607A JP5060782A JPS58166693A JP S58166693 A JPS58166693 A JP S58166693A JP 57050607 A JP57050607 A JP 57050607A JP 5060782 A JP5060782 A JP 5060782A JP S58166693 A JPS58166693 A JP S58166693A
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JP
Japan
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triac
gate
resistor
switching element
load
Prior art date
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Pending
Application number
JP57050607A
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Japanese (ja)
Inventor
佐藤 由己
浜田 元宣
岸野 安一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tokyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光導電セルにより周囲照度を検出して負荷へ
の電源をQN−OFFする自動点滅器に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an automatic flasher that detects ambient illuminance using a photoconductive cell and turns off power to a load.

従来、この種の自動点滅器においては種々の回路が採用
されているが、纂1図と第2図とに基いて従来の二つの
例を説明する。
Conventionally, various circuits have been employed in this type of automatic flasher, and two conventional examples will be explained based on Figures 1 and 2.

まず、第1図に示すものについて説明する。電源(1)
に対してトライアック(2)とランプ等の負荷(3)と
が接続され、前記トチイアツク(2) OTr  G関
には光導電セルとなるCdS (4)と;ンデンナ(5
)とトリガー素子となるダイアック(6)とが並列に接
続すれ、このダイアック(6)の片方の極大と前記トラ
イアック(2)のTsと0ISIKは抵抗(7)が接続
されている。
First, what is shown in FIG. 1 will be explained. Power supply (1)
A triac (2) and a load (3) such as a lamp are connected to the triac (2).
) and a diac (6) serving as a trigger element are connected in parallel, and a resistor (7) is connected to one maximum of this diac (6) and Ts and 0ISIK of the triac (2).

このような構成において、電11(1) K所定の電圧
を印加するとトライアック(2)のTs −Tm間に負
荷(3)を介して電源電圧が発生する。一方、TI−T
m KはCd8 (4)と抵抗(7)とが接続されてシ
9、A点の電圧VムはCdS (4)と抵抗(7)とで
分割した値となる。またA点からはダイアック(6)を
介してトライアック(2)のゲートへ接続されているた
め、Vムがダイアック(6)のブレークオーバ電圧を越
えるとダイアック(6)は導通してトライアック(2)
にトリガ電流が流れる。
In such a configuration, when a predetermined voltage is applied to the power supply 11(1)K, a power supply voltage is generated between Ts and Tm of the triac (2) via the load (3). On the other hand, T.I.T.
mK is connected to Cd8 (4) and resistor (7), and voltage V at point A is a value divided by CdS (4) and resistor (7). In addition, since point A is connected to the gate of the triac (2) via the diac (6), when Vmu exceeds the breakover voltage of the diac (6), the diac (6) becomes conductive and the triac (2) is connected to the gate of the triac (2). )
Trigger current flows through.

いま、周囲光が暗くなっていくと仮定すると、CdS 
(4)の抵抗値は大きくなり、vムも比例して大きくな
る。Vムがトリガー電圧に達するとダイアック(6)が
導通し、このとき、コンデンサ(5)に蓄えられていた
電荷が放電され、トライアック(2)をONする。
Now, assuming that the ambient light is getting darker, CdS
The resistance value of (4) increases, and vmu also increases proportionally. When the voltage V reaches the trigger voltage, the diac (6) becomes conductive, and at this time, the charge stored in the capacitor (5) is discharged, turning on the triac (2).

このトライアック(2)がONすると、TlTs間の電
圧はほぼ零にな9、次の半サイクルが始まるまでこの状
態を維持する。
When this triac (2) is turned on, the voltage across TlTs becomes almost zero9, and this state is maintained until the next half cycle begins.

次の半サイクルも同様にトライアック(2)がOFFか
ら始ま9、vムがトリガー電圧を越えるとダイアック(
6)がONL、その結果、コンデンサ(5)K充電され
た電荷を放電してトライブック(2)LPONする。
The next half cycle similarly starts with triac (2) OFF, and when vm exceeds the trigger voltage, diac (
6) is ONL, and as a result, the capacitor (5) K discharges the charged charge and tries book (2) LPON.

逆に周囲照度が明るくなると、CdS (4)の抵抗値
は小さくなり、vムはゲート電圧を越えるまでにはなら
ず、トライブック(2)はOFFの11まである・この
ような従来の回路においては、負荷(3)がインダクタ
ンス分の大きいとき、すなわち、力率の低いものである
とき、トライアック(2)がONしている時間、すなわ
ち、コンデンサ(5)からの放電によシトリガー電流が
流れている時間内にトライアック(2)のメイン電流が
位相遅れのためトライアック(2)のONを維持する保
持電流値Klで達しない場合が生じる。したがって、−
腹側しかけ九トライアック(2)は再びOFF t、て
しまい、再度トライアック(2)の両端に電圧が印加さ
れ、これにより、コンデンサ(5)t−再び充電し、こ
れがトリガ電圧を越えたときトライアック(2)tQN
する。この動作を半サイクル内に例回か繰シ返すが、イ
ンダクタンス分の大きいときにはトライアック(2)は
側することができないと云う欠点を有している。
On the other hand, when the ambient illuminance becomes brighter, the resistance value of CdS (4) becomes smaller, vm does not exceed the gate voltage, and the try book (2) is up to 11, which is OFF. In this case, when the load (3) has a large inductance, that is, when the power factor is low, the trigger current increases due to the time that the triac (2) is ON, that is, the discharge from the capacitor (5). During the flowing time, the main current of the triac (2) may not reach the holding current value Kl that keeps the triac (2) ON due to a phase lag. Therefore, −
The ventral trigger nine triac (2) is turned OFF again, and voltage is again applied across the triac (2), which causes the capacitor (5) to charge again, and when this exceeds the trigger voltage, the triac (2)tQN
do. This operation is repeated several times within a half cycle, but has the disadvantage that the triac (2) cannot be moved when the inductance is large.

つぎに、第2図に示すものは、CdS (4)とR1な
る抵抗(8)との分圧がトライアック(9)のゲートに
印加され、このトライアック(9)は&なる抵抗(8a
)と直列接続されてトライアック(2)のゲートに接続
されている。したがって、周囲が暗くなるとCd5(4
)の抵抗値が大きくなり、トリガー用のトライブック(
9)が)する、これが開すると、メイントライアック(
2)のゲート電流が流れ、それが側する。JII11囲
が明るくなるとトライアック(9)はONできず、メイ
ンのトライアック(2)もOFFのままである。
Next, in the case shown in FIG. 2, a partial voltage of CdS (4) and a resistor (8) R1 is applied to the gate of a triac (9), and this triac (9) is connected to a resistor (8a
) is connected in series with the gate of triac (2). Therefore, when the surroundings become dark, Cd5(4
) becomes larger and the trigger try book (
9), and when it opens, the main triac (
The gate current of 2) flows, and it flows to the side. When the JII 11 area becomes bright, the triac (9) cannot be turned on, and the main triac (2) also remains off.

この回路では、負荷(3)のインタフタンスが大きくへ
ても、トリガトライブック(9)はり1維持しているの
で電流の位相遅れがあってもトライアック(2)はON
できる。しかしながら、トライアック(2)のトリガ電
流は通常20mJ以上必要とするので、トリガ電流によ
る損失が大暑な値となる。たとえば、100V回路では
トリガ回路の損失PLO811= 100VX 20m
Al2Wが08時に消費されることになる。これは消費
電力を少なくする目的で自動点滅器を半導体化する目的
に反することになる。
In this circuit, even if the load (3) has a large intuffance, the trigger trybook (9) remains at 1, so the triac (2) remains ON even if there is a phase lag in the current.
can. However, since the trigger current of the triac (2) usually requires 20 mJ or more, the loss due to the trigger current becomes very large. For example, in a 100V circuit, the loss of the trigger circuit PLO811 = 100VX 20m
Al2W will be consumed at 08:00. This goes against the purpose of using semiconductors for automatic flashers to reduce power consumption.

このような問題を解決す乙には、トライアックのゲート
と負荷側との間に全波整流回路を接続し、この全波整流
回路の+側と一側との間に光導電セルでON・−0FF
を制御されるサイリスタを接続することが考えられる。
To solve this problem, a full-wave rectifier circuit is connected between the gate of the triac and the load side, and a photoconductive cell is connected between the positive side and one side of the full-wave rectifier circuit. -0FF
It is conceivable to connect a thyristor that is controlled by

このようなものは前述の欠点を充分に解決はするが、サ
イリスタは温度によりそのゲート感度が大きく変化し、
これにより、特性が変化すると云う欠点を有しているも
のである。
Although this type of device satisfactorily solves the above-mentioned drawbacks, the gate sensitivity of thyristors changes greatly depending on the temperature,
This has the disadvantage that the characteristics change.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、消費電
力が少なく、かつ、温度による特性変化のない自動点滅
器を得ることを目的とする。
The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide an automatic flasher that consumes less power and does not change its characteristics due to temperature.

本発明は、負荷への通電を制御するトライアックのゲー
トに全波整流回路を介してサイリスタを接続し、このサ
イリスタのゲートに光導電セルによって動作制御される
高ゲインスイッチ素子を接続したので、サイリスタの0
N−OFFはそのゲート感度に関係なく一定の状態で行
なわれ、これにより、温度による影響のないものを得る
ことができ、また、消費電力も龜わめて少なくてよいよ
うに構成したものである。
In the present invention, a thyristor is connected to the gate of a triac that controls energization to a load via a full-wave rectifier circuit, and a high gain switching element whose operation is controlled by a photoconductive cell is connected to the gate of this thyristor. 0 of
N-OFF is performed in a constant state regardless of the gate sensitivity, so that it is not affected by temperature, and the power consumption is extremely low. be.

本発明の第一の実施例t−第3図に基いて説明する。t
ず、電源αQにトライアックαυと負荷(6)とが接続
されている。このトライアックC11)のG  Tm間
には全波整流回路(至)が接続されている。この全波整
流回路(至)の+側にアノードを位置させ−111にカ
ソードを位置させてサイリスタCL4が接続されている
。このサイリスタC14のA−に間にはR1なる抵抗(
至)、R3なる抵抗(ト)、R4なる抵抗(ロ)、R@
なる抵抗(至)が接続され、抵抗aカ(至)の接続中点
にはReなる抵抗(至)を介してサイリスタ(ロ)のゲ
ートが接続されている。を九、前記抵抗(2)的の接続
中点と前記ティリスタα祷のカソード儒との間には高ゲ
インスイッチ素子であるPUT(ホ)が接続されている
。このPUT 9IJのゲートと前記抵抗(至)(至)
の接続中点との間にはR3なる抵抗(ハ)が接続され、
かつ、PUT(ホ)のG−に閲には光導電セルであるC
dS @が接続されている。
A first embodiment of the present invention will be described based on FIG. t
First, a triac αυ and a load (6) are connected to a power supply αQ. A full-wave rectifier circuit (to) is connected between GT and Tm of this triac C11). A thyristor CL4 is connected with the anode located on the + side of this full-wave rectifier circuit (to) and the cathode located on the -111 side. A resistor R1 (
), R3 resistance (g), R4 resistance (b), R@
The gate of the thyristor (b) is connected to the connection midpoint of the resistor a through the resistor Re. 9. A PUT (e), which is a high gain switching element, is connected between the connection midpoint of the resistor (2) and the cathode of the tillister α. The gate of this PUT 9IJ and the resistance (to) (to)
A resistor R3 (c) is connected between the connection midpoint of
And, in the G- of PUT (E), there is C which is a photoconductive cell.
dS @ is connected.

さらに、前記抵抗(ハ)と前記CdS @とKは定電圧
回路を構成するツェナーダイオードに)が接続されてい
る・ このような構成において、PUT(ホ)はサイリスタα
◆に較べてゲート感度が非常に高く、ゲート電流をtl
とんど必要としない。したがって、PU’l)のG−に
間K Cd5(2)を接続し、そのPUT 94のアノ
ードから抵抗(ロ)(至)を介してサイリスタα◆のゲ
ートに接続しであるので、PU′Il(ホ)のアノード
に印加される電圧VAはつぎのようになる・ 友だし、 Vzはツェナーダイオード61oツエナー電
圧である。
Furthermore, the resistor (C) and the CdS @ and K are connected to a Zener diode that constitutes a constant voltage circuit. In this configuration, PUT (E) is connected to the thyristor α
The gate sensitivity is very high compared to ◆, and the gate current can be reduced to tl.
I don't really need it. Therefore, connect K Cd5 (2) to G- of PU'l), and connect the anode of PUT 94 to the gate of thyristor α◆ via resistors (B) and (to). The voltage VA applied to the anode of Il(E) is as follows: Vz is the Zener voltage of the Zener diode 61o.

また、 ptrr(ホ)のゲートO電圧vGは、つ「の
ようになる。
Further, the gate O voltage vG of ptrr(e) is as follows.

R。R.

Vo聰Vj X□ R寓+RO ただし、ROはCdS @の抵抗値である。Vo 聰Vj X□ R fable + RO However, RO is the resistance value of CdS@.

しかして、VA〉伽のとき、 pu’r 61Oはスイ
ッチング的にONL、VA<VoのときOFFとなる。
Therefore, when VA>G, pu'r 61O is ONL in terms of switching, and when VA<Vo, it is OFF.

PUT−がONのとキvムー藍は約O,SVで抵抗(ロ
)輪で分割しているため、fイリスpG4はOFF L
、PUT IIJがOFF Oと龜サイリスタα◆のゲ
ートターンオン電圧以上が印加され、サイリスタ(R4
はONする。
When PUT- is ON, the voltage is divided by the resistance (B) ring at approximately O, SV, so firis pG4 is OFF L
, PUT IIJ is OFF, and a voltage higher than the gate turn-on voltage of the thyristor α◆ is applied, and the thyristor (R4
turns on.

しかして、サイリスタα◆が側し九ときには、トライア
ックα廓もONするが、このとき、トライアックcIカ
のG−Tmの電圧は小さく、倣時の消費電力はきわめて
少ない。また、PU’l)Kよりトリガーされてサイリ
スタa4がONするので、温度変化に基づくゲート感度
の変動の影響は全くない・つぎに、第4図および第5図
に基込て本発明の第二の実施例を説明する。前記実施例
と同一部分は同一符号を用い説明も省略する0本実施例
は抵抗■と(!dB @との接続中点とptrr mの
ゲートとの間に、R1なる抵抗(ハ)とRsなる抵抗(
ハ)とCなるコンデンサ(2)とよりなる時定数回路−
を接続したものである。
When the thyristor α♦ is on its side, the triac α is also turned on, but at this time, the voltage across G-Tm of the triac cI is small, and the power consumption during copying is extremely small. In addition, since thyristor a4 is turned on by being triggered by PU'l)K, there is no effect of fluctuations in gate sensitivity due to temperature changes.Next, based on FIGS. 4 and 5, A second embodiment will be explained. The same parts as in the previous embodiment are given the same reference numerals, and the explanations are omitted. In this embodiment, a resistor R1 (c) and a resistor R1 are connected between the midpoint of the connection between the resistor resistance (
C) and a time constant circuit consisting of a capacitor (2) called C.
is connected.

このような構成において、抵抗(ハ)とCdS @との
接続点の電圧をVzとすると となシ、また、抵抗(ハ)(ハ)の接続中点の電圧Vo
の変化は抵抗−とコンデンサに)とで決まる時定数時間
だけvlより遅延するととくなる。PUT Hの動作は
、VA > VG テGJ、VA < VG テOFF
 テあるから、イtCds(2)の抵抗Roが大きくな
っていくと、ぬ〉宛の領域では第5図におけるVAのよ
うに毎サイクルF’UT gOはONする。このONの
とき、瞬間Veは零電位とな9、抵抗に)を介してコン
デンサに)からRs、 Cの時定数で放電する。したが
って、Voに示すように抵抗(2)からPUT(1)に
放電のため、コンデンサ電圧Voは放電がない場合にく
らべて低くなる。
In such a configuration, if the voltage at the connection point between the resistor (c) and CdS @ is Vz, then the voltage at the connection point between the resistors (c) and (c) is Vo.
The change in is delayed from vl by a time constant determined by the resistance and the capacitor. The operation of PUT H is VA > VG TE GJ, VA < VG TE OFF
Therefore, as the resistance Ro of tCds(2) increases, F'UT gO turns ON every cycle in the region addressed to NU, like VA in FIG. When this is ON, the instantaneous Ve becomes zero potential and is discharged from the capacitor via the resistor) with a time constant of Rs and C. Therefore, as shown by Vo, due to the discharge from the resistor (2) to the PUT (1), the capacitor voltage Vo becomes lower than when there is no discharge.

Vaが低くなることは等測的にVoが下がることである
から、規定照度でPUT(イ)をOFFすることができ
ず、点灯時の照度と消灯時の照度とを変えるヒステリシ
ス効果tもたせることが可能である。
Since a decrease in Va means a decrease in Vo isometrically, it is not possible to turn off the PUT (a) at the specified illuminance, and a hysteresis effect t that changes the illuminance when turned on and the illuminance when turned off is also provided. is possible.

いま、抵抗−(2)の抵抗値Rv、R・の比率社自山に
設定可能であるが、Rv : 84−1 g 2〜10
位が実験的には適幽である。
Now, the resistance value Rv of resistor (2), the ratio of R can be set to our own specifications, Rv: 84-1 g 2 to 10
Experimentally, the position is suitable.

本発明は、上述のように負荷への電流を制御するトライ
アックの動作を光導電セルによJ)ON−OFFするサ
イリスタにより行なわせるようにしたものにおいて、ト
ライブックのゲートと負荷側との間に全波整流回路とサ
イリスタとを接続し、このサイリスタの動作制御を光導
電セルが接続された2石等の高ゲインスイッチ素子によ
り行なわせるようにしたので、高ゲインスイッチ素子の
0N−OFFは温度の影響が少ない状態でスイッチング
し、これにより、サイリスタのように温度の影響のある
部品であっても温度上の特性変化はなく、安定しており
、また、トライアックOON時の消費電力も少なくてよ
く、さらに、時定数回路を付加することにより、点灯時
と消灯時との照度差をつけることが簡単にできる等の効
果を有するものである。
The present invention provides an arrangement in which the operation of the triac for controlling the current to the load is performed by a thyristor that is turned on and off by a photoconductive cell as described above. A full-wave rectifier circuit and a thyristor are connected to the thyristor, and the operation of the thyristor is controlled by a high-gain switching element such as a two-stone transistor to which a photoconductive cell is connected. Switching is performed with little influence of temperature, and as a result, even parts that are affected by temperature, such as thyristors, do not change their characteristics due to temperature and are stable, and the power consumption during triac OON is also low. Furthermore, by adding a time constant circuit, it is possible to easily create a difference in illuminance between when the light is turned on and when the light is turned off.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は従来例を示す回路図、第3図は本
発明の第一の実施例を示す回路図、第4図は本発−の第
二の実施例を示す回路図、第5図はその波形図である。 11・・・トライアック、12・・・負荷、13・・・
全波整流回路、14・・・サイリスタ、15〜19・・
・抵抗、20・・・PUT(高ゲインスイッチング素子
)、22・・・Cd8 (光導電セル)、24〜2ト・
・抵抗、26・・・コンデンサ、27・・・時定数回路 出 願 人   東京電気株式会社 −宅L7−、図 方5し)
1 and 2 are circuit diagrams showing a conventional example, FIG. 3 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a waveform diagram thereof. 11...Triac, 12...Load, 13...
Full-wave rectifier circuit, 14...thyristor, 15-19...
・Resistance, 20...PUT (high gain switching element), 22...Cd8 (photoconductive cell), 24~2T・
・Resistor, 26...Capacitor, 27...Time constant circuit Application person Tokyo Electric Co., Ltd. - House L7-, figure 5)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 l トライアックと負荷とを直列にlI!絖し1周囲層
度に応じて前記トライアツタ0QN−OFF&制御する
光導電セルを有して前記負frの点灯および消灯を行な
わせるようにしえもOにおいて、前記トライアックのゲ
ーFと前記負荷とO聞に接続された金波整流回路とこの
金波整fILwA路のプラス側にアノードが接続されマ
イナス側にカソードが接続されたサイリスタとを設け、
ζtVtイリスIのアノード・ゲート間およびゲート壷
カソード聞に抵抗を接続するとともにこれらの抵抗〇一
部と並列にHπ等0iIIIiゲインスイッチ素子を接
続し、この高ゲインスイッチ素子のグートーカソード間
に前記光導電セルを接続し九ことを4黴とする自動点滅
器。 2 トチイアツクと負荷とを直列Kil続し、周囲照度
に応じて前記トライアツタ0QN−OFFを制御する光
導電セルを有して前記負荷の点灯および消灯を行なわせ
るようKしたものにおいて、前記トライブックのゲート
と前記負荷との間に接続され九金波整流回路とこの金波
整流回路のプラス側に7ノードが接続されマイナス側に
カソードが接続されたサイリスタとを設け、このサイリ
スタのアノード・ゲート間およびゲート・カノード関に
抵抗を接続するとともにこれらの抵抗の一部と並列K 
PUT等の高ゲインスイッチ素子を接続し、この高ゲイ
ンスイッチ素子のゲート側に抵抗およびコンデンサから
なる時定数回路と前記光導電セルとを接続し九ことを特
徴とする自動点滅器。 3 時定数回路を光導電セルと高ゲインスイッチ素子と
の間を接続する二個の抵抗とこれらの抵抗の接続中・点
に接続されるコンデンサとKより形成し、前記光導電セ
ル側の抵抗と前記高ゲインスイッチ素子側の抵抗との抵
抗値を1:2〜lOに設定したことを特徴とする特許請
求の範8第2項記載の自動点滅器。
[Claims] l The triac and the load are connected in series lI! A photoconductive cell is provided to control the triac 0QN-OFF and to turn on and off the negative fr according to the degree of the surrounding layer of the triac. and a thyristor having an anode connected to the positive side and a cathode connected to the negative side of the gold wave rectifier fILwA path,
Resistors are connected between the anode and gate of ζtVt Iris I and between the gate pot cathode, and a gain switch element such as Hπ is connected in parallel with a part of these resistors. An automatic flasher that connects photoconductive cells and uses 4 types of light. 2. A photoconductive cell is connected in series with a light source and a load, and the light source is turned on and off by controlling the light source 0QN-OFF according to ambient illuminance, and the light source and the load are connected in series. A nine-kin wave rectifier circuit is connected between the gate and the load, and a thyristor is provided, in which seven nodes are connected to the positive side of the gold wave rectifier circuit and a cathode is connected to the negative side.・Connect a resistor to the cathode and connect some of these resistors in parallel with K.
An automatic flasher characterized in that a high gain switching element such as a PUT is connected, and a time constant circuit consisting of a resistor and a capacitor and the photoconductive cell are connected to the gate side of the high gain switching element. 3 A time constant circuit is formed by two resistors connecting between the photoconductive cell and the high gain switching element, a capacitor connected to the connection point between these resistors, and a resistor on the photoconductive cell side. 8. The automatic flasher according to claim 8, wherein a resistance value of the resistance on the high gain switching element side and the resistance on the high gain switching element side is set to 1:2 to 10.
JP57050607A 1982-03-29 1982-03-29 Automatic flasher Pending JPS58166693A (en)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5615598B2 (en) * 1976-12-24 1981-04-10
JPS5615597B2 (en) * 1976-11-04 1981-04-10
JPS5638992B2 (en) * 1975-06-02 1981-09-10
JPS5712694B2 (en) * 1977-10-20 1982-03-12

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638992B2 (en) * 1975-06-02 1981-09-10
JPS5615597B2 (en) * 1976-11-04 1981-04-10
JPS5615598B2 (en) * 1976-12-24 1981-04-10
JPS5712694B2 (en) * 1977-10-20 1982-03-12

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