JPS58164093A - 不揮発性メモリ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は電子計算機に組み込まれるメモリーに関し、更
に詳しくは、集積回路で構成されるランダムアクセスメ
モリーに関スる。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

電子計算機は、数値若しくは情報を演算処理する装置と
、該演算処理に必要々情報を蓄積し、必要に応じてそれ
を読出す読出し専用記憶装置（Ｒｅａｄｏｎｌｙ　ｍｅ
ｍｏｒｙ　：略称ＲＯＭ）と、必要に応じて情報を入力
して蓄積し、時には読取る記憶装置（Ｒａｎｄｏｍ　ａ
ｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ　：略称ＲＡＭ）とから構成
されている。

このうち、ＲＡＭには、情報の入出力が早いこと、情報
蓄積前が大きいこと、動作及び記憶保持に要する電流が
微少であること、々どの特性が求められる。現在では、
これら特性を満たすものとして集積回路（ＩＣ）のメモ
リーが知られかつ多用されている。

しかしながら、これらの集積回路型のメモリーは一般に
揮発性、すなわち、記憶保持用の電源からの電流が遮断
されると、既に蓄積されていた記憶が全て消失するとい
う欠点があった。そのため、実用に際しては、不慮の事
故等で短時間の電流遮断（停電など）があった場合には
最初から計算をし直さなければならないという不便さが
避けられず、また、該メモリーを電子計算機回路から取
シ外して他の各種の計算を行なわせるということはでき
ないという問題があった。

このような欠点を解消するために、回路構成要素のＭＯ
Ｓ）ランジスタのｒ−）電極部に電荷保存機能を付与し
て記憶の不揮発化を企図したメモリーも開発されている
。

しかしながら、この形式のメモリーはその構造　゛が複
雑となって製造価格の高騰を招き、かつ性能的には入出
力速度の減少という問題を招く。

また、他の解決策としては、メモリーに記憶保持用電源
として電池を組合せることが知られている。

しかしながら、従来のこの方法は、記憶用ＩＣと電池と
をそれぞれ別個に回路基板に取り付けるものであった。

すなわち、シリコン板を加工したＩＣのチップを、金属
フレーム又は磁製板に導電性薄膜を形成して成る基板の
上に固定し、このチップをアルミニウム、金などの細線
を介して外部回路と接続するものである。更に、これら
チツ・プを気密な外囲器に収納したシ合成樹脂中に埋め
込んで、外部雰囲気からの悪影響、外部からの機械的衝
撃による破損を避けている。

このため、メモリーを交換した場合には各種情報処理の
切換えが必要となシまだ処理結果の保存のためには更に
別の外部記憶装置を必要とし、このどとは、小型で比較
的単純な情報処理を行なうマイクロコンピュータ−にあ
ってはその簡便性を著しく損うものであって好ましくな
い事態である。

〔発明の目的〕

本発明は、記憶を不揮発化するＩＣメモリーの提供を目
的とする。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、個々のメモリー用ＩＣのチップに電池
を一体化することによって達成される。

すなわち、本発明の不揮発性メモリーは、メモリー用Ｉ
Ｃのチップと、該チップに電気的に接続された電池との
一体化構造体であることを特徴とする０ 本発明の不揮発性メモリーの１例を、概念的に示した一
部切欠斜視図（第１図）により説明する。

図において、１は金属ペースであって、この上に　　　
　、メモリー用ＩＣテップ２及び電池３が設計仕様に基
づいて固定配置されている。チップ２の電源用端子と電
池３はその間に充電防止のためのダイオード４を介在さ
せて電気的に接続される。なお、電池３として一次電池
を用いた場合には図のようにダイオードの介在が必要で
あるが、電池３が二次電池の場合には不要である。

電池３の他の端子は接地し、チップ２の外部電源用端子
（図示しない）は、外部素子への電池３の電流が流れる
ことを防止するためにダイ、オード４′を介して外部電
源と接続される。かくして、外部電源の停止時には、電
池３によって記憶保持が行なわれ、外部電源の作動時に
は、チップの記憶保持を該外部電源によって行なわせる
ようにすることができる。

これらは樹脂モールド５によって埋め込まれ外部雰囲気
による悪影響から保護されて本発明のメモリーを構成す
る。

以−トの説明を回路図で表現すれば第２図のようになる
。

なお、例示の不揮発性メモリーは電池３をモールド樹脂
に埋込む形式であるが、本発明の態様はこれに限らず、
電池３をモールドの表面に添着せしめた構造であっても
よいことはいうまでもない。

本発明の不揮発性メモリーに用いる電池は、−次電池、
二次電池のいずれであってもよいが、その電圧は外部電
源の電圧よシ低くかつメモリーの記憶を保持するに充分
なものでなければならない。

例えば、５ｖで作動するＣＭＯＳスタティック型ＩＣに
あっては、通常、２Ｖ程度で記憶は保持されており、そ
の記憶保持電圧の最下限は約１．５Ｖであるといわれて
いる。したがって、本発明を適用する場合、２〜３ｖの
超電力の電池を一体化せしめればよいことになる。

電池に必要とされるアンペア時容量は、対応するＩＣの
種類又はその使用法によって異なるので一部にはいえな
いが、上記したＣＭＯＳスタティック型ＩＣにあっては
、１０ｍＡ・時で１０年以上の記憶保存が可能である。

したがって、長期間の電池使用を考慮した場合、容量劣
化の大きい電池いわゆる自己放電の著しい′電池は不適
当であって、最近開発され実用化しつつある全固体電池
であることが好ましい。もち論、電池の使用期間によっ
ては他の種類の電池であってもよいことはいうまでもな
い。

〔発明の実施例〕

金属製フレームの接地部分を従来のＩＣの場合に比べて
大とし、ここにＬｉ　／ＬｉＭ／Ｂｉ　Ｉｓリチウム全
固体電池（開路電圧２．２８Ｖ）の負極（Ｌｉ側）を導
電性接着剤で接着し、正極（ＢｔＩｓ側）にはダイオー
ドを接続し、アルミニウム細線でＩＣと接続した。更に
ＩＣの外部電源用端子をダイオードを介して電源用ピン
に接続した後全体をエポキシ樹脂でモールドして第１図
に示した本発明のメモリーを製造した。

このメモリーは外部電源を停止しても記憶を消失するこ
とはなかった。

〔発明の効果〕

本発明のメモリーは、記憶保持用の電池を一体的に備え
ているので、■メモリーの記憶が不揮発化する、■メモ
リーを記憶回路から取９外し、他の記憶回路へさし換え
ての各種計算が可能となる、■記憶をそのまま保存でき
る、などの利薫を有するのでマイクロコンピュータ−に
適用して極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明不揮発性メモリーの１例の一部切欠斜視
図であり、第２図は回路図である。 １・・・金属ペース、２・・・メモリー用ＩＣチップ、
３・・・電池、４．４’・・・ダイオード、５・・・モ
ールド樹脂。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　メモリー用ＩＣのチップと、該チップに電気的に
   接続された電池との一体化構造体である不揮発性メモリ
   ー。 ２、該電池が、全固体電池である特許請求の範囲第１項
   記載の不揮発性メモリー。