JPS58163559U - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents

スパツタリングタ−ゲツト

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Publication number
JPS58163559U
JPS58163559U JP5919882U JP5919882U JPS58163559U JP S58163559 U JPS58163559 U JP S58163559U JP 5919882 U JP5919882 U JP 5919882U JP 5919882 U JP5919882 U JP 5919882U JP S58163559 U JPS58163559 U JP S58163559U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
target
sputtering
recorded
purity target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5919882U
Other languages
English (en)
Inventor
松尾 俊之
勝弥 奥村
Original Assignee
株式会社東芝
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東芝 filed Critical 株式会社東芝
Priority to JP5919882U priority Critical patent/JPS58163559U/ja
Publication of JPS58163559U publication Critical patent/JPS58163559U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図Aは従来のスパッタリングターゲットの断面図、
同図Bはその平面図、第2図はこの考案の一実施例を示
すスパッタリングターゲットの断面図である。 11・・・スパッタ面、21・・・高純度ターゲット、
22・・・低純度ターゲット。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高純度ターゲットと低純度ターゲットとからなる2層構
    造を有することを特徴とするスパッタリングターゲット
JP5919882U 1982-04-23 1982-04-23 スパツタリングタ−ゲツト Pending JPS58163559U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5919882U JPS58163559U (ja) 1982-04-23 1982-04-23 スパツタリングタ−ゲツト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5919882U JPS58163559U (ja) 1982-04-23 1982-04-23 スパツタリングタ−ゲツト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58163559U true JPS58163559U (ja) 1983-10-31

Family

ID=30069521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5919882U Pending JPS58163559U (ja) 1982-04-23 1982-04-23 スパツタリングタ−ゲツト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58163559U (ja)

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