JPS58149835U - 光映像伝送装置におけるａｐｄバイアス制御回路 - Google Patents

光映像伝送装置におけるａｐｄバイアス制御回路

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Publication number
JPS58149835U
JPS58149835U JP1982044676U JP4467682U JPS58149835U JP S58149835 U JPS58149835 U JP S58149835U JP 1982044676 U JP1982044676 U JP 1982044676U JP 4467682 U JP4467682 U JP 4467682U JP S58149835 U JPS58149835 U JP S58149835U
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JP
Japan
Prior art keywords
control circuit
bias control
video transmission
circuit
apd
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Pending
Application number
JP1982044676U
Other languages
English (en)
Inventor
浦田　春茂
幸夫 内田
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Filing date
Publication date
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  • Optical Communication System (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＡＰＤバイアス制御回路を用いたパイロ
ット挿入方式の光映像伝送装置の系統図、”第２図はＡ
ＰＤの逆バイアス対利得の変化を示す図、第３図は本考
案に係る一実施例を示す系統図、第４図はＡＰＤバイア
ス制御回路の入出力特性を示す図、第５図は第３図の光
入力対映像出力の変化を示す図、第６図、第７図は本考
案に係る第２．′第３の実施例を示す系統図、第８図は
第７図のＡＧＣ特性を示す図である。 ＨＶ、ＨＶ−１，ＨＶ−２，ＨＶ−３はＰＡＤバイアス
制御回路、ＯＩＥは光受信モジュール、ＲＡは受光増幅
回路、ＬＰＦはローパスフィルタ、ＢＰＦはバンドパス
フィルタ、ＰＡはパイロットキャリア増幅回路、ＤＥＴ
は検波回路、ＦＬは平滑回路、ＣＯＭは比較回路、Ａ１
．　Ａ２．　Ａ３．　Ａ１．　Ａ５は演算増幅器、ＴＲ
１，ＴＲ２はトランジスタ、ＤＣ／ＤＣはコンバータ、
Ｄｈ、Ｄｌはダイオード、Ｖ□、Ｖ２は基準電圧発生源
である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光に変換された映像信号を受光する素子にアバランシェ
    フォトダイオード（ＡＰＤ　；ａｖａｌａｎｃｈｅｐｈ
    ｏｔｏｄｉｏｄｅ）を用い、該アバランシェフォトダイ
    オードのバイアス電圧を変化させて自動利得制御（ＡＧ
    Ｃ）を行う光受信装置を構成した光映像伝送装置におけ
    るＡＰＤバイアス制御回路において、バイアス制御回路
    の入出力特性を改善する負帰還回路を含む高圧発生回路
    と、アバランシェフォトダイオードに加わるバイアス電
    圧の上限値を設定する第１のリミッタ回路と、アバラン
    シェフォトダイオードに加わるバイアス電圧の下限値を
    設定する第２のリミッタ回路とより成ることを特徴とす
    る光映像伝送装置におけるＡＰＤバイアス制御回路。
JP1982044676U 1982-03-31 1982-03-31 光映像伝送装置におけるａｐｄバイアス制御回路 Pending JPS58149835U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299536A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Koito Ind Co Ltd 光信号受信装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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