JPS58147120A - 規則パタ−ンの欠陥検出方式 - Google Patents

規則パタ−ンの欠陥検出方式

Info

Publication number
JPS58147120A
JPS58147120A JP2998882A JP2998882A JPS58147120A JP S58147120 A JPS58147120 A JP S58147120A JP 2998882 A JP2998882 A JP 2998882A JP 2998882 A JP2998882 A JP 2998882A JP S58147120 A JPS58147120 A JP S58147120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
light
mask
defect
spatial filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2998882A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Sekizawa
秀和 関沢
Akito Iwamoto
岩本 明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2998882A priority Critical patent/JPS58147120A/ja
Publication of JPS58147120A publication Critical patent/JPS58147120A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えばICマスク・母ターン岬d基本ノ母タ
ーンが繰返し配列されてなる被検ノ々ターン中の上記基
本ノリーンの欠陥を検出するに好適な規則/母ターンの
欠陥検出方式に関する。
〔発明の技術的背景とその間電点〕
カラーブラウン管のシャドウマスクやICマスクパター
ン等の基本・臂ターンが繰返し配列された/母ターンの
検査は、従来よ)専ら目視により行われているが、最近
、コヒーレント光と空間フィルタと音用いた検査方式が
検討されてきている。その一つに、基本パターンの周期
構造と、欠陥による非周期成分とを分離抽出して欠陥検
出を行うものがめる。この方式は、正規パターンである
規則的に配列されたパターンの7IJ工変換像が格子状
に規則的に分布すると言う性’lを用いたものである。
そこで光不透過領域を格子状に分布させた空間フィルタ
を用いて上記規則ノ量ターンからの情報光tS断するこ
とにより、上記空間フィルタを通った光から非周期的な
欠陥情報を検出せんとするものである。
然し乍ら、この方式管用いて実際に欠陥検出を行った賽
合、規則・母ターンの歳期が若干変動している為に正規
パターンからの光成分が上述した空間フィルタによちで
十分に透光されず、その出力面にノイズとして現われる
。この結果、小さな欠陥の検出ができなかった。また被
検パターンのフーリエ変換像と空間フィルタとを極めて
正確に位置合せすることが必要でラシ、更にはフーリエ
変換面として歪の少ない高精度のレンズを用いることが
必要である。これらの散性は装置の大型化、高価格化を
招くだけであり、従来の目視による欠陥検査以上の精度
を望むことができなかった。
一方、最近では、規則パターンの中で特に円形パターン
に着目し、空間バンドパスフィルタ光学系の定数を調整
して空間フィルタを通過する光の振幅分布の正と負のバ
ランスをとり、これにより特定サイズの・4タ一ン強度
が出力面で小さくなるような工夫が試みられている。こ
のような工夫を施こすことにより、特定サイズ以外のノ
臂ターンを欠陥として高精度に検出することが可能とな
る。
然し乍ら、このような方式では、空間フィルタの寸法お
よびその設定位置に高い精度が要求される。しかも、規
則・ぞターン寸法に緩やかな変化のあるシャドウマスク
・fターン勢の検査には、規則パターンの情報光が出力
面で強くなるので、小さな欠陥検出ができず、従って高
精度に・母ターンの欠陥検出かできない等の開動があっ
た。
〔発明の目的〕
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、規則ノ9ターンが多少の変動を
有する場合であっても、その微小欠陥を高精度に且つ高
速に検査することができ、しかも空間フィルタの寸法お
よび設定位置に対する許容縦の大きい実用性の高い規則
ノ4ターンの欠陥検出方式を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、単独に存在する基本パターンのスリットパタ
ーンの強度がほぼ零となる領域を通過帯とする空間フィ
ルタを介して被検パターンのスペクトルパターン成分を
抽出して上記被検・!ターンの微φな欠陥を検出するよ
うにしたものでるる。
〔発明の効果〕
従って本発明によれは、空間フィルタを通過する規則パ
ターンからの回折光が殆んどないので、空間フィルタの
寸法、その設定位置、更には規則パターンのゆるやかな
変動があっても、その微/4%な欠陥まで高精度に検出
することが可能となる。 − 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明方式の詳細につき説明する
尚、以下の説明では、検査すべき規則パターンとしてス
リットパターンにつき例示するが、これに限定されるも
のでないことは言うまでもない。
今、基本ノ9ターンが繰返し配列された被検パターンが
、第1図(、)に示すように水平幅1′、。
垂直幅鳳、なる複数のスリン)Aが水平ピッチP1、垂
直ピッチPvで水平方向に(2N+1 ) @、垂直方
向に(2M+1)個並べたものとして与えられるとする
このような規則パターンのフーリエ変換像#″i第1図
(b)に示す如き規則的なパターン像として4見られる
。このフーリエ変換像の水平軸ξ上の光強度分布lrは
第2図に示すようになり、解析的には次式で与えられる
しかして今、第1図(a)に示される被検パターン中の
1つのスリットに第3図に示す如き、突起P、il@b
yなる微小欠陥が存在するとする。この場合、上記欠陥
のフーリエ変換glFi、上述した第(1)式に示され
る■、と異なり、緩やかに変化する分布となる。そして
、その水平軸ξ上の光強度分布■。は次式で与えられる
第4図tiP、Th4m、なる条件のときの規則パター
ンのフーリエ変換健の分布を拡大して示したものであり
、欠陥が小さいときの分布は同図中破@IIで示すよう
になる。ここで今、Irの微小な変動を無視するものと
すれは、強度!、がI、より大きくなる領域は第4図中
X1+ Xzの領域として示される。この領域X 1 
+ Xz u 、前記第(1)式の包絡!l!成分を示
す が第(2)式で示される値より小さくなる領域である。
つまり、 で示され妙”4. (n ’整数)の近傍であることが
判る。従って、このような領域X1r Xz O光成分
のみを通過させ、他の領域の光成分を連断す   −る
ような空間フィルタとして形成すれば、既存の従来の空
間フィルタに比較して−良く欠陥検出を行い得ることが
判る。
そこで、第5図に示すように、空間フィルタの位置と形
状金定め、この空間フィルタを介する光成分を検出する
ようにすれに前述した欠陥を高N度に検出することが可
能となる。またこのような空間フィルタを通過した光を
フーリエ変換すれは、規則パターンによる光は(2N+
1 )2個に広がる。一方、欠陥による光をフーリエ変
換すると、その欠陥部にのみ集中するので、その強度に
大きな異なりが生じる。この結果、極めてへ良く微小欠
陥を横用することが可能となる。
しかも上紀空関フィルタによれは、規則パターンからの
回折光が殆んど零となる領域だけがその通過域となるの
で、空間フィルタを通過する規則パターンからの回折光
が殆んどない。故に、空間フィルタの寸法およびその位
置精度、更には規則パターンの緩やかな変動勢が存在し
ても、これらに影響されること力<、微小な欠陥までも
高棺度に検出することが可能となる。
以上が本発明における規則パターンの欠陥検出の基本的
な原理である。
第6図は本発明方式を適用してなる実施例装置の概略構
成図であり、カラーブラウン管のシャドウマスク検査に
適用した例を示している。
被検体であるシャドウマスク1は基本パターンを繰返し
配列して構成されるもので、x−yステージ2に軟量さ
れて規則パターンの欠陥検出に供される。マスク1ft
#、11[シて保持するX−Yステージ2は、コントロ
ーラ3の制御を受けて作動する/4′ルスモータ4,5
によりX、Y方向に移動駆動されるようになっている。
これらのΔシスモータ4.5によるX−Yステージ2の
移動により、前記シャドウマスク1は後述するコリメー
ト光に灼して全面走査されるようになっている。
一方、レーデ光源6から出力されるレーザビームは、コ
リメートレンズ7を介して前記シャドウマスク1に照明
されている。そしてこの照明光の上記シャドウマスク1
を通過した光は、レンズ8に入射されている。このレン
ズ8は、その前側焦点面に前記シャドウマスク1が位置
する関係で設置されるもので、これによって上記レンズ
8の後側焦点面に前記マスク1のフーリエ変換パターン
像が得らnるようになっている。しかして、このマスク
1のフーリエ変換パターン像が得られる前記レンズ8の
後側焦点位置には、前記第5図に示した形状の空間フィ
ルタ9が配置されている。この空間フィルタ9にて前記
マスク1の欠陥パターンによる光成分のみが知良く抽出
されている。そして、この空間フィルタ9t−介した光
成分は、レンズ10を介してピンホール11を備えたス
クリーン12上に結像されている。これにより、上記ス
クリーン12上に前記シャドウマスク1の欠陥パターン
出力像が映し出される。この欠陥パターン出力像が前記
ピンホール11′に通して光電変換器13に受光され、
光電変換されたのち、増幅器14、A/D変換器15t
−介して出力される。
この出力信号の大きさにより前記マスク1の欠陥ノ4タ
ーンが検出されるようになっている。
ところで、上記の如くして検出される欠陥/IFターン
の大きさは、前記光電変換器13の出力信号から次のよ
うにして求めることができる。
即ち、鯖7図にそのシミーレージ冒ン結果を示すように
、欠陥の大きさに対する光電変換器13の出力信号強度
の関係は、#1は一意的に定まり、欠陥出力■。′は近
似的に次式で示される。
但し、第(4)式で示されるξ・は、第5図に示される
ように、フーリエ変換面の原点から空間フィルタの中心
位置マでの距離である。従って、上記関係式を利用する
ことにより、検出され次欠陥パターンの大きさを容易に
検出することがてきる。
以上のように、本方式で用いられる空間フィルタによれ
は、規則パターンからの回折光が殆んど零となる領域近
傍の光のみを検出するので、上記規則パターンからの回
折光を除去することかできる。これ故、被検パターン中
の小さな欠陥パターンを高精度に検出することができる
。しかも、空間フィルタ9の寸法や、その設足位飯に多
少の誤差が存在しても、被検体の規則・母ターンによる
ノイズ光がさほど大きくならないので、へ良く欠陥パタ
ーンを検出することが可能でるる。また規則ノ臂ターン
にゆ□るやかな変動があっても、その基本パターンが規
則的に配列されている限り上述した欠陥パターン検出が
可能である。更には、空間フィルタ9は、被検パターン
の7−リエ変換パターン像の一部だけを通過させるだけ
で良いものであるから、上記フィルタ9の位置合せが容
易であり、装曾構成の簡易化を図9得る。
またフーリエ変換面に多少の歪が存在しても、その急影
響を受ける處れが殆んどないので、安価なレンズを有効
に利用できると言う効果を奏する。
次に1本発明で用いられる空間フィルタ9の形状の定め
方について簡単に設明する。第1図に示される被検79
ターンのフーリエ変換面におけるζ方向の光強度分布を
第4図に示したが、特にζ−% 近傍を拡大して示すと
第8図のよ翼 うになる。但し、光ビームのサイズ内に入るスリットA
の個数1−(2N+1 ) (it、特に第8図はN=
4の場合の例を示している。この例で示されるように、
空間フィルタ9を通過する規則/4’ターンからの回折
光をでき得る限夛小さくするには、斜線領域Yで示され
る光通過阻止領域を形成すれはよい。
即ち、空間フィルタ9の中心位置1@t−1,”’7M
I (=”/、)であるから、上記フィルタ9の中心但し、
λは検出に使用されるレーザ光の波長であり、fはフー
リエ変換レンズ8の焦点距離である。尚、実際には、光
学系の線動や、光走査系における光軸の変動勢を考慮し
て、上記光通過領域XIIX、の値を上述した値より小
さくすることが好ましい。また、ξ軸と垂直なY軸方向
についても、全く同様にしてフィルタ形状を定めること
ができる。
即ち、規則パターンのY軸方向の寸法がであるならは、
そのフーリエ変換面におけるY軸方向の光強度分布は第
9図に示すようになる。
従ってこの場合には、光の通過領域t−7一リエ変換面
の中心位置から14v離れた位置を中心とするその近傍
に定めれはよい。
しかして、このようにξ軸方向およびダ軸方向について
欠陥パターンを検出するには、その2次元的な空間フィ
ルタ9の形状を第10図(鳳)に示す如く定めればよい
。を九特に、照射レーデ光の強度が高い場合には、第1
θ図(b)に示す形状O空間フィルタ#を用いるように
すればよい、このような2次元的形・状會持つ空間フィ
ルタ9f用いることにより、更に精度の高い欠陥/9タ
ーン検出が可能となる。また、被検パターンが第11図
に示されるように、断簡市松模様状に配列されている場
合KFi、同様な解析によって形状決定される第12図
に示すような空間フィルタ9t−用いるようにすれによ
い。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えに規則パターンを構成する基本パターンの形状や、そ
の配列の規則性は上述した例に限られるものではなく、
また9間フィルタは上記規則パターンに応じて定めれば
よいものである。畏するに本発明はその要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施することができや。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の詳細な説明する為のもので、第1図(1)
 、 (b)U被検パターンの一例とそのフーリエ変換
パターンを示す図、第2図はフーリエ羨換パターンのζ
軸上の光強度分布管示す図、纂3図は欠陥パターンの一
例を示す図、第4図はフーリエ変換パターンのC軸上の
光強度分布と空間フィルタの光通過領域との関係を示す
図、第5図は空間フィルタの形状を示す図、第6図は実
施例装置の概略構成図、第7図は欠陥パターンの大きさ
と出力信号との関係を示す図、第8図および第9図は空
間フィルタの形状を説明する為の図、第10図(a)、
伽)は空間フィルタの形状@を示す図、第11図は被検
Δ′ターンの他の例を示す図、第12図は第11図に示
す被検パターンに対する空間フィルタの形状を示す図で
ある。 1・・・シャドウマスク(被検パターン)、”−・レー
デ光源、1・・・コリメートレンズ系、1・・・レンズ
(フーリエ羨換)、p−・空間フィルタ、10・・・レ
ンズ、11・・・ピンホール、12・・・スクリーン、
J3・・・光電変換器。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第6図 第7図 契陥0丸きさ−b+−+

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)基本−り−ンの繰返しからなる被検74?ターン
    のス(クトルΔターンを得る手段と、単独で存在する上
    記基本パターンのスペクトルパターンがほぼ零となる領
    域を通過域としたフィルタと、このフィルタを介して求
    められた前記被検)寺ターンのスペクトルパターン成分
    を観測して前記被検−々ターンの欠陥情報を得るチ段と
    を具備したことを特徴とする規則パターンの欠陥検出方
    式。 (2J  1i1E 検−L4ターンのスペクトルパタ
    ーンt−iる手段は、上記被検パターンにコヒーレント
    な光を照明するコヒーレント光学系からなるものである
    特許請求の範囲第1g4記載の規則パターンの欠陥検出
    方式。 (3)  被検パターンの欠陥情報乏得る手段は、フィ
    ルタラ介した被検パターンのスペクトルツタターン成分
    t−7−リエ変換して行うものである特許請求の範囲第
    1項記載の規則/母ターンの欠陥検出方式。
JP2998882A 1982-02-26 1982-02-26 規則パタ−ンの欠陥検出方式 Pending JPS58147120A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2998882A JPS58147120A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 規則パタ−ンの欠陥検出方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2998882A JPS58147120A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 規則パタ−ンの欠陥検出方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58147120A true JPS58147120A (ja) 1983-09-01

Family

ID=12291330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2998882A Pending JPS58147120A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 規則パタ−ンの欠陥検出方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58147120A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970007396A (ko) * 1995-07-21 1997-02-21 케네쓰 어베이트 새도우 마스크용 포물면 레이저 탐사 시스템 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970007396A (ko) * 1995-07-21 1997-02-21 케네쓰 어베이트 새도우 마스크용 포물면 레이저 탐사 시스템 및 방법
US5636029A (en) * 1995-07-21 1997-06-03 Bmc Industries, Inc. Elliptical laser probe for shadow mask

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60036443T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Retikels unter Verwendung von Luftbildern
DE60016682T2 (de) Vorrichtung zur Photomaskeninspektion mittels Photolithographiesimulation
CN108062558B (zh) 使用位故障和虚拟检查产生一种晶片检查过程
JP3020462U (ja) 自動フォトマスク検査装置
US5428442A (en) Inspection system with in-lens, off-axis illuminator
CN107533759B (zh) 对于关注图案图像群体的异常检测
US20130336574A1 (en) Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles
US9019492B2 (en) Defect inspection device and defect inspection method
KR20140145199A (ko) 극자외선 레티클의 임계 치수 균일성 모니터링
EP1669741A1 (de) Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
JP2009025221A (ja) 欠陥検査方法およびその装置
DE112017000464T5 (de) Einzelwellenlängen-Ellipsometrie mit verbesserter Spotgrößen-Fähigkeit
JP2006227016A (ja) パターンの欠陥検査方法およびその装置
JP5134178B2 (ja) 空間フィルタを有する光学的検査方法及び装置
US9535009B2 (en) Inspection system
JP3185878B2 (ja) 光学的検査装置
JPS58147120A (ja) 規則パタ−ンの欠陥検出方式
US4008967A (en) Device for testing masks for semiconductor components
EP2098849A1 (en) Test apparatus usable to measure stray light in electro-optical apparatuses
JP2013174575A (ja) パターン検査装置、及びこれを使用した露光装置の制御方法
JP2606301B2 (ja) 光学的パターン検査方法
US11749571B2 (en) System and method for high speed inspection of semiconductor substrates
JP3338118B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230366674A1 (en) Method for measuring the diameter of filament diffraction fringes by calculating the frequency domain
JPS596537A (ja) 欠陥検査装置